JPH05198715A - 高周波高出力トランジスタ - Google Patents
高周波高出力トランジスタInfo
- Publication number
- JPH05198715A JPH05198715A JP4010018A JP1001892A JPH05198715A JP H05198715 A JPH05198715 A JP H05198715A JP 4010018 A JP4010018 A JP 4010018A JP 1001892 A JP1001892 A JP 1001892A JP H05198715 A JPH05198715 A JP H05198715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power transistor
- lead
- emitter
- soldered
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波高出力トランジスタにおいて、入出力
回路の整合用コンデンサを、トランジスタの入，出力側
基板に直接半田付けできるようにする。 【構成】 高周波高出力トランジスタのエミッタ，コレ
クタ，ベースの各リード１〜６の所要の場所に切欠部１
ａ，１ｂ，……，６ａ，６ｂを設け、これらの切欠部で
形成される開口部１５〜１８に整合用コンデンサ１４を
配置し、整合用コンデンサ１４を直接入，出力側基板
８，９のグランドパターン１２，１３に半田付けしたこ
とを特徴としている。
回路の整合用コンデンサを、トランジスタの入，出力側
基板に直接半田付けできるようにする。 【構成】 高周波高出力トランジスタのエミッタ，コレ
クタ，ベースの各リード１〜６の所要の場所に切欠部１
ａ，１ｂ，……，６ａ，６ｂを設け、これらの切欠部で
形成される開口部１５〜１８に整合用コンデンサ１４を
配置し、整合用コンデンサ１４を直接入，出力側基板
８，９のグランドパターン１２，１３に半田付けしたこ
とを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波高出力トランジ
スタに係り、特に、その入出力リードの形状に関するも
のである。
スタに係り、特に、その入出力リードの形状に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の高周波高出力トランジスタ
を示す外観図、図９は、図８に示した高周波高出力トラ
ンジスタを基板に装着したときの外観図である。これら
の図において、１，２，３，４はエミッタリード、５は
コレクタリード、６はベースリード、７はフランジ、８
は出力側基板、９は入力側基板、１０は出力側ストリッ
プ線路、１１は入力側ストリップ線路、１２，１３はグ
ランドパターン（配線パターン）、１４は整合用コンデ
ンサである。
を示す外観図、図９は、図８に示した高周波高出力トラ
ンジスタを基板に装着したときの外観図である。これら
の図において、１，２，３，４はエミッタリード、５は
コレクタリード、６はベースリード、７はフランジ、８
は出力側基板、９は入力側基板、１０は出力側ストリッ
プ線路、１１は入力側ストリップ線路、１２，１３はグ
ランドパターン（配線パターン）、１４は整合用コンデ
ンサである。
【０００３】次に、構成について説明する。図８に示す
高周波高出力トランジスタは、図９に示すように、エミ
ッタリード１，２が出力側基板８上のグランドパターン
１２に半田付けされ、コレクタリード５は出力側ストリ
ップ線路１０に半田付けされる。また、エミッタリード
３，４は入力側基板９上のグランドパターン１３に半田
付けされ、ベースリード６は入力側ストリップ線路１１
に半田付けされる。次に、整合用コンデンサ１４がそれ
ぞれコレクタリード５とエミッタリード１，コレクタリ
ード５とエミッタリード２，ベースリード６とエミッタ
リード３，ベースリード６とエミッタリード４上に半田
付けされる。
高周波高出力トランジスタは、図９に示すように、エミ
ッタリード１，２が出力側基板８上のグランドパターン
１２に半田付けされ、コレクタリード５は出力側ストリ
ップ線路１０に半田付けされる。また、エミッタリード
３，４は入力側基板９上のグランドパターン１３に半田
付けされ、ベースリード６は入力側ストリップ線路１１
に半田付けされる。次に、整合用コンデンサ１４がそれ
ぞれコレクタリード５とエミッタリード１，コレクタリ
ード５とエミッタリード２，ベースリード６とエミッタ
リード３，ベースリード６とエミッタリード４上に半田
付けされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波高出力ト
ランジスタは、以上のように構成されているので、整合
用コンデンサ１４をトランジスタのコレクタリード５，
ベースリード６の根元近辺に半田付けする必要がある場
合、トランジスタの各エミッタリード１〜４上に乗せ半
田付けしなければならず、整合用コンデンサ１４の取り
付けが不安定となる問題点があった。
ランジスタは、以上のように構成されているので、整合
用コンデンサ１４をトランジスタのコレクタリード５，
ベースリード６の根元近辺に半田付けする必要がある場
合、トランジスタの各エミッタリード１〜４上に乗せ半
田付けしなければならず、整合用コンデンサ１４の取り
付けが不安定となる問題点があった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、整合用コンデンサを安定して取
り付けることができる高周波高出力トランジスタを得る
ことを目的とする。
ためになされたもので、整合用コンデンサを安定して取
り付けることができる高周波高出力トランジスタを得る
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波高出
力トランジスタは、各リードに切欠部を形成して、これ
らの切欠部のうち対向する切欠部で形成される開口部内
に整合用コンデンサを配置したものである。
力トランジスタは、各リードに切欠部を形成して、これ
らの切欠部のうち対向する切欠部で形成される開口部内
に整合用コンデンサを配置したものである。
【０００７】
【作用】本発明における切欠部は、基板への実装時に整
合用コンデンサを前記切欠部で形成される開口部に配置
することにより、整合用コンデンサを直接基板パターン
へ半田付けすることができる。
合用コンデンサを前記切欠部で形成される開口部に配置
することにより、整合用コンデンサを直接基板パターン
へ半田付けすることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明について説明する。図１は本発
明の一実施例を示す外観図で、図２は、図１に示した高
周波高出力トランジスタを基板に装着したときの外観図
である。これらの図において、図８，図９と同一符号は
同一構成部分を示し、前記各リード１〜６は切欠部１
ａ，２ａ，３ａ，４ａ，５ａ，５ｂおよび６ａ，６ｂが
それぞれ形成されている。また、１５は前記切欠部１ａ
と５ａとの間、つまり両切欠部１ａと５ａとにより形成
された開口部、１６は同じく切欠部２ａと５ｂとにより
形成された開口部、１７は同じく前記切欠部３ａと６ａ
とにより形成された開口部、そして、１８は同じく前記
切欠部４ａと６ｂとで形成された開口部である。
明の一実施例を示す外観図で、図２は、図１に示した高
周波高出力トランジスタを基板に装着したときの外観図
である。これらの図において、図８，図９と同一符号は
同一構成部分を示し、前記各リード１〜６は切欠部１
ａ，２ａ，３ａ，４ａ，５ａ，５ｂおよび６ａ，６ｂが
それぞれ形成されている。また、１５は前記切欠部１ａ
と５ａとの間、つまり両切欠部１ａと５ａとにより形成
された開口部、１６は同じく切欠部２ａと５ｂとにより
形成された開口部、１７は同じく前記切欠部３ａと６ａ
とにより形成された開口部、そして、１８は同じく前記
切欠部４ａと６ｂとで形成された開口部である。
【０００９】次に、図１に示す高周波高出力トランジス
タは、図２に示すように、エミッタリード１，２が出力
側基板８上のグランドパターン１２に半田付けされ、コ
レクタリード５は出力側ストリップ線路１０に半田付け
される。また、エミッタリード３，４は入力側基板９上
のグランドパターン１３に半田付けされ、ベースリード
６は入力側ストリップ線路１１に半田付けされる。次
に、整合用コンデンサ１４がそれぞれの開口部１５〜１
８に装着される。このとき、整合用コンデンサ１４は直
接入，出力側基板８，９上のグランドパターン１２，１
３に半田付けされる。
タは、図２に示すように、エミッタリード１，２が出力
側基板８上のグランドパターン１２に半田付けされ、コ
レクタリード５は出力側ストリップ線路１０に半田付け
される。また、エミッタリード３，４は入力側基板９上
のグランドパターン１３に半田付けされ、ベースリード
６は入力側ストリップ線路１１に半田付けされる。次
に、整合用コンデンサ１４がそれぞれの開口部１５〜１
８に装着される。このとき、整合用コンデンサ１４は直
接入，出力側基板８，９上のグランドパターン１２，１
３に半田付けされる。
【００１０】図３〜図７は本発明の他の実施例をそれぞ
れ示す高周波高出力トランジスタの外観図で、図３の実
施例は、エミッタリード１〜４に切欠部１ａ〜４ａを形
成したものであり、図４の実施例は、エミッタリード１
〜４のうち、例えばエミッタリード３にのみ切欠部３ａ
を形成したものであり、図５の実施例は、コレクタリー
ド５およびベースリード６に切欠部５ａ，５ｂおよび６
ａ，６ｂを形成したものであり、図６の実施例は、ベー
スリード６にのみ切欠部６ａ，６ｂを形成したものであ
る。また、図７の実施例は、エミッタリード１〜４に形
成する切欠部１ｂ〜４ｂの形状を変えたものである。
れ示す高周波高出力トランジスタの外観図で、図３の実
施例は、エミッタリード１〜４に切欠部１ａ〜４ａを形
成したものであり、図４の実施例は、エミッタリード１
〜４のうち、例えばエミッタリード３にのみ切欠部３ａ
を形成したものであり、図５の実施例は、コレクタリー
ド５およびベースリード６に切欠部５ａ，５ｂおよび６
ａ，６ｂを形成したものであり、図６の実施例は、ベー
スリード６にのみ切欠部６ａ，６ｂを形成したものであ
る。また、図７の実施例は、エミッタリード１〜４に形
成する切欠部１ｂ〜４ｂの形状を変えたものである。
【００１１】なお、上記各リード１〜６に形成された切
欠部１ａ，１ｂ〜６ａ，６ｂの形状は、どのような形状
でもよく、切欠部を利用して整合用コンデンサ１４が直
接入，出力側基板８，９上の配線パターンに半田付けで
きればよい。
欠部１ａ，１ｂ〜６ａ，６ｂの形状は、どのような形状
でもよく、切欠部を利用して整合用コンデンサ１４が直
接入，出力側基板８，９上の配線パターンに半田付けで
きればよい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、エミッ
タ，コレクタ，ベースの各リードのうち、コンデンサを
取り付けるものに切欠部を設け、この切欠部により形成
された開口部内に整合用コンデンサを配置して直接配線
パターンに接着したので、整合用コンデンサを安定に装
着できる効果がある。
タ，コレクタ，ベースの各リードのうち、コンデンサを
取り付けるものに切欠部を設け、この切欠部により形成
された開口部内に整合用コンデンサを配置して直接配線
パターンに接着したので、整合用コンデンサを安定に装
着できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例による高周波高出力トランジ
スタの外観図である。
スタの外観図である。
【図２】図１に示した高周波高出力トランジスタを基板
に装着した外観図である。
に装着した外観図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す高周波高出力トラン
ジスタの外観図である。
ジスタの外観図である。
【図４】本発明のさらに他の実施例を示す高周波高出力
トランジスタの外観図である。
トランジスタの外観図である。
【図５】本発明のさらに他の実施例を示す高周波高出力
トランジスタの外観図である。
トランジスタの外観図である。
【図６】本発明のさらに他の実施例を示す高周波高出力
トランジスタの外観図である。
トランジスタの外観図である。
【図７】本発明のさらに他の実施例を示す高周波高出力
トランジスタの外観図である。
トランジスタの外観図である。
【図８】従来の高周波高出力トランジスタの外観図であ
る。
る。
【図９】図８の高周波高出力トランジスタを基板に装着
した外観図である。
した外観図である。
１ エミッタリード ２ エミッタリード ３ エミッタリード ４ エミッタリード ５ コレクタリード ６ ベースリード ７ フランジ ８ 出力側基板 ９ 入力側基板 １０ 出力側ストリップ線路 １１ 入力側ストリップ線路 １２ グランドパターン １３ グランドパターン １４ 整合用コンデンサ １ａ 切欠部 １ｂ 切欠部 ２ａ 切欠部 ３ａ 切欠部 ３ｂ 切欠部 ４ａ 切欠部 ５ａ 切欠部 ５ｂ 切欠部 ６ａ 切欠部 ６ｂ 切欠部 １５ 開口部 １６ 開口部 １７ 開口部 １８ 開口部
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波高出力トランジスタのエミッタ，
コレクタ，ベースの各リードのうち、コンデンサを取り
付けるものに切欠部を設け、この切欠部によって形成さ
れた開口部内に整合用コンデンサを配置して直接配線パ
ターンに接着したことを特徴とする高周波高出力トラン
ジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4010018A JPH05198715A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 高周波高出力トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4010018A JPH05198715A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 高周波高出力トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198715A true JPH05198715A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11738659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4010018A Pending JPH05198715A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 高周波高出力トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198715A (ja) |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP4010018A patent/JPH05198715A/ja active Pending
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