JPH051745B2 - - Google Patents
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- JPH051745B2 JPH051745B2 JP61077658A JP7765886A JPH051745B2 JP H051745 B2 JPH051745 B2 JP H051745B2 JP 61077658 A JP61077658 A JP 61077658A JP 7765886 A JP7765886 A JP 7765886A JP H051745 B2 JPH051745 B2 JP H051745B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 9
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている。（特公昭54−41902、特公
昭57−7919、特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.sat.sol.7、1891、964））。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている。（特公昭54−41902、特公
昭57−7919、特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.sat.sol.7、1891、964））。
光記録媒体に従来第２図のような構成になつて
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される。
基板１としてはポリカーポネート、ポリメチルペ
ンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂や
ガラスが使用される。
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される。
基板１としてはポリカーポネート、ポリメチルペ
ンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂や
ガラスが使用される。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、低パワー出力である安価な半導
体レーザを使用するためには、これらの媒体では
記録感度が充分ではなかつた。
体レーザを使用するためには、これらの媒体では
記録感度が充分ではなかつた。
本発明の目的は、耐候性がよくかつ高感度で信
号品質の良好な真に実用的な光記録媒体を提供す
ることにある。
号品質の良好な真に実用的な光記録媒体を提供す
ることにある。
〔問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は情報をレーザ光によつて
記録しかつ読み取る光記録媒体において、二無水
３，４，９，10−ペリレンテトラカルボン酸の層
と、セレン層と、テルル層と、セレン層との少な
くとも４層を有していることを特徴とする。
記録しかつ読み取る光記録媒体において、二無水
３，４，９，10−ペリレンテトラカルボン酸の層
と、セレン層と、テルル層と、セレン層との少な
くとも４層を有していることを特徴とする。
すなわち本発明者らは、二無水３，４，９，10
−ペリレンテトラカルボン酸（以下PTCDAと略
する）を第１図の例のように基板側に設けること
により、高感度で信号品質がよく、かつ充分な耐
候性の光記録媒体が得られることを見出し、本発
明に到つたものである。
−ペリレンテトラカルボン酸（以下PTCDAと略
する）を第１図の例のように基板側に設けること
により、高感度で信号品質がよく、かつ充分な耐
候性の光記録媒体が得られることを見出し、本発
明に到つたものである。
実施例 １
以下本発明の実施例について説明する。内径15
mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカー
ポネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、２×10-5Torr以下に排気した。蒸発源とし
ては、第１の抵抗加熱用ボートにPTCDAを入
れ、第２の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、第３
の抵抗加熱用ボートにSeを入れた。まず、
PTCDAを550Å厚蒸着し、次にSeを50Å厚蒸着
し、その上にTeを250Å厚蒸着し、最後にSeを50
Å厚蒸着した。この光デイスクメモリを80℃の空
気中で１時間アニールしたのち、波長8300Åにお
ける基板入射の反射率を測定したところ35％であ
つた。波長8300ÅのAlGaAs半導体レーザを基板
を通して入射して1.5umΦ程度に絞り、媒体線速
度5.6ｍ／sec、記録周波数0.625MHz（デユーテイ
50％）の条件で記録し、4.0mWで記録し、
0.7mWで再生したところ、バンド幅30KHzの信号
雑音比（Ｃ／Ｎ）は50dB、第２高調波対信号比
（2ndH／Ｃ）は−31dBと良好な品質の信号が得
られた。比較のためのPTCDA層を設けないデイ
スクでは4.0mWで記録すると2ndH／Ｃは−24nB
しか得られず、2ndH／Ｃが最小値となる記録パ
ワーは4.5mWを必要とし、本発明のPTCDA層を
設けたデイスクの方が4.0mWと高感度であるこ
とがわかつた。
mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカー
ポネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入
れ、２×10-5Torr以下に排気した。蒸発源とし
ては、第１の抵抗加熱用ボートにPTCDAを入
れ、第２の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、第３
の抵抗加熱用ボートにSeを入れた。まず、
PTCDAを550Å厚蒸着し、次にSeを50Å厚蒸着
し、その上にTeを250Å厚蒸着し、最後にSeを50
Å厚蒸着した。この光デイスクメモリを80℃の空
気中で１時間アニールしたのち、波長8300Åにお
ける基板入射の反射率を測定したところ35％であ
つた。波長8300ÅのAlGaAs半導体レーザを基板
を通して入射して1.5umΦ程度に絞り、媒体線速
度5.6ｍ／sec、記録周波数0.625MHz（デユーテイ
50％）の条件で記録し、4.0mWで記録し、
0.7mWで再生したところ、バンド幅30KHzの信号
雑音比（Ｃ／Ｎ）は50dB、第２高調波対信号比
（2ndH／Ｃ）は−31dBと良好な品質の信号が得
られた。比較のためのPTCDA層を設けないデイ
スクでは4.0mWで記録すると2ndH／Ｃは−24nB
しか得られず、2ndH／Ｃが最小値となる記録パ
ワーは4.5mWを必要とし、本発明のPTCDA層を
設けたデイスクの方が4.0mWと高感度であるこ
とがわかつた。
次に本実施例の光記録媒体を70℃80％相対湿度
の高温高湿度の環境に300時間保存した後、上記
特性を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光記
録媒体であることが確認された。PTCDA層の厚
さは100Å、200Å、400Åと変化させても同様に
感度上昇の効果がみられた。又、PTCDA層を設
けることによりトラツク一周にわたつて均一にピ
ツト形成を行なわせることができる。これはプラ
スチツク基板が吸湿している影響をPTCDA層が
たちきるためと思われる。
の高温高湿度の環境に300時間保存した後、上記
特性を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光記
録媒体であることが確認された。PTCDA層の厚
さは100Å、200Å、400Åと変化させても同様に
感度上昇の効果がみられた。又、PTCDA層を設
けることによりトラツク一周にわたつて均一にピ
ツト形成を行なわせることができる。これはプラ
スチツク基板が吸湿している影響をPTCDA層が
たちきるためと思われる。
上下のSe層の膜厚はそれぞれ５〜100Åの範
囲、Te層の膜厚は100〜500Åの範囲が記録再生
特性、耐候性の観点から望ましい。
囲、Te層の膜厚は100〜500Åの範囲が記録再生
特性、耐候性の観点から望ましい。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により
耐気候性がよくかつ高感度で信号品質の良好な光
記録媒体が得られる。
耐気候性がよくかつ高感度で信号品質の良好な光
記録媒体が得られる。
第１図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。図において、１は基板、２はPTCDA
層、３．５はセレン層、４はテルル層、２１は記
録層、２２はピツトを表わす。
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。図において、１は基板、２はPTCDA
層、３．５はセレン層、４はテルル層、２１は記
録層、２２はピツトを表わす。
Claims (1)
- １ 情報をレーザ光によつて記録しかつ読み取る
光記録媒体において、二無水３，４，９，10−ペ
リレンテトラカルボン酸の層と、セレン層と、テ
ルル層と、セレン層との少なくとも４層を有して
いることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61077658A JPS62233292A (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61077658A JPS62233292A (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62233292A JPS62233292A (ja) | 1987-10-13 |
| JPH051745B2 true JPH051745B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=13639977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61077658A Granted JPS62233292A (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62233292A (ja) |
-
1986
- 1986-04-03 JP JP61077658A patent/JPS62233292A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62233292A (ja) | 1987-10-13 |
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