JPH0528903B2 - - Google Patents

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JPH0528903B2
JPH0528903B2 JP61185715A JP18571586A JPH0528903B2 JP H0528903 B2 JPH0528903 B2 JP H0528903B2 JP 61185715 A JP61185715 A JP 61185715A JP 18571586 A JP18571586 A JP 18571586A JP H0528903 B2 JPH0528903 B2 JP H0528903B2
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JP
Japan
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electrode pad
high frequency
chip
semiconductor device
present
Prior art date
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JP61185715A
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English (en)
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JPS6341041A (ja
Inventor
Takayuki Kato
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Priority to US07/081,709 priority patent/US4926234A/en
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Priority to US07/513,642 priority patent/US5010019A/en
Publication of JPH0528903B2 publication Critical patent/JPH0528903B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/27—Structural arrangements therefor
    • H10P74/273—Interconnections for measuring or testing, e.g. probe pads
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば数十ＭHz以上の高周波帯で
動作する半導体装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第３図ａは従来の高周波帯ICチツプの一例を
示す平面図、第３図ｂは第３図ａのa−b線に
おける断面図である。これらの図において、１は
ICチツプ、２ａは入力用電極パツド、２ｂは出
力用電極パツド、３は裏面接地金属、４は裏面に
至るバイアホールである。そして、第３図ｂに示
すように、ICチツプ１の入力用電極パツド２ａ
および出力用電極パツド２ｂは、マイクロストリ
ツプラインとなつている。
次に、このICチツプ１の高周波特性の測定方
法について説明する。
第４図は測定用の治具を用いてICチツプ１の
高周波特性の測定を行つている状態を示す平面図
である。この図において、５は測定用の治具、６
はチツプキヤリアである。
第４図に示すように、従来はICチツプ１を個
別に分割し、チツプキヤリア６等に組立後、測定
用の治具５を使用して高周波特性の測定を行つて
いた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来のICチツプでは、ICチツプ
１を個別に分割し、チツプキヤリア６等に組立
後、測定用の治具５を使用して高周波特性の測定
を行つているため、１個のICチツプの測定に数
時間の準備を必要とするという問題点があつた。
また、測定用の治具５に起因する寄生容量や共振
のため、測定精度が低いという問題点もあつた。
この発明は、かかる問題点を解決するためにな
されたもので、高周波特性を短時間に高い精度で
測定することが可能な半導体装置を得ることを目
的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、入力用電極パツ
ドおよび出力用電極パツドのそれぞれを一定の間
隔で挾むように、半導体基板上に高周波特性試験
を行つた後に切除される接地用電極パツドを形成
したものである。
〔作 用〕
この発明においては、高周波帯ウエハ・プロー
バのプロービングニードルを用いて高周波特性が
測定される。
〔実施例〕
第１図ａはこの発明の半導体装置の一実施例を
示す平面図、第１図ｂは第１図ａのa−b線に
おける断面図である。これらの図において、第３
図ａ，ｂと同一符号は同一部分を示し、２ｃは接
地用電極パツドで、入力用電極パツド２ａ、出力
用電極パツド２ｂのそれぞれを挾んで両側に形成
され、バイアホール４を介して裏面接地金属３に
接続されている。
また、第２図ａは高周波帯のウエハ・プローバ
のプロービングニードル先端部の斜視図である。
このプロービングニードル先端部はセラミツク
製のボデイ７の裏面に、接地線路８ａ，８ｃ、信
号線路８ｂを持つコプレナライン構造となつてい
る。
すなわち、この発明の半導体装置は、入力用電
極パツド２ａ、出力用電極パツド２ｂの両側にそ
れぞれ接地用電極パツド２ｃが構成されているた
め、プロービングニードル先端部との整合性が高
い。
したがつて、第２図ｂに示すように、プロービ
ングニードル先端部をICチツプ１の入力部およ
び出力部に密着させて高周波帯ウエハ・プロービ
ングが可能である。この結果、ICチツプ１を分
割しキヤリアに組み立てる等の手間を必要としな
いため、測定に要する時間を従来の約1/100にで
きる。また、測定用の治具５に起因する寄生容量
や共振が発生しないため、従来の約10倍の精度で
高周波特性を測定できる。
また、実際にこの発明の半導体装置を使用する
際には、第２図ｃに示すように切断し、従来の
ICチツプと同様な使用が可能である。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、入力用電極パ
ツドおよび出力用電極パツドのそれぞれを一定の
間隔で挾むように、半導体基板上に高周波特性試
験を行つた後に切除される接地用電極パツドを形
成したので、高周波帯ウエハ・プローバの使用が
可能となり、高周波特性を短時間に高い精度で測
定することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の半導体装置の一実施例を示
す図、第２図はこの発明における高周波特性試験
を説明するための図、第３図は従来のICチツプ
を示す図、第４図は従来の高周波特性試験を説明
するための図である。 図において、１はICチツプ、２ａは入力用電
極パツド、２ｂは出力用電極パツド、２ｃは接地
用電極パツド、３は裏面接地金属、４はバイアホ
ール、５は測定用の治具、６はチツプキヤリア、
７はボデイ、８ａ，８ｃは接地線路、８ｂは信号
線路である。なお、各図中の同一符号または相当
部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体基板の一主面上に入力用電極パツドと
    出力用電極パツドを有する半導体装置において、
    前記入力用電極パツドおよび出力用電極パツドの
    それぞれを一定の間隔で挾むように、前記半導体
    基板上に高周波特性試験を行つた後に切除される
    接地用電極パツドを形成したことを特徴とする半
    導体装置。
JP61185715A 1986-08-06 1986-08-06 半導体装置 Granted JPS6341041A (ja)

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JP61185715A JPS6341041A (ja) 1986-08-06 1986-08-06 半導体装置
US07/081,709 US4926234A (en) 1986-08-06 1987-08-03 Semiconductor device operating in high frequency range
DE8787306951T DE3772490D1 (de) 1986-08-06 1987-08-05 Halbleiteranordnung sowie verfahren zum herstellen und testen derselben.
EP87306951A EP0257870B1 (en) 1986-08-06 1987-08-05 A semiconductor device, making and testing thereof
US07/426,926 US5051810A (en) 1986-08-06 1989-10-26 Semiconductor device operating in high frequency range
US07/513,642 US5010019A (en) 1986-08-06 1990-04-24 Method of making a semiconductor device operating in high frequency range

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JPS6341041A JPS6341041A (ja) 1988-02-22
JPH0528903B2 true JPH0528903B2 (ja) 1993-04-27

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US (3) US4926234A (ja)
EP (1) EP0257870B1 (ja)
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6341041A (ja) * 1986-08-06 1988-02-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5008727A (en) * 1988-01-22 1991-04-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Standard cell having test pad for probing and semiconductor integrated circuit device containing the standard cells
US5315130A (en) * 1990-03-30 1994-05-24 Tactical Fabs, Inc. Very high density wafer scale device architecture
US5252507A (en) * 1990-03-30 1993-10-12 Tactical Fabs, Inc. Very high density wafer scale device architecture
JPH0434950A (ja) * 1990-05-30 1992-02-05 Nec Corp 半導体集積回路装置
JPH04256909A (ja) * 1991-02-12 1992-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd ビデオカメラ用ズームレンズのフォーカス機構
JP3124085B2 (ja) * 1991-12-02 2001-01-15 沖電気工業株式会社 半導体装置
US5268636A (en) * 1992-03-10 1993-12-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce MMIC package and interconnect test fixture
US5286656A (en) * 1992-11-02 1994-02-15 National Semiconductor Corporation Individualized prepackage AC performance testing of IC dies on a wafer using DC parametric test patterns
US5457399A (en) * 1992-12-14 1995-10-10 Hughes Aircraft Company Microwave monolithic integrated circuit fabrication, test method and test probes
JPH07221223A (ja) * 1994-02-03 1995-08-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置，及び混成集積回路装置
US5650666A (en) * 1995-11-22 1997-07-22 Cypress Semiconductor Corp. Method and apparatus for preventing cracks in semiconductor die
FR2790096B1 (fr) * 1999-02-18 2001-04-13 St Microelectronics Sa Structure etalon elementaire a faibles pertes pour l'etalonnage d'une sonde de circuit integre
JP4536942B2 (ja) 2001-02-09 2010-09-01 三菱電機株式会社 高周波用集積回路及びこれを用いた高周波回路装置
JP4804643B2 (ja) * 2001-05-08 2011-11-02 三菱電機株式会社 高周波回路装置とその製造方法
JP2005331298A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Mitsubishi Electric Corp 高周波回路の特性測定方法及び校正用パターンならびに校正用治具
JP4612431B2 (ja) * 2005-02-24 2011-01-12 三菱電機株式会社 高周波半導体装置
KR100819561B1 (ko) * 2007-01-12 2008-04-08 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이 장치의 신호 종단 방법
JP6544160B2 (ja) * 2015-09-09 2019-07-17 三菱電機株式会社 半導体装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3679941A (en) * 1969-09-22 1972-07-25 Gen Electric Composite integrated circuits including semiconductor chips mounted on a common substrate with connections made through a dielectric encapsulator
US3691628A (en) * 1969-10-31 1972-09-19 Gen Electric Method of fabricating composite integrated circuits
JPS5268376A (en) * 1975-12-05 1977-06-07 Nec Corp Semiconductor device
JPS5698875A (en) * 1980-01-07 1981-08-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Field effect transistor device
US4566184A (en) * 1981-08-24 1986-01-28 Rockwell International Corporation Process for making a probe for high speed integrated circuits
JPS58157151A (ja) * 1982-03-15 1983-09-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
EP0128986B1 (en) * 1982-12-23 1991-02-27 Sumitomo Electric Industries Limited Monolithic microwave integrated circuit and method for selecting it
FR2565030B1 (fr) * 1984-05-25 1986-08-22 Thomson Csf Structure de metallisations de reprise de contacts d'un dispositif semi-conducteur et dispositif dote d'une telle structure
JP2568495B2 (ja) * 1985-10-21 1997-01-08 三菱電機株式会社 半導体装置
JPS6341041A (ja) * 1986-08-06 1988-02-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

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Publication number Publication date
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EP0257870A2 (en) 1988-03-02
US4926234A (en) 1990-05-15
JPS6341041A (ja) 1988-02-22
EP0257870A3 (en) 1988-11-30
DE3772490D1 (de) 1991-10-02
US5051810A (en) 1991-09-24
US5010019A (en) 1991-04-23

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