JPH01200621A - Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体 - Google Patents
Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体Info
- Publication number
- JPH01200621A JPH01200621A JP63023844A JP2384488A JPH01200621A JP H01200621 A JPH01200621 A JP H01200621A JP 63023844 A JP63023844 A JP 63023844A JP 2384488 A JP2384488 A JP 2384488A JP H01200621 A JPH01200621 A JP H01200621A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ray
- mask material
- mask
- ray lithography
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線リソグラフィー用マスク構造体に関する。
［従来の技術］
Ｘ線リソグラフィーはＸ線固有の高透過率（低吸収数）
、短波長等の性質に基づき、これまでの可視光や紫外光
によるリソグラフィーより優れた多くの点を持っており
、サブミクロンリソグラフィーの有力な手段として注目
されつつあるしかしながら、ｘ、ｖｉ源のパワー不足、
レジストの低感度、アライメントの困難さ、マスク材料
の選定及び加工方法の困難さなどから、生産性が低く、
コストが高いと欠点があり、実用化が遅れている。
、短波長等の性質に基づき、これまでの可視光や紫外光
によるリソグラフィーより優れた多くの点を持っており
、サブミクロンリソグラフィーの有力な手段として注目
されつつあるしかしながら、ｘ、ｖｉ源のパワー不足、
レジストの低感度、アライメントの困難さ、マスク材料
の選定及び加工方法の困難さなどから、生産性が低く、
コストが高いと欠点があり、実用化が遅れている。
その中で、Ｘ線リソグラフィー用マスクを取り挙げてみ
ると、可視光および紫外光リソグラフィーでは、マスク
材保持体（即ち、光線透過体）としてガラス板および石
英板が利用されてきたが、Ｘ線リソグラフィーにおいて
は、利用できる光線の波長が１〜２００人とさねでおり
、これまでのガラス板や石英板はＸ線波長域での吸収が
大きく、且つ厚さも１〜２ｍｍと厚くせざるを天ないた
め、Ｘ線を充分に透過させないので、これらはＸ線リソ
グラフィー用マスク材保持体の材料としては不適である
。
ると、可視光および紫外光リソグラフィーでは、マスク
材保持体（即ち、光線透過体）としてガラス板および石
英板が利用されてきたが、Ｘ線リソグラフィーにおいて
は、利用できる光線の波長が１〜２００人とさねでおり
、これまでのガラス板や石英板はＸ線波長域での吸収が
大きく、且つ厚さも１〜２ｍｍと厚くせざるを天ないた
め、Ｘ線を充分に透過させないので、これらはＸ線リソ
グラフィー用マスク材保持体の材料としては不適である
。
Ｘ線透過率は一般に物質の密度に依存するため、Ｘ線リ
ソグラフィー用マスク材保持体の材料として、密度の低
い無機物や有機物が検討されつつある。このような材料
としては、例えば、ベリリウム（Ｂｅ） 、チタン（Ｔ
ｉ） 、ケイ素（Ｓｉ） 、ホウ素（Ｂ）の単体および
それらの化合物などの無機物、またはポリイミド、ポリ
アミド、ポリエステル、パリレン等の有機物が挙げられ
る。
ソグラフィー用マスク材保持体の材料として、密度の低
い無機物や有機物が検討されつつある。このような材料
としては、例えば、ベリリウム（Ｂｅ） 、チタン（Ｔ
ｉ） 、ケイ素（Ｓｉ） 、ホウ素（Ｂ）の単体および
それらの化合物などの無機物、またはポリイミド、ポリ
アミド、ポリエステル、パリレン等の有機物が挙げられ
る。
これらの物質をＸ線リソグラフィー用マスク材保持体の
材料として実際に用いるためには、Ｘ線透過量をできる
だけ大きくするために薄膜化することが必要であり、無
機物の場合で数μ以下、有機物の場合で数十μｓ以下の
厚さに形成することが、要求されている。このため、例
えば、無機物薄膜およびその複合膜から成るマスク材保
持膜の形成にあたっては、平面性の優れたシリコンウェ
ハー上に蒸着などによって窒化シリコン、酸化シリコン
、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成した後に
シリコンウェハーをエツチングによって除去する方法が
提案されている。
材料として実際に用いるためには、Ｘ線透過量をできる
だけ大きくするために薄膜化することが必要であり、無
機物の場合で数μ以下、有機物の場合で数十μｓ以下の
厚さに形成することが、要求されている。このため、例
えば、無機物薄膜およびその複合膜から成るマスク材保
持膜の形成にあたっては、平面性の優れたシリコンウェ
ハー上に蒸着などによって窒化シリコン、酸化シリコン
、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成した後に
シリコンウェハーをエツチングによって除去する方法が
提案されている。
なお、以上のような保持ｒ４膜上に保持されるＸ線リソ
グラフィー用マスク材（即ち、Ｘ線吸収体）としては、
一般に密度の高い物質、例えば、金、白金、タングステ
ン、銅、ニッケルおよびそれらを含む化合物などの薄膜
が使用されている。
グラフィー用マスク材（即ち、Ｘ線吸収体）としては、
一般に密度の高い物質、例えば、金、白金、タングステ
ン、銅、ニッケルおよびそれらを含む化合物などの薄膜
が使用されている。
特に、０，５〜１μ厚の薄膜からなるものが好ましく使
用されている。
用されている。
このようなマスク材は、例えば、上記Ｘ線透過膜上に一
様に上記高密度物質の薄膜を形成した後、レジストを塗
布し、該レジストに電子ビーム、光等により所望のパタ
ーン描画を行ない、しかる後にエツチングなどの手段を
用いて所望のパターンに作成される。
様に上記高密度物質の薄膜を形成した後、レジストを塗
布し、該レジストに電子ビーム、光等により所望のパタ
ーン描画を行ない、しかる後にエツチングなどの手段を
用いて所望のパターンに作成される。
［発明が解決しようとする課題］
以上の如く、従来のＸ線リソグラフィーにおいては、マ
スク材保持薄膜のＸ線透過率、可視および近赤外の透過
率が低く、十分なＸ線透過量、可視および近赤外光透過
量を得るには、マスク保持膜を数μ以下にする必要があ
る。しかし、そのようにすることは必ずしも容易なこと
ではなく、歩留りが良くない。強度的にも問題がある。
スク材保持薄膜のＸ線透過率、可視および近赤外の透過
率が低く、十分なＸ線透過量、可視および近赤外光透過
量を得るには、マスク保持膜を数μ以下にする必要があ
る。しかし、そのようにすることは必ずしも容易なこと
ではなく、歩留りが良くない。強度的にも問題がある。
また、微小な膜厚の差によっても物性が変わり、再現性
の良い製造には向かない。
の良い製造には向かない。
また、近年Ｘ線の線源としてＳＯＲ光が注目されており
、従来の電子衝撃型Ｘ線源から発生する特性Ｘ線に比べ
て、使用する波長の幅も広く、パワーも大きいため、Ｘ
線リソグラフィー用マスク材保持体の、広範囲な波長に
おけるＸ線透過率、熱安定性およびＸ線耐性が大きな問
題となっている。・ 本発明は、広い範囲のＸ線の波長（１〜１０人）に対し
て、Ｘ線透過率が高く、従来よりも厚い厚さで十分な透
光性を示し、強度、歩留り向上に好適であるマスク保持
体を備えたＸ線リソグラフィー用マスク構造体を提供す
ることにある。
、従来の電子衝撃型Ｘ線源から発生する特性Ｘ線に比べ
て、使用する波長の幅も広く、パワーも大きいため、Ｘ
線リソグラフィー用マスク材保持体の、広範囲な波長に
おけるＸ線透過率、熱安定性およびＸ線耐性が大きな問
題となっている。・ 本発明は、広い範囲のＸ線の波長（１〜１０人）に対し
て、Ｘ線透過率が高く、従来よりも厚い厚さで十分な透
光性を示し、強度、歩留り向上に好適であるマスク保持
体を備えたＸ線リソグラフィー用マスク構造体を提供す
ることにある。
本発明の他の目的は、可視光透過率をも満足し、熱的寸
法安定性、Ｘ線耐性が良好なマスク材保持体を備えたＸ
線リソグラフィー用マスク構造体を提供することにある
。
法安定性、Ｘ線耐性が良好なマスク材保持体を備えたＸ
線リソグラフィー用マスク構造体を提供することにある
。
［課題を解決するための手段］
上記の目的は、アルミニウム、ホウ素、窒素および酸素
を主成分とする単層膜または当該膜を少なくとも含む積
層膜から成るマスク材保持薄膜と、該マスク材保持薄膜
の周辺部を保持するための環状保持基板とを有すること
を更に有する、、Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体に
よって達成される。
を主成分とする単層膜または当該膜を少なくとも含む積
層膜から成るマスク材保持薄膜と、該マスク材保持薄膜
の周辺部を保持するための環状保持基板とを有すること
を更に有する、、Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体に
よって達成される。
アルミニウム、ホウ素、窒素および酸素を主成分とする
膜のＡｌ、Ｎ、Ｂ、０に関して、（八ｌＮ ： 八ｊ２
０３＝１：１〜５） ： （ＢＮ：Ｂ２０３）＝１
：１〜５）＝１：１〜１０（モル比）となるのが好まし
い。
膜のＡｌ、Ｎ、Ｂ、０に関して、（八ｌＮ ： 八ｊ２
０３＝１：１〜５） ： （ＢＮ：Ｂ２０３）＝１
：１〜５）＝１：１〜１０（モル比）となるのが好まし
い。
なお１．環状保持基板としては、シリコン、パイレック
スガラス、石英、インバー、ステンレスを主体とするも
のが好適である。
スガラス、石英、インバー、ステンレスを主体とするも
のが好適である。
［作用］
１１の吸収端よりも短いＸ線（１〜８．３４人）では、
ホウ素（Ｂ）の透過率がよく、長い波長（８，３４〜Ｉ
Ｏ人）ではＡｊの透過率が良いので、ＳＯＲ等の波長の
幅をもったＸ線源に対し、ＡＡ−Ｂ−Ｎ−０膜は高い透
過率を示す。そのため、Ａｊ−Ｂ−Ｎ−０膜は２鱗厚で
５０％以上の透過率を示す。同じ透過率を示すためには
多くの無機材料（窒化シリコン膜等）では、１ｌ程度と
薄くする必要があり、それに比べてＡＡ −Ｂ−Ｎ−０
膜は製造が容易であって、Ｘ線リソグラフィー用マスク
構造体の歩留りの向上を図ることができる。
ホウ素（Ｂ）の透過率がよく、長い波長（８，３４〜Ｉ
Ｏ人）ではＡｊの透過率が良いので、ＳＯＲ等の波長の
幅をもったＸ線源に対し、ＡＡ−Ｂ−Ｎ−０膜は高い透
過率を示す。そのため、Ａｊ−Ｂ−Ｎ−０膜は２鱗厚で
５０％以上の透過率を示す。同じ透過率を示すためには
多くの無機材料（窒化シリコン膜等）では、１ｌ程度と
薄くする必要があり、それに比べてＡＡ −Ｂ−Ｎ−０
膜は製造が容易であって、Ｘ線リソグラフィー用マスク
構造体の歩留りの向上を図ることができる。
１ｌ−Ｂ−Ｎ−０膜は２μ厚では可視光が９８％以上と
高いため、可視光線によるアライメントが容易である。
高いため、可視光線によるアライメントが容易である。
＾７−Ｂ−Ｎ−０膜の熱膨張率は３〜４×１０−６／’
Ｃと、一般に焼き付は基板として好適に用いられるシリ
コンウェハーとほぼ同じ値であるので、極めて高精度の
両者の焼き付けが可能になる。
Ｃと、一般に焼き付は基板として好適に用いられるシリ
コンウェハーとほぼ同じ値であるので、極めて高精度の
両者の焼き付けが可能になる。
１ｌ−Ｂ−Ｎ−０膜は熱伝導率が１〜２Ｗｃｍ’ ｋ
−’ （窒化シリコン１漠は０．１７〜０．３ｗｃｒ
ｎ−’ ｋ −’ ）と高いため、Ｘ線照射による温度
上昇も防止できる。
−’ （窒化シリコン１漠は０．１７〜０．３ｗｃｒ
ｎ−’ ｋ −’ ）と高いため、Ｘ線照射による温度
上昇も防止できる。
また、通常、薄膜の成膜時には０２の混入が起こり、成
膜された膜の物性値に大きな変化をもたらす場合がある
が、意図的に制御しつつ０゜を含む膜を成膜することに
よって、安定した膜を得ることができる。
膜された膜の物性値に大きな変化をもたらす場合がある
が、意図的に制御しつつ０゜を含む膜を成膜することに
よって、安定した膜を得ることができる。
［実施例］
実施例１
シリコンウェハー１１の裏面にスパッタを用いて、２μ
厚の酸化シリコン（ＳｉＯ□）膜１２を成膜した（第１
図（ａ））。このウェハー１１を熱電子衝撃型イオンブ
レーティング装置内にセットし、蒸着源をアルミニウム
（Ａｌ）と酸化ホウ素（Ｂ２０３）の二部とし、ガスを
、アルゴン（Ａｒ） ：窒素（Ｎ２） ＝３ ： １の
比率でガス圧３ｘｌＯ−’Ｔｏｒｒとし、放電電力４０
Ｗ、加速電圧６００Ｖ、基板温度８０℃にて、へ１−Ｂ
−Ｎ−０膜１３を形成した（同図（ｂ））。
厚の酸化シリコン（ＳｉＯ□）膜１２を成膜した（第１
図（ａ））。このウェハー１１を熱電子衝撃型イオンブ
レーティング装置内にセットし、蒸着源をアルミニウム
（Ａｌ）と酸化ホウ素（Ｂ２０３）の二部とし、ガスを
、アルゴン（Ａｒ） ：窒素（Ｎ２） ＝３ ： １の
比率でガス圧３ｘｌＯ−’Ｔｏｒｒとし、放電電力４０
Ｗ、加速電圧６００Ｖ、基板温度８０℃にて、へ１−Ｂ
−Ｎ−０膜１３を形成した（同図（ｂ））。
次に、リング状にＳｉＯ□Ｉｌｉ １２を残すために、
アビニシンワックス（シェル化学社製）層を形成しく同
図（ｃ））、これを保護膜１４とし、５ｉｎ２膜１２の
中央部分をフッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用
いて、除去した（同図（ｄ））。その後、アビニシンワ
ックスをキシレンで取り去った（同図（Ｃ））。
アビニシンワックス（シェル化学社製）層を形成しく同
図（ｃ））、これを保護膜１４とし、５ｉｎ２膜１２の
中央部分をフッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用
いて、除去した（同図（ｄ））。その後、アビニシンワ
ックスをキシレンで取り去った（同図（Ｃ））。
その後、水酸化カリウム水溶液でシリコンウェハー１１
のエツチングを行ない、 八ｊ−Ｂ−Ｎ−ｏ ＩＩＱ
１３の両面を露出させた（同図（ｆ））。
のエツチングを行ない、 八ｊ−Ｂ−Ｎ−ｏ ＩＩＱ
１３の両面を露出させた（同図（ｆ））。
最後に、ＥＢ描画およびエレクトロフォーミング法を利
用して、金（Ａｕ）のマスク材１５を形成し、 Ａｊ−
Ｂ−Ｎ−０膜１３を透過膜とするＸ線マスクを作製した
（同図（ｇ））。
用して、金（Ａｕ）のマスク材１５を形成し、 Ａｊ−
Ｂ−Ｎ−０膜１３を透過膜とするＸ線マスクを作製した
（同図（ｇ））。
実施例２
シリコンウェハー１１の裏面にプラズマＣＶＤを用いて
、２鱗厚の窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ） １２を成膜し
た。
、２鱗厚の窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ） １２を成膜し
た。
次に、このウェハーをＭＯＣＶＤ装置内にセットし、ウ
ェハーを５００℃に加熱しつつ、トリメチルアルミニウ
ム グし５ ０ ｓｃｃＭ．ジボラン（［１２＋１６）を１
１２のキャリアガスを用い５！ｉ Ｃ Ｃ Ｍ 、酸化
窒素（Ｎ２０）ガスを１０ＳＣＣＭ流し、 ｌ−Ｂ−Ｎ
−０膜１３を成膜した（同図（ｂ））。
ェハーを５００℃に加熱しつつ、トリメチルアルミニウ
ム グし５ ０ ｓｃｃＭ．ジボラン（［１２＋１６）を１
１２のキャリアガスを用い５！ｉ Ｃ Ｃ Ｍ 、酸化
窒素（Ｎ２０）ガスを１０ＳＣＣＭ流し、 ｌ−Ｂ−Ｎ
−０膜１３を成膜した（同図（ｂ））。
次に、リング状にネガレジスト（ＯＭＲ−８３＝東京応
化社製）を塗布しく同図（Ｃ） ） 、それを保護膜１
４として、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用
いて、ＳｉＮｘ１５ｉ １ ２の中央を除去しく同図（
ｄ））、専用剥ｓｆｉを用いて、レジストを取り去った
（同図（Ｃ））。
化社製）を塗布しく同図（Ｃ） ） 、それを保護膜１
４として、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用
いて、ＳｉＮｘ１５ｉ １ ２の中央を除去しく同図（
ｄ））、専用剥ｓｆｉを用いて、レジストを取り去った
（同図（Ｃ））。
次に、フッ硝酸でシリコンウェハー１１をバックエツチ
ングした（同図（ｆ））。
ングした（同図（ｆ））。
その上に、Ｔａを０． ７７ｕ、Ｓｉｎ２を０．
３，ａｔ順に蒸着し、ＥＢ描画により作製したレジスト
パターンを（：Ｆ４＋ ８２ガスでドライエツチングす
ることによりＳｉｎ２に転写し、ＣＢｒＦ３ガスにより
エツチングすることによりＴａに転写し， Ｔａによる
マスク材１５を作製し、 八ｔ − Ｂ − Ｎ −
０ １１％ １ ３を透過膜とするＸ線マスクを作製し
た。
３，ａｔ順に蒸着し、ＥＢ描画により作製したレジスト
パターンを（：Ｆ４＋ ８２ガスでドライエツチングす
ることによりＳｉｎ２に転写し、ＣＢｒＦ３ガスにより
エツチングすることによりＴａに転写し， Ｔａによる
マスク材１５を作製し、 八ｔ − Ｂ − Ｎ −
０ １１％ １ ３を透過膜とするＸ線マスクを作製し
た。
実施例３
シリコンウェハー１１の裏面にスパッタを用いて、２μ
■厚の酸化シリコン（Ｓｉｎ２）膜１２を成膜した（同
図（ａ））。
■厚の酸化シリコン（Ｓｉｎ２）膜１２を成膜した（同
図（ａ））。
次に、このウェハー１１を高周波スパッタリング装置に
て、ホウ化アルミニウム（ＩＢ）ターゲット、アルゴン
（Ａｒ） ：窒素（Ｎ２） ：酸素（０，） ＝＝３：
Ｉ：０．５ 、ガス圧５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ、放電
電力２００Ｗにて、２騨厚のＡＡ−Ｂ−Ｎ−０膜１３を
形成した（同図（ｂ））。
て、ホウ化アルミニウム（ＩＢ）ターゲット、アルゴン
（Ａｒ） ：窒素（Ｎ２） ：酸素（０，） ＝＝３：
Ｉ：０．５ 、ガス圧５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ、放電
電力２００Ｗにて、２騨厚のＡＡ−Ｂ−Ｎ−０膜１３を
形成した（同図（ｂ））。
次に、リング状にポジレジスト（ＡＺ−１３７０：ヘキ
スト社製）を塗布しく同図（Ｃ））、それを保護膜１４
として、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用い
て、５ｉｎ２膜１２の中央部分を除去しく同図（ｄ））
、専用剥離液を用いて、レジストを取り去った（同図（
ｅ））。
スト社製）を塗布しく同図（Ｃ））、それを保護膜１４
として、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用い
て、５ｉｎ２膜１２の中央部分を除去しく同図（ｄ））
、専用剥離液を用いて、レジストを取り去った（同図（
ｅ））。
次に、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液にてシリコンウ
ェハー１１の中央部をエツチングした（同図（ｆ））。
ェハー１１の中央部をエツチングした（同図（ｆ））。
その上に、Ｃｒを１００人、八Ｕを７０００人順に蒸着
し、フォーカスイオンビーム装置（ＦＩＢ）にて、直接
描画しマスク材１５とし、ＡＩ−−Ｂ −Ｎ−ｏ１１ｑ
ｔ３を透過膜とするＸ線マスクを作製した。
し、フォーカスイオンビーム装置（ＦＩＢ）にて、直接
描画しマスク材１５とし、ＡＩ−−Ｂ −Ｎ−ｏ１１ｑ
ｔ３を透過膜とするＸ線マスクを作製した。
実施例４
シリコンウェハー１１の裏面にプラズマＣＶＤを用いて
、２騨厚の窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜１２を成膜した
（第２図（ａ））。
、２騨厚の窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜１２を成膜した
（第２図（ａ））。
次に、実施例２と同様な方法でＭＯＣＶＤ装置内にて２
μ顔の＾ｊ−Ｂ−Ｎ−０膜１３を成膜した（同図（ｂ）
）。
μ顔の＾ｊ−Ｂ−Ｎ−０膜１３を成膜した（同図（ｂ）
）。
次に、マスク材１５を形成した（同図（Ｃ））。
これには実施例１〜３のいずれの方法でも良いが、実際
には実施例１の方法を利用した。
には実施例１の方法を利用した。
次に、リング状にポジレジスト（ＯＦＰＲ−８００＝東
京応化社製）を塗布しく同図（ｄ））、それを保護膜１
４として、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用
いて、ＳｉＮｘ膜１２の中央を除去しく同図（ｅ））、
専用剥離液を用いて、レジストを取り去った（同図（ｆ
））。
京応化社製）を塗布しく同図（ｄ））、それを保護膜１
４として、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用
いて、ＳｉＮｘ膜１２の中央を除去しく同図（ｅ））、
専用剥離液を用いて、レジストを取り去った（同図（ｆ
））。
最後に、エチレンジアミンとパイロカテコールによりシ
リコンウェハー１１をバックエツチングし、 Ａｎ−Ｂ
−Ｎ−０膜１３を透過膜とするＸ線マスクを作成した（
同図（ｇ））。
リコンウェハー１１をバックエツチングし、 Ａｎ−Ｂ
−Ｎ−０膜１３を透過膜とするＸ線マスクを作成した（
同図（ｇ））。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明では、Ｘ線透過膜と
して用いられ−る１−Ｂ−Ｎ−０膜は広い波長範囲でＸ
線透過率や可視光透過率が高く、熱膨張率が低く、また
熱伝導率が高いので、・Ｘ線透過膜を、同じ透過率を示
す従来のものよりよりも厚くでき、そのため再現性の良
い製造が容易で歩留が高くなり、また強度も向上し、・
可視光によるアライメントが容易となり、・熱寸法安定
性が向上し、 ・０２添加による物性値が安定し、 ・広い範囲の波長を用いるＳＯＲ光を光源としたＸ線リ
ソグラフィーに用いるのに好適である。
して用いられ−る１−Ｂ−Ｎ−０膜は広い波長範囲でＸ
線透過率や可視光透過率が高く、熱膨張率が低く、また
熱伝導率が高いので、・Ｘ線透過膜を、同じ透過率を示
す従来のものよりよりも厚くでき、そのため再現性の良
い製造が容易で歩留が高くなり、また強度も向上し、・
可視光によるアライメントが容易となり、・熱寸法安定
性が向上し、 ・０２添加による物性値が安定し、 ・広い範囲の波長を用いるＳＯＲ光を光源としたＸ線リ
ソグラフィーに用いるのに好適である。
第１図、第２図は、各々本発明のＸ線リソグラフィー用
マスク構造体の製造工程を示す図である。 １１：シリコンウェハー １２ ： Ｓｉｎ□またはＳｉＮｘから成る膜１３ ：
ＡＡ−Ｂ−Ｎ−０膜 １４：保護膜 １５：マスク材 特許出願人 キャノン株式会社
マスク構造体の製造工程を示す図である。 １１：シリコンウェハー １２ ： Ｓｉｎ□またはＳｉＮｘから成る膜１３ ：
ＡＡ−Ｂ−Ｎ−０膜 １４：保護膜 １５：マスク材 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）アルミニウム、ホウ素、窒素および酸素を主成分と
する単層膜または当該膜を少なくとも含む積層膜から成
るマスク材保持薄膜と、該マスク材保持薄膜の周辺部を
保持するための環状保持基板とを有することを特徴とす
る、Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体。 ２）前記マスク材保持薄膜一面に薄膜状に付与されたマ
スク材を更に有する、特許請求の範囲第１項記載のＸ線
リソグラフィー用マスク構造体。 ３）前記マスク材保持薄膜に薄膜状にパターン化されて
付与されたマスク材を更に有する、特許請求の範囲第１
項記載のＸ線リソグラフィー用マスク構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023844A JPH01200621A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023844A JPH01200621A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200621A true JPH01200621A (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=12121713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63023844A Pending JPH01200621A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01200621A (ja) |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63023844A patent/JPH01200621A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3026284B2 (ja) | Ｘ線窓材とその製造方法 | |
| US4677042A (en) | Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method | |
| US4468799A (en) | Radiation lithography mask and method of manufacturing same | |
| JPH02208601A (ja) | 光学用窓材及びその製造方法 | |
| JPH0864524A (ja) | Ｘ線吸収マスクの製造方法 | |
| EP0020455A1 (en) | ARRANGEMENT WITH RADIATION WINDOW OR MASK. | |
| JPS5842003A (ja) | 偏光板 | |
| JPH01200621A (ja) | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体 | |
| JPH01184919A (ja) | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体 | |
| JPH0482047B2 (ja) | ||
| JPS6033557A (ja) | 電子線露光用マスク素材の製造方法 | |
| JPH0795506B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPS61140942A (ja) | リソグラフイ−用マスク構造体 | |
| Anastasi et al. | Preparation and characterisation of silicon nitride membranes for soft x-ray microscopy | |
| JP2000150364A (ja) | Ｘ線マスクブランク及びその製造方法、並びにｘ線マスク及びその製造方法 | |
| JPS62119924A (ja) | 透過マスクの作製方法 | |
| JPS61118754A (ja) | Ｘ線リソグラフイ−法及びｘ線リソグラフイ−用マスク保持体 | |
| JPH0481851B2 (ja) | ||
| JPS61245160A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH03105912A (ja) | Ｘ線マスクブランクス及びｘ線マスク構造体 | |
| JPH0482048B2 (ja) | ||
| JPS61204933A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3127037B2 (ja) | Ｘ線マスク支持体、ｘ線マスク構造体及びｘ線露光方法 | |
| JPH0481854B2 (ja) | ||
| JPS62158324A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |