JPH0465055B2 - - Google Patents

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JPH0465055B2
JPH0465055B2 JP60121948A JP12194885A JPH0465055B2 JP H0465055 B2 JPH0465055 B2 JP H0465055B2 JP 60121948 A JP60121948 A JP 60121948A JP 12194885 A JP12194885 A JP 12194885A JP H0465055 B2 JPH0465055 B2 JP H0465055B2
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JP
Japan
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hydroxybenzoate
reaction
phosgene
dihydroxybenzoate
hydroxyphenyl
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JP60121948A
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JPS61293952A (ja
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Yasuhiko Inoe
Kazuhiko Hata
Toshiro Ooishi
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Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61QSPECIFIC USE OF COSMETICS OR SIMILAR TOILETRY PREPARATIONS
    • A61Q17/00Barrier preparations; Preparations brought into direct contact with the skin for affording protection against external influences, e.g. sunlight, X-rays or other harmful rays, corrosive materials, bacteria or insect stings
    • A61Q17/04Topical preparations for affording protection against sunlight or other radiation; Topical sun tanning preparations
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61KPREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
    • A61K8/00Cosmetics or similar toiletry preparations
    • A61K8/18Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by the composition
    • A61K8/30Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by the composition containing organic compounds
    • A61K8/33Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by the composition containing organic compounds containing oxygen
    • A61K8/36Carboxylic acids; Salts or anhydrides thereof
    • A61K8/368Carboxylic acids; Salts or anhydrides thereof with carboxyl groups directly bound to carbon atoms of aromatic rings

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  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規なヒドロキシベンゾエート及びそ
の製造方法に関する。本発明のヒドロキシベンゾ
エートは紫外線吸収剤として、プラスチツク、繊
維の光安定剤、化粧品分野の日焼け防止剤、色
素、香料等の成分安定化剤としてあるいは電子材
料に用いられるヒドロキシベンゾフエノンの原料
として用いられるものである。
〔従来技術〕
新規なヒドロキシベンゾエートはヒドロキシベ
ンゾフエノンの原料として用いられるが、ヒドロ
キシベンゾフエノンのうち代表的な2,2′,4,
4′−テトラヒドロキシベンゾフエノンの従来の製
造方法としては、例えば米国特許第2854485号、
同第2921962号実施例に示されるごとく、β−レ
ゾルシン酸とレゾルシンを塩化亜鉛及び燐酸及び
オキシ塩化燐又は三塩化燐の存在下に反応させる
方法、又、米国特許第2694729号実施例に示され
るごとく、レゾルシノールジメチルエーテルとホ
スゲンを塩化アルミニウムの存在下で塩素化炭化
水素を溶媒にして反応させる方法が知られてい
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
けれども、これら従来の方法では収率が低く、
かつ着色しており高純度の2,2′,4,4′−テト
ラヒドロキシベンゾフエノンを得ることは困難で
あつた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は紫外線吸収剤あるいは電子材料に用い
られるヒドロキシベンゾフエノンの原料として有
用なヒドロキシベンゾエートを及びそのヒドロキ
シベンゾエートを高い収率で製造する方法を提供
することにある。
後述するようにヒドロキシベンゾエートから高
収率でかつ着色の少いヒドロキシベンゾフエノン
を得ることができる。
詳しくは、本発明は一般式 〔Rはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子を表わしRが2以上(n≧2及び又はq≧2)
の場合は同じ置換基でも異なる置換基であつても
良い。m及びpは1〜5の整数、n及びqは0又
は1〜4の整数であり、m+n≦5及びp+q≦
5である。〕 で表わされるヒドロキシベンゾエート。
及び一般式 〔Rはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子を表わし、Rは2以上(j≧2)の場合は同じ
置換基でも異なる基であつても良い。iは1〜5
の整数、jは0又は1〜4の整数であり、i+j
≦5である。〕 で表わされるヒドロキシベンゼンの1種又は2種
以上とホスゲンとを反応させることにより一般式 〔Rはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子を表わし、Rが2以上(n≧2及び/又はq≧
2)の場合は同じ置換基でも異なる置換基であつ
ても良い。m及びpは1〜5の整数、n及びqは
0又は1〜4の整数であり、m+n≦5及びp+
q≦5である。〕 で表わされるヒドロキシベンゾエートの製造方法
である。
本発明に用いられるヒドロキシベンゼンは、一
般式 〔式中Rはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子を表わし、Rが2以上(j≧2)の場合は
同じ置換基でも異なる置換基であつてもよい。i
は1〜5の整数、jは0又は1〜4の整数、i+
j≦5である。〕 で示される化合物である。Rはメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等の炭素
数1〜12のアルキル基、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、オクトキシ基、
等の炭素数1〜12のアルコキシ基、弗素、塩素、
臭素沃素等のハロゲン原子が挙げられる。又、j
が2以上の整数を示す場合においては、Rはそれ
ぞれ同一種類の置換基であつても異なる種類の置
換基であつても良い。前記一般式で表わされる化
合物としては、例えばカテコール、レゾルシン、
ヒドロキノン、1,2,3−トリヒドロキシベン
ゼン、レゾルシン−モノメチルエーテル、レゾル
シンモノオクチルエーテル、3,5−ジヒドロキ
シトルエン等が挙げられる。
これらのヒドロキシベンゼンは、所望のヒドロ
キシベンゾエート、及びこれから誘導されるヒド
ロキシベンゾフエノンの種類によつて選択され
る。
たとえば3−ヒドロキシフエニル−2,4−ジ
ヒドロキシベンゾエートの場合はレゾルシンを用
いる。
本発明方法の実施に当たり用いられる他の反応
剤はホスゲンである。ヒドロキシベンゼン、ホス
ゲンは両方共高純度に精製したものでも、又工業
的に製造されたままの純度のものでも使用でき
る。本発明方法は無触媒でも、触媒としてハロゲ
ン化ジルコニウムを用いても行うことができる。
ハロゲン化ジルコニウムは塩化物及び/又は臭化
物又はこれらの混合物が好ましく用いられる。
ヒドロキシベンゼンとホスゲンは一般には溶媒
の存在下に反応せしめる。すなわち無触媒の場合
には、ヒドロキシベンゼンを溶媒に溶解又は懸濁
された状態下、又、触媒としてのハロゲン化ジル
コニウムを用いる場合には、ヒドロキシベンゼン
とハロゲン化ジルコニウムを溶媒に溶解又は懸濁
させた状態下、ホスゲンを吹き込んで反応させる
方法が一般に採用される。溶媒としては、二硫化
炭素、ニトロベンゼン、ハロゲン化炭化水素例え
ば1,2−ジクロルエタン、クロルベンゼン、ブ
ロモベンゼン、o−ジクロベンゼン、m−ジクロ
ルベンゼン等を用いることができる。
無触媒下で反応を行なう場合、ヒドロキシベン
ゼン、溶媒、ホスゲンの使用量については、一般
にヒドロキシベンゼンは溶媒に対し約3〜40重量
%の割合に仕込みホスゲンの使用量はヒドロキシ
ベンゼンに対し、理論量の約0.5〜8倍モル好ま
しくは約1〜4倍モル使用される。反応温度は一
般に約50°〜150℃、好ましくは約70°〜130℃で実
施例される。溶媒中のヒドロキシベンゼンの濃度
が約40重量%をこえると副生成物の生成割合が増
加するし一方濃度が低くなると生産性が悪くな
る。又、ホスゲンは多く使用してもそれに見合つ
た効果は、得られないので、一般には約0.5〜8
倍モル、好ましくは約1〜4倍モル用いられる。
又、反応温度については、好適な温度以上になれ
ば副生成物の増加が著しくなり、一方好適な温度
範囲以下では反応の完結に長時間を要する様にな
る。
触媒としてのハロゲン化ジルコニウムを用いる
場合には、ヒドロキシベンゼン、溶媒、ホスゲン
の使用量については無触媒の場合と同等量使用す
れば良く、触媒のハロゲン化ジルコニウムはヒド
ロキシベンゼン1モルに対し約0.05〜2倍モル、
好ましくは約0.1〜1倍モル添加され、反応温度
は一般に約0〜90℃、好ましくは約20°〜50℃で
実施される。ハロゲン化ジルコニウムの使用量が
約2倍モル以上あるいは、好適な温度範囲以上に
なれば副生成物の増加が著しくなりヒドロキシベ
ンゾエートの生成割合が減少するし、一方、ハロ
ゲン化ジルコニウムの量が約0.1モルより少ない
場合、あるいは、好適な温度範囲以下になれば、
反応の完結に長時間要する様になる。
ホスゲンの吹込時間については、吹込みによつ
て異常に発熱しない範囲であれば良い。ホスゲン
の導入後反応完結の為に約1〜20時間の熟成時間
を設けることは、効果的である。無触媒で反応を
行なう場合と触媒としてのハロゲン化ジルコニウ
ムの存在下に反応を行なう場合との差異について
言及すれば、無触媒で反応を行なう場合において
は、若干高い温度下で反応を行なわなければなら
ないけれども、70%あるいは、80%以上という高
収率で、かつ、選択性良く製造することができ
る。触媒としてのハロゲン化ジルコニウムの存在
下で反応を行なう場合には、一般により低い温度
で行なえるという利点に加え、ハロゲン化ジルコ
ニウム自体がヒドロキシベンゾエートのフリース
転位に活性を有する為、ヒドロキシベンゾフエノ
ンを製造する場合には、ヒドロキシベンゾエート
を単離せずして、反応温度、ハロゲン化ジルコニ
ウム量等の反応条件の軽微な変更を講じることに
より容易にヒドロキシベンゾフエノンに転換する
ことができるという利点を有する。
反応によつて生成したヒドロキシベンゾエート
は、反応生成物を水洗し、未反応のヒドロキシベ
ンゼンを除去したのち、溶媒を蒸発回収して濃縮
晶析することにより単離することができる。濃縮
晶析により、着色の少いヒドロキシベンゾエート
を得ることができるが、所望ならば、さらに再結
晶等の精製を講じることも可能である。
このようにして得られるヒドロキシベンゾエー
トとしては、反応に使用するヒドロキシベンゼン
に対応して、 3−ヒドロキシフエニル−2,4−ジヒドロキ
シベンゾエート 2−ヒドロキシフエニル−3,4−ジヒドロキ
シベンゾエート 4−ヒドロキシフエニル−2,5−ジヒドロキ
シベンゾエート 2−ヒドロキシフエニル−2,4−ジヒドロキ
シベンゾエート 3−ヒドロキシフエニル−3,4−ジヒドロキ
シベンゾエート 4−ヒドロキシフエニル−2,4−ジヒドロキ
シベンゾエート 3−ヒドロキシフエニル−2,5−ジヒドロキ
シベンゾエート 2−ヒドロキシフエニル−2,5−ジヒドロキ
シベンゾエート 4−ヒドロキシフエニル−3,4−ジヒドロキ
シベンゾエート 2,3−ジヒドロキシフエニル−2,3,4−
トリヒドロキシベンゾエート(3−ヒドロキシ−
5−メチル)フエニル−(2,4−ジヒドロキシ
−6−メチル)ベンゾエート 3−メトキシフエニル−(2−ヒドロキシ−4
−メトキシ)ベンゾエート等が挙げられる。
〔発明の効果〕
以上詳述した本発明方法により、紫外線吸収剤
等に有用なポリヒドロキシベンソフエノンの原料
に使用される新規なヒドロキシベンゾエートを高
収率で製造することができ、その工業的価値は大
きい。
〔実施例〕
以下に実施例により、ヒドロキシベンゾエート
の製造方法ならびに諸物性を示す。
実施例1(無触媒下での反応) ニトロベンゼン1Kg、レゾルシン110gを2
の四つ口フラスコに仕込みフラスコ内をN2で置
換後100℃まで昇温し、ホスゲンを99g、10時間
かけて撹拌下吹き込んだ。ホスゲンの吹込みに従
い反応液の色は淡い褐色から黒褐色に変化し、吹
込中HClガスの発生が認められた。反応液を一旦
室温まで冷却し、冷水500gで3回洗浄したのち、
有機層を濃縮後冷却晶析したところ白色の生成物
が析出した。次いで白色生成物を過水洗後減圧
乾燥し白色粉末を得た。得量89.5g(ヒドロキシ
ベンゾエート純度99.0%、収率72.0%相当)。
このようにして得た粗ヒドロキシベンゾエート
を高速液体クロマトグラムを用い、水−メタノー
ルを溶出液として展開し、3−ヒドロキシフエニ
ル、2,4−ジヒドロキシベンゾエートを分取し
た。
3−ヒドロキシフエニル−2,4−ジヒドロキ
シベンゾエートの光学的性質と質量分析、元素分
析、ならびに融点を測定した。
・赤外部吸収(第1図参照) 3400cm-1 O−H 伸縮振動 1660cm-1 C=C 伸縮振動 ・質量分析: m/e:81,110,137,246(親ピーク) ・元素分析: C(%) H(%) 実験値 63.58 3.95 理論値 63.42 4.09 ・融 点 169.5℃ であつた。
実施例2(ハロゲン化ジルコニウム存在下での反
応) 1,2ジクロルエタン1Kg、レゾルシン110g、
塩化ジルコニウム35gを24つ口フラスコに仕
込みフラスコ内をN2ガスで置換後35℃まで昇温
した。次いでホスゲンを150g、7時間かけて温
度を35℃に維持しながら撹拌下にふき込んだ後、
4時間熟成した。熟成終了後反応生成物を冷却
し、高速液体をクロマトグラムで分析したとこ
ろ、3−ヒドロキシフエニル−2,4−ジヒドロ
キシベンゾエートの収率は65%であり、レゾルシ
ンの転化率は82%であつた。
この時7%の2,2′,4,4′−テトラヒドロキ
シベンゾフエノンが生成していた。
参考例 1 実施例1で得られたヒドロキシベンゾエート
24.6g、ニトロベンゼン300g、塩化ジルコニウ
ム12.0gを500c.c.の3つ口フラスコに仕込みN2
換ののち、70℃に昇温、70℃で4時間加熱処理
し、その後4時間熟成した。冷却後、反応液を高
速液体クロマトグラムで分析したところ、ヒドロ
キシベンゾエートの99%が転化し、2,2′,4,
4′−テトラヒドロキシベンゾフエノンが94%の収
率(ヒドロキシベンゾエート基準)で生成してい
ることがわかつた。
参考例 2 ニトロベンゼン1Kg、レゾルシン110gを2
の四つ口フラスコに仕込み、フラスコ内をN2
置換後、110℃まで昇温し、ホスゲンを99g、10
時間かけて撹拌下吹き込んだ。ホスゲンの吹き込
みに従い反応液の色は淡い褐色から黒褐色に変化
し、吹込中、HClガスの発生が認められた。反応
液を一旦室温まで冷却し(反応液を高速液体クロ
マトグラムで分析した結果、レゾルシンを基準に
80%の収率でヒドロキシベンゾエートが生成して
いることがわかつた)次いで、反応液に塩化ジル
コニウム116.5g仕込み、70℃まで昇温後、70℃
で2時間加熱処理した。加熱処理ののち、反応生
成物を水冷し、水を700g滴下し、撹拌下、1時
間放置後、反応生成物を過、水洗し、150gの
ウエツトケーキを得た。ウエツトケーキを2Kgの
熱水に溶解し、冷却晶析し、乾燥したところ目的
の2,2′,4,4′テトラヒドロキシベンゾフエノ
ンを90.0gが得られた(収率76%m.p.196〜199
℃)この時レゾルシンの転化率は89%であり、未
転化のヒドロキシベンゾエートは3%(レゾルシ
ンベース)であつた。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例1の方法で作られた3−ヒドロ
キシフエニル−2,4−ジヒドロキシベンゾエー
トの赤外吸収スペクトルである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 で表されるジヒドロキシベンゼンとホスゲンを反
    応させることにより、一般式 で表されるヒドロキシベンゾエートの製造方法。 2 ジヒドロキシベンゼンがレゾルシンであり、
    ヒドロキシベンゾエートが3−ヒドロキシフエニ
    ル−2,4−ジヒドロキシベンゾエートである特
    許請求の範囲第1項記載のヒドロキシベンゾエー
    トの製造方法。
JP12194885A 1985-06-05 1985-06-05 ヒドロキシベンゾエ−ト及びその製造方法 Granted JPS61293952A (ja)

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