JPH0514548Y2

JPH0514548Y2 -

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Publication number: JPH0514548Y2
Application number: JP1987200460U
Authority: JP
Priority date: 1987-12-30
Filing date: 1987-12-30
Publication date: 1993-04-19
Anticipated expiration: 2002-12-30
Also published as: JPH01104765U

Description

【考案の詳細な説明】［産業上の利用分野］本考案は、混成集積回路基板に関し、特に、絶
縁基板上に膜状抵抗体を形成して成る混成集積回
路基板に関する。

［従来の技術］従来、絶縁基板上に回路パターン及び膜状抵抗
体を形成して成る混成集積回路基板においては、
前記絶縁回路基板上にスクリーン印刷等により回
路パターンや膜状抵抗体を形成し、レーザトリミ
ング法等の手段により、この膜状抵抗体の抵抗値
を調整した後、コンデンサやトランジスタ等の部
品やリード線を半田付けし、最後に、外的影響か
ら回路を保護するため、その表面に樹脂等を塗布
して、覆つている。

また、この様に樹脂等を塗布するほか、膜状抵
抗体を覆うように絶縁基板上に保護キヤツプを取
り付け、膜状抵抗体を保護する手段も既に知られ
ている。

［考案が解決しようとする問題点］しかしながら、前者の従来技術においては、膜
状抵抗体の抵抗値を調整した後、その表面に樹脂
等を塗布するため、この樹脂が硬化するときに起
こる収縮により、前記膜状抵抗体に応力が発生し
て、平面上の歪が生じ、このためその抵抗値が変
化してしまう。また、その後の温度変化に伴い、
樹脂と膜状抵抗体との熱膨張係数の違いから、膜
状抵抗体に熱応力が生じ、やはり平面上の歪が生
じ、このためその抵抗値が変化してしまう。

そのため、折角調整した前記膜状抵抗体の抵抗
値がその後に変動し、十分高い精度を得ることが
できない。このため、前記従来技術では、抵抗値
を±0.5％以下の精度に調整することが困難であ
つた。

また、保護キヤツプを用いる後者の従来技術の
場合、保護キヤツプを絶縁基板上に取り付ける工
程が別途必要となる。そのため、回路基板の製造
工程が増加し、工数増大による回路基板の製造原
価の増大を招く。また、膜状抵抗体の周りに保護
キヤツプを設置するスペースをとらなければなら
ないため、膜状抵抗体の周囲に回路パターンを形
成することができないエリアが生じる。このた
め、絶縁回路基板上に高密度で回路を形成するこ
とができず、回路パターンの高密度化の障害とな
る。

そこで、本考案は、前記の従来技術における問
題点に鑑み、回路基板の製造工程の増大を招か
ず、回路の高密度化の障害とならずに、なおかつ
膜状抵抗体を保護することができる構造の混成集
積回路基板を提供することを目的とする。

［問題を解決するための手段］すなわち、前記の本考案の目的は、第一の絶縁
基板上に形成された前記膜状抵抗体の周囲に導体
パターンを形成し、該導体パターンに対応して下
面に半田付け用の導体パターンを形成した第二の
絶縁基板を、前記膜状抵抗体から離すと共に、同
膜状抵抗体を跨いで前記第一の絶縁基板上に搭載
すると共に、第二の絶縁基板の導体パターンを第
一の絶縁基板上の導体パターンに半田付けしてな
ることを特徴とする混成集積回路基板によつて達
成される。

［作用］前記の混成集積回路基板によれば、保護を必要
とする前記膜状抵抗体は、第二の絶縁基板によつ
て外的影響から保護される一方、この第二の絶縁
基板は膜状抵抗体から離れているため、熱応力等
による歪を受けることがない。よつて、その抵抗
値の変化が起こらず、一旦調整した抵抗値を、そ
の後も安定して保持することが出来る。

そして、第二の絶縁基板は、第一の絶縁基板上
に搭載され、同第一の絶縁基板の上に形成された
導体パターン上に半田付けされるため、他の電子
部品を搭載し、半田付けする工程において、それ
と同時に第一の絶縁基板上に搭載し、半田付けす
ることができる。従つて、第二の絶縁基板を第一
の絶縁基板上に搭載する工程を特別に必要としな
い。

さらに、第二の絶縁基板は、第一の絶縁基板上
で或る範囲のエリアを占有するが、この第二の絶
縁基板は、第一の絶縁基板と同様の絶縁基板であ
るから、それを利用して回路を形成することがで
きる。従つて、膜状抵抗体の上に二重に回路を形
成することができ、回路の密度を高めることがで
きる。

［実施例］以下、本考案の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。

第１図、第２図に示すように、アルミナ（AI₂
O₃）等から成る第一の絶縁基板１の表面に、導
体パターン１１，１２や膜状抵抗体３が、例えば
スクリーン印刷法等によつて所定の形状に形成さ
れ、いわゆる混成集積回路基板が構成されてい
る。そして、この様な混成集積回路基板の第一の
絶縁基板１の表面上の一部、例えば前記膜状抵抗
体が形成された表面上（第１図中、下側に示す第
一の絶縁基板１の隅部）には、やはり前記第一の
絶縁基板１と同様にアルミナ等から成る他のセラ
ミツク板、すなわち保護用の第二の絶縁基板２が
前記膜状抵抗体３を覆うように設けられている。

前記の様な混成集積回路基板の第一の絶縁基板
１の表面上の一部（第１図中、下側に示す第一の
絶縁基板１の隅部）について、第２図〜第４図に
より、さらに詳しく説明する。まず、第２図にお
いて、前記第一の絶縁基板１の右下隅部には、導
体パターン１１，１２が、Ag−Pdペースト等の
導電ペーストを印刷し、乾燥し、焼成することに
より形成されている。これら導体パターン１１，
１２の間には、RuO₂系等の抵抗ペーストを印刷
し、乾燥し、焼成することにより、膜状抵抗体３
が形成されている。

さらに、図中には、第二の絶縁基板２を取り付
けるための、いわゆる半田付け用のパターン１
３，１４が、前記導体パターン１１，１２と同様
に導電ペーストを印刷し、乾燥し、焼成すること
により形成されている。この、半田付け用パター
ン１３，１４は前記導体パターン１１，１２と同
時に形成することが可能であり、この場合に、前
記導体パターンを延長して、これらと一体に形成
することもできる。

そして、この様にして形成された混成集積回路
基板は、レーザトリミング法等の手段により、前
記膜状抵抗体３の抵抗値が、例えば3KΩ±0.05％
程度の精度で調整される。

一方、前記の膜状抵抗体３等、いわゆる外的影
響から保護されるべき部分に対応し、これを表面
から十分に覆うように、第３図に示すような他の
セラミツク板等から成る保護用の第二の絶縁基板
２を用意する。図にも示すように、この第二の絶
縁基板２の下側表面の四隅には、やはり前記導体
パターン１１，１２と同様にAg−Pdペーストを
印刷し、乾燥し、焼成することにより、半田付け
用のパターン２１が形成されている。

第４図には、前記第２図に示す混成集積回路基
板の表面上に前記第３図の保護用の第二の絶縁基
板２を取り付けた状態が示されている。この図か
ら明らかなように、前記第一の絶縁基板１の表面
に形成された導体パターン１１，１２と、半田付
け用のパターン１３，１４の上に半田層４が形成
され、前記保護用の第二の絶縁基板２の下面の半
田付け用パターン２１に半田接合されている。こ
の半田層４の形成には、例えばリフロー法等が利
用できる。

さらに、この上から樹脂等の保護手段を施すこ
とができ、この場合、前記樹脂は保護用の第二の
絶縁基板２によつて、膜状抵抗体３の表面には被
着しない。

なお、前記第二の絶縁基板２の表面や裏面を利
用して回路を形成することにより、より高密度の
回路が構成できる。すなわち、該第二の絶縁基板
２の表面や裏面に回路パターンを形成し、これを
前記半田付け用のパターン２１と半田付け用のパ
ターン１３，１４とを介して、第一の絶縁基板１
側の導体パターン１１，１２と接続する。

この様にして製造された混成集積回路の、完成
後の前記膜状抵抗体３の抵抗値を実際に測定した
結果、その測定値は3KΩ±0.07％と従来のものに
比較してそのドリフトが低減されている。さら
に、−40℃で30分間と125℃で30分間のヒートサイ
クル試験を100サイクル行つたが、本考案に成る
混成集積回路の前記膜状抵抗体３の抵抗値は
3KΩ±0.08％とほとんど変化が見られなかつた。
これに対し、既述の従来例のように、エポキシ系
の樹脂で表面の回路パターンを含めて第一の絶縁
基板１の表面を覆つたものでは、トリミング後の
膜状抵抗体の抵抗値は3KΩ±0.05％であつたにも
かかわらず、その塗装後では3KΩ±0.40％と、そ
の精度が低下している。また、前記のヒートサイ
クル試験を100サイクル行つた後では、抵抗値が
3KΩ±0.60％と、さらに大きく精度が低下してし
まつた。

［考案の効果］以上の説明からも明らかなように、本考案によ
れば、膜状抵抗体を調整した後の抵抗値の精度の
低下を防止することができる。しかも、第二の絶
縁基板は、他の電子部品と共に第一の絶縁基板上
に搭載し、半田付けすることができるため、第二
の絶縁基板を取り付ける工程を別途加える必要が
無い。このため、混成集積回路基板の大幅な製造
原価の増大を招かない。さらに、第二の絶縁基板
を利用して膜状抵抗体の上に二重に回路を形成す
ることができるため、回路の高密度化を図ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の混成集積回路基板を示す一部
斜視図、第２図は前記混成集積回路基板の基板の
構成を示す一部平面図、第３図は前記混成集積回
路基板の保護用基板を示す底面図、第４図は第１
図のＡ−Ａ断面を示す一部断面図である。１……第一の絶縁基板、１１，１２……導体パ
ターン、１３，１４……半田付け用パターン、２
……第二の絶縁基板、２１……第二の絶縁基板の
半田付け用パターン、３……膜状抵抗体、４……
半田層。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】 (1) 絶縁基板上に回路パターンと膜状抵抗体を形
成して成る混成集積回路基板において、第一の
絶縁基板上に形成された前記膜状抵抗体の周囲
に導体パターンを形成し、該導体パターンに対
応して下面に半田付け用の導体パターンを形成
した第二の絶縁基板を、前記膜状抵抗体から離
すと共に、同膜状抵抗体を跨いで前記第一の絶
縁基板上に搭載すると共に、第二の絶縁基板の
導体パターンを第一の絶縁基板上の導体パター
ンに半田付けしてなることを特徴とする混成集
積回路基板。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項において、前
記絶縁基板の表面にも回路が形成されているこ
とを特徴とする混成集積回路基板。