JPH051750B2 - - Google Patents
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- JPH051750B2 JPH051750B2 JP61105934A JP10593486A JPH051750B2 JP H051750 B2 JPH051750 B2 JP H051750B2 JP 61105934 A JP61105934 A JP 61105934A JP 10593486 A JP10593486 A JP 10593486A JP H051750 B2 JPH051750 B2 JP H051750B2
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- G—PHYSICS
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G—PHYSICS
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-
- G—PHYSICS
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-
- G—PHYSICS
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている（特公昭54−41902，特公
昭57−7919，特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.stat.sol，７，1964））。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている（特公昭54−41902，特公
昭57−7919，特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.stat.sol，７，1964））。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、テルルセレン合金の組成を制御
することは容易ではなく、量産性に問題があつ
た。又、記録再生特性においても充分な性能では
なかつた。
することは容易ではなく、量産性に問題があつ
た。又、記録再生特性においても充分な性能では
なかつた。
本発明の目的は、量産性がよく、かつ耐候性が
よく、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することにある。
よく、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は基板上に形成した記録層
の１部をレーザ光により選択的に除去して情報を
記録する光記録媒体であつて、前記基板上にセレ
ン層、テルル層、金層、セレン層を順次積層して
前記記録層とすることを特徴とする。
の１部をレーザ光により選択的に除去して情報を
記録する光記録媒体であつて、前記基板上にセレ
ン層、テルル層、金層、セレン層を順次積層して
前記記録層とすることを特徴とする。
（作用）
光記録媒体は従来第２図のような構成になつて
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される。
基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板１に
は通常案内溝が設けられている。記録層２１とし
ては通常テルルセレン合金が使用されている。し
かしながら、テルルセレン合金の組成を制御する
ことは容易ではなく、量産性に問題があつた。
又、ピツトをトラツク１周にわたつて均一に形成
することは困難であるため、充分に良好な記録再
生特性は得られなかつた。
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される。
基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板１に
は通常案内溝が設けられている。記録層２１とし
ては通常テルルセレン合金が使用されている。し
かしながら、テルルセレン合金の組成を制御する
ことは容易ではなく、量産性に問題があつた。
又、ピツトをトラツク１周にわたつて均一に形成
することは困難であるため、充分に良好な記録再
生特性は得られなかつた。
本発明者らは、基板の上にセレン層、テルル
層、セレン層を順次積層して記録層とすることに
より、耐候性に優れ、かつトラツク１周にわたつ
てピツトを均一に形成でき、良好な記録再生特性
を有する光記録媒体となることを見出し、すでに
提案している。本発明はこれをさらに改善したも
のであり、第１図に示すように基板１の上にセレ
ン層２、テルル層３、金層４、セレン層５を順次
積層して記録層を形成する。金層４を形成するこ
とにより、記録により形成されるピツトが大きく
拡がらないようになる。したがつて、ピットをつ
めて記録できるので高密度記録が可能となる。
又、記録パワー変動に対する余裕度も大きくなる
ので実用的な光記録媒体となる。この理由はあま
り明確ではないが、ピツト形成による反射率変化
の主要因であるテルル層３の表面張力が金層４の
形成により変化することによつてピツトが拡がり
にくくなるものと思れれる。
層、セレン層を順次積層して記録層とすることに
より、耐候性に優れ、かつトラツク１周にわたつ
てピツトを均一に形成でき、良好な記録再生特性
を有する光記録媒体となることを見出し、すでに
提案している。本発明はこれをさらに改善したも
のであり、第１図に示すように基板１の上にセレ
ン層２、テルル層３、金層４、セレン層５を順次
積層して記録層を形成する。金層４を形成するこ
とにより、記録により形成されるピツトが大きく
拡がらないようになる。したがつて、ピットをつ
めて記録できるので高密度記録が可能となる。
又、記録パワー変動に対する余裕度も大きくなる
ので実用的な光記録媒体となる。この理由はあま
り明確ではないが、ピツト形成による反射率変化
の主要因であるテルル層３の表面張力が金層４の
形成により変化することによつてピツトが拡がり
にくくなるものと思れれる。
実施例 １
以下本発明の実施例について説明する。内径15
mm、外径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹
脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入れ、６×
10- 6Torr以下に排気した。蒸発源としては、第
１の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、第２の抵抗
加熱用ボートにSeを入れ、電子ビーム加熱用る
つぼにAuを入れた。まずSeを50Å厚蒸着し、次
にTeを225Å厚蒸着し、次にAuを２Å厚蒸着し、
最後にSeを50Å厚蒸着した。この光デイスクを
95℃で１時間アニールしたのち、波長8300Åにお
ける基板入射反射率を測定したところ32％であつ
た。波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して
入射して1.5μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m／
sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsec
の条件で記録し、0.7mWで再生した。記録パワ
ーは6.0mWにおいて、バンド幅30kHzのキヤリア
ーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は50dBと良好であ
つた。又、Ｃ／Ｎが45dB以上得られる記録パワ
ー領域は5.0mWから8.0mWと広範囲であつた。
比較のための50Å厚のSe、225Å厚のTe、50Å厚
のSeの光デイスクでは、記録パワー5.0mWにお
いてＣ／Ｎは48dBであり、Ｃ／Ｎが45dB以上得
られる記録パワー領域は5.0mWから6.5mWと狭
い範囲であつた。
mm、外径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹
脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入れ、６×
10- 6Torr以下に排気した。蒸発源としては、第
１の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、第２の抵抗
加熱用ボートにSeを入れ、電子ビーム加熱用る
つぼにAuを入れた。まずSeを50Å厚蒸着し、次
にTeを225Å厚蒸着し、次にAuを２Å厚蒸着し、
最後にSeを50Å厚蒸着した。この光デイスクを
95℃で１時間アニールしたのち、波長8300Åにお
ける基板入射反射率を測定したところ32％であつ
た。波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して
入射して1.5μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m／
sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsec
の条件で記録し、0.7mWで再生した。記録パワ
ーは6.0mWにおいて、バンド幅30kHzのキヤリア
ーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は50dBと良好であ
つた。又、Ｃ／Ｎが45dB以上得られる記録パワ
ー領域は5.0mWから8.0mWと広範囲であつた。
比較のための50Å厚のSe、225Å厚のTe、50Å厚
のSeの光デイスクでは、記録パワー5.0mWにお
いてＣ／Ｎは48dBであり、Ｃ／Ｎが45dB以上得
られる記録パワー領域は5.0mWから6.5mWと狭
い範囲であつた。
次に、本実施例のデイスクを70℃80％の高温高
湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。
湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。
実施例 ２
実施例１と同様にして80Å厚のSe、240Å厚の
Te、３Å厚のAu、80Å厚のSeと順次積層して光
記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録再生
実験により、6.0mWの記録パワーにおいてＣ／
Ｎは48dBと良好であり、45dB以上のＣ／Ｎを得
られる記録パワー領域は5.5mWから8.0mWと広
範囲であつた。なお本発明において上下のセレン
層の膜厚はそれぞれ５〜100Åの範囲、テルル層
の膜厚は100〜500Åの範囲、金層の膜厚は0.5〜
50Åの範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望
ましい。なお、ここにいう0.5〜50Åの金層とい
うのは重量平均に相当する膜厚であり、実際には
不連続膜となつている。
Te、３Å厚のAu、80Å厚のSeと順次積層して光
記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録再生
実験により、6.0mWの記録パワーにおいてＣ／
Ｎは48dBと良好であり、45dB以上のＣ／Ｎを得
られる記録パワー領域は5.5mWから8.0mWと広
範囲であつた。なお本発明において上下のセレン
層の膜厚はそれぞれ５〜100Åの範囲、テルル層
の膜厚は100〜500Åの範囲、金層の膜厚は0.5〜
50Åの範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望
ましい。なお、ここにいう0.5〜50Åの金層とい
うのは重量平均に相当する膜厚であり、実際には
不連続膜となつている。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により
量産性に優れ、かつ耐候性に優れ、かつ高感度で
信号品質の良好な光記録媒体が得られる。
量産性に優れ、かつ耐候性に優れ、かつ高感度で
信号品質の良好な光記録媒体が得られる。
第１図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。図において、１は基板、２，５はセレン
層、３はテルル層、４は金層、２１は記録層、２
２はピツトを表わす。
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。図において、１は基板、２，５はセレン
層、３はテルル層、４は金層、２１は記録層、２
２はピツトを表わす。
Claims (1)
- １ 基板上に形成した記録層の一部をレーザ光に
より選択的に除去して情報を記録する光記録媒体
において、前記基板上にセレン層、テルル層、金
層、セレン層を順次積層して前記記録層とするこ
とを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105934A JPS62261484A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105934A JPS62261484A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62261484A JPS62261484A (ja) | 1987-11-13 |
| JPH051750B2 true JPH051750B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14420678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61105934A Granted JPS62261484A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62261484A (ja) |
-
1986
- 1986-05-08 JP JP61105934A patent/JPS62261484A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62261484A (ja) | 1987-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |