JPH046276B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH046276B2 JPH046276B2 JP58075632A JP7563283A JPH046276B2 JP H046276 B2 JPH046276 B2 JP H046276B2 JP 58075632 A JP58075632 A JP 58075632A JP 7563283 A JP7563283 A JP 7563283A JP H046276 B2 JPH046276 B2 JP H046276B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting layer
- insulating layer
- light
- electrodes
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は印加電圧に応答して電場発光をする薄
膜エレクトロルミネツセンス素子に関するもので
ある。
膜エレクトロルミネツセンス素子に関するもので
ある。
従来、薄膜エレクトロルミネツセンス素子（以
下EL素子とする）の構造は印加電圧に応答して
発光する発光層の両面を絶縁層で被覆した三層構
造を一対の電極の間にはさんだものである。とこ
ろが形成したEL素子の発光パターンが大きい場
合発光層が印加電圧により絶縁破壊を生じると、
この絶縁破壊を起こした部分を中心に破壊が周囲
に拡大していく性質があり、発光パターンが変わ
つてしまう。そこで絶縁破壊を防止するため、全
体の絶縁層の厚さを増して絶縁破壊を防止する耐
電圧を高くする方法を用いることが考えられる。
しかしそれでは発光の輝度が低下してしまうので
印加電圧を上げねばならず、やはり絶縁破壊が起
こることとなり、消費電力も多くなつてしまう。
下EL素子とする）の構造は印加電圧に応答して
発光する発光層の両面を絶縁層で被覆した三層構
造を一対の電極の間にはさんだものである。とこ
ろが形成したEL素子の発光パターンが大きい場
合発光層が印加電圧により絶縁破壊を生じると、
この絶縁破壊を起こした部分を中心に破壊が周囲
に拡大していく性質があり、発光パターンが変わ
つてしまう。そこで絶縁破壊を防止するため、全
体の絶縁層の厚さを増して絶縁破壊を防止する耐
電圧を高くする方法を用いることが考えられる。
しかしそれでは発光の輝度が低下してしまうので
印加電圧を上げねばならず、やはり絶縁破壊が起
こることとなり、消費電力も多くなつてしまう。
本発明は上記問題点に鑑みて、一対の平板電極
の間にあつて電圧の印加に応答して発光する発光
層を区切つて配置された絶縁体でこの発光層にか
かる電界の強度を弱めることによつて、発光層の
発光パターンの広範囲にわたる絶縁破壊の拡大を
防止して発光表示手段としての信頼性の高いEL
素子の提供を目的とするものである。
の間にあつて電圧の印加に応答して発光する発光
層を区切つて配置された絶縁体でこの発光層にか
かる電界の強度を弱めることによつて、発光層の
発光パターンの広範囲にわたる絶縁破壊の拡大を
防止して発光表示手段としての信頼性の高いEL
素子の提供を目的とするものである。
以下本発明を図に示す実施例について説明す
る。第１図は本発明のEL素子の第１実施例の斜
視図である。１はEL素子を片側の表面に形成し
ているガラス基板、２はガラス基板１の表面に形
成した透明電極、３はY2O3等の絶縁材料を使用
した下部絶縁層、４は微小な分割間〓（以下、微
小間〓という）を介して複数個に分割されて独立
した小片状の発光層、５は発光層４の上に積層し
た下部絶縁層３と同じ材料を使用した上部絶縁
層、６はAl等を使用して、透明電極２と一対に
なつた電極、７は発光層４の微小間隔に充てんさ
れ、格子状に厚くなつた上部絶縁層の格子部であ
る。なお、絶縁層３，５は発光層４と一対の電極
２，６との間に位置していて、各図より厚みの
厚、薄構成を有している。また、各図よりわかる
ごとく、絶縁層３，５による厚みの厚い部分で発
光層４が複数の領域に区画されることになる。
る。第１図は本発明のEL素子の第１実施例の斜
視図である。１はEL素子を片側の表面に形成し
ているガラス基板、２はガラス基板１の表面に形
成した透明電極、３はY2O3等の絶縁材料を使用
した下部絶縁層、４は微小な分割間〓（以下、微
小間〓という）を介して複数個に分割されて独立
した小片状の発光層、５は発光層４の上に積層し
た下部絶縁層３と同じ材料を使用した上部絶縁
層、６はAl等を使用して、透明電極２と一対に
なつた電極、７は発光層４の微小間隔に充てんさ
れ、格子状に厚くなつた上部絶縁層の格子部であ
る。なお、絶縁層３，５は発光層４と一対の電極
２，６との間に位置していて、各図より厚みの
厚、薄構成を有している。また、各図よりわかる
ごとく、絶縁層３，５による厚みの厚い部分で発
光層４が複数の領域に区画されることになる。
次に上記構成においてその作用を説明する。
EL素子の透明電極２と電極６の間に電圧が印加
されると発光層４が発光する。発光層４のうちど
れか１個が絶縁破壊を生ずると破壊はその１個の
発光層４の小片全体に拡がる。しかし発光層４の
小片と小片の間には絶縁材料の格子部７があり、
同じ厚さの発光層４よりも絶縁破壊を起こしにく
い。したがつて発光層４の絶縁破壊は拡がつたと
しても小片１個のみで止まる。このように発光層
４の小片の面積を充分小さくして格子部７の目を
細分することにより、どこか一箇所で絶縁破壊が
生じたとしても発光パターンの広範囲にわたる破
壊を防止することが可能で、EL素子の発光表示
手段としての信頼性を向上できる。
EL素子の透明電極２と電極６の間に電圧が印加
されると発光層４が発光する。発光層４のうちど
れか１個が絶縁破壊を生ずると破壊はその１個の
発光層４の小片全体に拡がる。しかし発光層４の
小片と小片の間には絶縁材料の格子部７があり、
同じ厚さの発光層４よりも絶縁破壊を起こしにく
い。したがつて発光層４の絶縁破壊は拡がつたと
しても小片１個のみで止まる。このように発光層
４の小片の面積を充分小さくして格子部７の目を
細分することにより、どこか一箇所で絶縁破壊が
生じたとしても発光パターンの広範囲にわたる破
壊を防止することが可能で、EL素子の発光表示
手段としての信頼性を向上できる。
第２図と第３図に本発明のEL素子の製法を示
す。ガラス基板１上に透明電極２と下部絶縁層３
及びMn、TbF3等をドープしたZnSを積層して形
成した後、フオトエツチング等の方法で発光層４
を小片に分割する微小間隔を設ける。次に上部絶
縁層５と、上部絶縁層５を厚くして発光層４の微
小間隔に充てんした格子部７が下部絶縁層３と同
材料の絶縁物を蒸着等の方法を用いることによつ
て形成される。（第２図に示す）ここで発光層４
はその微小間隔には蒸着等で均等な厚さに上部絶
縁層５が形成されるため発光層４の上部に凸部が
できる。そしてこの凸部をフオトエツチング等の
方法で除去して平坦にする。（第３図に示す）そ
してAl等の電極６を形成すればEL素子の構造が
完成する。
す。ガラス基板１上に透明電極２と下部絶縁層３
及びMn、TbF3等をドープしたZnSを積層して形
成した後、フオトエツチング等の方法で発光層４
を小片に分割する微小間隔を設ける。次に上部絶
縁層５と、上部絶縁層５を厚くして発光層４の微
小間隔に充てんした格子部７が下部絶縁層３と同
材料の絶縁物を蒸着等の方法を用いることによつ
て形成される。（第２図に示す）ここで発光層４
はその微小間隔には蒸着等で均等な厚さに上部絶
縁層５が形成されるため発光層４の上部に凸部が
できる。そしてこの凸部をフオトエツチング等の
方法で除去して平坦にする。（第３図に示す）そ
してAl等の電極６を形成すればEL素子の構造が
完成する。
なお第２実施例として第４図に示すようなもの
がある。これは下部絶縁層３と上部絶縁層５に誘
電率の高いTiO2、BaTiO3、Ta2O5等の材料を使
用し、発光層４を分割する微小間隔にある絶縁物
の格子部７には下部絶縁層３と上部絶縁層５で使
用した材料よりも低誘導率であるが破壊電圧の高
いSi3N4、Y2O3、Al2O3等の材料を使用したもの
である。
がある。これは下部絶縁層３と上部絶縁層５に誘
電率の高いTiO2、BaTiO3、Ta2O5等の材料を使
用し、発光層４を分割する微小間隔にある絶縁物
の格子部７には下部絶縁層３と上部絶縁層５で使
用した材料よりも低誘導率であるが破壊電圧の高
いSi3N4、Y2O3、Al2O3等の材料を使用したもの
である。
また、上記格子部７はいずれも正方格子である
がこの形状は特に規定はない。しかも格子部の設
定位置は一対になつた電極、すなわち透明電極２
と電極６の間であればよく、第１、第２実施例に
おいて下部絶縁層３と上部絶縁層５のどちらか一
方あるいは両方とも省いて絶縁材料の格子部と発
光層だけが電極間に存在する構造にすることもで
きる。
がこの形状は特に規定はない。しかも格子部の設
定位置は一対になつた電極、すなわち透明電極２
と電極６の間であればよく、第１、第２実施例に
おいて下部絶縁層３と上部絶縁層５のどちらか一
方あるいは両方とも省いて絶縁材料の格子部と発
光層だけが電極間に存在する構造にすることもで
きる。
以上述べたように本発明によれば、発光層を複
数に分割してその分割間〓に絶縁体を配置した構
成であるため、発光層の破壊を各分割発光層内に
止め、他の領域の発光層への連鎖的伝播を防ぐこ
とができ、信頼性を向上できて実用上の効果は絶
大である。
数に分割してその分割間〓に絶縁体を配置した構
成であるため、発光層の破壊を各分割発光層内に
止め、他の領域の発光層への連鎖的伝播を防ぐこ
とができ、信頼性を向上できて実用上の効果は絶
大である。
第１図は本発明の第１実施例の斜視図、第２、
第３図は第１実施例のEL素子の製法を示す断面
図、第４図は第２実施例の断面図、である。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……下
部絶縁層、４……発光層、５……上部絶縁層、６
……電極、７……格子部。
第３図は第１実施例のEL素子の製法を示す断面
図、第４図は第２実施例の断面図、である。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……下
部絶縁層、４……発光層、５……上部絶縁層、６
……電極、７……格子部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一対の電極と、この一対の電極間に位置し、
かつ電圧の印加に応答して発光する複数個に分割
された発光層と、この分割された前記発光層の
個々の間の分割間〓に配置された絶縁体と、を具
備したことを特徴とする薄膜エレクトロルミネツ
センス素子。 ２ 前記一対の電極と前記発光層との間には絶縁
層が配置されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の薄膜エレクトロルミネツセンス
素子。 ３ 前記絶縁層は一対の電極の少なくとも一方の
側に位置していることを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載の薄膜エレクトロルミネツセンス素
子。 ４ 複数に分割された前記発光層の前記分割間〓
に配置された前記絶縁体は、前記絶縁層よりも低
誘電率、かつ高破壊電圧の特性を有する材料によ
り構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第３項記載の薄膜エレクトロルミネツセンス素
子。 ５ 前記一対の電極は表面が平板状であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項〜第４項何れか
一つに記載の薄膜エレクトロルミネツセンス素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075632A JPS59201391A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075632A JPS59201391A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201391A JPS59201391A (ja) | 1984-11-14 |
| JPH046276B2 true JPH046276B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=13581816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58075632A Granted JPS59201391A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201391A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814556Y2 (ja) * | 1979-01-22 | 1983-03-23 | オムロン株式会社 | 電界発光素子 |
| JPS58137882A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | 富士通株式会社 | Ｅｌ表示装置 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58075632A patent/JPS59201391A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59201391A (ja) | 1984-11-14 |
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