JPH0461068B2 - - Google Patents
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- JPH0461068B2 JPH0461068B2 JP59027839A JP2783984A JPH0461068B2 JP H0461068 B2 JPH0461068 B2 JP H0461068B2 JP 59027839 A JP59027839 A JP 59027839A JP 2783984 A JP2783984 A JP 2783984A JP H0461068 B2 JPH0461068 B2 JP H0461068B2
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- JP
- Japan
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- base material
- aluminum base
- oxide film
- film
- thin film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/10—Oxidising
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は薄膜形成用アルミニウム基材の表面
処理方法に関する。
処理方法に関する。
PVD法やCVD法を利用してアルミニウム基材
の表面に薄膜を形成して製造した製品としては、
太陽電池（薄膜構成物質：アモルフアスSi）、電
子写真用感光体（薄膜構成物質：Seまたはその
合金、アモフアスSiなど）、ポリゴンミラー（薄
膜構成物質：Al、SiO2）などがある。このよう
な薄膜は、膜質が均一でかつ基材との密着性がす
ぐれていなけれはならない。ところでこれらの製
品の製造工程において、薄膜の形成時に同薄膜の
表面に、脹れ、割れ、ピンホールなどの種々の表
面欠陥が生じることがあり、これが製品の品質上
大きな問題となつていた。この点を電子写真用感
光体について以下にさらに詳しく説明する。電子
写真技術を用いた複写機や、レーザービームプリ
ンタなどにおいては、アルミニウム基材の表面
に、SeまたはSe−Te、Se−Te−As、Se−Asな
どのSe合金、アモルフアスSiなどの半導体、ア
モルフアス金属、ZnO、CdS、有機系半導体など
の物質からなる薄膜を、PVD法、CVD法などに
より形成して感光層とし、電子写真用感光体を製
造しているが、この感光体の製造工程において感
光層形成時に感光層の表面に脹れ、割れ、ピンホ
ールなどの表面欠陥が生じ、これが電子写真画像
に悪影響を及ぼすという問題があつた。このよう
な薄膜の欠陥の原因としては、真空中で薄膜を形
成する過程でアルミニウム基材が真空下に200〜
300℃に加熱された時に基材表面から放出される
ガスや、アルミニウム基材を押出加工、圧延加
工、プレス加工、切削加工するさいに基材の表面
に付着した加工油などの汚染物質が大きく影響し
ていると考えられる。そして、薄膜に上記のよう
な欠陥が生じるのを防ぐためには、アルミニウム
基材の表面からの放出ガスを減らすとともに薄膜
形成前のアルミニウム基材表面の汚染物質を除去
しておくことが重要である。この点につき本発明
者らは実験研究を重ねた結果、薄膜を形成する前
のアルミニウム基材の表面の皮膜状態が大きく影
響するものと考えるに至つた。
の表面に薄膜を形成して製造した製品としては、
太陽電池（薄膜構成物質：アモルフアスSi）、電
子写真用感光体（薄膜構成物質：Seまたはその
合金、アモフアスSiなど）、ポリゴンミラー（薄
膜構成物質：Al、SiO2）などがある。このよう
な薄膜は、膜質が均一でかつ基材との密着性がす
ぐれていなけれはならない。ところでこれらの製
品の製造工程において、薄膜の形成時に同薄膜の
表面に、脹れ、割れ、ピンホールなどの種々の表
面欠陥が生じることがあり、これが製品の品質上
大きな問題となつていた。この点を電子写真用感
光体について以下にさらに詳しく説明する。電子
写真技術を用いた複写機や、レーザービームプリ
ンタなどにおいては、アルミニウム基材の表面
に、SeまたはSe−Te、Se−Te−As、Se−Asな
どのSe合金、アモルフアスSiなどの半導体、ア
モルフアス金属、ZnO、CdS、有機系半導体など
の物質からなる薄膜を、PVD法、CVD法などに
より形成して感光層とし、電子写真用感光体を製
造しているが、この感光体の製造工程において感
光層形成時に感光層の表面に脹れ、割れ、ピンホ
ールなどの表面欠陥が生じ、これが電子写真画像
に悪影響を及ぼすという問題があつた。このよう
な薄膜の欠陥の原因としては、真空中で薄膜を形
成する過程でアルミニウム基材が真空下に200〜
300℃に加熱された時に基材表面から放出される
ガスや、アルミニウム基材を押出加工、圧延加
工、プレス加工、切削加工するさいに基材の表面
に付着した加工油などの汚染物質が大きく影響し
ていると考えられる。そして、薄膜に上記のよう
な欠陥が生じるのを防ぐためには、アルミニウム
基材の表面からの放出ガスを減らすとともに薄膜
形成前のアルミニウム基材表面の汚染物質を除去
しておくことが重要である。この点につき本発明
者らは実験研究を重ねた結果、薄膜を形成する前
のアルミニウム基材の表面の皮膜状態が大きく影
響するものと考えるに至つた。
アルミニウムは周知のように、非常に酸化され
易い金属であり、酸素と触れると表面に酸化膜が
形成される。またアルミニウムが水、湿気などの
水分の存在する環境下に置かれると、その表面に
水和酸化膜が生成する。そして水和酸化物の生成
反応の温度が高い程水和酸化膜の成長は著しく、
高温環境ではアルミニウム表面にベーマイト（擬
ベーマイト）またはバイアライトなどの水和酸化
膜が形成される。このような水和酸化膜の膜質
は、水分の存在しない環境で形成されるアルミニ
ウム酸化膜に較べて非常に粗で多孔質状でありか
つその孔形態も複雑にいり込んでいる。加えて膜
厚も厚い。
易い金属であり、酸素と触れると表面に酸化膜が
形成される。またアルミニウムが水、湿気などの
水分の存在する環境下に置かれると、その表面に
水和酸化膜が生成する。そして水和酸化物の生成
反応の温度が高い程水和酸化膜の成長は著しく、
高温環境ではアルミニウム表面にベーマイト（擬
ベーマイト）またはバイアライトなどの水和酸化
膜が形成される。このような水和酸化膜の膜質
は、水分の存在しない環境で形成されるアルミニ
ウム酸化膜に較べて非常に粗で多孔質状でありか
つその孔形態も複雑にいり込んでいる。加えて膜
厚も厚い。
ところで、通常の押出加工により成形されたア
ルミニウム材の表面には、成形時水分を含んだ大
気（酸素）との接触により水和酸化膜が生成さ
れ、しかもこの水和酸化膜は、成形時高温にさら
されるため、水和酸化膜の生成反応が促進されて
厚膜となつている。この水和酸化膜の膜質は上述
のとおり多孔質状であり、かつ厚膜であるために
皮膜に多くの水分が吸着する。しかも皮膜がちみ
つさに欠けるために、成形後においても大気中に
存在する水分、ハイドロカーボン、二酸化炭素お
よび一酸化炭素などのガスが皮膜に吸着する。ま
た、加工油等の汚染物質も前記同様皮膜に吸着す
る。しかもこれらは水和酸化膜が上記のようなも
のであるために、皮膜内にいわば吸蔵された形態
になる。その結果これらの脱離が困難な状態とな
り、真空引きを行なつてもなかなか除去できな
い。したがつて、これがアルミニウム基材の表面
に形成する薄膜に欠陥が生じる原因になつている
と思われる。また、成形後のアルミニウム材の機
械的強度を高めるために、高温加熱後、水冷およ
び空冷などの焼入れ処理や、熱処理が行なわれる
が、このさいにも成形時に形成された上述の水和
酸化膜はさらに成長するとともにすでに吸着され
ている薄膜表面に欠陥が生じさせる物質は皮膜に
内蔵される形となる。
ルミニウム材の表面には、成形時水分を含んだ大
気（酸素）との接触により水和酸化膜が生成さ
れ、しかもこの水和酸化膜は、成形時高温にさら
されるため、水和酸化膜の生成反応が促進されて
厚膜となつている。この水和酸化膜の膜質は上述
のとおり多孔質状であり、かつ厚膜であるために
皮膜に多くの水分が吸着する。しかも皮膜がちみ
つさに欠けるために、成形後においても大気中に
存在する水分、ハイドロカーボン、二酸化炭素お
よび一酸化炭素などのガスが皮膜に吸着する。ま
た、加工油等の汚染物質も前記同様皮膜に吸着す
る。しかもこれらは水和酸化膜が上記のようなも
のであるために、皮膜内にいわば吸蔵された形態
になる。その結果これらの脱離が困難な状態とな
り、真空引きを行なつてもなかなか除去できな
い。したがつて、これがアルミニウム基材の表面
に形成する薄膜に欠陥が生じる原因になつている
と思われる。また、成形後のアルミニウム材の機
械的強度を高めるために、高温加熱後、水冷およ
び空冷などの焼入れ処理や、熱処理が行なわれる
が、このさいにも成形時に形成された上述の水和
酸化膜はさらに成長するとともにすでに吸着され
ている薄膜表面に欠陥が生じさせる物質は皮膜に
内蔵される形となる。
また、圧延加工により成形されるアルミニウム
基材の表面には、汚染物質である圧延油が付着し
ているとともに、圧延時および焼鈍時に多孔質状
の水和酸化膜が生成している。さらに、プレス加
工により成形されるアルミニウム基材にも汚染物
質である加工油が付着しているとともに、水和酸
化膜が生成している。
基材の表面には、汚染物質である圧延油が付着し
ているとともに、圧延時および焼鈍時に多孔質状
の水和酸化膜が生成している。さらに、プレス加
工により成形されるアルミニウム基材にも汚染物
質である加工油が付着しているとともに、水和酸
化膜が生成している。
この発明は上記実情に鑑みてなされたものであ
つて、上記表面欠陥のない好適な薄膜を形成する
ことのできる薄膜形成用アルミニウム基材の表面
処理方法を提供することにある。
つて、上記表面欠陥のない好適な薄膜を形成する
ことのできる薄膜形成用アルミニウム基材の表面
処理方法を提供することにある。
この発明による薄膜形成用アルミニウム基材の
表面処理方法は、アルミニウム基材の表面にドラ
イエツチングを施して清浄でかつ水和酸化膜が除
去された乾燥面とした後、このアルミニウム基材
を水分を含んだ大気と接触しないような酸素含有
ガス雰囲気中で加熱し、アルミニウム基材の表面
に酸化皮膜を形成することを特徴とするものであ
る。
表面処理方法は、アルミニウム基材の表面にドラ
イエツチングを施して清浄でかつ水和酸化膜が除
去された乾燥面とした後、このアルミニウム基材
を水分を含んだ大気と接触しないような酸素含有
ガス雰囲気中で加熱し、アルミニウム基材の表面
に酸化皮膜を形成することを特徴とするものであ
る。
上記において、アルミニウム基材の代表例とし
ては、電子写真感光体の感光層を支持する基材が
あるが、その他に太陽電池、ポリゴンミラー、半
導体デバイスなどの薄膜を支持する基材などがあ
る。これらは、押出成形、圧延、プレス成形、切
削加工などにより形成される。
ては、電子写真感光体の感光層を支持する基材が
あるが、その他に太陽電池、ポリゴンミラー、半
導体デバイスなどの薄膜を支持する基材などがあ
る。これらは、押出成形、圧延、プレス成形、切
削加工などにより形成される。
上記において、ドライエツチングの具体例とし
ては、放電洗浄、反応性ガスエツチング、プラズ
マエツチング、反応性イオンエツチング、反応性
イオンビーム・エツチング、イオンビーム・エツ
チング、反応性レーザビーム・エツチングなどを
あげることができる。ドライエツチングによりア
ルミニウム基材の表面を清浄でかつ水和酸化膜が
除去された乾燥面とする場合には、酸洗浄やアル
カリ洗浄によつて加工油を洗い流すとともに水和
酸化膜を除去する場合のように、洗浄後の乾燥工
程を必要としない。
ては、放電洗浄、反応性ガスエツチング、プラズ
マエツチング、反応性イオンエツチング、反応性
イオンビーム・エツチング、イオンビーム・エツ
チング、反応性レーザビーム・エツチングなどを
あげることができる。ドライエツチングによりア
ルミニウム基材の表面を清浄でかつ水和酸化膜が
除去された乾燥面とする場合には、酸洗浄やアル
カリ洗浄によつて加工油を洗い流すとともに水和
酸化膜を除去する場合のように、洗浄後の乾燥工
程を必要としない。
上記において、アルミニウム基材の表面を清浄
でかつ水和酸化膜が除去された乾燥面とした後、
このアルミニウム基材を水分を含んだ大気と接触
しないような酸素含有ガス雰囲気中で加熱してそ
の表面に酸化皮膜を形成する方法としては、つぎ
の３つの方法をあげることができる。
でかつ水和酸化膜が除去された乾燥面とした後、
このアルミニウム基材を水分を含んだ大気と接触
しないような酸素含有ガス雰囲気中で加熱してそ
の表面に酸化皮膜を形成する方法としては、つぎ
の３つの方法をあげることができる。
その１は、酸素0.5〜30vol％とくに１〜10vol
％を含み、残部不活性ガスまたはアルミニウムに
対して不活性なガスよりなる混合ガス雰囲気中で
加熱する方法である。不活性ガスとしては、アル
ゴンおよびヘリウムが一般的である。アルミニウ
ムに対して不活性なガスとしてはチツ素ガスが一
般的である。
％を含み、残部不活性ガスまたはアルミニウムに
対して不活性なガスよりなる混合ガス雰囲気中で
加熱する方法である。不活性ガスとしては、アル
ゴンおよびヘリウムが一般的である。アルミニウ
ムに対して不活性なガスとしてはチツ素ガスが一
般的である。
その２は、上記において、不活性ガス雰囲気中
またはチツ素ガス雰囲気中で加熱する方法であ
る。市販の不活性ガスおよびチツ素ガスまたは工
業的に得られる不活性ガスおよびチツ素ガスには
微量の酸素が含まれている。
またはチツ素ガス雰囲気中で加熱する方法であ
る。市販の不活性ガスおよびチツ素ガスまたは工
業的に得られる不活性ガスおよびチツ素ガスには
微量の酸素が含まれている。
その３は、真空雰囲気中で加熱する方法であ
る。真空雰囲気中にも微量の酸素は含まれてい
る。
る。真空雰囲気中にも微量の酸素は含まれてい
る。
この３つの方法において、加熱温度を120〜500
℃とくに200〜300℃とし、加熱時間を0.1〜24時
間とくに0.5〜６時間とするのがよい。上記200〜
300℃の加熱処理は、熱処理用アルミニウム合金
の場合には時効処理を、非熱処理用アルミニウム
合金の場合には安定化処理を兼ねることができ
る。ちなみに、加熱温度が120℃未満では酸化皮
膜の形成がうまくいかず、500℃を越えると非結
晶質皮膜の一部が結晶化して混在した状態となり
ちみつな皮膜が形成されなくなるおそれがある。
℃とくに200〜300℃とし、加熱時間を0.1〜24時
間とくに0.5〜６時間とするのがよい。上記200〜
300℃の加熱処理は、熱処理用アルミニウム合金
の場合には時効処理を、非熱処理用アルミニウム
合金の場合には安定化処理を兼ねることができ
る。ちなみに、加熱温度が120℃未満では酸化皮
膜の形成がうまくいかず、500℃を越えると非結
晶質皮膜の一部が結晶化して混在した状態となり
ちみつな皮膜が形成されなくなるおそれがある。
上記３つのいずれの方法でも、アルミニウム基
材の表面が水分を含んだ大気と接触することが防
がれるので、その表面に水和酸化膜が生成するこ
とはない。そして、これらの方法では活性なアル
ミニウム表面にちみつで薄い酸化膜が生成する。
第１の方法では、酸化膜の厚さは20〜60Å程度の
ものが得られ、第２の方法ではこれよりも膜厚は
薄くなる。なお、第３の方法では、露天管理が困
難であるため、第１および第２の方法が好まし
い。
材の表面が水分を含んだ大気と接触することが防
がれるので、その表面に水和酸化膜が生成するこ
とはない。そして、これらの方法では活性なアル
ミニウム表面にちみつで薄い酸化膜が生成する。
第１の方法では、酸化膜の厚さは20〜60Å程度の
ものが得られ、第２の方法ではこれよりも膜厚は
薄くなる。なお、第３の方法では、露天管理が困
難であるため、第１および第２の方法が好まし
い。
こうしてこの発明の方法によつて表面処理が施
されたアルミニウム基材の表面に、PVD法や
CVD法などの常法により薄膜が形成される。薄
膜を構成する物質は、電子写真用感光体ではSe
またはSe−Te、Se−Te−As、Se−AsなどのSe
合金、アモルフアスSiなどの半導体、アモルフア
ス金属、ZnO、CdS、有機系半導体などであり、
太陽電池ではアモルフアスSi、ポリゴンミラーで
はAl、SiO2などである。
されたアルミニウム基材の表面に、PVD法や
CVD法などの常法により薄膜が形成される。薄
膜を構成する物質は、電子写真用感光体ではSe
またはSe−Te、Se−Te−As、Se−AsなどのSe
合金、アモルフアスSiなどの半導体、アモルフア
ス金属、ZnO、CdS、有機系半導体などであり、
太陽電池ではアモルフアスSi、ポリゴンミラーで
はAl、SiO2などである。
この発明による薄膜形成用アルミニウム基材の
表面処理方法は、アルミニウム基材の表面にドラ
イエツチングを施して清浄でかつ水和酸化膜が除
去された乾燥面とした後、このアルミニウム基材
を水分を含んだ大気と接触しないような酸素含有
ガス雰囲気中で加熱し、アルミニウム基材の表面
に酸化皮膜を形成するものであるから、アルミニ
ウム基材表面に問題のある水和酸化膜が生成せ
ず、代わりにちみつな酸化皮膜が形成せられてい
るため、水和酸化膜に較べてガスや汚染物質の吸
着、吸蔵は著しく少なく、かつ吸着、吸蔵されて
いても脱ガス処理により簡単にこれを除去するこ
とができる。したがつて、汚染物質の量が少なく
なり、しかも真空中での薄膜形成のさいに表面に
放出されるガス量が非常に少なくなり、形成され
る薄膜に欠陥が生じるのを防ぐことができるし、
従来のように表面欠陥が生じるのを防ぐための面
倒な作業を省略ないし軽減することができる。ま
た、アルミニウム基材の表面にはちみつな酸化皮
膜が形成されているため、その後の工程で大気と
接触したとしても、薄膜の表面に脹れ、割れ、ピ
ンホール等の欠陥を生じさせる物質の吸着を防止
するとともに、水和酸化膜の生成を抑制すること
ができる。
表面処理方法は、アルミニウム基材の表面にドラ
イエツチングを施して清浄でかつ水和酸化膜が除
去された乾燥面とした後、このアルミニウム基材
を水分を含んだ大気と接触しないような酸素含有
ガス雰囲気中で加熱し、アルミニウム基材の表面
に酸化皮膜を形成するものであるから、アルミニ
ウム基材表面に問題のある水和酸化膜が生成せ
ず、代わりにちみつな酸化皮膜が形成せられてい
るため、水和酸化膜に較べてガスや汚染物質の吸
着、吸蔵は著しく少なく、かつ吸着、吸蔵されて
いても脱ガス処理により簡単にこれを除去するこ
とができる。したがつて、汚染物質の量が少なく
なり、しかも真空中での薄膜形成のさいに表面に
放出されるガス量が非常に少なくなり、形成され
る薄膜に欠陥が生じるのを防ぐことができるし、
従来のように表面欠陥が生じるのを防ぐための面
倒な作業を省略ないし軽減することができる。ま
た、アルミニウム基材の表面にはちみつな酸化皮
膜が形成されているため、その後の工程で大気と
接触したとしても、薄膜の表面に脹れ、割れ、ピ
ンホール等の欠陥を生じさせる物質の吸着を防止
するとともに、水和酸化膜の生成を抑制すること
ができる。
つぎに、この発明の実施例について説明する。
A3003合金の溶湯を鋳造した後、これを外径90
mm、肉厚８mmのパイプ状に押出した。得られた押
出品に引抜き加工および表面切削加工を施して、
外径80mm、肉厚５mm、長さ300mmのドラム状のア
ルミニウム基材を得た。このドラム状基材にアル
ゴンガスを用いた放電洗浄（グロー放電）を施し
て、基材の表面を清浄でかつ水和酸化膜が除去さ
れた乾燥面とした。その後、酸素20vol％、残部
アルゴンからなる混合ガス雰囲気中で、270℃で
４時間加熱した。
mm、肉厚８mmのパイプ状に押出した。得られた押
出品に引抜き加工および表面切削加工を施して、
外径80mm、肉厚５mm、長さ300mmのドラム状のア
ルミニウム基材を得た。このドラム状基材にアル
ゴンガスを用いた放電洗浄（グロー放電）を施し
て、基材の表面を清浄でかつ水和酸化膜が除去さ
れた乾燥面とした。その後、酸素20vol％、残部
アルゴンからなる混合ガス雰囲気中で、270℃で
４時間加熱した。
このドラム状基材の表面には厚さ約40Åのちみ
つな酸化膜が形成されていた。
つな酸化膜が形成されていた。
ついで、ドラム状アルミニウム基材の表面に、
Se合金を真空蒸着して薄膜、すなわち感光層を
形成した。得られた電子写真用感光体の感光層表
面を光学顕微鏡およびSEMで観察したところ、
脹れ、割れ、ピンホールなどの表面欠陥は全く認
められず、平坦で極めて良好な感光層が形成され
ていることが確認された。
Se合金を真空蒸着して薄膜、すなわち感光層を
形成した。得られた電子写真用感光体の感光層表
面を光学顕微鏡およびSEMで観察したところ、
脹れ、割れ、ピンホールなどの表面欠陥は全く認
められず、平坦で極めて良好な感光層が形成され
ていることが確認された。
Claims (1)
- １ アルミニウム基材の表面にドライエツチング
を施して清浄でかつ水和酸化膜が除去された乾燥
面とした後、このアルミニウム基材を水分を含ん
だ大気と接触しないような酸素含有ガス雰囲気中
で加熱し、アルミニウム基材の表面に酸化皮膜を
形成することを特徴とする薄膜形成用アルミニウ
ム基材の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2783984A JPS60174863A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 薄膜形成用アルミニウム基材の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2783984A JPS60174863A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 薄膜形成用アルミニウム基材の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60174863A JPS60174863A (ja) | 1985-09-09 |
| JPH0461068B2 true JPH0461068B2 (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=12232093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2783984A Granted JPS60174863A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 薄膜形成用アルミニウム基材の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60174863A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065627Y2 (ja) * | 1985-11-12 | 1994-02-09 | 昭和アルミニウム株式会社 | アルミニウム材中のガス分析装置 |
| JP2598019B2 (ja) * | 1987-06-01 | 1997-04-09 | 富士通株式会社 | 感光体の製造方法 |
| JPS6479755A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Furukawa Aluminium | Drum of photosensitive body for laser beam printer and manufacture of same |
| JP2629348B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1997-07-09 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053749B2 (ja) * | 1979-06-13 | 1985-11-27 | 松下電子工業株式会社 | アルミニウムのプラズマエッチング方法およびそのプラズマエッチング装置 |
| JPS57147644A (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-11 | Ricoh Co Ltd | Photoreceptor for electrophotography |
| JPS57161067A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | Dry etching method for aluminum film |
| JPS5811944A (ja) * | 1981-07-16 | 1983-01-22 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
| JPS5815239A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-01-28 | Ricoh Co Ltd | 半導体素子 |
| JPS5860747A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1984
- 1984-02-15 JP JP2783984A patent/JPS60174863A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60174863A (ja) | 1985-09-09 |
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