JPS605239B2 - 薄膜導体パタ−ンの形成方法 - Google Patents
薄膜導体パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS605239B2 JPS605239B2 JP6434480A JP6434480A JPS605239B2 JP S605239 B2 JPS605239 B2 JP S605239B2 JP 6434480 A JP6434480 A JP 6434480A JP 6434480 A JP6434480 A JP 6434480A JP S605239 B2 JPS605239 B2 JP S605239B2
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- metal film
- thin film
- film
- conductor pattern
- pattern
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、省資源の点で有利な薄膜導体パターンの形
成方法に関する。
成方法に関する。
従来、薄膜配線等の薄膜導体パターンの形成工程、すな
わち絶縁性基板上に蒸着、スパッタ一等により金属膜を
被看し、その上にフオトレジストを塗布し、ベーク、露
光、現像して選択的に除去し、レジストのなくなった個
所の金属をエッチング除去して薄膜導体パターンを形成
する工程においては、ゴミまたはガラス乾板のよごれに
より、パターンに不要部分が残ったり、逆に必要な部分
の金属がなくなったりすることがいまいまある。
わち絶縁性基板上に蒸着、スパッタ一等により金属膜を
被看し、その上にフオトレジストを塗布し、ベーク、露
光、現像して選択的に除去し、レジストのなくなった個
所の金属をエッチング除去して薄膜導体パターンを形成
する工程においては、ゴミまたはガラス乾板のよごれに
より、パターンに不要部分が残ったり、逆に必要な部分
の金属がなくなったりすることがいまいまある。
このような薄膜導体パターンはＩＣ、ＢＩ等の微小部品
、ハイブリッド回路用基板さらに最近では発熱記録用サ
ーマルヘッドの基板等に多く使用されているが、このパ
ターンに上述のような欠陥があると、これらの部品ない
し基板は不良品となる。これらの欠陥のうち、パターン
に残った不要部分については、再度フオトレジストを塗
布しエッチングをし直すことで、容易に除去することが
できる。
、ハイブリッド回路用基板さらに最近では発熱記録用サ
ーマルヘッドの基板等に多く使用されているが、このパ
ターンに上述のような欠陥があると、これらの部品ない
し基板は不良品となる。これらの欠陥のうち、パターン
に残った不要部分については、再度フオトレジストを塗
布しエッチングをし直すことで、容易に除去することが
できる。
ところが、パターンの必要な部分の欠落、例えば配線の
断線の如き欠陥は修正不可能とされていた。すなわち、
このような欠陥が生じた場合は、パターン全体を剥離し
て捨て、全工程をやり直すか、あるいは最悪の場合この
パターンが形成された部品そのものを修正不可能な不良
品として処分しなければならす、省資源の点で非常に無
駄があった。この発明は上記した問題点に鑑みてなされ
たもので、その目的は必要部分の欠落を修正可能として
、省資源を有効に図ることができる薄膜導体パターンの
形成方法を提供することにある。
断線の如き欠陥は修正不可能とされていた。すなわち、
このような欠陥が生じた場合は、パターン全体を剥離し
て捨て、全工程をやり直すか、あるいは最悪の場合この
パターンが形成された部品そのものを修正不可能な不良
品として処分しなければならす、省資源の点で非常に無
駄があった。この発明は上記した問題点に鑑みてなされ
たもので、その目的は必要部分の欠落を修正可能として
、省資源を有効に図ることができる薄膜導体パターンの
形成方法を提供することにある。
この発明は、絶縁性基板上に被着された接着層を含む第
１の金属膜を選択的にエッチングして形成される導体パ
ターンの上に、接着層を含み第１の金属膜と異なる金属
材料からなる第２の金属膜を基板全面にわたり被着した
後、この第２の金属膜を第１の金属膜を侵さないエッチ
ャントによりエッチングして、第１の金属膜からなる導
体パターンの欠落を補完するように該導体パターンとほ
ぼ同一パターンにパターニングすることを特徴としてい
る。
１の金属膜を選択的にエッチングして形成される導体パ
ターンの上に、接着層を含み第１の金属膜と異なる金属
材料からなる第２の金属膜を基板全面にわたり被着した
後、この第２の金属膜を第１の金属膜を侵さないエッチ
ャントによりエッチングして、第１の金属膜からなる導
体パターンの欠落を補完するように該導体パターンとほ
ぼ同一パターンにパターニングすることを特徴としてい
る。
この場合、第１の金属膜と第２の金属膜の材料および第
２の金属膜をエッチングするための、第１の金属膜を侵
さないエッチヤントは、例えば次表｛１｝〜‘ＩＱの中
の組合せによって選択される。
２の金属膜をエッチングするための、第１の金属膜を侵
さないエッチヤントは、例えば次表｛１｝〜‘ＩＱの中
の組合せによって選択される。
表（１）表（２）
表（３）
表（４）
表（５
表俗）
表 、７）
表（８）
表（９）
表 （１０）
なお、Ｔｊ用のエッチャントとしては、本発明者らが既
に特糠昭５３一８２６８５で提案しているような、水５
０の‘に対し、ベンゾトリアゾール０．１ないし５夕、
過酸化水素３０ないし１２０の上、アンモニア水（ＮＨ
４０Ｈ）およびアンモニウム塩から選ばれる少なくとも
一種（但し、アンモニア水については０．５〜１０Ｍ、
アンモニウム塩については２〜３０夕）を含む液を用い
ることもできる。
に特糠昭５３一８２６８５で提案しているような、水５
０の‘に対し、ベンゾトリアゾール０．１ないし５夕、
過酸化水素３０ないし１２０の上、アンモニア水（ＮＨ
４０Ｈ）およびアンモニウム塩から選ばれる少なくとも
一種（但し、アンモニア水については０．５〜１０Ｍ、
アンモニウム塩については２〜３０夕）を含む液を用い
ることもできる。
以下、この発明を実施例により詳細に説明する。
図はこの発明の−実施例の工程図を示したもので、まず
第１図に示すように絶縁性基板１、例えばセラミック基
板の表面に、第１の金属膜２として、Ｃｒ膜２，、Ｐｄ
膜２２ 、Ａ欄漢２３ をこの順で蒸着またはスパッタ
一により一様に被着する。
第１図に示すように絶縁性基板１、例えばセラミック基
板の表面に、第１の金属膜２として、Ｃｒ膜２，、Ｐｄ
膜２２ 、Ａ欄漢２３ をこの順で蒸着またはスパッタ
一により一様に被着する。
そして、この金属膜２を選択的にエッチングして、例え
ば第２図に示すような導体パターンとする。第２図にお
いて、３はこの導体パターンの欠落であり、この導体パ
ターンが配線の場合、この欠落は断線となり、パターン
は不良となる。この実施例では、第２図に示す如き第１
の金属膜２で形成される導体パターンの上に、第３図に
示すように第２の金属膜４として、Ｔｉ膜４，，Ｃｕ膜
４２をこの順で蒸着またはスパッタ−により基板１の全
面にわたって被着する。
ば第２図に示すような導体パターンとする。第２図にお
いて、３はこの導体パターンの欠落であり、この導体パ
ターンが配線の場合、この欠落は断線となり、パターン
は不良となる。この実施例では、第２図に示す如き第１
の金属膜２で形成される導体パターンの上に、第３図に
示すように第２の金属膜４として、Ｔｉ膜４，，Ｃｕ膜
４２をこの順で蒸着またはスパッタ−により基板１の全
面にわたって被着する。
次に、この第２の金属膜４の上にフオトレジストを塗布
し、第１の金属膜２で形成された導体パタ−ンに位置合
せをし、断線のないガラスマスクによりフオトレジスト
を露光現像する。そして次に、Ｃｕ膜４２を例えば過硫
酸アンモニウムの２０％水溶液でエッチングし、次いで
Ｔｉ膜４，をフツ化素酸の２％溶液でエッチングして、
第４図に示すように第２の金属膜４を第１の金属膜２で
形成された導体パターンとほぼ同一パターンにパターニ
ングする。
し、第１の金属膜２で形成された導体パタ−ンに位置合
せをし、断線のないガラスマスクによりフオトレジスト
を露光現像する。そして次に、Ｃｕ膜４２を例えば過硫
酸アンモニウムの２０％水溶液でエッチングし、次いで
Ｔｉ膜４，をフツ化素酸の２％溶液でエッチングして、
第４図に示すように第２の金属膜４を第１の金属膜２で
形成された導体パターンとほぼ同一パターンにパターニ
ングする。
この結果、第１の金属膜２で形成された導体パターンは
、欠落３が第２の金属膜４で形成された導体パターンに
よって補完されることにより、修正されることになる。
なお、第２の金属膜４をエッチングする際、上記の各エ
ッチャントはＣｒ膜２，、Ｐｄ膜２２、Ａｕ膜２３を全
く侵すことがないので、第１の金属膜２により形成され
た導体パターンがオーバーエッチになることはない。ま
た、第２の金属膜としてＣｕ／Ｔｉの代りにＡＩを葵着
し、水酸化ナトリウムの水溶液でこれをエッチングして
も同様である。
、欠落３が第２の金属膜４で形成された導体パターンに
よって補完されることにより、修正されることになる。
なお、第２の金属膜４をエッチングする際、上記の各エ
ッチャントはＣｒ膜２，、Ｐｄ膜２２、Ａｕ膜２３を全
く侵すことがないので、第１の金属膜２により形成され
た導体パターンがオーバーエッチになることはない。ま
た、第２の金属膜としてＣｕ／Ｔｉの代りにＡＩを葵着
し、水酸化ナトリウムの水溶液でこれをエッチングして
も同様である。
さらに、修正のための第２の金属膜の被着を蒸着の不良
等により再度やり直す場合でも、既に形成されている第
１の金属膜による導体パターンを損うことはない。
等により再度やり直す場合でも、既に形成されている第
１の金属膜による導体パターンを損うことはない。
この実施例の方法は、薄膜導体パターンが１個所でも欠
落があると不良となり、しかも不良品のコストが高い場
合に特に有効である。
落があると不良となり、しかも不良品のコストが高い場
合に特に有効である。
このようなものの具体例としては、例えば感熱記録用サ
ーマルヘツドがある。このサーマルヘッドの製造工程で
は、セラミック基板上に一様に形成した薄膜抵抗体層の
上に、例えばＣｒ／Ａｕ／Ｐｄ／Ｃｒの多層薄膜を被着
し、この薄膜をエッチングして電極配線を形成した後、
薄膜抵抗体層をエッチングして、記録素子となる発熱抵
抗体列を形成する。この際、Ｃｒ／Ａｕ／Ｐｄ／Ｃｒか
らなる電極配線が断線すると、従来ではこの電極配線の
みならず抵抗体も捨てなければならなかった。
ーマルヘツドがある。このサーマルヘッドの製造工程で
は、セラミック基板上に一様に形成した薄膜抵抗体層の
上に、例えばＣｒ／Ａｕ／Ｐｄ／Ｃｒの多層薄膜を被着
し、この薄膜をエッチングして電極配線を形成した後、
薄膜抵抗体層をエッチングして、記録素子となる発熱抵
抗体列を形成する。この際、Ｃｒ／Ａｕ／Ｐｄ／Ｃｒか
らなる電極配線が断線すると、従来ではこの電極配線の
みならず抵抗体も捨てなければならなかった。
この発明によれば、このような場合断線を修正できるた
め、電極配線材料に使用されているＡｕや、抵抗体材料
として使用されるＴａ等の材料を捨てることなく使用で
きるため、省資源を図る上で極めて有効である。なお、
第２の金属膜の一部にＴｉを用いる場合、Ｔｉ用のエッ
チャントとしてフツ化水素酸を用いるとＴｄを侵してし
まうが、先に述べた特磯昭５３−８２６８５号に示され
るようなエッチャントを用いれば、このような不都合は
ない。
め、電極配線材料に使用されているＡｕや、抵抗体材料
として使用されるＴａ等の材料を捨てることなく使用で
きるため、省資源を図る上で極めて有効である。なお、
第２の金属膜の一部にＴｉを用いる場合、Ｔｉ用のエッ
チャントとしてフツ化水素酸を用いるとＴｄを侵してし
まうが、先に述べた特磯昭５３−８２６８５号に示され
るようなエッチャントを用いれば、このような不都合は
ない。
また、サーマルヘッドではヘッド表面に耐摩耗膜として
Ｔａ２０５等を彼着形成する必要から、修正用の第２の
金属膜としては、酸化生成自由エネルギーの大きいＴｉ
を含むＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉの多層薄膜が適している。
Ｔａ２０５等を彼着形成する必要から、修正用の第２の
金属膜としては、酸化生成自由エネルギーの大きいＴｉ
を含むＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉの多層薄膜が適している。
第１図〜第４図はこの発明の一実施例の工程図で、各図
ともａは平面図、ｂは断面図である。 １…・・・絶縁性基板、２・・・・・・第１の金属膜、
３・・・・・・欠落、４・・・・・・第２の金属膜。 第１図第２図 第３図 第４図
ともａは平面図、ｂは断面図である。 １…・・・絶縁性基板、２・・・・・・第１の金属膜、
３・・・・・・欠落、４・・・・・・第２の金属膜。 第１図第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １ 絶縁性基板上に被着された接着層を含む第１の金属
膜を選択的にエツチングして形成される導体パターンの
上に、接着層を含み第１の金属膜と異なる金属材料から
なる第２の金属膜を基板全面にわたり被着した後、この
第２の金属膜を第１の金属膜を侵さないエツチヤントに
よりエツチングして、第１の金属膜からなる導体パター
ンの欠落を補完するように該導体パターンとほぼ同一パ
ターンにパターニングすることを特徴とする薄膜導体パ
ターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6434480A JPS605239B2 (ja) | 1980-05-15 | 1980-05-15 | 薄膜導体パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6434480A JPS605239B2 (ja) | 1980-05-15 | 1980-05-15 | 薄膜導体パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56160097A JPS56160097A (en) | 1981-12-09 |
| JPS605239B2 true JPS605239B2 (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=13255523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6434480A Expired JPS605239B2 (ja) | 1980-05-15 | 1980-05-15 | 薄膜導体パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605239B2 (ja) |
-
1980
- 1980-05-15 JP JP6434480A patent/JPS605239B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56160097A (en) | 1981-12-09 |
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