JPH0485930A - 配線パターン形成方法 - Google Patents
配線パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0485930A JPH0485930A JP19929890A JP19929890A JPH0485930A JP H0485930 A JPH0485930 A JP H0485930A JP 19929890 A JP19929890 A JP 19929890A JP 19929890 A JP19929890 A JP 19929890A JP H0485930 A JPH0485930 A JP H0485930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring pattern
- thin film
- etching
- aluminum thin
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【概要１
基板上への配線パターン形成方法、特にアルミ配線パタ
ーンの形成方法に関し、 パターン微細化の要求にも合致し、かつ量産性も高い配
線パターン形成方法を提供することを目的し、 基板上にスパッタリングしたアルミ薄膜をエツチングし
て配線パターンを形成する配線パターン形成方法におい
で、 前記アルミ薄膜上にクロムスパッタ膜を成膜した後、ウ
エットエ・ンチング工程により工・ンチングするように
構成する。 ｒ産業上の利用分野】 本発明は、基板上への配線パターン形成方法に関し、特
に、アルミ配線パターンの形成方法に関するものである
。
ーンの形成方法に関し、 パターン微細化の要求にも合致し、かつ量産性も高い配
線パターン形成方法を提供することを目的し、 基板上にスパッタリングしたアルミ薄膜をエツチングし
て配線パターンを形成する配線パターン形成方法におい
で、 前記アルミ薄膜上にクロムスパッタ膜を成膜した後、ウ
エットエ・ンチング工程により工・ンチングするように
構成する。 ｒ産業上の利用分野】 本発明は、基板上への配線パターン形成方法に関し、特
に、アルミ配線パターンの形成方法に関するものである
。
従来、セラミック基板１等に配線パターンを形成する場
合には、第３図に示すように、該基板１上にチタン層等
からなる密着層４を介してアルミ薄膜２をスパッタリン
グにより成膜し、次いでこのアルミ薄ｌＩ！２上にレジ
スト層５を形成した後、ドライエツチング工程により不
要箇所をエツチングすることが行われていた。
合には、第３図に示すように、該基板１上にチタン層等
からなる密着層４を介してアルミ薄膜２をスパッタリン
グにより成膜し、次いでこのアルミ薄ｌＩ！２上にレジ
スト層５を形成した後、ドライエツチング工程により不
要箇所をエツチングすることが行われていた。
しかし、上述した工程によるアルミ配線パターンの形成
方法においては、導体紙抗を低減を目的としてアルミ薄
膜２を厚くした場合、エツチング工程に時間がかかり、
量産性に欠けるという問題を有するものであった。 かかる問題に対処するため、ドライエツチングに代えて
ウェットエツチングによる処理も考えられるが、ウェッ
トエツチングにおいては、サイドエッチ量が多く、配線
パターンの微細化の要求に応えることができないという
欠点を有するものであった。 本発明は、以上の欠点を解消すべくなされたものであっ
て、パターン微細化の要求にも合致し、かつ量産性も高
い配線パターン形成方法を提供することを目的とする。
方法においては、導体紙抗を低減を目的としてアルミ薄
膜２を厚くした場合、エツチング工程に時間がかかり、
量産性に欠けるという問題を有するものであった。 かかる問題に対処するため、ドライエツチングに代えて
ウェットエツチングによる処理も考えられるが、ウェッ
トエツチングにおいては、サイドエッチ量が多く、配線
パターンの微細化の要求に応えることができないという
欠点を有するものであった。 本発明は、以上の欠点を解消すべくなされたものであっ
て、パターン微細化の要求にも合致し、かつ量産性も高
い配線パターン形成方法を提供することを目的とする。
本発明によれば上記目的は、実施例に対応する第１図に
示すように、 基板１上にスパッタリングしたアルミ薄膜２をエツチン
グして配線パターンを形成する配線パターン形成方法に
おいて、 前記アルミ薄膜２上にクロムスパッタＷ１．３を成膜し
た後、ウェットエツチング工程によりエツチングする配
線パターン形成方法を提供することにより達成される。
示すように、 基板１上にスパッタリングしたアルミ薄膜２をエツチン
グして配線パターンを形成する配線パターン形成方法に
おいて、 前記アルミ薄膜２上にクロムスパッタＷ１．３を成膜し
た後、ウェットエツチング工程によりエツチングする配
線パターン形成方法を提供することにより達成される。
上記構成に基づき、本発明における配線パターンは、ド
ライエツチングに比してエツチング速度の早いウェット
エツチング工程により行われ、量産性の向上をもたらす
。 さらに、アルミ薄膜２上に形成されたクロムスパッタ膜
３は、レジスト層５とアルミ薄膜２との境界部に位置し
、第２図に示すように、レジスト層５との境界部が集中
的にエツチングされるために生じるアルミ薄膜２に対す
るサイドエッチ量の増加が制限さた配線パターンが得ら
れる。
ライエツチングに比してエツチング速度の早いウェット
エツチング工程により行われ、量産性の向上をもたらす
。 さらに、アルミ薄膜２上に形成されたクロムスパッタ膜
３は、レジスト層５とアルミ薄膜２との境界部に位置し
、第２図に示すように、レジスト層５との境界部が集中
的にエツチングされるために生じるアルミ薄膜２に対す
るサイドエッチ量の増加が制限さた配線パターンが得ら
れる。
以下、本発明の望ましい実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。 第１図は本発明の実施例を示すもので、図中１はセラミ
ック等の基板である。この基板１上には、チタン層から
なる密着層４が形成され、次いで、アルミ薄膜２が形成
される。これら密着層４と、アルミ薄膜２は、スパッタ
リング工程により形成され、導体砥抗を低減を図るため
、アルミ薄膜２ば、通常よりやや厚！（この実施例にお
いては、６μｍ以上）に形成される。 上述したように比較的厚膜に形成したアルミ薄ｌＩ！Ｉ
２を効率的にエツチングするために、上記アルミ薄膜２
に対してウェットエツチングが施される。 ウェットエツチングにおいて、レジスト層５との境界部
におけるエツチング液の浸透が住じ、かかる浸透作用に
よりサイドエッチ量が増加することを考慮して、レジス
ト層５とアルミ薄膜２との境界部には、クロムスパッタ
ｌ！３を介在させる。このクロムスパッタ膜３の形成は
、アルミ薄膜２の形成と、レジスト層５の形成工程前に
、スパッタリングによりなされる。 ウェットエツチングは、全体として、クロムスパッタ膜
３のエツチングスピードよりアルミ薄膜２のエツチング
スピードを早くするような環境下で行われるのが望まし
く、この実施例において、クロムとアルミに対するエツ
チング作用を有するフェリシアン化カリウムと、主とし
てアルミに対してエツチング作用を有する水酸化ナトリ
ウムの混合液がエツチング液として使用される。
細に説明する。 第１図は本発明の実施例を示すもので、図中１はセラミ
ック等の基板である。この基板１上には、チタン層から
なる密着層４が形成され、次いで、アルミ薄膜２が形成
される。これら密着層４と、アルミ薄膜２は、スパッタ
リング工程により形成され、導体砥抗を低減を図るため
、アルミ薄膜２ば、通常よりやや厚！（この実施例にお
いては、６μｍ以上）に形成される。 上述したように比較的厚膜に形成したアルミ薄ｌＩ！Ｉ
２を効率的にエツチングするために、上記アルミ薄膜２
に対してウェットエツチングが施される。 ウェットエツチングにおいて、レジスト層５との境界部
におけるエツチング液の浸透が住じ、かかる浸透作用に
よりサイドエッチ量が増加することを考慮して、レジス
ト層５とアルミ薄膜２との境界部には、クロムスパッタ
ｌ！３を介在させる。このクロムスパッタ膜３の形成は
、アルミ薄膜２の形成と、レジスト層５の形成工程前に
、スパッタリングによりなされる。 ウェットエツチングは、全体として、クロムスパッタ膜
３のエツチングスピードよりアルミ薄膜２のエツチング
スピードを早くするような環境下で行われるのが望まし
く、この実施例において、クロムとアルミに対するエツ
チング作用を有するフェリシアン化カリウムと、主とし
てアルミに対してエツチング作用を有する水酸化ナトリ
ウムの混合液がエツチング液として使用される。
以上の説明から明らかなように、本発明による配線パタ
ーン形成方法によれば、量産性に優れ、かつ微１ｉＢｆ
ｘ配線パターンを形成することができる。
ーン形成方法によれば、量産性に優れ、かつ微１ｉＢｆ
ｘ配線パターンを形成することができる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図はエツチングをした状態を示す図、第３図は従来
例を示す図である。 図において、 ・基板、 ・アルミ薄膜、 クロムスパッタ膜。
例を示す図である。 図において、 ・基板、 ・アルミ薄膜、 クロムスパッタ膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板（１）上にスパッタリングしたアルミ薄膜（２）を
エッチングして配線パターンを形成する配線パターン形
成方法において、 前記アルミ薄膜（２）上にクロムスパッタ膜（３）を成
膜した後、ウェットエッチング工程によりエッチングす
る配線パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19929890A JPH0485930A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 配線パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19929890A JPH0485930A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 配線パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0485930A true JPH0485930A (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=16405478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19929890A Pending JPH0485930A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 配線パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0485930A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140872A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Hitachi Ltd | Bisaipataannokeiseihoho |
| JPS5382279A (en) * | 1976-12-28 | 1978-07-20 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
| JPS5792829A (en) * | 1980-12-01 | 1982-06-09 | Hitachi Ltd | Forming method for electrode |
| JPS5828736A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-02-19 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 熱現像感光材料 |
| JPS58164786A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Fujitsu Ltd | 電極の形成方法 |
| JPH0195524A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | クロム膜のテーパーエッチング方法 |
| JPH01243431A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-09-28 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 電子装置の一部を構成する下部構造に電気的接続を形成する方法 |
-
1990
- 1990-07-30 JP JP19929890A patent/JPH0485930A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140872A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Hitachi Ltd | Bisaipataannokeiseihoho |
| JPS5382279A (en) * | 1976-12-28 | 1978-07-20 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
| JPS5792829A (en) * | 1980-12-01 | 1982-06-09 | Hitachi Ltd | Forming method for electrode |
| JPS5828736A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-02-19 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 熱現像感光材料 |
| JPS58164786A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Fujitsu Ltd | 電極の形成方法 |
| JPH0195524A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | クロム膜のテーパーエッチング方法 |
| JPH01243431A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-09-28 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 電子装置の一部を構成する下部構造に電気的接続を形成する方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2129446A (en) | Deposition process for producing a desired feature on a substrate | |
| US4481071A (en) | Process of lift off of material | |
| JPH0485930A (ja) | 配線パターン形成方法 | |
| JPS6155797B2 (ja) | ||
| JPS62242337A (ja) | 多層配線用金属膜の形成方法 | |
| JP2891488B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2969968B2 (ja) | 印刷用メタルマスクの製造方法 | |
| JPS62295493A (ja) | 高速素子実装用回路基板の製造方法 | |
| JPS6097691A (ja) | 厚膜薄膜配線基板の製造方法 | |
| JPH02106091A (ja) | 両面パターンの形成方法 | |
| JPH01255678A (ja) | 多層金属膜のエッチング方法 | |
| JPS605239B2 (ja) | 薄膜導体パタ−ンの形成方法 | |
| JPS60143771U (ja) | スパツタ用基板ホルダ | |
| JPH01152646A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2994644B2 (ja) | 電極の形成方法 | |
| JPH03268325A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6164873A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH049482A (ja) | 導体パターン形成方法 | |
| JPS63110656A (ja) | 配線層の形成方法 | |
| JPH03160721A (ja) | 薄膜導体パターン構造 | |
| Lygum | Thinner Transfer Images by Screen Printing Aluminum Foil | |
| JPS6216273B2 (ja) | ||
| JPH06218871A (ja) | 寸法安定性を有する基材フイルム | |
| JPS6075590A (ja) | アルミニウム被膜のエツチング法 | |
| JPS5858283A (ja) | エツチング方法 |