JPH0487007A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0487007A JPH0487007A JP20316090A JP20316090A JPH0487007A JP H0487007 A JPH0487007 A JP H0487007A JP 20316090 A JP20316090 A JP 20316090A JP 20316090 A JP20316090 A JP 20316090A JP H0487007 A JPH0487007 A JP H0487007A
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- thin film
- magnetic
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- core
- magnetic head
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- Pending
Links
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＣＶＤ等の薄膜形成技術、フォトリソグラフィ
及びエツチング等を利用して製作される薄膜磁気ヘッド
に関する。
及びエツチング等を利用して製作される薄膜磁気ヘッド
に関する。
（従来の技術）
磁気記録再生装置に組み込まれる薄膜磁気ヘッドの一般
的な構造は第４図に示すように、上コア１００と下コア
１０１の先端部に非磁性層１０２によってギャップ１０
３を形成し、また上コア１００と下コア１０１の対向す
る空間部に絶縁層１０４にて囲まれる導体コイル１０５
のパターンを形成している。
的な構造は第４図に示すように、上コア１００と下コア
１０１の先端部に非磁性層１０２によってギャップ１０
３を形成し、また上コア１００と下コア１０１の対向す
る空間部に絶縁層１０４にて囲まれる導体コイル１０５
のパターンを形成している。
（発明が解決しようとする課題）
上述した薄膜磁気ヘッドは真空蒸着、スパッタリング或
いはＣＶＤ等の薄膜形成技術を利用して製作されるため
、上コア１００のギャップを形成する先端部１００ａと
後方の平坦部１００ｂと連続する傾斜部１００ｃが他の
部分に比べ薄く形成される傾向がある。このため、薄膜
磁気ヘッドの磁気回路のうち傾斜部１００ｃの部分が最
初にに磁気飽和し、更に仮に同じ厚みであっても傾斜部
１００ｃは磁束が流れづらく全ての磁束をギャップ付近
まで導くことができない。このため、磁性膜のＢｓを十
分に生かすことができず、ギャップより高い磁束密度の
磁束を出すことができず、記録効率が低下したり、高抗
磁力媒体ヘッド記録ができないという不利がある。
いはＣＶＤ等の薄膜形成技術を利用して製作されるため
、上コア１００のギャップを形成する先端部１００ａと
後方の平坦部１００ｂと連続する傾斜部１００ｃが他の
部分に比べ薄く形成される傾向がある。このため、薄膜
磁気ヘッドの磁気回路のうち傾斜部１００ｃの部分が最
初にに磁気飽和し、更に仮に同じ厚みであっても傾斜部
１００ｃは磁束が流れづらく全ての磁束をギャップ付近
まで導くことができない。このため、磁性膜のＢｓを十
分に生かすことができず、ギャップより高い磁束密度の
磁束を出すことができず、記録効率が低下したり、高抗
磁力媒体ヘッド記録ができないという不利がある。
また、傾斜部１００ｃは軟磁気特性も劣り、再生効率及
び感度の低下を招いている。
び感度の低下を招いている。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決すべく本発明は、薄膜形成技術によって
製作される磁気ヘッドの上コアの平坦部の前端を、磁気
ギャップの寿命０点よりも前方に位置せしめた。
製作される磁気ヘッドの上コアの平坦部の前端を、磁気
ギャップの寿命０点よりも前方に位置せしめた。
（作用）
上コアの平坦部の前端を、磁気ギャップの寿命０点より
も前方に位置させることで、上コアの傾斜部が厚くなり
、この部分の磁気飽和を防止できる。
も前方に位置させることで、上コアの傾斜部が厚くなり
、この部分の磁気飽和を防止できる。
（実施例）
以下に本発明の実施例を添付図面に基いて説明する。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図、第２図
は同薄膜磁気ヘッドの平面図である。
は同薄膜磁気ヘッドの平面図である。
薄膜磁気ヘッドは基板１上に絶縁層２，３，４゜５を蒸
着、スパッタリング或いはＣＶＤ等の薄膜形成技術を利
用して形成し、これら絶縁層２，３゜４．５の一部をフ
ォトリソグラフィ及びドライエツチングにて除去して凹
部を形成し、この凹部内にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主成分
とする磁性材料からなる下コア６、中間コア７ａ、７ｂ
、上コア８及びＣｕＳＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等からなる導体
コイル９を埋設し、更に導体コイル９とリード部１０と
をコンタクトホール内の導体１１で接続している。
着、スパッタリング或いはＣＶＤ等の薄膜形成技術を利
用して形成し、これら絶縁層２，３゜４．５の一部をフ
ォトリソグラフィ及びドライエツチングにて除去して凹
部を形成し、この凹部内にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主成分
とする磁性材料からなる下コア６、中間コア７ａ、７ｂ
、上コア８及びＣｕＳＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等からなる導体
コイル９を埋設し、更に導体コイル９とリード部１０と
をコンタクトホール内の導体１１で接続している。
また、前方の中間コア７ａと下コア６との間には磁気ギ
ャップ１２が形成され、本発明にあってはこの磁気ギャ
ップ１２の深さ方向の後端部、即ち寿命０点（寿命が零
になる点）よりも上コア８の平坦部８ａの前端Ｐを前方
に位置せしめ、平坦部８ａとギャップ１２との間の部分
つまり従来の上コアの傾斜部の厚みを他の部分よりも厚
くしてこの部分のＢｓを十分に生かすことができるよう
にしている。尚、図示例では上コア８の前端部を斜めに
切り欠いているが、上コア８を切り欠かす想像線で示す
点Ｐ′まで平坦部８ａの前端を伸してもよい。
ャップ１２が形成され、本発明にあってはこの磁気ギャ
ップ１２の深さ方向の後端部、即ち寿命０点（寿命が零
になる点）よりも上コア８の平坦部８ａの前端Ｐを前方
に位置せしめ、平坦部８ａとギャップ１２との間の部分
つまり従来の上コアの傾斜部の厚みを他の部分よりも厚
くしてこの部分のＢｓを十分に生かすことができるよう
にしている。尚、図示例では上コア８の前端部を斜めに
切り欠いているが、上コア８を切り欠かす想像線で示す
点Ｐ′まで平坦部８ａの前端を伸してもよい。
次に第３図に基づき本発明の薄膜磁気ヘットの製造方法
の一例を説明する。
の一例を説明する。
即ち、薄膜磁気ヘットは第３図（ａ）に示すように、基
板１上に薄膜形成技術によって８１０２、Ｔ ｉ Ｏ２
或いはＡｌ２Ｏ３等の絶縁層２を１〜１０μｍの厚さで
形成し、次いで絶縁層２をフォトリソグラフィ技術によ
って作成したマスクを介してエツチングし、コア形状の
溝１３を形成する。そして、同図（ｂ）に示すように溝
１３内に薄膜形成技術によってＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成
分とした軟磁性材料の層を形成し、この磁性層の上部の
余分な部分を研磨によって削除し、表面を平坦化して下
コア６とする。
板１上に薄膜形成技術によって８１０２、Ｔ ｉ Ｏ２
或いはＡｌ２Ｏ３等の絶縁層２を１〜１０μｍの厚さで
形成し、次いで絶縁層２をフォトリソグラフィ技術によ
って作成したマスクを介してエツチングし、コア形状の
溝１３を形成する。そして、同図（ｂ）に示すように溝
１３内に薄膜形成技術によってＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成
分とした軟磁性材料の層を形成し、この磁性層の上部の
余分な部分を研磨によって削除し、表面を平坦化して下
コア６とする。
次いで、同図（Ｃ）に示すように絶縁層２の上に別の絶
縁層３を形成し、同図（ｄ）に示すようにエツチングに
よって絶縁層３の表面に形成したコイル溝１４に、薄膜
形成技術によってＣｕ、Ａｌ、Ａｕ或いはＡｇ等の導体
を埋め込み、この導体の上の余分な部分を研磨によって
削除し、表面を平坦化して導体コイル９とする。尚、コ
イル溝１４の深さは下コア６に達しないものとし電気的
な絶縁を確保する。
縁層３を形成し、同図（ｄ）に示すようにエツチングに
よって絶縁層３の表面に形成したコイル溝１４に、薄膜
形成技術によってＣｕ、Ａｌ、Ａｕ或いはＡｇ等の導体
を埋め込み、この導体の上の余分な部分を研磨によって
削除し、表面を平坦化して導体コイル９とする。尚、コ
イル溝１４の深さは下コア６に達しないものとし電気的
な絶縁を確保する。
この後、同図（ｅ）に示すように薄膜形成技術によって
５１０２、ＴｉＯ□或いはＡｌ２Ｏ３等の絶縁層４を０
．１〜１μｍの厚さで形成し、同図（ｆ）に示すように
前後に中間コアの溝１５ａ、１５ｂをエツチングによっ
て形成する。ここで、前方の中間コアの溝１５ａについ
てはテーパ状にするとともにギヤツブ分残してエツチン
グを止め、後方の溝１５ｂについては下コア６が露出す
るまで行なう。
５１０２、ＴｉＯ□或いはＡｌ２Ｏ３等の絶縁層４を０
．１〜１μｍの厚さで形成し、同図（ｆ）に示すように
前後に中間コアの溝１５ａ、１５ｂをエツチングによっ
て形成する。ここで、前方の中間コアの溝１５ａについ
てはテーパ状にするとともにギヤツブ分残してエツチン
グを止め、後方の溝１５ｂについては下コア６が露出す
るまで行なう。
次いで、同図（ｇ）に示すように中間コアの溝１５ａ、
１５ｂ内に薄膜形成技術によってＦｅ。
１５ｂ内に薄膜形成技術によってＦｅ。
Ｃｏ、Ｎｉを主成分とした軟磁性材料の層を形成し、こ
の磁性層の上部の余分な部分を研磨によって削除し、表
面を平坦化して中間コア７ａ、７ｂとする。
の磁性層の上部の余分な部分を研磨によって削除し、表
面を平坦化して中間コア７ａ、７ｂとする。
そして同図（ｈ）に示すように、薄膜形成技術によって
８１０２、Ｔ ｉ Ｏ２或いはＡ１゜０３等の絶縁層５
を１〜１０μｍの厚さで形成し、前記と同様にコア溝１
６をエツチングし、この溝１６内に同図（ｉ）に示すよ
うにＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉを主成分とした軟磁性材料の
層を形成し、この磁性層の上部の余分な部分を研磨によ
って削除し、表面を平坦化して上コア８とする。
８１０２、Ｔ ｉ Ｏ２或いはＡ１゜０３等の絶縁層５
を１〜１０μｍの厚さで形成し、前記と同様にコア溝１
６をエツチングし、この溝１６内に同図（ｉ）に示すよ
うにＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉを主成分とした軟磁性材料の
層を形成し、この磁性層の上部の余分な部分を研磨によ
って削除し、表面を平坦化して上コア８とする。
この後、同図（ｊ）に示すように絶縁層５にコンタクト
ホールを形成し、このコンタクトホール内を導体１１で
埋め、この導体１１を介して前記したように導体コイル
９に接続する０、１〜１０μｍ厚のＣｕ層を形成し、こ
のＣｕ層を所定形状にエツチングしてリード部１０とす
る。
ホールを形成し、このコンタクトホール内を導体１１で
埋め、この導体１１を介して前記したように導体コイル
９に接続する０、１〜１０μｍ厚のＣｕ層を形成し、こ
のＣｕ層を所定形状にエツチングしてリード部１０とす
る。
この後、磁気ギャップ１２が端部となるように切断して
第１図に示した薄膜磁気ヘットを得る。
第１図に示した薄膜磁気ヘットを得る。
（効果）
以上に説明したように本発明によれば、薄膜形成技術に
よって製作される磁気ヘッドの上コアの平坦部の前端を
、磁気ギャップの寿命０点よりも前方に位置せしめたの
で、上コアの傾斜部が厚くなり、傾斜部の磁気飽和を防
止できる。したがって、磁性膜のＢｓを十分に生かすこ
とができ、記録効率、再生効率及び感度の向上を図れる
。
よって製作される磁気ヘッドの上コアの平坦部の前端を
、磁気ギャップの寿命０点よりも前方に位置せしめたの
で、上コアの傾斜部が厚くなり、傾斜部の磁気飽和を防
止できる。したがって、磁性膜のＢｓを十分に生かすこ
とができ、記録効率、再生効率及び感度の向上を図れる
。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図、第２図
は同薄膜磁気ヘッドの平面図、第３図（ａ）乃至（ｊ）
は薄膜磁気ヘッドの製法の一例を示した図、第４図は従
来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。 １・・・基板、２，３，４．５・・・絶縁層、６・・・
下コア、７ａ、７ｂ・・・中間コア、８・・・上コア、
９・・・導体コイル、１２・・・ギャップ、Ｐ・・・上
コアの平坦部の前端。
は同薄膜磁気ヘッドの平面図、第３図（ａ）乃至（ｊ）
は薄膜磁気ヘッドの製法の一例を示した図、第４図は従
来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。 １・・・基板、２，３，４．５・・・絶縁層、６・・・
下コア、７ａ、７ｂ・・・中間コア、８・・・上コア、
９・・・導体コイル、１２・・・ギャップ、Ｐ・・・上
コアの平坦部の前端。
Claims (1)
- 磁性材料からなるコア間に絶縁体を介して導体コイル
を配置し、更にコア先端間に磁気ギャップを形成してな
る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記コアのうち上コアの平
坦部の前端を磁気ギャップの寿命寸法０点よりも前方に
位置させたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20316090A JPH0487007A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20316090A JPH0487007A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487007A true JPH0487007A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16469434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20316090A Pending JPH0487007A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0487007A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160010A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS62107417A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1990
- 1990-07-30 JP JP20316090A patent/JPH0487007A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160010A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS62107417A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
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