JPH05165198A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH05165198A JPH05165198A JP33512091A JP33512091A JPH05165198A JP H05165198 A JPH05165198 A JP H05165198A JP 33512091 A JP33512091 A JP 33512091A JP 33512091 A JP33512091 A JP 33512091A JP H05165198 A JPH05165198 A JP H05165198A
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- Japan
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- support frame
- mask
- etching
- manufacturing
- wafer
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- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、Ｘ線マスクの製造工程を簡略化す
ることを目的とするものである。 【構成】 メンブレン材薄膜２ａのエッチング工程及び
シリコンウエハ１のバックエッチング工程の前に、シリ
コンウエハ１を支持枠４に接合して、支持枠４をエッチ
ングマスクとして利用するようにした。
ることを目的とするものである。 【構成】 メンブレン材薄膜２ａのエッチング工程及び
シリコンウエハ１のバックエッチング工程の前に、シリ
コンウエハ１を支持枠４に接合して、支持枠４をエッチ
ングマスクとして利用するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】請求項１及び請求項２の発明は、
例えばＸ線リソグラフィなどに使用されるＸ線マスクの
製造方法に関するものである。
例えばＸ線リソグラフィなどに使用されるＸ線マスクの
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のＸ線マスクの一例の断面図
である。Ｘ線マスクは、軽元素からなる厚さ数μｍのメ
ンブレン（薄膜基板）２の上に、重元素からなるＸ線吸
収体の回路パタン３が形成された構成となっている。通
常、Ｘ線マスクはシリコンウエハ１上で作られ、このシ
リコンウエハ１はガラスやセラミックからなる支持枠４
に接合されている。
である。Ｘ線マスクは、軽元素からなる厚さ数μｍのメ
ンブレン（薄膜基板）２の上に、重元素からなるＸ線吸
収体の回路パタン３が形成された構成となっている。通
常、Ｘ線マスクはシリコンウエハ１上で作られ、このシ
リコンウエハ１はガラスやセラミックからなる支持枠４
に接合されている。
【０００３】このような従来のＸ線マスクの製造方法と
しては、使用する材料、プロセスの順、回路パタン３の
形成方法などが異なる種々の方法が提案されている。
しては、使用する材料、プロセスの順、回路パタン３の
形成方法などが異なる種々の方法が提案されている。
【０００４】図８は例えば文献『ＪＪＡＰシリーズ３，
プロシーディングス・オブ・１９８９・インターナショ
ナル・シンポジウム・オン・マイクロ・プロセス・コン
フェレンス（Proceedings of 1989 Int. Symp. on Micr
oProcessConference）』第９９頁〜第１０３頁に示され
た従来のＸ線マスクの製造方法の一例を（ａ）〜（ｆ）
の工程順に示す断面図である。
プロシーディングス・オブ・１９８９・インターナショ
ナル・シンポジウム・オン・マイクロ・プロセス・コン
フェレンス（Proceedings of 1989 Int. Symp. on Micr
oProcessConference）』第９９頁〜第１０３頁に示され
た従来のＸ線マスクの製造方法の一例を（ａ）〜（ｆ）
の工程順に示す断面図である。
【０００５】まず、（ａ）に示すように、シリコンウエ
ハ１の両面に成膜されたメンブレン材薄膜のうち、裏面
の一部をドライエッチングにより取り除き、メンブレン
２を形成する。次に、（ｂ）に示すように、シリコンウ
エハ１を支持枠４に接着する。そして、（ｃ）に示すよ
うに、シリコンウエハ１の裏面からウエットエッチン
グ、即ちバックエッチングを施す。この後、スパッタリ
ング法などにより、（ｄ）に示すように、メンブレン２
上にＸ線吸収体膜３ａを成膜し、その上に（ｅ）に示す
ようなレジストパタン５を形成する。最後に、（ｆ）に
示すように、レジストパタン５をマスクとしてＸ線吸収
体膜３ａのエッチングを行い、（ｆ）に示すように回路
パタン３を形成する。
ハ１の両面に成膜されたメンブレン材薄膜のうち、裏面
の一部をドライエッチングにより取り除き、メンブレン
２を形成する。次に、（ｂ）に示すように、シリコンウ
エハ１を支持枠４に接着する。そして、（ｃ）に示すよ
うに、シリコンウエハ１の裏面からウエットエッチン
グ、即ちバックエッチングを施す。この後、スパッタリ
ング法などにより、（ｄ）に示すように、メンブレン２
上にＸ線吸収体膜３ａを成膜し、その上に（ｅ）に示す
ようなレジストパタン５を形成する。最後に、（ｆ）に
示すように、レジストパタン５をマスクとしてＸ線吸収
体膜３ａのエッチングを行い、（ｆ）に示すように回路
パタン３を形成する。
【０００６】図９は例えば文献『月刊Ｓemiconductor
Ｗorld １９９１．５』第１０７頁〜第１１１頁に示さ
れた従来のＸ線マスクの製造方法の他の例を（ａ）〜
（ｅ）の工程順に示す断面図である。図において、６は
Ｘ線吸収体膜３ａのエッチングのマスクとなる二酸化シ
リコン膜である。この例では、パタン形成、バックエッ
チング、接合と、工程の順が図８の方法と逆になってい
る。
Ｗorld １９９１．５』第１０７頁〜第１１１頁に示さ
れた従来のＸ線マスクの製造方法の他の例を（ａ）〜
（ｅ）の工程順に示す断面図である。図において、６は
Ｘ線吸収体膜３ａのエッチングのマスクとなる二酸化シ
リコン膜である。この例では、パタン形成、バックエッ
チング、接合と、工程の順が図８の方法と逆になってい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のＸ
線マスクの製造方法においては、例示したいずれの方法
であっても、シリコンウエハ１のバックエッチングの前
に、シリコンウエハ１に成膜されたメンブレン材薄膜の
エッチングを別に行っているが、それぞれのエッチング
工程において、マスキングをホトリソグラフィ工程によ
ったり、簡易的にはガラスなどのマスクでシリコンウエ
ハ１を覆ったりしているため、手間がかかるという問題
点があった。
線マスクの製造方法においては、例示したいずれの方法
であっても、シリコンウエハ１のバックエッチングの前
に、シリコンウエハ１に成膜されたメンブレン材薄膜の
エッチングを別に行っているが、それぞれのエッチング
工程において、マスキングをホトリソグラフィ工程によ
ったり、簡易的にはガラスなどのマスクでシリコンウエ
ハ１を覆ったりしているため、手間がかかるという問題
点があった。
【０００８】請求項１及び請求項２の発明は、上記のよ
うな問題点を解決することを課題としてなされたもので
あり、より簡単にＸ線マスクを製造することができるＸ
線マスクの製造方法を得ることを目的とする。
うな問題点を解決することを課題としてなされたもので
あり、より簡単にＸ線マスクを製造することができるＸ
線マスクの製造方法を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るＸ
線マスクの製造方法は、メンブレン材薄膜が両面に成膜
されたウエハを支持枠に接合した後、支持枠をマスクと
してメンブレン材薄膜のエッチングを行うものである。
線マスクの製造方法は、メンブレン材薄膜が両面に成膜
されたウエハを支持枠に接合した後、支持枠をマスクと
してメンブレン材薄膜のエッチングを行うものである。
【００１０】請求項２の発明に係るＸ線マスクの製造方
法は、ウエハにメンブレンを形成するとともに、ウエハ
を支持枠に接合した後、支持枠をマスクとしてウエハの
バックエッチングを行うものである。
法は、ウエハにメンブレンを形成するとともに、ウエハ
を支持枠に接合した後、支持枠をマスクとしてウエハの
バックエッチングを行うものである。
【００１１】
【作用】請求項１の発明においては、メンブレン材薄膜
のエッチングを行う前にウエハを支持枠に接合すること
により、支持枠をマスクとして利用し、メンブレン材薄
膜のエッチングを簡単にする。
のエッチングを行う前にウエハを支持枠に接合すること
により、支持枠をマスクとして利用し、メンブレン材薄
膜のエッチングを簡単にする。
【００１２】請求項２の発明においては、ウエハのバッ
クエッチングを行う前にウエハを支持枠に接合すること
により、支持枠をマスクとして利用し、バックエッチン
グを簡単にする。
クエッチングを行う前にウエハを支持枠に接合すること
により、支持枠をマスクとして利用し、バックエッチン
グを簡単にする。
【００１３】
【実施例】次に、請求項１及び請求項２の発明の実施例
を図について説明する。 実施例１．図１は請求項１及び請求項２の発明の一実施
例によるＸ線マスクの製造方法を（ａ）〜（ｅ）の工程
順に示す断面図であり、図７ないし図９と同一又は相当
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
を図について説明する。 実施例１．図１は請求項１及び請求項２の発明の一実施
例によるＸ線マスクの製造方法を（ａ）〜（ｅ）の工程
順に示す断面図であり、図７ないし図９と同一又は相当
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００１４】この実施例のＸ線マスクの製造方法を図１
により説明すると、まず、（ａ）に示すように、シリコ
ンウエハ１の両面に化学気相蒸着法などによりメンブレ
ン材薄膜２ａを形成する。次に、（ｂ）に示すように、
シリコンウエハ１を支持枠４に接合する。そして、
（ｃ）に示すように、支持枠４をマスクとして裏面のメ
ンブレン材薄膜２ａをドライエッチングして、メンブレ
ン２を形成する。
により説明すると、まず、（ａ）に示すように、シリコ
ンウエハ１の両面に化学気相蒸着法などによりメンブレ
ン材薄膜２ａを形成する。次に、（ｂ）に示すように、
シリコンウエハ１を支持枠４に接合する。そして、
（ｃ）に示すように、支持枠４をマスクとして裏面のメ
ンブレン材薄膜２ａをドライエッチングして、メンブレ
ン２を形成する。
【００１５】この後、（ｄ）に示すように、シリコンウ
エハ１のバックエッチングを行う。最後に、（ｅ）に示
すように、メンブレン２上に回路パタン３を形成する。
なお、図では、Ｘ線吸収体成膜，レジスト成膜，露光，
現像及びＸ線吸収体エッチングをまとめて（ｅ）として
いる。
エハ１のバックエッチングを行う。最後に、（ｅ）に示
すように、メンブレン２上に回路パタン３を形成する。
なお、図では、Ｘ線吸収体成膜，レジスト成膜，露光，
現像及びＸ線吸収体エッチングをまとめて（ｅ）として
いる。
【００１６】上記のように、この実施例の方法では、シ
リコンウエハ１のバックエッチングやメンブレン材薄膜
２ａのエッチングの前に、支持枠４の接合を行い、この
支持枠４をマスクとして利用しているので、シリコンウ
エハ１のバックエッチングやメンブレン材薄膜２ａのエ
ッチングのための特別なマスキングが不要となる。従っ
て、全体としてＸ線マスクの製造が簡単になっている。
リコンウエハ１のバックエッチングやメンブレン材薄膜
２ａのエッチングの前に、支持枠４の接合を行い、この
支持枠４をマスクとして利用しているので、シリコンウ
エハ１のバックエッチングやメンブレン材薄膜２ａのエ
ッチングのための特別なマスキングが不要となる。従っ
て、全体としてＸ線マスクの製造が簡単になっている。
【００１７】ここで、図２は図１の支持枠４を示す斜視
図である。支持枠４は、ガラスやセラミックからなり、
Ｘ線吸収体のパタンサイズより若干大きい矩形の孔が中
央部に設けられている。この孔は、円形や多角形でもよ
い。また、支持枠４をマスクとしてエッチングを行う
際、支持枠４の耐エッチング性に問題がある場合には、
例えば保護材を付着するなど、支持枠４の表面の保護を
行えばよい。
図である。支持枠４は、ガラスやセラミックからなり、
Ｘ線吸収体のパタンサイズより若干大きい矩形の孔が中
央部に設けられている。この孔は、円形や多角形でもよ
い。また、支持枠４をマスクとしてエッチングを行う
際、支持枠４の耐エッチング性に問題がある場合には、
例えば保護材を付着するなど、支持枠４の表面の保護を
行えばよい。
【００１８】実施例２．なお、図３（ａ）〜（ｅ）に示
すように、上記実施例１のバックエッチングとパタン形
成の順を入れ換えてもよい。
すように、上記実施例１のバックエッチングとパタン形
成の順を入れ換えてもよい。
【００１９】実施例３．また、図３の手順でメンブレン
材薄膜２ａのエッチングをバックエッチングの直前に行
ってもよい。即ち、接合、パタン形成、メンブレン材薄
膜エッチング、バックエッチングの順でもよい。
材薄膜２ａのエッチングをバックエッチングの直前に行
ってもよい。即ち、接合、パタン形成、メンブレン材薄
膜エッチング、バックエッチングの順でもよい。
【００２０】実施例４．また、図４（ａ）〜（ｅ）に示
すように、メンブレン材薄膜２ａ付きのシリコンウエハ
１上でパタン形成を先に行い、その後これを支持枠４に
接合し、支持枠４をマスクとして、メンブレン材薄膜２
ａのエッチング及びシリコンウエハ１のバックエッチン
グを行ってもよい。
すように、メンブレン材薄膜２ａ付きのシリコンウエハ
１上でパタン形成を先に行い、その後これを支持枠４に
接合し、支持枠４をマスクとして、メンブレン材薄膜２
ａのエッチング及びシリコンウエハ１のバックエッチン
グを行ってもよい。
【００２１】実施例５．次に、図５は請求項２の発明の
一実施例によるＸ線マスクの製造方法を（ａ）〜（ｄ）
の工程順に示す断面図であり、メンブレン２が片面のみ
に付いたシリコンウエハ１を用いる例である。
一実施例によるＸ線マスクの製造方法を（ａ）〜（ｄ）
の工程順に示す断面図であり、メンブレン２が片面のみ
に付いたシリコンウエハ１を用いる例である。
【００２２】この実施例の方法では、まず例えば枚葉式
のＣＶＤ装置等により、シリコンウエハ１の片面に、
（ａ）に示すようにメンブレン２を成膜する。このと
き、両面に成膜されたものの片面をエッチングして同様
のものを得てもよい。次に、（ｂ）に示すように、シリ
コンウエハ１を支持枠４に接合する。この後、（ｃ）に
示すように、支持枠４をマスクとして、シリコンウエハ
１のバックエッチングを行う。最後に、（ｄ）に示すよ
うに、メンブレン２上にＸ線吸収体の回路パタン３を形
成する。
のＣＶＤ装置等により、シリコンウエハ１の片面に、
（ａ）に示すようにメンブレン２を成膜する。このと
き、両面に成膜されたものの片面をエッチングして同様
のものを得てもよい。次に、（ｂ）に示すように、シリ
コンウエハ１を支持枠４に接合する。この後、（ｃ）に
示すように、支持枠４をマスクとして、シリコンウエハ
１のバックエッチングを行う。最後に、（ｄ）に示すよ
うに、メンブレン２上にＸ線吸収体の回路パタン３を形
成する。
【００２３】このように、シリコンウエハ１のバックエ
ッチングのみを、支持枠４をマスクとして行う場合で
も、バックエッチング専用のマスキングが不要となるの
で、全体としてＸ線マスクの製造が簡単になる。
ッチングのみを、支持枠４をマスクとして行う場合で
も、バックエッチング専用のマスキングが不要となるの
で、全体としてＸ線マスクの製造が簡単になる。
【００２４】実施例６．なお、図５（ｂ）の接合工程の
後に、図６（ａ）のようにパタン形成を行い、最後に図
６（ｂ）のようにバックエッチングを行ってもよい。
後に、図６（ａ）のようにパタン形成を行い、最後に図
６（ｂ）のようにバックエッチングを行ってもよい。
【００２５】また、上記各実施例ではウエハとしてシリ
コンウエハ１を示したが、ウエハ材はシリコンに限定さ
れるものではない。
コンウエハ１を示したが、ウエハ材はシリコンに限定さ
れるものではない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明の
Ｘ線マスクの製造方法は、メンブレン材薄膜のエッチン
グを行う前にウエハを支持枠に接合するようにしたの
で、支持枠をマスクとして利用してメンブレン材薄膜の
エッチングを行うことができ、工程が簡略化できるとと
もに、製造コストを低減できるなどの効果を奏する。ま
た、メンブレン材薄膜が両面に成膜されたウエハを支持
枠に接合するので、反りがない状態でウエハを支持枠に
接合でき、メンブレンの平面度や平行度の維持に好都合
であるという効果も奏する。
Ｘ線マスクの製造方法は、メンブレン材薄膜のエッチン
グを行う前にウエハを支持枠に接合するようにしたの
で、支持枠をマスクとして利用してメンブレン材薄膜の
エッチングを行うことができ、工程が簡略化できるとと
もに、製造コストを低減できるなどの効果を奏する。ま
た、メンブレン材薄膜が両面に成膜されたウエハを支持
枠に接合するので、反りがない状態でウエハを支持枠に
接合でき、メンブレンの平面度や平行度の維持に好都合
であるという効果も奏する。
【００２７】また、請求項２の発明のＸ線マスクの製造
方法は、ウエハのバックエッチングを行う前にウエハを
支持枠に接合するようにしたので、支持枠をマスクとし
て利用してバックエッチングを行うことができ、工程を
簡略化できるとともに、製造コストを低減できるなどの
効果を奏する。
方法は、ウエハのバックエッチングを行う前にウエハを
支持枠に接合するようにしたので、支持枠をマスクとし
て利用してバックエッチングを行うことができ、工程を
簡略化できるとともに、製造コストを低減できるなどの
効果を奏する。
【図１】請求項１及び請求項２の発明の一実施例による
Ｘ線マスクの製造方法を工程順に示す断面図である。
Ｘ線マスクの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２】図１の支持枠を示す斜視図である。
【図３】請求項１及び請求項２の発明の他の実施例によ
るＸ線マスクの製造方法を工程順に示す断面図である。
るＸ線マスクの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図４】請求項１及び請求項２の発明のさらに他の実施
例によるＸ線マスクの製造方法を工程順に示す断面図で
ある。
例によるＸ線マスクの製造方法を工程順に示す断面図で
ある。
【図５】請求項２の発明の一実施例によるＸ線マスクの
製造方法を工程順に示す断面図である。
製造方法を工程順に示す断面図である。
【図６】請求項２の発明の他の実施例によるＸ線マスク
の製造方法を工程順に示す断面図である。
の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図７】従来のＸ線マスクの一例を示す断面図である。
【図８】従来のＸ線マスクの製造方法の一例を工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図９】従来のＸ線マスクの製造方法の他の例をの工程
順に示す断面図である。
順に示す断面図である。
１ シリコンウエハ ２ メンブレン ２ａ メンブレン材薄膜 ４ 支持枠
フロントページの続き (72)発明者 橋本 素子 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社中央研究所内 (72)発明者 松井 安次 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 メンブレン材薄膜が両面に成膜されたウ
エハを支持枠に接合した後、前記支持枠をマスクとして
前記メンブレン材薄膜のエッチングを行うことを特徴と
するＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項２】 ウエハにメンブレンを形成するととも
に、前記ウエハを支持枠に接合した後、前記支持枠をマ
スクとして前記ウエハのバックエッチングを行うことを
特徴とするＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33512091A JPH05165198A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33512091A JPH05165198A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05165198A true JPH05165198A (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=18284997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33512091A Pending JPH05165198A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05165198A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7641806B2 (en) | 2003-06-13 | 2010-01-05 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing method for membrane member |
-
1991
- 1991-12-18 JP JP33512091A patent/JPH05165198A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7641806B2 (en) | 2003-06-13 | 2010-01-05 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing method for membrane member |
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