JPH05289332A - レジストパターン形成用材料 - Google Patents
レジストパターン形成用材料Info
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- JPH05289332A JPH05289332A JP4119568A JP11956892A JPH05289332A JP H05289332 A JPH05289332 A JP H05289332A JP 4119568 A JP4119568 A JP 4119568A JP 11956892 A JP11956892 A JP 11956892A JP H05289332 A JPH05289332 A JP H05289332A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 アルカリ可溶性ノボラック型樹脂と、キノン
ジアジド基含有化合物と、２個以上のベンゼン環を基本
骨格中に含み、かつフエノール性水酸基５個以上を有す
る化合物とを含有するポジ型ホトレジスト層を、金属基
板上に積層したレジストパターン形成材料である。 【効果】 金属基板との密着性に優れたレジストパター
ンを形成しうる。
ジアジド基含有化合物と、２個以上のベンゼン環を基本
骨格中に含み、かつフエノール性水酸基５個以上を有す
る化合物とを含有するポジ型ホトレジスト層を、金属基
板上に積層したレジストパターン形成材料である。 【効果】 金属基板との密着性に優れたレジストパター
ンを形成しうる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なレジストパターン
形成用材料、さらに詳しくは、金属基板との密着性に優
れたレジストパターンを形成しうるレジストパターン形
成用材料に関するものである。
形成用材料、さらに詳しくは、金属基板との密着性に優
れたレジストパターンを形成しうるレジストパターン形
成用材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイ
スや液晶表示素子の製造プロセスにおいては、ホトエッ
チング法による微細加工としてＡｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ
などの金属基板上にホトレジスト組成物の薄膜を形成
し、その上にマスクパターンを介し紫外線などの活性光
線を照射後、現像して得られたレジストパターンを保護
膜として該金属基板をエッチングするという方法がとら
れている。そして、この方法において用いられるホトレ
ジスト組成物としては、被膜形成用のアルカリ可溶性ノ
ボラック型樹脂に、キノンジアジド基含有化合物、特に
キノンジアジド基含有ベンゾフェノン系化合物から成る
感光成分を組み合わせたポジ型ホトレジスト組成物が好
適であることが知られている（例えば、米国特許第４３
７７６３１号明細書、特開昭６２−３５３４９号公報、
特開平１−１４２５４８号公報、特開平１−１７９１４
７号公報）。
スや液晶表示素子の製造プロセスにおいては、ホトエッ
チング法による微細加工としてＡｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ
などの金属基板上にホトレジスト組成物の薄膜を形成
し、その上にマスクパターンを介し紫外線などの活性光
線を照射後、現像して得られたレジストパターンを保護
膜として該金属基板をエッチングするという方法がとら
れている。そして、この方法において用いられるホトレ
ジスト組成物としては、被膜形成用のアルカリ可溶性ノ
ボラック型樹脂に、キノンジアジド基含有化合物、特に
キノンジアジド基含有ベンゾフェノン系化合物から成る
感光成分を組み合わせたポジ型ホトレジスト組成物が好
適であることが知られている（例えば、米国特許第４３
７７６３１号明細書、特開昭６２−３５３４９号公報、
特開平１−１４２５４８号公報、特開平１−１７９１４
７号公報）。
【０００３】ところで、半導体デバイスや液晶表示素子
の製造におけるホトエッチング法では、金属基板を精度
よくエッチングするためにレジストパターンと金属基板
との密着性が重要となるが、これまで金属基板に対して
十分な密着性を示すものはまだ知られていない。
の製造におけるホトエッチング法では、金属基板を精度
よくエッチングするためにレジストパターンと金属基板
との密着性が重要となるが、これまで金属基板に対して
十分な密着性を示すものはまだ知られていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のポジ
型ホトレジスト組成物が有する欠点を克服し、金属基板
との密着性に優れたレジストパターンを形成しうるレジ
ストパターン形成用材料を提供することを目的としてな
されたものである。
型ホトレジスト組成物が有する欠点を克服し、金属基板
との密着性に優れたレジストパターンを形成しうるレジ
ストパターン形成用材料を提供することを目的としてな
されたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、金属に対
し十分な密着性を示すポジ型ホトレジスト組成物につい
て鋭意研究を重ねた結果、アルカリ可溶性ノボラック型
樹脂とキノンジアジド基含有化合物と特定のフェノール
性化合物とを含むホトレジスト組成物を用いることによ
り、その目的を達成しうることを見出し、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った。
し十分な密着性を示すポジ型ホトレジスト組成物につい
て鋭意研究を重ねた結果、アルカリ可溶性ノボラック型
樹脂とキノンジアジド基含有化合物と特定のフェノール
性化合物とを含むホトレジスト組成物を用いることによ
り、その目的を達成しうることを見出し、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明は、（Ａ）アルカリ可溶
性ノボラック型樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化
合物と、（Ｃ）２個以上のベンゼン環を基本骨格中に含
み、かつフェノール性水酸基５個以上を有する化合物と
を含有するポジ型ホトレジスト層を、金属基板上に積層
したことを特徴とするレジストパターン形成用材料を提
供するものである。
性ノボラック型樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化
合物と、（Ｃ）２個以上のベンゼン環を基本骨格中に含
み、かつフェノール性水酸基５個以上を有する化合物と
を含有するポジ型ホトレジスト層を、金属基板上に積層
したことを特徴とするレジストパターン形成用材料を提
供するものである。
【０００７】本発明材料において、金属基板上に積層さ
れるポジ型ホトレジスト層は、感光性成分として、キノ
ンジアジド基含有化合物を含有する。このキノンジアジ
ド基含有化合物としては、例えば２，３，４‐トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′‐テトラヒド
ロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェ
ノンとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホン
酸又はナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐４‐スルホン
酸との完全エステル化物や部分エステル化物などを好ま
しく挙げることができる。
れるポジ型ホトレジスト層は、感光性成分として、キノ
ンジアジド基含有化合物を含有する。このキノンジアジ
ド基含有化合物としては、例えば２，３，４‐トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′‐テトラヒド
ロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェ
ノンとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホン
酸又はナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐４‐スルホン
酸との完全エステル化物や部分エステル化物などを好ま
しく挙げることができる。
【０００８】また、他のキノンジアジド基含有化合物、
例えばオルトベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノ
ンジアジド、オルトアントラキノンジアジド又はオルト
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類などのこれ
らの核置換誘導体、さらにはオルトキノンジアジドスル
ホニルクロリドと水酸基又はアミノ基をもつ化合物、例
えばフェノール、ｐ‐メトキシフェノール、ジメチルフ
ェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ナフトー
ル、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノ
メチルエーテル、ピロガロール‐１，３‐ジメチルエー
テル、没食子酸、水酸基を一部残してエステル化又はエ
ーテル化された没食子酸、アニリン、ｐ‐アミノジフェ
ニルアミンなどとの反応生成物なども用いることができ
る。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組
み合わせて用いてもよい。
例えばオルトベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノ
ンジアジド、オルトアントラキノンジアジド又はオルト
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類などのこれ
らの核置換誘導体、さらにはオルトキノンジアジドスル
ホニルクロリドと水酸基又はアミノ基をもつ化合物、例
えばフェノール、ｐ‐メトキシフェノール、ジメチルフ
ェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ナフトー
ル、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノ
メチルエーテル、ピロガロール‐１，３‐ジメチルエー
テル、没食子酸、水酸基を一部残してエステル化又はエ
ーテル化された没食子酸、アニリン、ｐ‐アミノジフェ
ニルアミンなどとの反応生成物なども用いることができ
る。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組
み合わせて用いてもよい。
【０００９】キノンジアジド基含有化合物は、例えば前
記ポリヒドロキシベンゾフェノンを、ナフトキノン‐
１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロリド又はナフト
キノン‐１，２‐ジアジド‐４‐スルホニルクロリドと
をジオキサンなどの適当な溶媒中において、トリエタノ
ールアミン、炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリなどのア
ルカリの存在下に縮合させ、完全エステル化又は部分エ
ステル化することにより製造することができる。
記ポリヒドロキシベンゾフェノンを、ナフトキノン‐
１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロリド又はナフト
キノン‐１，２‐ジアジド‐４‐スルホニルクロリドと
をジオキサンなどの適当な溶媒中において、トリエタノ
ールアミン、炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリなどのア
ルカリの存在下に縮合させ、完全エステル化又は部分エ
ステル化することにより製造することができる。
【００１０】前記ホトレジスト層において用いられる前
記（Ｃ）成分の化合物としては、例えば一般式
記（Ｃ）成分の化合物としては、例えば一般式
【化１】 （式中のＲ１ないしＲ１0はそれぞれ水素原子、炭素数
１〜４のアルキル基、アルケニル基、ハロゲン原子、水
酸基、アルコキシ基又はカルボキシル基であり、それら
はたがいに同一でも、異なっていてもよいが、Ｒ１ない
しＲ１0においては少なくとも５個の水酸基を有し、Ｘ
は−ＣＯＯ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ
Ｏ2−、−Ｏ−、−ＣＲ11Ｒ12−（ここでＲ11及びＲ12
は同一又は異なるアルキル基である）である）で表わさ
れる芳香族化合物、式
１〜４のアルキル基、アルケニル基、ハロゲン原子、水
酸基、アルコキシ基又はカルボキシル基であり、それら
はたがいに同一でも、異なっていてもよいが、Ｒ１ない
しＲ１0においては少なくとも５個の水酸基を有し、Ｘ
は−ＣＯＯ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ
Ｏ2−、−Ｏ−、−ＣＲ11Ｒ12−（ここでＲ11及びＲ12
は同一又は異なるアルキル基である）である）で表わさ
れる芳香族化合物、式
【化２】 の化合物、式
【化３】 の化合物などが挙げられる。
【００１１】上記一般式（I）の芳香族化合物として
は、例えば２，２′，３，４，４′‐ペンタヒドロキシ
ベンゾフエノン（以下、ペンタヒドロキシベンゾフエノ
ンをＰＨＢＰと略称する）、２′，３，４，５，６′‐
ＰＨＢＰ、２′，３，４，４′，５‐ＰＨＢＰ、２′，
３，３′，４，５‐ＰＨＢＰ、３，３′，４，４′，５
‐ＰＨＢＰ、２′，３，４，５，５′‐ＰＨＢＰ、
２′，３，４，４′，５′‐ＰＨＢＰ、２′，３，４，
４′，５′‐ペンタヒドロキシ‐３′‐メチルベンゾフ
エノン（以下、ペンタヒドロキシをＰＨ、メチルベンゾ
フエノンをＭＢＰと略称する）、２′，３，４，５，
６′‐ＰＨ‐４′‐ＭＢＰ、２′，３，４，４′，５‐
ＰＨ‐６′‐ＭＢＰ、２′，３，３′，４，５‐ＰＨ‐
６′‐ＭＢＰ、２′，３，３′，４，５‐ＰＨ‐５′‐
ＭＢＰ、３，３′，４，４′，５‐ＰＨ‐６′‐ＭＢ
Ｐ、２′，３，３′，４，５，６′‐ヘキサヒドロキシ
ベンゾフエノン（以下、ヘキサヒドロキシベンゾフエノ
ンをＨＨＢＰと略称する）、２′，３，４，４′，５，
５′‐ＨＨＢＰ、２′，３，４，４′，５，６′‐ＨＨ
ＢＰ、２′，３，３′，４，４′，５‐ＨＨＢＰ、２，
２′，３，４，４′‐ＰＨ‐ジフエニルプロパン（以下
ジフエニルプロパンをＤＰと略称する）、２，２′３，
４，４′，５′‐ヘキサヒドロキシＤＰ、２，２′，
３，３′，４，４′‐ヘキサヒドロキシＤＰ、２，２′
３，４，４′‐ＰＨジフエニルスルフイド、２，２′
３，４，４′，５′‐ヘキサヒドロキシジフエニルスル
フイドなどを挙げることができる。これらは単独で用い
てもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
は、例えば２，２′，３，４，４′‐ペンタヒドロキシ
ベンゾフエノン（以下、ペンタヒドロキシベンゾフエノ
ンをＰＨＢＰと略称する）、２′，３，４，５，６′‐
ＰＨＢＰ、２′，３，４，４′，５‐ＰＨＢＰ、２′，
３，３′，４，５‐ＰＨＢＰ、３，３′，４，４′，５
‐ＰＨＢＰ、２′，３，４，５，５′‐ＰＨＢＰ、
２′，３，４，４′，５′‐ＰＨＢＰ、２′，３，４，
４′，５′‐ペンタヒドロキシ‐３′‐メチルベンゾフ
エノン（以下、ペンタヒドロキシをＰＨ、メチルベンゾ
フエノンをＭＢＰと略称する）、２′，３，４，５，
６′‐ＰＨ‐４′‐ＭＢＰ、２′，３，４，４′，５‐
ＰＨ‐６′‐ＭＢＰ、２′，３，３′，４，５‐ＰＨ‐
６′‐ＭＢＰ、２′，３，３′，４，５‐ＰＨ‐５′‐
ＭＢＰ、３，３′，４，４′，５‐ＰＨ‐６′‐ＭＢ
Ｐ、２′，３，３′，４，５，６′‐ヘキサヒドロキシ
ベンゾフエノン（以下、ヘキサヒドロキシベンゾフエノ
ンをＨＨＢＰと略称する）、２′，３，４，４′，５，
５′‐ＨＨＢＰ、２′，３，４，４′，５，６′‐ＨＨ
ＢＰ、２′，３，３′，４，４′，５‐ＨＨＢＰ、２，
２′，３，４，４′‐ＰＨ‐ジフエニルプロパン（以下
ジフエニルプロパンをＤＰと略称する）、２，２′３，
４，４′，５′‐ヘキサヒドロキシＤＰ、２，２′，
３，３′，４，４′‐ヘキサヒドロキシＤＰ、２，２′
３，４，４′‐ＰＨジフエニルスルフイド、２，２′
３，４，４′，５′‐ヘキサヒドロキシジフエニルスル
フイドなどを挙げることができる。これらは単独で用い
てもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１２】この（Ｃ）成分の化合物は、ホトレジスト
層と金属基板との密着性を増強させる作用を有する。
層と金属基板との密着性を増強させる作用を有する。
【００１３】前記ホトレジスト層においては、被膜形成
用物質として、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂が用い
られる。このアルカリ可溶性ノボラック型樹脂について
は特に制限はなく、従来ポジ型パターン形成用材料にお
いて、被膜形成用物質として慣用されているアルカリ可
溶性ノボラック型樹脂、例えばフェノール、クレゾール
やキシレノールなどの芳香族ヒドロキシ化合物とホルム
アルデヒドなどのアルデヒド類とを酸性触媒の存在下に
縮合させたものを用いることができる。
用物質として、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂が用い
られる。このアルカリ可溶性ノボラック型樹脂について
は特に制限はなく、従来ポジ型パターン形成用材料にお
いて、被膜形成用物質として慣用されているアルカリ可
溶性ノボラック型樹脂、例えばフェノール、クレゾール
やキシレノールなどの芳香族ヒドロキシ化合物とホルム
アルデヒドなどのアルデヒド類とを酸性触媒の存在下に
縮合させたものを用いることができる。
【００１４】本発明においては、このアルカリ可溶性ノ
ボラック型樹脂は、前記キノンジアジド基含有化合物か
ら成る感光性成分１０重量部当り、通常５〜２００重量
部、好ましくは１０〜６０重量部の範囲で用いられる。
このアルカリ可溶性ノボラック型樹脂が多すぎると画像
の忠実性に劣り、転写性が低下するし、少なすぎるとレ
ジスト膜の均質性が悪くなり、解像力も低下する傾向が
みられる。
ボラック型樹脂は、前記キノンジアジド基含有化合物か
ら成る感光性成分１０重量部当り、通常５〜２００重量
部、好ましくは１０〜６０重量部の範囲で用いられる。
このアルカリ可溶性ノボラック型樹脂が多すぎると画像
の忠実性に劣り、転写性が低下するし、少なすぎるとレ
ジスト膜の均質性が悪くなり、解像力も低下する傾向が
みられる。
【００１５】また、前記（Ｃ）成分の化合物は、前記ア
ルカリ可溶性ノボラック型樹脂とキノンジアジド基含有
化合物との合計量１００重量部当り、通常０．５〜５０
重量部、好ましくは１．０〜４０重量部の割合で用いら
れる。この量が０．５重量部未満では密着性増強効果が
十分に発揮されないし、５０重量部を超えると量の割に
は密着性増強効果が得られず、感度も低下するため好ま
しくない。その最適使用量は感光性成分の種類に応じて
適宜選ばれる。
ルカリ可溶性ノボラック型樹脂とキノンジアジド基含有
化合物との合計量１００重量部当り、通常０．５〜５０
重量部、好ましくは１．０〜４０重量部の割合で用いら
れる。この量が０．５重量部未満では密着性増強効果が
十分に発揮されないし、５０重量部を超えると量の割に
は密着性増強効果が得られず、感度も低下するため好ま
しくない。その最適使用量は感光性成分の種類に応じて
適宜選ばれる。
【００１６】本発明材料において、ホトレジスト層に
は、さらに必要に応じて相容性のある添加物、例えばレ
ジスト膜の性能などを改良するための付加的樹脂、可塑
剤、安定剤あるいは現像した像をより一層可視的にする
ための着色料、またより増感効果を向上させるための増
感剤などの慣用されているものを添加含有させることが
できる。
は、さらに必要に応じて相容性のある添加物、例えばレ
ジスト膜の性能などを改良するための付加的樹脂、可塑
剤、安定剤あるいは現像した像をより一層可視的にする
ための着色料、またより増感効果を向上させるための増
感剤などの慣用されているものを添加含有させることが
できる。
【００１７】本発明材料を作成するには、前記のアルカ
リ可溶性ノボラック型樹脂とキノンジアジド基含有化合
物から成る感光性成分と前記（Ｃ）成分の化合物と所望
に応じて用いられる各種添加成分とを、適当な溶剤に溶
解した溶液を塗布液として用い、該塗布液を金属基板好
ましくはタンタルの薄膜をガラス支持板上に蒸着させた
ものの上にスピンナーなどで塗布し、乾燥してホトレジ
スト層を積層させるのが好ましい。
リ可溶性ノボラック型樹脂とキノンジアジド基含有化合
物から成る感光性成分と前記（Ｃ）成分の化合物と所望
に応じて用いられる各種添加成分とを、適当な溶剤に溶
解した溶液を塗布液として用い、該塗布液を金属基板好
ましくはタンタルの薄膜をガラス支持板上に蒸着させた
ものの上にスピンナーなどで塗布し、乾燥してホトレジ
スト層を積層させるのが好ましい。
【００１８】このような溶剤の例としては、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソア
ミルケトン、１，１，１‐トリメチルアセトンなどのケ
トン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノ
アセテート、ジエチレングリコール又はジエチレングリ
コールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチ
ルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテ
ル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及
びその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及
び乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、
ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３‐エトキシプ
ロピオン酸エチルなどのエステル類を挙げることができ
る。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合し
て用いてもよい。
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソア
ミルケトン、１，１，１‐トリメチルアセトンなどのケ
トン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノ
アセテート、ジエチレングリコール又はジエチレングリ
コールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチ
ルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテ
ル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及
びその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及
び乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、
ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３‐エトキシプ
ロピオン酸エチルなどのエステル類を挙げることができ
る。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合し
て用いてもよい。
【００１９】本発明材料の好適な使用方法について１例
を示すと、まず該材料を紫外線を発光する光源、例えば
低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キ
セノンランプなどを用い所要のマスクパターンを介して
露光するか、あるいは電子線を走査しながら照射する。
を示すと、まず該材料を紫外線を発光する光源、例えば
低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キ
セノンランプなどを用い所要のマスクパターンを介して
露光するか、あるいは電子線を走査しながら照射する。
【００２０】次に、これを現像液、例えば１〜１０重量
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のよう
な弱アルカリ性水溶液に浸せきすると、露光によって可
溶化した部分が選択的に溶解除去されて、マスクパター
ンに忠実な画像を得ることができる。次いで得られたレ
ジストパターンをマスクとして露出したタンタルを硝酸
にてエッチングしたのち、レジストパターンを剥離する
ことによりタンタルの回路パターンが形成される。
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のよう
な弱アルカリ性水溶液に浸せきすると、露光によって可
溶化した部分が選択的に溶解除去されて、マスクパター
ンに忠実な画像を得ることができる。次いで得られたレ
ジストパターンをマスクとして露出したタンタルを硝酸
にてエッチングしたのち、レジストパターンを剥離する
ことによりタンタルの回路パターンが形成される。
【００２１】
【発明の効果】本発明のレジストパターン形成用材料
は、金属基板との密着性に優れたレジストパターンを形
成することができる。
は、金属基板との密着性に優れたレジストパターンを形
成することができる。
【００２２】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００２３】なお、各例により得られたレジストパター
ン形成用材料の密着性は以下の方法により判定した。該
レジストパターン形成用材料を用いてタンタルからなる
金属基板上に形成させたレジストパターンについて、電
子顕微鏡の観察により、タンタル上に残存し、エッチン
グマスクとして良好な作用が確認された該レジストパタ
ーンの最小幅を求め、以下の基準で評価した。 ○：最小幅が２μｍ以下である、△：最小幅が２μｍを
超え１０μｍ以下である、×：最小幅が２０μｍ以上で
ある 残存するレジストパターンとしては１０μｍでも十分に
実用的であるため、○及び△を実施例とした。
ン形成用材料の密着性は以下の方法により判定した。該
レジストパターン形成用材料を用いてタンタルからなる
金属基板上に形成させたレジストパターンについて、電
子顕微鏡の観察により、タンタル上に残存し、エッチン
グマスクとして良好な作用が確認された該レジストパタ
ーンの最小幅を求め、以下の基準で評価した。 ○：最小幅が２μｍ以下である、△：最小幅が２μｍを
超え１０μｍ以下である、×：最小幅が２０μｍ以上で
ある 残存するレジストパターンとしては１０μｍでも十分に
実用的であるため、○及び△を実施例とした。
【００２４】実施例１ ｍ‐クレゾールとｐ‐クレゾールとを重量比６：４で混
合したものを用いて常法により製造したクレゾールノボ
ラック樹脂（重量平均分子量１２，０００）１００ｇと
２，３，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノンの
ナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホン酸エス
テル３０ｇと２，２′，３，４，４′‐ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン１０ｇとをエチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート４００ｇに溶解して調製したポ
ジ型ホトレジスト溶液を、タンタルをガラス支持板上に
蒸着させた金属基板上に膜厚が１．７５μｍになるよう
にスピンナー塗布したのち、ホットプレート上で１１０
℃で９０秒間ベークし、テストパターンマスクを介して
コンタクト露光装置ＰＬＡ‐５００Ｆ（キャノン社製）
を用いて露光を行った。次いで、２．５重量％テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液中に１００秒間浸
せきすることにより、露光部分を除去し、タンタル上に
レジストパターンを形成したのち、ホットプレート上で
１８０℃で５分間ベークし、露出したタンタルをレジス
トパターンをマスクとしてフッ酸・硝酸系エッチング液
であるＳＡ高純度バッファードフッ酸（橋本化成社製）
中に９分間浸せきすることによりタンタルをエッチング
した。次いで、レジストパターンとタンタルとの密着性
を評価するため、電子顕微鏡によりタンタル上に残存
し、エッチングマスクとして良好な作用を示したレジス
トパターンの最小幅を観察した結果、１μｍであり、微
細なレジストパターンにおいても良好な密着性を有して
いることが確認された。
合したものを用いて常法により製造したクレゾールノボ
ラック樹脂（重量平均分子量１２，０００）１００ｇと
２，３，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノンの
ナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホン酸エス
テル３０ｇと２，２′，３，４，４′‐ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン１０ｇとをエチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート４００ｇに溶解して調製したポ
ジ型ホトレジスト溶液を、タンタルをガラス支持板上に
蒸着させた金属基板上に膜厚が１．７５μｍになるよう
にスピンナー塗布したのち、ホットプレート上で１１０
℃で９０秒間ベークし、テストパターンマスクを介して
コンタクト露光装置ＰＬＡ‐５００Ｆ（キャノン社製）
を用いて露光を行った。次いで、２．５重量％テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液中に１００秒間浸
せきすることにより、露光部分を除去し、タンタル上に
レジストパターンを形成したのち、ホットプレート上で
１８０℃で５分間ベークし、露出したタンタルをレジス
トパターンをマスクとしてフッ酸・硝酸系エッチング液
であるＳＡ高純度バッファードフッ酸（橋本化成社製）
中に９分間浸せきすることによりタンタルをエッチング
した。次いで、レジストパターンとタンタルとの密着性
を評価するため、電子顕微鏡によりタンタル上に残存
し、エッチングマスクとして良好な作用を示したレジス
トパターンの最小幅を観察した結果、１μｍであり、微
細なレジストパターンにおいても良好な密着性を有して
いることが確認された。
【００２５】実施例２〜１５、比較例１〜６ 実施例１において用いた２，２′，３，４，４′‐ペン
タヒドロキシベンゾフェノン１０ｇを、表１に示した芳
香族化合物及びその添加量に代えたこと以外は実施例１
と同様の操作によりタンタルのエッチングを行い、実施
例１と同様に密着性を評価した。その結果を表１に示
す。
タヒドロキシベンゾフェノン１０ｇを、表１に示した芳
香族化合物及びその添加量に代えたこと以外は実施例１
と同様の操作によりタンタルのエッチングを行い、実施
例１と同様に密着性を評価した。その結果を表１に示
す。
【００２６】
【表１】
【００２７】比較例７ 実施例１において用いた２，２′，３，４，４′‐ペン
タヒドロキシベンゾフェノンを添加しないこと以外は実
施例１と同様の操作によりタンタルのエッチングを行
い、実施例１と同様に密着性を評価したところ、エッチ
ングマスクとして良好な作用が確認されたレジストパタ
ーンの最小幅は３０μｍであった。これより、本発明で
用いる芳香族化合物が特に微細パターンにおいて密着性
を向上させる効果に優れていることが確認された。
タヒドロキシベンゾフェノンを添加しないこと以外は実
施例１と同様の操作によりタンタルのエッチングを行
い、実施例１と同様に密着性を評価したところ、エッチ
ングマスクとして良好な作用が確認されたレジストパタ
ーンの最小幅は３０μｍであった。これより、本発明で
用いる芳香族化合物が特に微細パターンにおいて密着性
を向上させる効果に優れていることが確認された。
【００２８】実施例１６、１７ 実施例１において用いた２，２′，３，４，４′‐ペン
タヒドロキシベンゾフェノン１０ｇを、それぞれ式
タヒドロキシベンゾフェノン１０ｇを、それぞれ式
【化４】 で表わされる化合物１０ｇ及び式
【化５】 で表わされる化合物１０ｇに変えたこと以外は実施例１
と同様の操作によりタンタルのエッチングを行い、実施
例１と同様に密着性を評価したところ、エッチングマス
クとして良好な作用を示したレジストパターンの最小幅
はそれぞれ２μｍ及び１．５μｍであり、微細なレジス
トパターンにおいても良好な密着性を有していることが
確認された。
と同様の操作によりタンタルのエッチングを行い、実施
例１と同様に密着性を評価したところ、エッチングマス
クとして良好な作用を示したレジストパターンの最小幅
はそれぞれ２μｍ及び１．５μｍであり、微細なレジス
トパターンにおいても良好な密着性を有していることが
確認された。
フロントページの続き (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）アルカリ可溶性ノボラック型樹脂
と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物と、（Ｃ）２個
以上のベンゼン環を基本骨格中に含み、かつフェノール
性水酸基５個以上を有する化合物とを含有するポジ型ホ
トレジスト層を、金属基板上に積層したことを特徴とす
るレジストパターン形成用材料。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4119568A JP2935223B2 (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | レジストパターン形成用材料の製造方法及びタンタルのパターン形成方法 |
| US08/230,883 US5401617A (en) | 1992-04-14 | 1994-04-20 | Method for forming positive patterned resist layer on tantalum substrate utilizing quinone diazide composition with aromatic hydroxy additive |
| US08/344,342 US5552255A (en) | 1992-04-14 | 1994-11-22 | Article utilizing quinone diazide resist layer on tantalum substrate surface |
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|---|---|---|---|
| JP4119568A JP2935223B2 (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | レジストパターン形成用材料の製造方法及びタンタルのパターン形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2935223B2 JP2935223B2 (ja) | 1999-08-16 |
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ID=14764564
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| JP4119568A Expired - Fee Related JP2935223B2 (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | レジストパターン形成用材料の製造方法及びタンタルのパターン形成方法 |
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| PL2137140T3 (pl) * | 2007-03-23 | 2011-04-29 | Council Scient Ind Res | Nowe pochodne bisfenolowe kwasu diazonaftochinono-sulfonowego użyteczne w submikronowym odwzorowywaniu fotolitograficznym oraz proces ich otrzymywania |
| KR101737798B1 (ko) * | 2010-03-24 | 2017-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 |
| JP5871775B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-03-01 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
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| JPH01177032A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH01289946A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト用組成物 |
| JPH01289947A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH02247653A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH02248954A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感電離放射線性樹脂組成物 |
| JPH03279958A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH0411260A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-16 | Toray Ind Inc | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPH04122938A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH04214563A (ja) * | 1990-12-12 | 1992-08-05 | Mitsubishi Kasei Corp | フォトレジスト組成物 |
| JPH04296755A (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH04299348A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-22 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH0534915A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH0572728A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-03-26 | Toray Ind Inc | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH05224409A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
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|---|---|---|---|---|
| US4377631A (en) * | 1981-06-22 | 1983-03-22 | Philip A. Hunt Chemical Corporation | Positive novolak photoresist compositions |
| JPS60150047A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JPS61141441A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| US4626492A (en) * | 1985-06-04 | 1986-12-02 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Positive-working o-quinone diazide photoresist composition containing a dye and a trihydroxybenzophenone compound |
| JPH0650396B2 (ja) * | 1985-08-09 | 1994-06-29 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| DE3784549D1 (de) * | 1986-05-02 | 1993-04-15 | Hoechst Celanese Corp | Positiv-arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial. |
| DE3718416A1 (de) * | 1987-06-02 | 1988-12-15 | Hoechst Ag | Lichtempfindliches gemisch auf basis von 1,2-naphthochinondiaziden, daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial und dessen verwendung |
| GB2212933B (en) * | 1987-11-27 | 1991-10-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | A positive-working photoresist composition |
| DE3811040A1 (de) * | 1988-03-31 | 1989-10-19 | Ciba Geigy Ag | Im nahen uv hochaufloesende positiv-fotoresists |
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-
1992
- 1992-04-14 JP JP4119568A patent/JP2935223B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-20 US US08/230,883 patent/US5401617A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-22 US US08/344,342 patent/US5552255A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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