JPH0481953B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0481953B2 JPH0481953B2 JP61194559A JP19455986A JPH0481953B2 JP H0481953 B2 JPH0481953 B2 JP H0481953B2 JP 61194559 A JP61194559 A JP 61194559A JP 19455986 A JP19455986 A JP 19455986A JP H0481953 B2 JPH0481953 B2 JP H0481953B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- selenium
- tellurium
- layer
- recording
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 9
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体の製造方法に関するもの
である。
ことのできる光記録媒体の製造方法に関するもの
である。
[従来の技術]
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、最初にタンタ
ルと鉛が使用された{サイエンス(Science)
154、1550、1966)}。それ以来種々の材料が使用
されているが、テルル(Te)等のカルコゲン元
素又はこれらの化合物はよく使用されており(特
公昭47−26897号公報)、とくにテルル−セレン系
合金はよく使用されている(特公昭54−41902号
公報、特公昭57−7919号公報、特公昭57−56058
号公報)。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、最初にタンタ
ルと鉛が使用された{サイエンス(Science)
154、1550、1966)}。それ以来種々の材料が使用
されているが、テルル(Te)等のカルコゲン元
素又はこれらの化合物はよく使用されており(特
公昭47−26897号公報)、とくにテルル−セレン系
合金はよく使用されている(特公昭54−41902号
公報、特公昭57−7919号公報、特公昭57−56058
号公報)。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
{フイジカ・ステイタス・ソリダイ、7、189、
1964(phys.stat.sol.7、189、1964)}。
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
{フイジカ・ステイタス・ソリダイ、7、189、
1964(phys.stat.sol.7、189、1964)}。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第1図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板1に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層21が設けられている。
記録用レーザ光は基板1を通して記録層21に集
光照射され、ピツト22が形成される。基板1と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
いた光記録媒体は第1図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板1に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層21が設けられている。
記録用レーザ光は基板1を通して記録層21に集
光照射され、ピツト22が形成される。基板1と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると
光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回折光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μmであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピツト上を通過するように照射すること
により、ピツトの有無に起因する反射率の変化を
検出して行なう。
光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回折光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μmであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピツト上を通過するように照射すること
により、ピツトの有無に起因する反射率の変化を
検出して行なう。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、テルル−セレン合金層を記録層
として用いた光記録媒体では耐候性と感度と信号
品質のすべてを満足するものではなかつた。
として用いた光記録媒体では耐候性と感度と信号
品質のすべてを満足するものではなかつた。
本発明は以上のような問題点を解決するために
なされたもので、耐候性がよく、かつ高感度で信
号品質が良好で安定な光記録媒体の製造方法を提
供することを目的とする。
なされたもので、耐候性がよく、かつ高感度で信
号品質が良好で安定な光記録媒体の製造方法を提
供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は基板上に、レーザ光によつて一部が選
択的に除去されて情報を記録する記録層を形成す
ることよりなる光記録媒体の製造方法において、
前記記録層中に、テルルとセレンを含む物質をタ
ーゲツトとし、アンモニアガスを含むガス中でス
パツタリングしてテルルとセレンと窒素とを主成
分とする層を少なくとも設けることを特徴とする
光記録媒体の製造方法である。
択的に除去されて情報を記録する記録層を形成す
ることよりなる光記録媒体の製造方法において、
前記記録層中に、テルルとセレンを含む物質をタ
ーゲツトとし、アンモニアガスを含むガス中でス
パツタリングしてテルルとセレンと窒素とを主成
分とする層を少なくとも設けることを特徴とする
光記録媒体の製造方法である。
テルルとセレンと窒素とを主成分とする層(以
下、テルル−セレン−窒素層と略す)の厚さは
100Åから1000Åの範囲が記録再生特性の観点か
ら望ましい。セレンの含有量は原子数パーセント
で2パーセントから50パーセントの範囲が記録再
生特性、耐候性の観点から望ましく、窒素の含有
量は原子数パーセントで2パーセント以上20パー
セント未満が記録再生特性、耐候性の観点から望
ましい。また、テルル−セレン−窒素層中の元素
の組成比は、ターゲツトの組成比やNH3ガス分
圧に依存するのは勿論であるが、スパツタ装置の
大きさ(スパツタ室の表面積等)やスパツタ時間
等にも依存するので、所望の記録膜組成を得るた
めには各スパツタ装置ごとにNH3分圧等を適宜
設定することが望ましい。
下、テルル−セレン−窒素層と略す)の厚さは
100Åから1000Åの範囲が記録再生特性の観点か
ら望ましい。セレンの含有量は原子数パーセント
で2パーセントから50パーセントの範囲が記録再
生特性、耐候性の観点から望ましく、窒素の含有
量は原子数パーセントで2パーセント以上20パー
セント未満が記録再生特性、耐候性の観点から望
ましい。また、テルル−セレン−窒素層中の元素
の組成比は、ターゲツトの組成比やNH3ガス分
圧に依存するのは勿論であるが、スパツタ装置の
大きさ(スパツタ室の表面積等)やスパツタ時間
等にも依存するので、所望の記録膜組成を得るた
めには各スパツタ装置ごとにNH3分圧等を適宜
設定することが望ましい。
テルルとセレンと窒素とを主成分とする層に
は、鉛、アンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲル
マニウム、タリウム、リン、カドミウム、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウ
ム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラ
ジウム、コバルトの群から選ばれた少なくとも1
種の元素が添加されていてもよい。この場合、ピ
ツトの形状を良好に整える場合がある。ただし、
添加量は原子数パーセントで20パーセント未満が
望ましい。
は、鉛、アンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲル
マニウム、タリウム、リン、カドミウム、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウ
ム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラ
ジウム、コバルトの群から選ばれた少なくとも1
種の元素が添加されていてもよい。この場合、ピ
ツトの形状を良好に整える場合がある。ただし、
添加量は原子数パーセントで20パーセント未満が
望ましい。
スパツタガスはアンモニア(NH3)ガスのみ
でもよいが、放電や成膜の安定性の観点からは不
活性ガスとの混合ガスが望ましい。また、さらに
その他のガスを混合してもよい。
でもよいが、放電や成膜の安定性の観点からは不
活性ガスとの混合ガスが望ましい。また、さらに
その他のガスを混合してもよい。
テルル−セレン−窒素層と基板との間に、酸化
物、窒化物、フツ化物、炭化物、硫化物またはホ
ウ化物で形成された層を少なくとも1層設けても
よい。この場合記録パワー変動に対する余裕度が
大きくなり、トラツキングやフオーカスのサーボ
が安定になることがある。
物、窒化物、フツ化物、炭化物、硫化物またはホ
ウ化物で形成された層を少なくとも1層設けても
よい。この場合記録パワー変動に対する余裕度が
大きくなり、トラツキングやフオーカスのサーボ
が安定になることがある。
また、基板としてはポリカーボネート、ポリオ
レフイン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポ
キシ樹脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用され
ているものが用いられる。
レフイン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポ
キシ樹脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用され
ているものが用いられる。
[実施例]
以下本発明の実施例について説明する。
100℃で2時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネー
ト樹脂デイスク基板上に、テルル−セレン合金タ
ーゲツトをアルゴン(Ar)とNH3との混合ガス
でマグネトロンスパツタして、テルル(Te)と
セレン(Se)と窒素(N)の比が原子数パーセ
ントで85対9対6のテルル−セレン−窒素層を約
250Å厚形成し、しかる後、温度85℃、相対湿度
90%の環境に12時間保存して光記録媒体を作製し
た。この光デイスクの波長8300Åにおける基板入
射の反射率を測定したところ、約26%であつた。
波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射
して記録層上で1.6μmφ程度に絞り、媒体線速度
5.65m/sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.0mWの条件で記録し、0.7
mWで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアーと
ノイズとの比(C/N)は49dBと良好であつた。
この光デイスクを70℃、80%の高温高湿度の環境
に60時間保存した後、上記特性を調べたが変化は
なく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確
認された。
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネー
ト樹脂デイスク基板上に、テルル−セレン合金タ
ーゲツトをアルゴン(Ar)とNH3との混合ガス
でマグネトロンスパツタして、テルル(Te)と
セレン(Se)と窒素(N)の比が原子数パーセ
ントで85対9対6のテルル−セレン−窒素層を約
250Å厚形成し、しかる後、温度85℃、相対湿度
90%の環境に12時間保存して光記録媒体を作製し
た。この光デイスクの波長8300Åにおける基板入
射の反射率を測定したところ、約26%であつた。
波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射
して記録層上で1.6μmφ程度に絞り、媒体線速度
5.65m/sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.0mWの条件で記録し、0.7
mWで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアーと
ノイズとの比(C/N)は49dBと良好であつた。
この光デイスクを70℃、80%の高温高湿度の環境
に60時間保存した後、上記特性を調べたが変化は
なく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確
認された。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の方法によれば耐候
性がよく、かつ高感度で信号品質が良好で安定な
光記録媒体を製造することができる。
性がよく、かつ高感度で信号品質が良好で安定な
光記録媒体を製造することができる。
第1図は光記録媒体の1例を示す部分断面図で
ある。 1……基板、21……記録層、22……ピツ
ト。
ある。 1……基板、21……記録層、22……ピツ
ト。
Claims (1)
- 1 基板上に、レーザ光によつて一部が選択的に
除去されて情報を記録する記録層を形成すること
よりなる光記録媒体の製造方法において、前記記
録層中に、テルルとセレンを含む物質をターゲツ
トとし、アンモニアガスを含むガス中でスパツタ
リングしてテルルとセレンと窒素とを主成分とす
る層を少なくとも設けることを特徴とする光記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194559A JPS6349493A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194559A JPS6349493A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6349493A JPS6349493A (ja) | 1988-03-02 |
| JPH0481953B2 true JPH0481953B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=16326546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194559A Granted JPS6349493A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6349493A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171446A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的記録用媒体の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61194559A patent/JPS6349493A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6349493A (ja) | 1988-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6363153A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPS63151486A (ja) | 光記録媒体とその製造方法 | |
| JPH0481953B2 (ja) | ||
| JP2689429B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH048859B2 (ja) | ||
| JPH0528675B2 (ja) | ||
| JP2508056B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JPH0530391B2 (ja) | ||
| JPH051747B2 (ja) | ||
| JPS6313786A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0581976B2 (ja) | ||
| JPH0553018B2 (ja) | ||
| JP2508053B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JP2560711B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0530390B2 (ja) | ||
| JPH0533675B2 (ja) | ||
| JPH0481954B2 (ja) | ||
| JP2508188B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JPS6314336A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0481959B2 (ja) | ||
| JPS6331039A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0481956B2 (ja) | ||
| JPH0481958B2 (ja) | ||
| JPH0528676B2 (ja) | ||
| JPH0481957B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |