JPH0522968B2 - - Google Patents
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- JPH0522968B2 JPH0522968B2 JP59106419A JP10641984A JPH0522968B2 JP H0522968 B2 JPH0522968 B2 JP H0522968B2 JP 59106419 A JP59106419 A JP 59106419A JP 10641984 A JP10641984 A JP 10641984A JP H0522968 B2 JPH0522968 B2 JP H0522968B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体に関し、さらに詳しく
は高密度記録に適した磁気記録媒体に関する。 〔従来技術〕 近年、開発が進められてきている高密度記録用
磁気記録媒体においては磁気ヘツドと磁気テープ
との間のいわゆる間隙損失を軽減させるため、磁
性層の表面性をより高度なものとすることが要求
される。この目的のためには、磁性層の製造技
術、すなわち磁性粒子の分散、塗布、表面成形技
術などの改良により磁性層の表面性を向上させる
ことが必要であると同時に、支持体の表面性を向
上させることもまた必要となる。とくに、記録密
度が高くなるにともない記録波長が小となること
により、厚み損失を逃がれるために磁性層を薄く
する試みがなされてきている。それにより、支持
体の表面性が磁性層の表面性に与える影響はます
ます大となつてきている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら磁気記録媒体に使用される支持体
の表面性を向上させることは下記の理由から限界
がある。つまり、製膜して巻き取る工程におい
て、フイルムの表面性が良いと搬送ローラーに対
する摩擦抵抗が大となり、しばしば蛇行を起こし
たり、シワが生じたりする。またフイルム間の摩
擦抵抗が増大し巻き取りロールの形状にユガミが
生じたりもする。 前記の背反する問題点の解決のために、これま
でに種々の試みがなされてきている。たとえば特
開昭53−109605には、支持体上に熱可塑性樹脂の
微粒子を突出させ、その后溶剤にて溶解除去しそ
の表面に磁性層を形成する方法が記載されてい
る。 また、特公昭46−14555には、支持体上にポリ
アミド、ポリエステル等のポリマー溶液を塗布、
乾燥させて、微小しわを形成し、その表面に磁性
層を形成する方法が記載されている。特公昭47−
6117には、支持体上に塗布するポリマーとしてコ
ポリエステル等を使つて、また特公昭50−38001
には、熱可塑性ポリエステル等を使つて、特公昭
46−14555と同じように表面に微小しわを形成し、
その表面に磁性層を形成する方法が記載されてい
る。 しかし、上述の４つの方法のいずれも、高密度
記録用磁気記録媒体としての満足すべき特性を安
定的に賦与しうるにはいたつていない。 本発明の目的は、高密度磁気記録用非磁性支持
体表面に、要求された表面粗さを有する層を安定
的に形成することにより、該非磁性支持体の表面
粗さをコントロールするにある。上記において言
う表面粗さは、通常の触針型粗さ計で測定できる
範囲から、触針では測れない微小な構造の粗さま
でをさす。 〔問題点を解決するための手段〕 すなわち、本発明は、１） 非磁性支持体と磁
性層との中間に、放射線照射により重合可能な化
合物と微粒子とを含有する非磁性層を設け、該層
が放射線照射されており、かつ、該層の表面あら
さが0.001〜0.01μｍである。 なお、本発明における表面あらさとは、JIS−
B0601の５項で定義される中心線平均あらさをさ
し、カツトオフ値は0.25mmである。 以下、本発明について詳細に説明する。 本発明の中間層に使用される放射線照射により
重合可能な化合物は炭素−炭素不飽和結合を分子
中に１個以上有する化合物でありアクリル酸エス
テル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステ
ル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニ
ルエーテル類、ビニルエステル類、ビニル異節環
化合物、Ｎ−ビニル化合物、スチレン類、クロト
ン酸類、イタコン酸類、オレフイン類、オレフイ
ン類などが例としてあげられる。これらのうち好
ましいものとしてアクリロイル基またはメタクリ
ロイル基を２個以上含む下記の化合物があげられ
る。ジエチレングリコールジアクリレート、トリ
エチレングリコールジアクリレート、テトラエチ
レングリコールジアクリレート、トリメチロール
プロパントリアクリレート、ペンタエリスリトー
ルテトラアクリレート、などのアクリレート類、
ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエ
チレングリコールトリメタクリレート、テトラエ
チレングリコールジメタクリレート、トリメチロ
ールプロパントリメタクリレート、ペンタエリス
リトールテトラメタクリレート、などのメタクリ
レート類あるいはその他の２官能以上のポリオー
ルとアクリル酸メタクリル酸とのエステル類、な
ど。 また、これらの化合物は高分子量体のものであ
つてもよい。好ましくは高分子の主鎖末端あるい
は側鎖にアクリル酸またはメタクリル酸とのエス
テル結合を有する化合物であり、これらは A.Vranckem“Fatipec Congress”11 19（1972）
に引用されている。たとえば以下に示す化合物 であり、例示した化合物のポリエステル骨格がポ
リウレタン骨格、エポキシ樹脂の骨格、ポリエー
テル骨格、ポリカーボネート骨格であつてもある
いはこれらの混合された骨格でもよい。分子量は
1000〜20000が好ましいが、とくに限定されるも
のではない。 上記の放射線照射により重合可能な化合物は単
独に、また任意の割合で混合して使用することが
できる。 さらに塩ビ酢ビ系共重合体、繊維素系樹脂、ア
セタール系樹脂、塩ビ−塩化ビニリデン系樹脂、
ウレタン樹脂、アクリロニトリルブタジエン樹脂
等の熱可塑性樹脂を必要により前記放射線照射に
より重合可能な化合物と混合使用することができ
る。 本発明において使用される放射線は電子線およ
び紫外線である。紫外線を使用する場合には前記
の化合物に光重合開始剤を添加することが必要と
なる。 光重合開始剤としては芳香族ケトンが使用され
る。 芳香族ケトンは、特に限定されないが、紫外線
照射光源として通常使用される水銀灯の輝線スペ
クトルを生ずる254，313，365nmの波長において
吸光係数の比較的大なるものが好ましい。その代
表例としては、アセトフエノン、ベンゾフエノ
ン、ベンゾインエチルエーテル、ベンジルメチル
ケタール、ベンジルエチルケタール、ベンゾイン
イソブチルケトン、ヒドロキシジメチルフエニル
ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフエニル
ケトン、２−２ジエトキシアセトフエノン、
Michler′sケトンなどがあり、種々の芳香族ケト
ンが使用できる。 芳香族ケトンの混合比率は、化合物(a)100重量
部に対し0.5〜20重量部、好ましくは２〜15重量
部、さらに好ましくは３〜10重量部である。 本発明の中間層に混合される微粒子は、径にし
て100〜5000Åの大きさの球状もしくはフレーク
状のものである。該微粒子の該中間層表面上の露
出部は、高さ50〜2000Åで、露出個数は106〜109
個／mm2の範囲に設定される。上記の微粒子の径、
および露出粒子密度は、磁気記録媒体の用途に応
じて、より狭い範囲に調製される。微粒子の素材
としては、様々なものがあるが、大きく分けて、
有機微粒子と無機微粒子に分けられる。有機微粒
子としては、ベンゾグアナミンホルムアルデヒ
ド、ポリテトラフルオロエチレンのように有機マ
ツト材として市販されているものが使用できる。
無機粒子としては、無機粉体、もしくは研磨剤と
称されるもので、成分を上げると、α−アルミ
ナ、γ−アルミナ、炭化ケイ素、酸化チタン、酸
化マグネシウム、リン化鉄、炭化チタン、窒化チ
タン、α−およびβ−酸化ケイ素、アルミニウ
ム、修酸カルシウム、鉄、α−酸化第１鉄、亜
鉛、二酸化亜鉛、酸化第２ニツケル、ニツケル
銅、クロミア、水酸化マグネシウム、ジルコニ
ア、イツトリア、セリア、ジルコン、酸化アンチ
モンなどがある。 上記非磁性層の表面あらさは、0.001〜0.01μｍ
であり、好ましくは0.002〜0.007μｍである。 前記放射線照射により重合可能な化合および有
機あるいは無機微粒子を、また芳香族ケトンとの
混合物を支持体上に塗設する場合、種々の有機溶
媒が必要に応じ使用できる。この溶媒の添加量に
よつて微粒子の表面露出量を調節でき、したがつ
て表面あらさを調節できる。使用できる有機溶媒
としてはアセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
系；メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノール等のアルコール系；酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリコール
モノエチルエーテル等のエステル系；エーテル、
グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエ
チルエーテル、ジオキサン等のグリコールエーテ
ル系；ベンゼン、トルエン、キシレン等のタール
系（芳香族炭化水素）；メチレンクロライド、エ
チレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、
エチレンクロルヒドリン、ジクロルベンゼン等が
あげられる。 電子線加速器としてはバンデグラーフ型のスキ
ヤニング方式、ダブルスキヤニング方式あるいは
カーテンビーム方式が採用できるが、好ましいの
は比較的安価で大出力が得られるカーテンビーム
方式である。電子線特性としては、加速電圧が10
〜1000kV、好ましくは50〜300kVであり、吸収
線量として0.5〜20メガラツド、好ましくは１〜
10メガラツドである。加速電圧が10kV以下の場
合は、エネルギーの透過量が不足し1000kVを超
えると重合に使われるエネルギー効率が低下し経
済的でない。 吸収線量が0.5メガラツド以下では硬化反応が
不充分で磁性層強度が得られず、20メガラツド以
上になると、硬化に使用されるエネルギー効率が
低下したり、被照射体が発熱し、特にプラステイ
ツク支持体が変形するので好ましくない。 本発明に使用される支持体はポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレー
ト等のポリエステル類；ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフイン類；セルローストリア
セテート、セルロースダイアセテート、セルロー
スアセテートブチレート、セルロースアセテート
プロピオネート等のセルロース誘導体；ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂；
ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミ
ド等のプラスチツクの他に用途に応じてアルミニ
ウム、銅、スズ、亜鉛またはこれらを含む非磁性
合金、不銹銅などの非磁性金属類；紙、パライタ
またはポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン
−ブテン共重合体などの炭素数２〜10のα−ポリ
オレフイン類を塗布またはラミネートした紙など
である。 本発明に使用される非磁性支持体の表面あらさ
は、前記中間層の表面あらさと同等以上であるこ
とが好ましい。 支持体の裏面には走行性などの改良を目的とし
ていわゆるバツク層を設けることができる。この
場合、バツク層の表面あらさを0.010μｍ以上、好
ましくは0.015μｍ以上とすることにより本発明の
効果は同様に発揮される。 本発明の重合硬化層の上に設けられる磁性層は
強磁性粉末と結合剤とを主成分とするものであつ
ても、磁性金属薄膜であつてもよい。 本発明に適用される磁性金属薄膜の形成法は真
空槽内で膜を形成する方法あるいはメツキ法によ
ればよく、金属薄膜の形成速度の速いこと、製造
工程が簡単であること、あるいは排液処理等の必
要のないこと等の利点を有する真空槽内で膜を形
成する方法が好ましい。真空槽内で膜を形成する
方法とは希薄な気体あるいは真空空間中において
析出させようという物質またはその化合物を蒸気
あるいはイオン化した蒸気として基体となる支持
体上に析出させる方法で真空蒸着法、スパツタリ
ング法、イオンプレーテイング法、化学気相メツ
キ法等がこれに相当する。 さらに本発明において磁気記録層となるべき強
磁性金属層としては鉄、コバルト、ニツケルその
他の強磁性金属あるいはFe−Co、Fe−Ni、Co
−Ni、Fe−Si、Fe−Rh、Co−Ｐ、Co−Ｂ、Co
−Si、Co−Ｖ、Co−Ｙ、Co−La、Co−Ce、Co
−Pr、Co−Sm、Co−Pt、Co−Mn、Fe−Co−
Ni、Co−Ni−Ｐ、Co−Ni−Ｂ、Co−Ni−Ag、
Co−Ni−Na、Co−Ni−Ce、Co−Ni−Zn、Co
−Ni−Cu、Co−Ni−Ｗ、Co−Ni−Re、Co−
Sm−Cu等の強磁性合金を真空槽内で膜を形成す
る方法あるいはメツキ法によつて薄膜状に形成せ
しめたもので、その膜厚は磁気記録媒体として使
用する場合0.05μｍ〜2μｍの範囲であり特に0.1μ
ｍ〜0.4μｍが好ましい。 〔実施例〕 以下に本発明を実施例によりさらに具体的に説
明する。 実施例 １ 14.5μ厚のポリエチレンテレフタレート支持体
上に、ボールミルで10時間混練分散した下記組成
の塗液を0.5μ厚で塗設し、加速電圧160kV、ビー
ム電流5mAで吸収線量5Mradの電子線照射を行
なつた。上記により形成された非磁性層の表面粗
さは0.004〔μ〕である。 Γ塗液：下記の組成の溶液をボールミルで５時
間、混練した。 ジエチレングリコールジアクリレート 250部 ４フツ化エチレン樹脂粉末（粒子径約2000Å）
10部 トルエン 100部 アセトン 100部 上記溶液塗設側に、コバルトニツケル（Ni；
20wt％）を連続蒸着機により蒸着（いわゆる斜
蒸着）し強磁性薄膜（膜厚2000Å）を形成せし
め、1/2インチ巾にスリツトしてビデオ用の磁気
テープサンプルNo.１を得た。 比較例 １ 実施例１において、塗液をジエチレングリコー
ルジアクリレートのみにし、他は実施例１と同様
に磁気テープサンプルNo.２を得た。 比較例 ２ 実施例１において塗液の成分の４フツ化エチレ
ン樹脂10部のかわりに炭化カルシウム（粒子径
8000Å）10部を加え、他は実施例１と同様にして
サンプルNo.３をえた。 比較例 ３ 実施例１に使つたベースフイルムを、そのま
ま、重合層を設けずに使い、他は実施例１と同じ
ように蒸着層を設けてサンプルNo.４を得た。 以上のサンプルについてビデオ感度、Ｃ／Ｎ、
および走行耐久性について調べた。（使用VTR：
松下電産製造、商品名「NV−8800」） ビデオ感度：4MHzにおける再生出力を比較例
１を基準に（±0dB）測定した。 Ｃ／Ｎ：3MHz及び3.5MHzの搬送波（キヤリア
ー）を記録し、再生したときのキヤリアー
とノイズの比を比較例１を基準に（±
0dB）測定した。 走行耐久性：100回走行の後に、出力低下を測定
した。 結果を表に示す。 〔発明の効果〕 表より明らかなごとく、非磁性支持体表面に放
射線照射重合膜を設け、その膜内に微粒子を含有
させ、該重合膜の表面粗さを0.001〜0.01μｍの範
囲内に調製し、該重合膜の上に強磁性層の設けら
れた磁気記録媒体は、著しいビデオＳ／Ｎ向上と
耐久性改善がなされていることがわかる。 【表】
は高密度記録に適した磁気記録媒体に関する。 〔従来技術〕 近年、開発が進められてきている高密度記録用
磁気記録媒体においては磁気ヘツドと磁気テープ
との間のいわゆる間隙損失を軽減させるため、磁
性層の表面性をより高度なものとすることが要求
される。この目的のためには、磁性層の製造技
術、すなわち磁性粒子の分散、塗布、表面成形技
術などの改良により磁性層の表面性を向上させる
ことが必要であると同時に、支持体の表面性を向
上させることもまた必要となる。とくに、記録密
度が高くなるにともない記録波長が小となること
により、厚み損失を逃がれるために磁性層を薄く
する試みがなされてきている。それにより、支持
体の表面性が磁性層の表面性に与える影響はます
ます大となつてきている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら磁気記録媒体に使用される支持体
の表面性を向上させることは下記の理由から限界
がある。つまり、製膜して巻き取る工程におい
て、フイルムの表面性が良いと搬送ローラーに対
する摩擦抵抗が大となり、しばしば蛇行を起こし
たり、シワが生じたりする。またフイルム間の摩
擦抵抗が増大し巻き取りロールの形状にユガミが
生じたりもする。 前記の背反する問題点の解決のために、これま
でに種々の試みがなされてきている。たとえば特
開昭53−109605には、支持体上に熱可塑性樹脂の
微粒子を突出させ、その后溶剤にて溶解除去しそ
の表面に磁性層を形成する方法が記載されてい
る。 また、特公昭46−14555には、支持体上にポリ
アミド、ポリエステル等のポリマー溶液を塗布、
乾燥させて、微小しわを形成し、その表面に磁性
層を形成する方法が記載されている。特公昭47−
6117には、支持体上に塗布するポリマーとしてコ
ポリエステル等を使つて、また特公昭50−38001
には、熱可塑性ポリエステル等を使つて、特公昭
46−14555と同じように表面に微小しわを形成し、
その表面に磁性層を形成する方法が記載されてい
る。 しかし、上述の４つの方法のいずれも、高密度
記録用磁気記録媒体としての満足すべき特性を安
定的に賦与しうるにはいたつていない。 本発明の目的は、高密度磁気記録用非磁性支持
体表面に、要求された表面粗さを有する層を安定
的に形成することにより、該非磁性支持体の表面
粗さをコントロールするにある。上記において言
う表面粗さは、通常の触針型粗さ計で測定できる
範囲から、触針では測れない微小な構造の粗さま
でをさす。 〔問題点を解決するための手段〕 すなわち、本発明は、１） 非磁性支持体と磁
性層との中間に、放射線照射により重合可能な化
合物と微粒子とを含有する非磁性層を設け、該層
が放射線照射されており、かつ、該層の表面あら
さが0.001〜0.01μｍである。 なお、本発明における表面あらさとは、JIS−
B0601の５項で定義される中心線平均あらさをさ
し、カツトオフ値は0.25mmである。 以下、本発明について詳細に説明する。 本発明の中間層に使用される放射線照射により
重合可能な化合物は炭素−炭素不飽和結合を分子
中に１個以上有する化合物でありアクリル酸エス
テル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステ
ル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニ
ルエーテル類、ビニルエステル類、ビニル異節環
化合物、Ｎ−ビニル化合物、スチレン類、クロト
ン酸類、イタコン酸類、オレフイン類、オレフイ
ン類などが例としてあげられる。これらのうち好
ましいものとしてアクリロイル基またはメタクリ
ロイル基を２個以上含む下記の化合物があげられ
る。ジエチレングリコールジアクリレート、トリ
エチレングリコールジアクリレート、テトラエチ
レングリコールジアクリレート、トリメチロール
プロパントリアクリレート、ペンタエリスリトー
ルテトラアクリレート、などのアクリレート類、
ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエ
チレングリコールトリメタクリレート、テトラエ
チレングリコールジメタクリレート、トリメチロ
ールプロパントリメタクリレート、ペンタエリス
リトールテトラメタクリレート、などのメタクリ
レート類あるいはその他の２官能以上のポリオー
ルとアクリル酸メタクリル酸とのエステル類、な
ど。 また、これらの化合物は高分子量体のものであ
つてもよい。好ましくは高分子の主鎖末端あるい
は側鎖にアクリル酸またはメタクリル酸とのエス
テル結合を有する化合物であり、これらは A.Vranckem“Fatipec Congress”11 19（1972）
に引用されている。たとえば以下に示す化合物 であり、例示した化合物のポリエステル骨格がポ
リウレタン骨格、エポキシ樹脂の骨格、ポリエー
テル骨格、ポリカーボネート骨格であつてもある
いはこれらの混合された骨格でもよい。分子量は
1000〜20000が好ましいが、とくに限定されるも
のではない。 上記の放射線照射により重合可能な化合物は単
独に、また任意の割合で混合して使用することが
できる。 さらに塩ビ酢ビ系共重合体、繊維素系樹脂、ア
セタール系樹脂、塩ビ−塩化ビニリデン系樹脂、
ウレタン樹脂、アクリロニトリルブタジエン樹脂
等の熱可塑性樹脂を必要により前記放射線照射に
より重合可能な化合物と混合使用することができ
る。 本発明において使用される放射線は電子線およ
び紫外線である。紫外線を使用する場合には前記
の化合物に光重合開始剤を添加することが必要と
なる。 光重合開始剤としては芳香族ケトンが使用され
る。 芳香族ケトンは、特に限定されないが、紫外線
照射光源として通常使用される水銀灯の輝線スペ
クトルを生ずる254，313，365nmの波長において
吸光係数の比較的大なるものが好ましい。その代
表例としては、アセトフエノン、ベンゾフエノ
ン、ベンゾインエチルエーテル、ベンジルメチル
ケタール、ベンジルエチルケタール、ベンゾイン
イソブチルケトン、ヒドロキシジメチルフエニル
ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフエニル
ケトン、２−２ジエトキシアセトフエノン、
Michler′sケトンなどがあり、種々の芳香族ケト
ンが使用できる。 芳香族ケトンの混合比率は、化合物(a)100重量
部に対し0.5〜20重量部、好ましくは２〜15重量
部、さらに好ましくは３〜10重量部である。 本発明の中間層に混合される微粒子は、径にし
て100〜5000Åの大きさの球状もしくはフレーク
状のものである。該微粒子の該中間層表面上の露
出部は、高さ50〜2000Åで、露出個数は106〜109
個／mm2の範囲に設定される。上記の微粒子の径、
および露出粒子密度は、磁気記録媒体の用途に応
じて、より狭い範囲に調製される。微粒子の素材
としては、様々なものがあるが、大きく分けて、
有機微粒子と無機微粒子に分けられる。有機微粒
子としては、ベンゾグアナミンホルムアルデヒ
ド、ポリテトラフルオロエチレンのように有機マ
ツト材として市販されているものが使用できる。
無機粒子としては、無機粉体、もしくは研磨剤と
称されるもので、成分を上げると、α−アルミ
ナ、γ−アルミナ、炭化ケイ素、酸化チタン、酸
化マグネシウム、リン化鉄、炭化チタン、窒化チ
タン、α−およびβ−酸化ケイ素、アルミニウ
ム、修酸カルシウム、鉄、α−酸化第１鉄、亜
鉛、二酸化亜鉛、酸化第２ニツケル、ニツケル
銅、クロミア、水酸化マグネシウム、ジルコニ
ア、イツトリア、セリア、ジルコン、酸化アンチ
モンなどがある。 上記非磁性層の表面あらさは、0.001〜0.01μｍ
であり、好ましくは0.002〜0.007μｍである。 前記放射線照射により重合可能な化合および有
機あるいは無機微粒子を、また芳香族ケトンとの
混合物を支持体上に塗設する場合、種々の有機溶
媒が必要に応じ使用できる。この溶媒の添加量に
よつて微粒子の表面露出量を調節でき、したがつ
て表面あらさを調節できる。使用できる有機溶媒
としてはアセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
系；メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノール等のアルコール系；酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリコール
モノエチルエーテル等のエステル系；エーテル、
グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエ
チルエーテル、ジオキサン等のグリコールエーテ
ル系；ベンゼン、トルエン、キシレン等のタール
系（芳香族炭化水素）；メチレンクロライド、エ
チレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、
エチレンクロルヒドリン、ジクロルベンゼン等が
あげられる。 電子線加速器としてはバンデグラーフ型のスキ
ヤニング方式、ダブルスキヤニング方式あるいは
カーテンビーム方式が採用できるが、好ましいの
は比較的安価で大出力が得られるカーテンビーム
方式である。電子線特性としては、加速電圧が10
〜1000kV、好ましくは50〜300kVであり、吸収
線量として0.5〜20メガラツド、好ましくは１〜
10メガラツドである。加速電圧が10kV以下の場
合は、エネルギーの透過量が不足し1000kVを超
えると重合に使われるエネルギー効率が低下し経
済的でない。 吸収線量が0.5メガラツド以下では硬化反応が
不充分で磁性層強度が得られず、20メガラツド以
上になると、硬化に使用されるエネルギー効率が
低下したり、被照射体が発熱し、特にプラステイ
ツク支持体が変形するので好ましくない。 本発明に使用される支持体はポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレー
ト等のポリエステル類；ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフイン類；セルローストリア
セテート、セルロースダイアセテート、セルロー
スアセテートブチレート、セルロースアセテート
プロピオネート等のセルロース誘導体；ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂；
ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミ
ド等のプラスチツクの他に用途に応じてアルミニ
ウム、銅、スズ、亜鉛またはこれらを含む非磁性
合金、不銹銅などの非磁性金属類；紙、パライタ
またはポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン
−ブテン共重合体などの炭素数２〜10のα−ポリ
オレフイン類を塗布またはラミネートした紙など
である。 本発明に使用される非磁性支持体の表面あらさ
は、前記中間層の表面あらさと同等以上であるこ
とが好ましい。 支持体の裏面には走行性などの改良を目的とし
ていわゆるバツク層を設けることができる。この
場合、バツク層の表面あらさを0.010μｍ以上、好
ましくは0.015μｍ以上とすることにより本発明の
効果は同様に発揮される。 本発明の重合硬化層の上に設けられる磁性層は
強磁性粉末と結合剤とを主成分とするものであつ
ても、磁性金属薄膜であつてもよい。 本発明に適用される磁性金属薄膜の形成法は真
空槽内で膜を形成する方法あるいはメツキ法によ
ればよく、金属薄膜の形成速度の速いこと、製造
工程が簡単であること、あるいは排液処理等の必
要のないこと等の利点を有する真空槽内で膜を形
成する方法が好ましい。真空槽内で膜を形成する
方法とは希薄な気体あるいは真空空間中において
析出させようという物質またはその化合物を蒸気
あるいはイオン化した蒸気として基体となる支持
体上に析出させる方法で真空蒸着法、スパツタリ
ング法、イオンプレーテイング法、化学気相メツ
キ法等がこれに相当する。 さらに本発明において磁気記録層となるべき強
磁性金属層としては鉄、コバルト、ニツケルその
他の強磁性金属あるいはFe−Co、Fe−Ni、Co
−Ni、Fe−Si、Fe−Rh、Co−Ｐ、Co−Ｂ、Co
−Si、Co−Ｖ、Co−Ｙ、Co−La、Co−Ce、Co
−Pr、Co−Sm、Co−Pt、Co−Mn、Fe−Co−
Ni、Co−Ni−Ｐ、Co−Ni−Ｂ、Co−Ni−Ag、
Co−Ni−Na、Co−Ni−Ce、Co−Ni−Zn、Co
−Ni−Cu、Co−Ni−Ｗ、Co−Ni−Re、Co−
Sm−Cu等の強磁性合金を真空槽内で膜を形成す
る方法あるいはメツキ法によつて薄膜状に形成せ
しめたもので、その膜厚は磁気記録媒体として使
用する場合0.05μｍ〜2μｍの範囲であり特に0.1μ
ｍ〜0.4μｍが好ましい。 〔実施例〕 以下に本発明を実施例によりさらに具体的に説
明する。 実施例 １ 14.5μ厚のポリエチレンテレフタレート支持体
上に、ボールミルで10時間混練分散した下記組成
の塗液を0.5μ厚で塗設し、加速電圧160kV、ビー
ム電流5mAで吸収線量5Mradの電子線照射を行
なつた。上記により形成された非磁性層の表面粗
さは0.004〔μ〕である。 Γ塗液：下記の組成の溶液をボールミルで５時
間、混練した。 ジエチレングリコールジアクリレート 250部 ４フツ化エチレン樹脂粉末（粒子径約2000Å）
10部 トルエン 100部 アセトン 100部 上記溶液塗設側に、コバルトニツケル（Ni；
20wt％）を連続蒸着機により蒸着（いわゆる斜
蒸着）し強磁性薄膜（膜厚2000Å）を形成せし
め、1/2インチ巾にスリツトしてビデオ用の磁気
テープサンプルNo.１を得た。 比較例 １ 実施例１において、塗液をジエチレングリコー
ルジアクリレートのみにし、他は実施例１と同様
に磁気テープサンプルNo.２を得た。 比較例 ２ 実施例１において塗液の成分の４フツ化エチレ
ン樹脂10部のかわりに炭化カルシウム（粒子径
8000Å）10部を加え、他は実施例１と同様にして
サンプルNo.３をえた。 比較例 ３ 実施例１に使つたベースフイルムを、そのま
ま、重合層を設けずに使い、他は実施例１と同じ
ように蒸着層を設けてサンプルNo.４を得た。 以上のサンプルについてビデオ感度、Ｃ／Ｎ、
および走行耐久性について調べた。（使用VTR：
松下電産製造、商品名「NV−8800」） ビデオ感度：4MHzにおける再生出力を比較例
１を基準に（±0dB）測定した。 Ｃ／Ｎ：3MHz及び3.5MHzの搬送波（キヤリア
ー）を記録し、再生したときのキヤリアー
とノイズの比を比較例１を基準に（±
0dB）測定した。 走行耐久性：100回走行の後に、出力低下を測定
した。 結果を表に示す。 〔発明の効果〕 表より明らかなごとく、非磁性支持体表面に放
射線照射重合膜を設け、その膜内に微粒子を含有
させ、該重合膜の表面粗さを0.001〜0.01μｍの範
囲内に調製し、該重合膜の上に強磁性層の設けら
れた磁気記録媒体は、著しいビデオＳ／Ｎ向上と
耐久性改善がなされていることがわかる。 【表】
Claims (1)
- １ 非磁性支持体と磁性層との中間に、放射線に
より重合可能な化合物と微粒子とを含有する非磁
性層を設け、該層が放射線照射されており、か
つ、該層の表面あらさが0.001〜0.01μｍの範囲に
あることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10641984A JPS60251510A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 磁気記録媒体 |
| US06/737,968 US4619856A (en) | 1984-05-28 | 1985-05-28 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10641984A JPS60251510A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251510A JPS60251510A (ja) | 1985-12-12 |
| JPH0522968B2 true JPH0522968B2 (ja) | 1993-03-31 |
Family
ID=14433143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10641984A Granted JPS60251510A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251510A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284829A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH02265011A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5740747A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
| JPS57208628A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-21 | Sony Corp | Production of magnetic recording medium |
| JPS58111126A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録材料 |
| JPS5948825A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS59207027A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS6038723A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-28 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP10641984A patent/JPS60251510A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60251510A (ja) | 1985-12-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |