JPH05121406A - 半導体の平坦化方法 - Google Patents
半導体の平坦化方法Info
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- JPH05121406A JPH05121406A JP23202591A JP23202591A JPH05121406A JP H05121406 A JPH05121406 A JP H05121406A JP 23202591 A JP23202591 A JP 23202591A JP 23202591 A JP23202591 A JP 23202591A JP H05121406 A JPH05121406 A JP H05121406A
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- Japan
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- organic coating
- coating glass
- semiconductor
- silicon substrate
- electrodes
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な平坦性を維持し、高温ベークの際に、
クラックが発生するのを防止する。 【構成】 シリコン基板１の表面に有機系塗布ガラス４
を厚塗りしたのち、ベーク処理で焼成し、シリコン基板
１のゲート電極２間の部分以外の有機系塗布ガラスをエ
ッチングで除去し、有機系塗布ガラス４をベーク処理の
焼成温度よりも高い温度で焼成する。
クラックが発生するのを防止する。 【構成】 シリコン基板１の表面に有機系塗布ガラス４
を厚塗りしたのち、ベーク処理で焼成し、シリコン基板
１のゲート電極２間の部分以外の有機系塗布ガラスをエ
ッチングで除去し、有機系塗布ガラス４をベーク処理の
焼成温度よりも高い温度で焼成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、電極形成後
のシリコン基板表面を平坦にさせる半導体の平坦化方法
に関する。
のシリコン基板表面を平坦にさせる半導体の平坦化方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体の電極形成面に無機系
塗布ガラスを塗布することによって、電極の凸部を覆い
電極形成面を平坦にさせる平坦化方法が広く用いられて
いる。これによって、電極間を導通させる配線層の信頼
性が向上するものであった。つまり、電極形成面が平坦
でないと、凹凸部の段差部で配線層の断線が発生が多く
なるからである。
塗布ガラスを塗布することによって、電極の凸部を覆い
電極形成面を平坦にさせる平坦化方法が広く用いられて
いる。これによって、電極間を導通させる配線層の信頼
性が向上するものであった。つまり、電極形成面が平坦
でないと、凹凸部の段差部で配線層の断線が発生が多く
なるからである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、無機系塗布
ガラスでは、電極の凸部を充分に覆う程度の厚膜形成が
できない。したがって、無機系塗布ガラスの塗布では、
電極形成面の平坦性が良好でないという問題があった。
また、有機系塗布ガラスでは厚膜形成が可能であるが、
必要以上に厚膜形成すると、次工程の高温ベーク処理の
際に、クラック（ひび割れ）が発生するという問題が生
じた。この発明は、上記問題に鑑み案出されたもので、
その目的とするところは、良好な平坦性を維持し、高温
ベークの際にクラックが発生するのを防止した半導体の
平坦化方法を提供することにある。
ガラスでは、電極の凸部を充分に覆う程度の厚膜形成が
できない。したがって、無機系塗布ガラスの塗布では、
電極形成面の平坦性が良好でないという問題があった。
また、有機系塗布ガラスでは厚膜形成が可能であるが、
必要以上に厚膜形成すると、次工程の高温ベーク処理の
際に、クラック（ひび割れ）が発生するという問題が生
じた。この発明は、上記問題に鑑み案出されたもので、
その目的とするところは、良好な平坦性を維持し、高温
ベークの際にクラックが発生するのを防止した半導体の
平坦化方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、半導体集積回路の製造工程でシリコン基
板の電極形成面を平坦化させる半導体の平坦化方法にお
いて、前記シリコン基板の電極形成面に積層された絶縁
膜に有機系塗布ガラスを厚塗りし、前記有機系塗布ガラ
スをベーク処理で焼成し、前記電極間の部分以外の前記
有機系塗布ガラスをエッチングで除去し、前記電極間に
塗布された有機系塗布ガラスを前記ベーク処理の焼成温
度よりも高い温度で焼成することを特徴とする。
決するために、半導体集積回路の製造工程でシリコン基
板の電極形成面を平坦化させる半導体の平坦化方法にお
いて、前記シリコン基板の電極形成面に積層された絶縁
膜に有機系塗布ガラスを厚塗りし、前記有機系塗布ガラ
スをベーク処理で焼成し、前記電極間の部分以外の前記
有機系塗布ガラスをエッチングで除去し、前記電極間に
塗布された有機系塗布ガラスを前記ベーク処理の焼成温
度よりも高い温度で焼成することを特徴とする。
【０００５】
【作用】上述した構成によれば、半導体集積回路の表面
に厚塗りされた塗布ガラスは、ベーク処理後、表面の平
坦性を維持するのに必要な部分以外、エッチングされて
除去される。
に厚塗りされた塗布ガラスは、ベーク処理後、表面の平
坦性を維持するのに必要な部分以外、エッチングされて
除去される。
【０００６】
【実施例】以下、本発明による一実施例を図面を用いて
説明する。図１は、本発明による半導体の平坦化方法を
適用した半導体の要部を示す断面図である。この図にお
いて、１はシリコン基板である。２はゲート電極であ
り、ポリシリコンや高融点金属を用いてシリコン基板上
に形成される。３は絶縁膜であり、プラズマＣＶＤ法等
のＣＶＤ法によってシリコン基板１およびゲート電極２
の表面上に積層される。この図に示すように、絶縁膜３
は、シリコン基板１およびゲート電極２の表面に沿って
均一に積層されるので、凹凸部を有する。４は有機系塗
布ガラスであり、絶縁膜３の凹部に充填され、この凹部
を平坦化するように形成される。５は第１層アルミ配線
であり、有機系塗布ガラス４によって平坦化された表面
上に形成されて、図示しない電極間を導通させるもので
ある。さらに、第１層アルミ配線５の上面には、複数の
層のアルミ配線が互いに絶縁膜を介して形成される（図
示省略）。
説明する。図１は、本発明による半導体の平坦化方法を
適用した半導体の要部を示す断面図である。この図にお
いて、１はシリコン基板である。２はゲート電極であ
り、ポリシリコンや高融点金属を用いてシリコン基板上
に形成される。３は絶縁膜であり、プラズマＣＶＤ法等
のＣＶＤ法によってシリコン基板１およびゲート電極２
の表面上に積層される。この図に示すように、絶縁膜３
は、シリコン基板１およびゲート電極２の表面に沿って
均一に積層されるので、凹凸部を有する。４は有機系塗
布ガラスであり、絶縁膜３の凹部に充填され、この凹部
を平坦化するように形成される。５は第１層アルミ配線
であり、有機系塗布ガラス４によって平坦化された表面
上に形成されて、図示しない電極間を導通させるもので
ある。さらに、第１層アルミ配線５の上面には、複数の
層のアルミ配線が互いに絶縁膜を介して形成される（図
示省略）。
【０００７】次に、上述した一実施例の半導体の平坦化
方法について説明する。図２〜図５は、半導体の平坦化
方法を説明するための断面図である。まず、図２に示す
ように、シリコン基板１上には複数のゲート電極２が形
成され、さらに、図３に示すように、シリコン基板１お
よびゲート電極２の表面に絶縁膜３が形成される。
方法について説明する。図２〜図５は、半導体の平坦化
方法を説明するための断面図である。まず、図２に示す
ように、シリコン基板１上には複数のゲート電極２が形
成され、さらに、図３に示すように、シリコン基板１お
よびゲート電極２の表面に絶縁膜３が形成される。
【０００８】次に、図４に示すように、有機系塗布４ガ
ラスを、絶縁膜３上に厚塗りして表面を完全に覆う。厚
塗りをした後に、摂氏約４００〜４５０度でアニール
（焼鈍）処理を行い、有機系塗布ガラス４を硬化させ
る。ここで、摂氏７００度以上の温度で有機系塗布ガラ
ス４を一気にベーク（焼成）しないのは、クラック（ひ
び割れ）発生を防止するためである。
ラスを、絶縁膜３上に厚塗りして表面を完全に覆う。厚
塗りをした後に、摂氏約４００〜４５０度でアニール
（焼鈍）処理を行い、有機系塗布ガラス４を硬化させ
る。ここで、摂氏７００度以上の温度で有機系塗布ガラ
ス４を一気にベーク（焼成）しないのは、クラック（ひ
び割れ）発生を防止するためである。
【０００９】そして、図５に示すように、充分な平坦性
が維持された状態で、かつ絶縁膜３の表面が露出する程
度まで、有機系塗布ガラス４の表面をエッチングする。
これによって、有機系塗布ガラス４は、絶縁膜３の凹部
に充填された部分を残して除去される。有機系塗布ガラ
ス４を除去した後に、摂氏７００度以上でベーク処理を
行い、有機系塗布ガラス４を完全に硬化させる。以上説
明した方法によって、シリコン基板１上の表面は、ゲー
ト電極２の凹凸部にもかかわらず、平坦化される。次い
でベーク後に、周知の方法でコンタクトホールを形成
し、さらに、第１層アルミ配線を形成することによっ
て、図１に示すような半導体が製造される。
が維持された状態で、かつ絶縁膜３の表面が露出する程
度まで、有機系塗布ガラス４の表面をエッチングする。
これによって、有機系塗布ガラス４は、絶縁膜３の凹部
に充填された部分を残して除去される。有機系塗布ガラ
ス４を除去した後に、摂氏７００度以上でベーク処理を
行い、有機系塗布ガラス４を完全に硬化させる。以上説
明した方法によって、シリコン基板１上の表面は、ゲー
ト電極２の凹凸部にもかかわらず、平坦化される。次い
でベーク後に、周知の方法でコンタクトホールを形成
し、さらに、第１層アルミ配線を形成することによっ
て、図１に示すような半導体が製造される。
【００１０】なお、前述の実施例ではベーク処理の後
に、第１層アルミ配線５を形成したが、有機系塗布ガラ
ス４によって平坦化された表面に、新たに絶縁膜６を形
成しても良い。図６は、このときの半導体要部を示す断
面図である。これによって、第１層アルミ配線５とゲー
ト電極２との絶縁特性が、図１における実施例に比べて
改善することができる。さらに、コンタクトホールのテ
ーパー形成が容易になり、配線のステップカバレッジが
良好になり、電気的接続が確実になる。
に、第１層アルミ配線５を形成したが、有機系塗布ガラ
ス４によって平坦化された表面に、新たに絶縁膜６を形
成しても良い。図６は、このときの半導体要部を示す断
面図である。これによって、第１層アルミ配線５とゲー
ト電極２との絶縁特性が、図１における実施例に比べて
改善することができる。さらに、コンタクトホールのテ
ーパー形成が容易になり、配線のステップカバレッジが
良好になり、電気的接続が確実になる。
【００１１】
【発明の効果】上述した構成によれば、本発明は、良好
な平坦性を維持し、高温ベークの際に、クラックが発生
するのを防止した塗布ガラス膜の形成が実現できる。ま
た、塗布ガラス膜を必要分以外は除去されるので、塗布
ガラス膜と絶縁膜との熱膨張係数の違いに基づく応力発
生により塗布ガラス膜の剥離やクラックを誘発すること
を防ぐことができ、第１層アルミ配線の断線や絶縁層の
劣化が無くなり、半導体の信頼性が向上するという効果
もある。
な平坦性を維持し、高温ベークの際に、クラックが発生
するのを防止した塗布ガラス膜の形成が実現できる。ま
た、塗布ガラス膜を必要分以外は除去されるので、塗布
ガラス膜と絶縁膜との熱膨張係数の違いに基づく応力発
生により塗布ガラス膜の剥離やクラックを誘発すること
を防ぐことができ、第１層アルミ配線の断線や絶縁層の
劣化が無くなり、半導体の信頼性が向上するという効果
もある。
【図１】 本発明による塗布ガラス膜形成方法を適用し
た半導体の要部を示す断面図である。
た半導体の要部を示す断面図である。
【図２】 塗布ガラス膜形成方法を説明するための断面
図である。
図である。
【図３】 塗布ガラス膜形成方法を説明するための断面
図である。
図である。
【図４】 塗布ガラス膜形成方法を説明するための断面
図である。
図である。
【図５】 塗布ガラス膜形成方法を説明するための断面
図である。
図である。
【図６】 一実施例において絶縁特性を改善させた半導
体の要部を示す断面図である。
体の要部を示す断面図である。
１……シリコン基板、２……ゲート電極、３，６……絶
縁膜、４……有機系塗布ガラス、５……第１層アルミ配
線
縁膜、４……有機系塗布ガラス、５……第１層アルミ配
線
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体集積回路の製造工程でシリコン基
板の電極形成面を平坦化させる半導体の平坦化方法にお
いて、 前記シリコン基板の電極形成面に積層された絶縁膜に有
機系塗布ガラスを厚塗りし、前記有機系塗布ガラスをベ
ーク処理で焼成し、前記電極間の部分以外の前記有機系
塗布ガラスをエッチングで除去し、前記電極間に塗布さ
れた有機系塗布ガラスを前記ベーク処理の焼成温度より
も高い温度で焼成することを特徴とする半導体の平坦化
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23202591A JPH05121406A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 半導体の平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23202591A JPH05121406A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 半導体の平坦化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121406A true JPH05121406A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=16932787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23202591A Pending JPH05121406A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 半導体の平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121406A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01185947A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-25 | Sharp Corp | 半導体装置製造方法 |
| JPH03201438A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP23202591A patent/JPH05121406A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01185947A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-25 | Sharp Corp | 半導体装置製造方法 |
| JPH03201438A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980210 |