JPS6430358U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6430358U JPS6430358U JP3564988U JP3564988U JPS6430358U JP S6430358 U JPS6430358 U JP S6430358U JP 3564988 U JP3564988 U JP 3564988U JP 3564988 U JP3564988 U JP 3564988U JP S6430358 U JPS6430358 U JP S6430358U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- substrate
- vapor phase
- metal thin
- active metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案の実施例を示す図、第２図は作
成された薄膜の性質を示す図、第３図は多の実施
例を示す図である。 １０……真空系、１１……反応室、１３，１４
……真空室、２０……排気系、３１……基板、４
０……加熱手段、５０……気体を導入する手段で
ある。
成された薄膜の性質を示す図、第３図は多の実施
例を示す図である。 １０……真空系、１１……反応室、１３，１４
……真空室、２０……排気系、３１……基板、４
０……加熱手段、５０……気体を導入する手段で
ある。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 内部を真空にする反応室と、前記反応室内
を排気する排気系、前記反応室内に基板を設置し
且つこの基板を所定の温度に加熱する手段、及び
前記容器内に所定の気体を導入する手段を有して
前記基板上に化学的に活性な金属薄膜の成長を行
う気相成長装置において、前記反応室の内部の到
達圧力を、１×１０−６Ｔｏｒｒ以下に排気する
ようにしたことを特徴とする化学的に活性な金属
薄膜の気相成長装置。 (2) 前記反応室に、少なくとも一つの真空室を
連設し、当該真空室を通して基板を前記反応室に
出し入れすることにより、前記反応室内を常に真
空に維持するようにしたことを特徴とする請求項
１記載の化学的に活性な金属薄膜の気相成長装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3564988U JPS6430358U (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3564988U JPS6430358U (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6430358U true JPS6430358U (ja) | 1989-02-23 |
Family
ID=31262293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3564988U Pending JPS6430358U (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6430358U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59110775A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-26 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | 金属膜形成方法 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP3564988U patent/JPS6430358U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59110775A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-26 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | 金属膜形成方法 |
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