JPH046862A - リードフレームの成形方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置において使用されるリードフレーム
の成形方法に関する。

（従来技術とその課題） 従来、リードフレームの成形はプレス加工又はエツチン
グ加工により行なわれており、そのリード内端部は多指
配列状に形成されるが、最近の多ピン化に対応するため
にはリード間のピッチを小さくすることが可能なエツチ
ング加工が有利である。

しかしながら、一般的エッチング手法によりリード内端
部を形成する場合、その加工条件でリード間のスペース
Ｓ′は最小でもリードの板厚Ｔ′と同等（Ｓ’　＝Ｔ’
　）に狭めるところまでが限界である。それ以下（Ｓ’
　＜Ｔ’　）に加工することは特殊設備や技法を使った
特殊手法によれば、ある程度まで縮小することが可能で
あるが、コスト高になるばかりでなく、精度のバラツキ
があり低歩留りにより生産性に劣る不具合がある。その
ため上記一般的エッチング手法で、前記リード内端部に
おけるリード間のピッチＰ′を多ピン化に対応すべく小
さくしようとすれば、リードの上面幅Ｗを狭めることが
必要であるが、該リード上面は半導体チップを接合する
ボンディング面となることから所定幅を確保する必要が
あり、前記上面幅Ｗを小さくすることにも限界がある。

しかるに上記従来法においては、１５０〜２００ピンま
での多ピン化に応じるリードフレームの成形が可能であ
っても、それ以上の例えば３００〜４００ピンからなる
超多ピン化に対応し得るリードフレームの成形は不可能
であった。

而して本発明は斯る従来不具合を解消して、超高速、高
容量の半導体装置に組込み得る超多ピンリードフレーム
を簡易、安価に成形し得るリードフレームの成形方法を
提供することを目的とする。

（課題を解決するための手段） 斯る本発明リードフレームの成形方法は、エツチング加
工によりリード内端部を多指配列状に形成し、次に前記
リード内端部を圧潰させるコイニング加工を施してボン
ディング面を拡幅せしめることを特徴とする。

（作　用） 本発明によれば、エツチング加工により形成されたリー
ド内端部は、それらリード間のピッチＰを変えることな
く後のコイニング加工によってボンディング面の幅Ｗ′
を拡幅した幅Ｗに形成してボンディング幅を確保するこ
とができ、従って、エツチング工程幅Ｗ′を従来のエツ
チング工程幅Ｗより小さくして１ピツチＰを従来ピッチ
Ｐ′より縮小する、換言すればリード間のスペースＳ′
をＳに狭めてリード間の１ピツチＰを従来ピッチＰ′よ
り縮小することができる。

（実施例） 本発明の実施例を図面により説明すれば、第１図はエツ
チング加工を終了したリードフレームＡを示し、図示の
如く各リード１の内端部１ａは多指配列状に形成されて
いる。

リード１及び内端部１ａは第２図及び第３図に拡大して
示し、第３図においては説明の便宜のため２つのリード
内端部１ａ、　ｌａのみを示す。エツチング加工は従来
と同様の処理であるため説明を省略するが、第６図で示
す従来法と比較して、リード内端部１ａの幅Ｗ′を従来
幅Ｗより小さくし、その狭小分だけ内端部１ａ、　ｌａ
間のピッチＰを従来ピッチＰ′より縮小して成形しであ
る。

なお、リード内端部ｌｘ、　ｌａ間のスペースＳ′はエ
ツチング加工の条件上、従来スペースＳ′と同様にリー
ド厚さＴ′　と同一に成形される。次にコイニング加工
工程を第４図及び第５図に示す。

コイニング加工は前記リードフレームＡのリード内端部
１ａ、　ｌａ・・・をプレス等により圧潰する工程であ
り、この加工によりリード内端部１ａはピッチＰを保持
したまま厚さＴ′がＴに縮小する。

又、リード内端部１ａは厚さがＴに縮小するのに伴って
リード内端部の幅Ｗ′がＷに拡幅するとともに側面が外
方に膨出して内端部１ａ、　ｌａ間のスペースＳ′がＳ
に縮小する（第５図）。

上記厚さの縮小、すなわちコイニング量Ｔ′Ｔは、ボン
ディングに必要な前記幅Ｗが得られるように設定する。

而して上記リード内端部１ａの上面はボンディング面と
なるものであり、該面に半導体チップ２に接続されるボ
ンディングワイヤ３がワイヤボンディング法により接続
される（第７図）。

リード内端部１λに所定幅Ｗが確保されていることによ
って、ボンディング作業が容易確実に行なわれ、接合強
度も確保することができる。

尚、第７図においてはワイヤボンディング法により半導
体チップ２と接続する場合を示すが、バンプ接合により
接続することもよく、また図は熱拡散板４をリード１に
接着して半導体チップ２のダイパッドを兼用する場合を
例示するが、リードフレームＡにダイパッドを一体に成
形したフレーム構造に本発明を適用し得ることはもちろ
んである。

（効　果） 本発明によれば、リードフレームのリード内端部のボン
ディング面を所定幅に確保した上で、該部のリードピッ
チを従来エツチング法のみによる場合より縮小すること
ができるので、超多ピン化に対応できるリードフレーム
を成形することができ、超高速、高容量の半導体装置と
しての使用に供することが可能となる。

又、エツチング工程は特殊なエツチング手法によらない
ので、成形が容易かつ安価であるとともに高歩留りで生
産性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はエツチング加工を施した本発明リードフレーム
の平面図、第２図はその（ｎ）−（ｎ）線断面図、第３
図は第２図中の（ＩＩ［）　−（ｍ）線拡大端面図、第
４図はコイニング加工を施した状態を示す第２図対応の
断面図、第５図は第４図の（Ｖ）−（Ｖ）線拡大端面図
、第６図は所定幅Ｗを確保せんとして従来法により成形
したリードフレームの第３図対応の断面図、第７図は本
発明リードフレームの使用の一例を示す断面図である。 図中、Ａはリードフレーム、１はリード、１ａはリード
内端部、Ｗ′はエツチング加工を施したリード内端部の
幅、Ｗはコイニング加工を施したリード内端部の幅であ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　エッチング加工によりリード内端部を多指配列状に形
   成し、次に前記リード内端部を圧潰させるコイニング加
   工を施してボンディング面を拡幅せしめることを特徴と
   するリードフレームの成形方法。