JPH0481951B2 - - Google Patents
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- JPH0481951B2 JPH0481951B2 JP61143383A JP14338386A JPH0481951B2 JP H0481951 B2 JPH0481951 B2 JP H0481951B2 JP 61143383 A JP61143383 A JP 61143383A JP 14338386 A JP14338386 A JP 14338386A JP H0481951 B2 JPH0481951 B2 JP H0481951B2
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- selenium
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
-
- G—PHYSICS
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/24322—Nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ルーセレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報）。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。とくにテル
ルーセレン系合金はよく使用されている（特公昭
54−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公
昭57−56058号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルルーセレン係合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ，７、189、
1964（phys.stat.sol.７、189、1964）｝。
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルルーセレン係合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ，７、189、
1964（phys.stat.sol.７、189、1964）｝。
このテルルーセレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルルーセレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルルーセレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。
レーザビーム径程度の幅の光が入射すると光は
回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回
折光強度の空間分布が変化するので、これを検出
してレーザビームを溝の中心に入射させるように
サーボ系が構成されている。溝の幅は通常0.3〜
1.3μmであり、溝の深さは使用するレーザ波長の
１／１２から1/4の範囲に設定される。集光に関して
も同様にサーボ系が構成されている。情報の読み
出しは、記録のときよりも弱いパワーのレーザ光
をピツト上を通過するように照射することによ
り、ピツトの有無に起因する反射率の変化を検出
して行なう。この再生用レーザ光のパワーは大き
いほうが、再生信号やサーボ用信号を大きくでき
外界ノイズの影響をうけにくいので望ましい。
回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回
折光強度の空間分布が変化するので、これを検出
してレーザビームを溝の中心に入射させるように
サーボ系が構成されている。溝の幅は通常0.3〜
1.3μmであり、溝の深さは使用するレーザ波長の
１／１２から1/4の範囲に設定される。集光に関して
も同様にサーボ系が構成されている。情報の読み
出しは、記録のときよりも弱いパワーのレーザ光
をピツト上を通過するように照射することによ
り、ピツトの有無に起因する反射率の変化を検出
して行なう。この再生用レーザ光のパワーは大き
いほうが、再生信号やサーボ用信号を大きくでき
外界ノイズの影響をうけにくいので望ましい。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、前記したような従来の光記録媒
体において、記録層として用いられているテルル
ーセレン系合金はその組成を制御することが容易
ではなく、そのため量産性に問題があつた。また
充分に良好な記録再生特性は得られなかつた。
体において、記録層として用いられているテルル
ーセレン系合金はその組成を制御することが容易
ではなく、そのため量産性に問題があつた。また
充分に良好な記録再生特性は得られなかつた。
一方、本発明者らは、基板の上にセレン層、テ
ルル層、セレン層を順次積層して記録層とするこ
とにより、量産性および耐侯性に優れ、かつ高感
度で良好な記録再生特性を有する光記録媒体とな
ることを見出し、すでに提案している。
ルル層、セレン層を順次積層して記録層とするこ
とにより、量産性および耐侯性に優れ、かつ高感
度で良好な記録再生特性を有する光記録媒体とな
ることを見出し、すでに提案している。
本発明はこれをさらに改善したもので、量産性
および耐候性に優れ、かつ高感度で信号品質が良
好であると共に、充分に大きなレーザパワーで長
時間再生しうる光記録媒体を提供することを目的
とする。
および耐候性に優れ、かつ高感度で信号品質が良
好であると共に、充分に大きなレーザパワーで長
時間再生しうる光記録媒体を提供することを目的
とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板と、レーザ光によつて一部が選択
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層中に、順次積層されたセレンを主成分と
する層、テルルおよび窒素を主成分とする層およ
びセレンを主成分とする層を少なくとも有してい
ることを特徴とする光記録媒体である。
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層中に、順次積層されたセレンを主成分と
する層、テルルおよび窒素を主成分とする層およ
びセレンを主成分とする層を少なくとも有してい
ることを特徴とする光記録媒体である。
本発明において例えば第１図に示すように基板
１上にセレンを主成分とする層（以下セレン層と
略す）２、テルルおよび窒素を主成分とする層
（以下テルル−窒素層と略す）３、およびセレン
層４が順次積層されて記録層を形成する。このほ
か、基板１とセレン層２の間および／またはセレ
ン層４の外方に他の層が存在するものであつても
よい。セレン層２、テルル−窒素層３およびセレ
ン層４の３層を少なくとも順次設けることにより
大きなレーザパワーで長時間再生しても再生特性
が劣化せず、優れた光記録媒体が得られる。
１上にセレンを主成分とする層（以下セレン層と
略す）２、テルルおよび窒素を主成分とする層
（以下テルル−窒素層と略す）３、およびセレン
層４が順次積層されて記録層を形成する。このほ
か、基板１とセレン層２の間および／またはセレ
ン層４の外方に他の層が存在するものであつても
よい。セレン層２、テルル−窒素層３およびセレ
ン層４の３層を少なくとも順次設けることにより
大きなレーザパワーで長時間再生しても再生特性
が劣化せず、優れた光記録媒体が得られる。
上下のセレン層の膜厚はそれぞれ５Å〜100Å
の範囲、テルル−窒素層の膜厚は100Å〜1000Å
の範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望まし
い。テルル−窒素層における窒素の含有量は原子
数パーセントで２パーセント以上20パーセント未
満が記録再生特性、耐候性の観点から望ましい。
の範囲、テルル−窒素層の膜厚は100Å〜1000Å
の範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望まし
い。テルル−窒素層における窒素の含有量は原子
数パーセントで２パーセント以上20パーセント未
満が記録再生特性、耐候性の観点から望ましい。
基板としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
［実施例］
以下本発明の実施例について説明する。
実施例
100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂デイ
スク基板を真空装置内に入れ、３×10-6TOrr以
下に排気した。蒸発源として、第１の抵抗加熱用
ボードにテルル（Te）を入れ、第２の抵抗加熱
用ボートにセレン（Se）を入れた。窒素ガス雰
囲気での反応性蒸着により、Seを主成分とする
層を40Å厚、Teと窒素（Ｎ）の層を260Å厚（Ｎ
の含有量は原子数パーセントで６パーセント）、
Seを主成分とする層を40Å厚順次積層した。こ
の光デイスクを95℃の窒素雰囲気中で１時間アニ
ールしたのち、波長8300Åにおける基板入射率を
測定したところ38％であつた。波長8300Åの半導
体レーザ光を基板を通して入射して記録層上で
1.6μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m／sec、記録
周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsuc、記録パ
ワー5.5mwの条件で記録し、0.7mwで再生した。
バンド幅30KHzのキヤリアーとノイズの比
（Ｃ／Ｎ）は50dBと良好であり、1.0mwで106回
再生しても同様に良好であつた。
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂デイ
スク基板を真空装置内に入れ、３×10-6TOrr以
下に排気した。蒸発源として、第１の抵抗加熱用
ボードにテルル（Te）を入れ、第２の抵抗加熱
用ボートにセレン（Se）を入れた。窒素ガス雰
囲気での反応性蒸着により、Seを主成分とする
層を40Å厚、Teと窒素（Ｎ）の層を260Å厚（Ｎ
の含有量は原子数パーセントで６パーセント）、
Seを主成分とする層を40Å厚順次積層した。こ
の光デイスクを95℃の窒素雰囲気中で１時間アニ
ールしたのち、波長8300Åにおける基板入射率を
測定したところ38％であつた。波長8300Åの半導
体レーザ光を基板を通して入射して記録層上で
1.6μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m／sec、記録
周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsuc、記録パ
ワー5.5mwの条件で記録し、0.7mwで再生した。
バンド幅30KHzのキヤリアーとノイズの比
（Ｃ／Ｎ）は50dBと良好であり、1.0mwで106回
再生しても同様に良好であつた。
次に、本実施例のデイスクを70℃、80％の高温
高湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調
べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体で
あることが確認された。
高湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調
べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体で
あることが確認された。
比較のために通常の蒸着で40Å厚のSe、260Å
厚のTe、40Å厚のSeを順次積層したデイスクで
は、1.0mwで106回再生するとＣ／Ｎが約1dB劣
化した。
厚のTe、40Å厚のSeを順次積層したデイスクで
は、1.0mwで106回再生するとＣ／Ｎが約1dB劣
化した。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の光記録媒体は量産
性および耐候性に優れていると共に、高感度で信
号品質が良好であり、かつ充分に大きなレーザパ
ワーで長時間再生しうるものである。
性および耐候性に優れていると共に、高感度で信
号品質が良好であり、かつ充分に大きなレーザパ
ワーで長時間再生しうるものである。
第１図は本発明の光記録媒体の１実施例を示す
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １……基板、２，４……セレン層、３……テル
ル−窒素層、２１……記録層、２２……ピツト。
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １……基板、２，４……セレン層、３……テル
ル−窒素層、２１……記録層、２２……ピツト。
Claims (1)
- １ 基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除
去されて情報を記録する前記基板上に形成された
記録層とからなる光記録媒体において、前記記録
層中に、順次積層されたセレンを主成分とする
層、テルルおよび窒素を主成分とする層およびセ
レンを主成分とする層を少なくとも有しているこ
とを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143383A JPS62299394A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143383A JPS62299394A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62299394A JPS62299394A (ja) | 1987-12-26 |
| JPH0481951B2 true JPH0481951B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15337494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61143383A Granted JPS62299394A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62299394A (ja) |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP61143383A patent/JPS62299394A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62299394A (ja) | 1987-12-26 |
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