JPH0481953B2 - - Google Patents

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JPH0481953B2
JPH0481953B2 JP61194559A JP19455986A JPH0481953B2 JP H0481953 B2 JPH0481953 B2 JP H0481953B2 JP 61194559 A JP61194559 A JP 61194559A JP 19455986 A JP19455986 A JP 19455986A JP H0481953 B2 JPH0481953 B2 JP H0481953B2
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JP
Japan
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selenium
tellurium
layer
recording
recording medium
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JP61194559A
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JPS6349493A (ja
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Masaki Ito
Katsuji Nakagawa
Akio Morimoto
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体の製造方法に関するもの
である。
[従来の技術] レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、最初にタンタ
ルと鉛が使用された{サイエンス(Science)
154、1550、1966)}。それ以来種々の材料が使用
されているが、テルル(Te)等のカルコゲン元
素又はこれらの化合物はよく使用されており(特
公昭47−26897号公報)、とくにテルル−セレン系
合金はよく使用されている(特公昭54−41902号
公報、特公昭57−7919号公報、特公昭57−56058
号公報)。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
{フイジカ・ステイタス・ソリダイ、、189、
1964(phys.stat.sol.、189、1964)}。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第1図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板1に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層21が設けられている。
記録用レーザ光は基板1を通して記録層21に集
光照射され、ピツト22が形成される。基板1と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると
光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回折光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μmであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピツト上を通過するように照射すること
により、ピツトの有無に起因する反射率の変化を
検出して行なう。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、テルル−セレン合金層を記録層
として用いた光記録媒体では耐候性と感度と信号
品質のすべてを満足するものではなかつた。
本発明は以上のような問題点を解決するために
なされたもので、耐候性がよく、かつ高感度で信
号品質が良好で安定な光記録媒体の製造方法を提
供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] 本発明は基板上に、レーザ光によつて一部が選
択的に除去されて情報を記録する記録層を形成す
ることよりなる光記録媒体の製造方法において、
前記記録層中に、テルルとセレンを含む物質をタ
ーゲツトとし、アンモニアガスを含むガス中でス
パツタリングしてテルルとセレンと窒素とを主成
分とする層を少なくとも設けることを特徴とする
光記録媒体の製造方法である。
テルルとセレンと窒素とを主成分とする層(以
下、テルル−セレン−窒素層と略す)の厚さは
100Åから1000Åの範囲が記録再生特性の観点か
ら望ましい。セレンの含有量は原子数パーセント
で2パーセントから50パーセントの範囲が記録再
生特性、耐候性の観点から望ましく、窒素の含有
量は原子数パーセントで2パーセント以上20パー
セント未満が記録再生特性、耐候性の観点から望
ましい。また、テルル−セレン−窒素層中の元素
の組成比は、ターゲツトの組成比やNH3ガス分
圧に依存するのは勿論であるが、スパツタ装置の
大きさ(スパツタ室の表面積等)やスパツタ時間
等にも依存するので、所望の記録膜組成を得るた
めには各スパツタ装置ごとにNH3分圧等を適宜
設定することが望ましい。
テルルとセレンと窒素とを主成分とする層に
は、鉛、アンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲル
マニウム、タリウム、リン、カドミウム、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウ
ム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラ
ジウム、コバルトの群から選ばれた少なくとも1
種の元素が添加されていてもよい。この場合、ピ
ツトの形状を良好に整える場合がある。ただし、
添加量は原子数パーセントで20パーセント未満が
望ましい。
スパツタガスはアンモニア(NH3)ガスのみ
でもよいが、放電や成膜の安定性の観点からは不
活性ガスとの混合ガスが望ましい。また、さらに
その他のガスを混合してもよい。
テルル−セレン−窒素層と基板との間に、酸化
物、窒化物、フツ化物、炭化物、硫化物またはホ
ウ化物で形成された層を少なくとも1層設けても
よい。この場合記録パワー変動に対する余裕度が
大きくなり、トラツキングやフオーカスのサーボ
が安定になることがある。
また、基板としてはポリカーボネート、ポリオ
レフイン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポ
キシ樹脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用され
ているものが用いられる。
[実施例] 以下本発明の実施例について説明する。
100℃で2時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネー
ト樹脂デイスク基板上に、テルル−セレン合金タ
ーゲツトをアルゴン(Ar)とNH3との混合ガス
でマグネトロンスパツタして、テルル(Te)と
セレン(Se)と窒素(N)の比が原子数パーセ
ントで85対9対6のテルル−セレン−窒素層を約
250Å厚形成し、しかる後、温度85℃、相対湿度
90%の環境に12時間保存して光記録媒体を作製し
た。この光デイスクの波長8300Åにおける基板入
射の反射率を測定したところ、約26%であつた。
波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射
して記録層上で1.6μmφ程度に絞り、媒体線速度
5.65m/sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.0mWの条件で記録し、0.7
mWで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアーと
ノイズとの比(C/N)は49dBと良好であつた。
この光デイスクを70℃、80%の高温高湿度の環境
に60時間保存した後、上記特性を調べたが変化は
なく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確
認された。
[発明の効果] 以上説明したように本発明の方法によれば耐候
性がよく、かつ高感度で信号品質が良好で安定な
光記録媒体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は光記録媒体の1例を示す部分断面図で
ある。 1……基板、21……記録層、22……ピツ
ト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 基板上に、レーザ光によつて一部が選択的に
    除去されて情報を記録する記録層を形成すること
    よりなる光記録媒体の製造方法において、前記記
    録層中に、テルルとセレンを含む物質をターゲツ
    トとし、アンモニアガスを含むガス中でスパツタ
    リングしてテルルとセレンと窒素とを主成分とす
    る層を少なくとも設けることを特徴とする光記録
    媒体の製造方法。
JP61194559A 1986-08-19 1986-08-19 光記録媒体の製造方法 Granted JPS6349493A (ja)

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JP61194559A JPS6349493A (ja) 1986-08-19 1986-08-19 光記録媒体の製造方法

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JPS6349493A JPS6349493A (ja) 1988-03-02
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JPS63171446A (ja) * 1987-01-09 1988-07-15 Mitsubishi Kasei Corp 光学的記録用媒体の製造方法

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JPS6349493A (ja) 1988-03-02

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