JPH051756B2 - - Google Patents
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- JPH051756B2 JPH051756B2 JP61130825A JP13082586A JPH051756B2 JP H051756 B2 JPH051756 B2 JP H051756B2 JP 61130825 A JP61130825 A JP 61130825A JP 13082586 A JP13082586 A JP 13082586A JP H051756 B2 JPH051756 B2 JP H051756B2
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴と有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報）。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴と有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７、189、
1964（phys.stat.sol.７、189、1964）｝。
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７、189、
1964（phys.stat.sol.７、189、1964）｝。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテル、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテル、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら前記したような従来の光記録媒体
において、記録層として用いられているテルル−
セレン系合金ではピツトをトラツク１周にわたつ
て均一に形成することは困難なために充分に良好
な記録再生特性は得られなかつた。また記録によ
り大きなピツトが形成されるため高密度記録がで
きないとともに、記録パワー変動に対する余裕度
も小さいので実用的に問題があつた。
において、記録層として用いられているテルル−
セレン系合金ではピツトをトラツク１周にわたつ
て均一に形成することは困難なために充分に良好
な記録再生特性は得られなかつた。また記録によ
り大きなピツトが形成されるため高密度記録がで
きないとともに、記録パワー変動に対する余裕度
も小さいので実用的に問題があつた。
本発明の目的は、耐候性がよく、かつ高密度記
録が可能で信号品質の良好な実用的な光記録媒体
を提供することにある。
録が可能で信号品質の良好な実用的な光記録媒体
を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板と、レーザ光によつて一部が選択
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がセレン層、パラジウム層、テルル−セ
レン合金層を順次基板上に積層したものであるこ
とを特徴とする光記録媒体である。
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がセレン層、パラジウム層、テルル−セ
レン合金層を順次基板上に積層したものであるこ
とを特徴とする光記録媒体である。
本発明において第１図に示すように基板１上に
セレン層２、パラジウム層３、テルル−セレン合
金層４が順次積層されて記録層を形成する。
セレン層２、パラジウム層３、テルル−セレン合
金層４が順次積層されて記録層を形成する。
ここでセレン層の膜厚は５〜100Åの範囲、パ
ラジウム層の膜厚は0.5〜50Åの範囲、テルル−
セレン合金層の膜厚は100〜500Åの範囲が記録再
生特性、耐候性の観点から望ましく、テルル−セ
レン合金の組成比はセレンの原子％が５〜50の範
囲が記録再生特性、耐候性の観点から望ましい。
なお、ここにいう0.5〜50Åのパラジウム層とい
うのは重量平均に相当する膜厚であり、実際には
不連続膜となつている。
ラジウム層の膜厚は0.5〜50Åの範囲、テルル−
セレン合金層の膜厚は100〜500Åの範囲が記録再
生特性、耐候性の観点から望ましく、テルル−セ
レン合金の組成比はセレンの原子％が５〜50の範
囲が記録再生特性、耐候性の観点から望ましい。
なお、ここにいう0.5〜50Åのパラジウム層とい
うのは重量平均に相当する膜厚であり、実際には
不連続膜となつている。
また基板としてはポリカーボネート、ポリオレ
フイン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキ
シ樹脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されて
いるものが用いられる。
フイン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキ
シ樹脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されて
いるものが用いられる。
本発明の光記録媒体は、基板上にセレン層、パ
ラジウム層、テルル−セレン合金層を順に真空蒸
着によつて成膜することにより製造することがで
きる。テルル−セレン合金層の成膜はテルル−セ
レン合金材料からの１源蒸着でも、あるいはテル
ル層とセレンとからの２源蒸着でもよい。
ラジウム層、テルル−セレン合金層を順に真空蒸
着によつて成膜することにより製造することがで
きる。テルル−セレン合金層の成膜はテルル−セ
レン合金材料からの１源蒸着でも、あるいはテル
ル層とセレンとからの２源蒸着でもよい。
［作 用］
基板とテルル−セレン合金層の間にセレン層と
パラジウム層を介在させることによつてピツトが
大きく拡がらなくなり、優れた光記録媒体を得る
ことができる。これはピツト形成による反射率変
化の主要因であるテルル−セレン合金層に最初に
小穴が形成されるのが、セレン層とパラジウム層
の形成により容易に確実におこるようになつたこ
とと、テルル−セレン合金層の有無による表面エ
ネルギーの差がセレン層とパラジウム層の形成に
より変化したためと思われる。
パラジウム層を介在させることによつてピツトが
大きく拡がらなくなり、優れた光記録媒体を得る
ことができる。これはピツト形成による反射率変
化の主要因であるテルル−セレン合金層に最初に
小穴が形成されるのが、セレン層とパラジウム層
の形成により容易に確実におこるようになつたこ
とと、テルル−セレン合金層の有無による表面エ
ネルギーの差がセレン層とパラジウム層の形成に
より変化したためと思われる。
［実施例］
以下本発明の実施例について説明する。
実施例 １
内径15mm、外径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボ
ネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、６×10-6Torr以下に排気した。まず、抵抗
加熱蒸着によりセレン層を50Å厚蒸着し、次に電
子ビーム加熱蒸着によりパラジウムを水晶振動子
の周波数変化から換算した値で１Å厚蒸着し、最
後に抵抗加熱蒸着によりテルル−セレン合金を原
子％で79対21になるように225Å厚蒸着した。こ
の光デイスクを95℃で１時間アニールしたのち、
波長8300Åにおける基板入射反射率を測定したと
ころ35％であつた。波長8300Åの半導体レーザ光
を基板を通して入射して、1.5μmφ程度に絞り、
媒体線速度5..6m／sec、記録周波数3.77MHz、記
録パルス幅70nsecの条件で記録し、0.7mWで再
生した。記録パワー6.0mWにおいて、バンド幅
30kHzのキヤリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は
49dBと良好であつた。又、Ｃ／Ｎが45dB以上得
られる記録パワー領域は5.5mWから8.5mWと広
い範囲であつた。
ネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、６×10-6Torr以下に排気した。まず、抵抗
加熱蒸着によりセレン層を50Å厚蒸着し、次に電
子ビーム加熱蒸着によりパラジウムを水晶振動子
の周波数変化から換算した値で１Å厚蒸着し、最
後に抵抗加熱蒸着によりテルル−セレン合金を原
子％で79対21になるように225Å厚蒸着した。こ
の光デイスクを95℃で１時間アニールしたのち、
波長8300Åにおける基板入射反射率を測定したと
ころ35％であつた。波長8300Åの半導体レーザ光
を基板を通して入射して、1.5μmφ程度に絞り、
媒体線速度5..6m／sec、記録周波数3.77MHz、記
録パルス幅70nsecの条件で記録し、0.7mWで再
生した。記録パワー6.0mWにおいて、バンド幅
30kHzのキヤリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は
49dBと良好であつた。又、Ｃ／Ｎが45dB以上得
られる記録パワー領域は5.5mWから8.5mWと広
い範囲であつた。
比較のための225Å厚のテルル−セレン合金
（組成比は原子％で79対21）を記録層とする光デ
イスクを同様に評価したところ、記録パワー
8.0mWではピツトが形成されず、8.5mWで48dB
のＣ／Ｎが得られたが、9.0mWではピツトが大
きくなりすぎてＣ／Ｎは41dBに低下し、使用可
能な記録パワー領域は非常に狭い範囲であつた。
（組成比は原子％で79対21）を記録層とする光デ
イスクを同様に評価したところ、記録パワー
8.0mWではピツトが形成されず、8.5mWで48dB
のＣ／Ｎが得られたが、9.0mWではピツトが大
きくなりすぎてＣ／Ｎは41dBに低下し、使用可
能な記録パワー領域は非常に狭い範囲であつた。
又、比較のための50Å厚のセレンと225Å厚の
テルル−セレン合金（組成比は原子％で79対21）
を順次積層して記録層とする光デイスクを同様に
評価したところ、記録パワー6.0mWにおいて最
高のＣ／Ｎが得られたがその値は44dBと低かつ
た。これは記録後のノイズの上昇が大きいためで
ある。
テルル−セレン合金（組成比は原子％で79対21）
を順次積層して記録層とする光デイスクを同様に
評価したところ、記録パワー6.0mWにおいて最
高のＣ／Ｎが得られたがその値は44dBと低かつ
た。これは記録後のノイズの上昇が大きいためで
ある。
次に、本実施例のデイスクを70℃80％の高温高
湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。
湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。
実施例 ２
実施例１と同様にして、40Å厚のセレン層、２
Å厚のパラジウム層、250Å厚のテルル−セレン
合金層（組成比は原子％で79対21）を順次積層し
て記録層とする光デイスクを作製し、実施例１と
同様にして評価した。6.0mWの記録パワーにに
おいてＣ／Ｎは48dBと良好であり、45dB以上の
Ｃ／Ｎが得られる記録パワー領域は5.5mWから
8.0mWと広い範囲であつた。
Å厚のパラジウム層、250Å厚のテルル−セレン
合金層（組成比は原子％で79対21）を順次積層し
て記録層とする光デイスクを作製し、実施例１と
同様にして評価した。6.0mWの記録パワーにに
おいてＣ／Ｎは48dBと良好であり、45dB以上の
Ｃ／Ｎが得られる記録パワー領域は5.5mWから
8.0mWと広い範囲であつた。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の光記録媒体は耐候
性に優れ、かつ高度記録が可能で信号品質が良好
であるため実用上有用なものである。
性に優れ、かつ高度記録が可能で信号品質が良好
であるため実用上有用なものである。
第１図は本発明の光記録媒体の一実施例を示す
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １…基板、２…セレン層、３…パラジウム層、
４…テルル−セレン合金層、２１…記録層、２２
…ピツト。
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １…基板、２…セレン層、３…パラジウム層、
４…テルル−セレン合金層、２１…記録層、２２
…ピツト。
Claims (1)
- １ 基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除
去されて情報を記録する前記基板上に形成された
記録層とからなる光記録媒体において、前記記録
層がセレン層、パラジウム層、テルル−セレン合
金層を順次基板上に積層したものであることを特
徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61130825A JPS62286794A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61130825A JPS62286794A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62286794A JPS62286794A (ja) | 1987-12-12 |
| JPH051756B2 true JPH051756B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15043590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61130825A Granted JPS62286794A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62286794A (ja) |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP61130825A patent/JPS62286794A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62286794A (ja) | 1987-12-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |