JPH03285872A - 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents
粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH03285872A JPH03285872A JP2085251A JP8525190A JPH03285872A JP H03285872 A JPH03285872 A JP H03285872A JP 2085251 A JP2085251 A JP 2085251A JP 8525190 A JP8525190 A JP 8525190A JP H03285872 A JPH03285872 A JP H03285872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grain boundary
- semiconductor porcelain
- composition
- present
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 and M^1 is N b Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009442 Y2O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005822 acrylic binder Polymers 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｕ産業上の利用分野コ
本発明は、磁器コンデンサ等に用いるための粒界絶縁型
半導体磁器組成物に関する。
半導体磁器組成物に関する。
［従来の技術］
従来、小型で容量の大きいコンデンサとして、粒界絶縁
型半導体磁器コンデンサが知られている。
型半導体磁器コンデンサが知られている。
粒界絶縁型半導体磁器コンデンサは、結晶粒界を絶縁化
することにより実効誘電率を大きくしたものである。
することにより実効誘電率を大きくしたものである。
粒界絶縁型半導体磁器コンデンサに用いられる磁器組成
物としては、主成分に、チタン酸ストロンチウムまたは
チタン酸バリウムを用い、原子価制御用助剤として、Ｎ
ｂ２Ｏ３、Ｙ２０ｓ 、［）ｙ２０３等を添加し、さら
に、焼結助剤として、ＭｎＯ２、Ｂｉ２０ｓ 、ＣｕＯ
１Ｓｉｎ２等が用いられる。
物としては、主成分に、チタン酸ストロンチウムまたは
チタン酸バリウムを用い、原子価制御用助剤として、Ｎ
ｂ２Ｏ３、Ｙ２０ｓ 、［）ｙ２０３等を添加し、さら
に、焼結助剤として、ＭｎＯ２、Ｂｉ２０ｓ 、ＣｕＯ
１Ｓｉｎ２等が用いられる。
例えば、特開昭５６−５４０２６には、（Ｓｒ１−８Ｂ
ａ−）ＴｉＯ３（ｘ＝０．３０〜０．５０）を主体とし
、その他にチタン酸塩、ジルコン酸塩を含んだ主成分に
対してＬａ、Ｙなどの希土類元素、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗなど
のような半導体化剤とＭｎを含有し、結晶粒界がＭｎ、
Ｂｉ、Ｃｕ、ＰｂＢおよびＳｉのうちの少なくとも１種
（ただし、Ｂ、Ｂｉのいづれが１種のみは除く）により
絶縁体化されてなる最大粒径が１００μｍ以上の粒界絶
縁型半導体磁器組成物である。
ａ−）ＴｉＯ３（ｘ＝０．３０〜０．５０）を主体とし
、その他にチタン酸塩、ジルコン酸塩を含んだ主成分に
対してＬａ、Ｙなどの希土類元素、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗなど
のような半導体化剤とＭｎを含有し、結晶粒界がＭｎ、
Ｂｉ、Ｃｕ、ＰｂＢおよびＳｉのうちの少なくとも１種
（ただし、Ｂ、Ｂｉのいづれが１種のみは除く）により
絶縁体化されてなる最大粒径が１００μｍ以上の粒界絶
縁型半導体磁器組成物である。
近年、磁器コンデンサの小型化の要求に伴い、粒界絶縁
型半導体磁器コンデンサにおいても、より小型化、薄形
化の要求が高まっている。
型半導体磁器コンデンサにおいても、より小型化、薄形
化の要求が高まっている。
［発明が解決しようとする課題］
従来の粒界絶縁型半導体磁器では、見掛は誘電率を大き
くする必要がら粒径を比較的大きくしていた。しかしな
がら、近年の要求に従い、磁器組成物の層を薄くした場
合には、厚み当りの結晶粒子の数が少なくなってしまう
。そのなめ、単位厚さ当りの絶縁破壊電圧が小さくなり
、その結果、誘電率と絶縁破壊電圧との積が小さくなっ
てしまっていた。その結果、粒界絶縁型半導体磁器コン
デンサの薄型化、小型化が困難であった。
くする必要がら粒径を比較的大きくしていた。しかしな
がら、近年の要求に従い、磁器組成物の層を薄くした場
合には、厚み当りの結晶粒子の数が少なくなってしまう
。そのなめ、単位厚さ当りの絶縁破壊電圧が小さくなり
、その結果、誘電率と絶縁破壊電圧との積が小さくなっ
てしまっていた。その結果、粒界絶縁型半導体磁器コン
デンサの薄型化、小型化が困難であった。
本発明は、最大粒径を４０〜８０μｍに制御可能であり
、かつ、厚み当りの誘電率と絶縁破壊電圧との積が大き
い粒界絶縁型半導体磁器組成物およびその製造方法を提
供することを目的とする。
、かつ、厚み当りの誘電率と絶縁破壊電圧との積が大き
い粒界絶縁型半導体磁器組成物およびその製造方法を提
供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上記目的を達成するために、以下の組成の粒
界絶縁型半導体磁器組成物を提供する。
界絶縁型半導体磁器組成物を提供する。
すなわち、一般式（ｓ ｒ ！−＊ Ｍ ’ ｘ Ｍ
” ＞（Ｔ １１−ｓ Ｍ２ｓ ）ｓ ０３ ＋ｍＭ
３＋ｎＭ’ （イ旦、Ｍｏは、Ｃａ、Ｂａ等のアルカ
リ土類金属元素のうちの少なくとも１種類、Ｍｌは、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗ、及び希土類元素のうち少なくとも１種類
、Ｍ２は、ＺｒまたはＳｎ、Ｍ’は、Ｍｎ、Ａｌ、及び
Ｓｉのうち少なくとも１種類、Ｍ４は、Ｐｂ、Ｂの一方
又は両方）で表され、Ｘ、ｙ、Ｚ、Ｊｌｌ、ｍ、ｎがそ
れぞれ、０．０００１≦Ｘ≦０．０５．０．００１≦ｙ
≦０．０３．０．０００５≦ｚ≦０．０５．０．９９０
≦ＩＩ ≦１．０１０．０．０００１≦ｍ≦０３０１．
０．００１≦ｎ≦０．０３の範囲にある半導体磁器の結
晶粒界が、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｂ、及びＳｉのうち少な
くとも１種を含む化合物により絶縁された粒界絶縁型半
導体磁器組成物である。
” ＞（Ｔ １１−ｓ Ｍ２ｓ ）ｓ ０３ ＋ｍＭ
３＋ｎＭ’ （イ旦、Ｍｏは、Ｃａ、Ｂａ等のアルカ
リ土類金属元素のうちの少なくとも１種類、Ｍｌは、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗ、及び希土類元素のうち少なくとも１種類
、Ｍ２は、ＺｒまたはＳｎ、Ｍ’は、Ｍｎ、Ａｌ、及び
Ｓｉのうち少なくとも１種類、Ｍ４は、Ｐｂ、Ｂの一方
又は両方）で表され、Ｘ、ｙ、Ｚ、Ｊｌｌ、ｍ、ｎがそ
れぞれ、０．０００１≦Ｘ≦０．０５．０．００１≦ｙ
≦０．０３．０．０００５≦ｚ≦０．０５．０．９９０
≦ＩＩ ≦１．０１０．０．０００１≦ｍ≦０３０１．
０．００１≦ｎ≦０．０３の範囲にある半導体磁器の結
晶粒界が、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｂ、及びＳｉのうち少な
くとも１種を含む化合物により絶縁された粒界絶縁型半
導体磁器組成物である。
また、一般式（Ｓ ｒｌ−Ｘ Ｍ’ ｇ Ｍ” ？ ）
（Ｔ １ｔ−ｓ Ｍ” Ｓ ） 、０３ ＋ ｍＭ
’ ＋ ｎ Ｍ’ （但、ＭＯは、Ｃａ、Ｂａ等のア
ルカリ土類金属元素のうちの少なくとも１種類、Ｍｌは
、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、及び希土類元素のうち少なくとも１
種類、Ｍ２は、ＺｒまなはＳｎ、Ｍ’は、Ｍｎ、Ａｌ、
及びＳｉのうち少なくとも１種類、Ｍ４は、Ｐｂ、Ｂの
一方又は両方）で表され、ｘ、ｙ、ｚ、Ｊ）、ｍ、ｎが
それぞれ、Ｏ，０ＯＯ１≦ｘ≦０．０５．０゜００１≦
ｙ≦０．０３．０．０００５≦ｚ≦００５．０．９９０
≦Ｊ ≦１．０１０．０．０００１≦ｍ≦０．０１．０
．００１≦ｎ≦０．０３の範囲になるように配合した後
、焼成することによって半導体磁器を得る工程と、前記
工程によって得られた半導体磁器の結晶粒界をＣｕ、Ｂ
ｉ、Ｐｂ、Ｂ、及びＳｉのうち少なくとも１種を含む化
合物を用いて絶縁化する工程とを有する粒界絶縁型半導
体磁器組成物の製造方法である。
（Ｔ １ｔ−ｓ Ｍ” Ｓ ） 、０３ ＋ ｍＭ
’ ＋ ｎ Ｍ’ （但、ＭＯは、Ｃａ、Ｂａ等のア
ルカリ土類金属元素のうちの少なくとも１種類、Ｍｌは
、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、及び希土類元素のうち少なくとも１
種類、Ｍ２は、ＺｒまなはＳｎ、Ｍ’は、Ｍｎ、Ａｌ、
及びＳｉのうち少なくとも１種類、Ｍ４は、Ｐｂ、Ｂの
一方又は両方）で表され、ｘ、ｙ、ｚ、Ｊ）、ｍ、ｎが
それぞれ、Ｏ，０ＯＯ１≦ｘ≦０．０５．０゜００１≦
ｙ≦０．０３．０．０００５≦ｚ≦００５．０．９９０
≦Ｊ ≦１．０１０．０．０００１≦ｍ≦０．０１．０
．００１≦ｎ≦０．０３の範囲になるように配合した後
、焼成することによって半導体磁器を得る工程と、前記
工程によって得られた半導体磁器の結晶粒界をＣｕ、Ｂ
ｉ、Ｐｂ、Ｂ、及びＳｉのうち少なくとも１種を含む化
合物を用いて絶縁化する工程とを有する粒界絶縁型半導
体磁器組成物の製造方法である。
以下、本発明の数値範囲の限定理由について説明する。
本発明のＸの範囲は、０．０００１≦Ｘ≦０．０５であ
る。すなわち、０．０００１未満では、原材料の精製が
困難であり実用上問題がある。また、０．０５よりも大
きいと、見掛は誘電率が低下してしまい、本発明の目的
を達成することができない。
る。すなわち、０．０００１未満では、原材料の精製が
困難であり実用上問題がある。また、０．０５よりも大
きいと、見掛は誘電率が低下してしまい、本発明の目的
を達成することができない。
一般式中Ｍ１として用いられるＮｂ、Ｔａ、Ｗ、及び希
土類元素のうち少なくとも１種類の含有範囲を示すｙの
範囲は、０．００１≦ｙ≦０．０３である。０．００１
未満であっても、０．０３よりも大きくても、見掛は誘
電率が低下してしまい、本発明の目的を達成することが
できない。
土類元素のうち少なくとも１種類の含有範囲を示すｙの
範囲は、０．００１≦ｙ≦０．０３である。０．００１
未満であっても、０．０３よりも大きくても、見掛は誘
電率が低下してしまい、本発明の目的を達成することが
できない。
一般式中Ｍ２として用いられるＺｒまたはＳｎの含有範
囲を示す２の範囲は、０．０００５≦ｚ≦０．０５であ
る。０．０００５未満でも、０゜０５よりも大きくても
、見掛は誘電率を大きくすることが困難であり、本発明
の目的を達成することができない。
囲を示す２の範囲は、０．０００５≦ｚ≦０．０５であ
る。０．０００５未満でも、０゜０５よりも大きくても
、見掛は誘電率を大きくすることが困難であり、本発明
の目的を達成することができない。
一般式中のρの範囲は、０．９９０≦１≦１゜０１０で
ある。０．９９０未満では、粒径８０μｍよりも大きい
結晶粒子が生じてしまう。また、１．０１０よりも大き
くなると、結晶粒子の平均粒径が２０μｍ以下になって
しまい、十分な見掛は誘電率を得ることができなくなり
、本発明の目的を達成することができない。
ある。０．９９０未満では、粒径８０μｍよりも大きい
結晶粒子が生じてしまう。また、１．０１０よりも大き
くなると、結晶粒子の平均粒径が２０μｍ以下になって
しまい、十分な見掛は誘電率を得ることができなくなり
、本発明の目的を達成することができない。
一般式中Ｍ３として用いられるＭｎ、Ａｌ、及びＳｉの
うち少なくとも１種類の含有範囲を示すｍの範囲は、０
．０００１≦ｍ≦０．０１である。
うち少なくとも１種類の含有範囲を示すｍの範囲は、０
．０００１≦ｍ≦０．０１である。
０．０００１未満では、見掛は誘電率が低くなり本発明
に目的を達成することができない。また、０．０１より
も大きいと、見掛は誘電率が低下してしまい、さらに、
誘電体損失も悪くなり、本発明の目的を達成することが
できない。
に目的を達成することができない。また、０．０１より
も大きいと、見掛は誘電率が低下してしまい、さらに、
誘電体損失も悪くなり、本発明の目的を達成することが
できない。
一般式中Ｍ４として用いられるＰｂ、Ｂの一方又は両方
を含有させることにより、結晶粒子の制御が可能になる
。その範囲を示すｎの範囲は、０゜００１≦ｎ≦０．０
３である。０．００１未満でも、０．０３よりも大きく
ても、８０μｍよりも大きい結晶粒子が生じ、絶縁抵抗
が低くなり、本発明の目的を達成することができない。
を含有させることにより、結晶粒子の制御が可能になる
。その範囲を示すｎの範囲は、０゜００１≦ｎ≦０．０
３である。０．００１未満でも、０．０３よりも大きく
ても、８０μｍよりも大きい結晶粒子が生じ、絶縁抵抗
が低くなり、本発明の目的を達成することができない。
なお、本発明の一般式中、ｍ及びｎは、酸化物の形で含
まれる場合には、例えば一般式ｘａ ｏｂとして示され
るものをＸ Ｏｂ／ａの形に直したときのＸの元素の量
で表される。
まれる場合には、例えば一般式ｘａ ｏｂとして示され
るものをＸ Ｏｂ／ａの形に直したときのＸの元素の量
で表される。
また、本発明に用いられている数値は、すべてモル（ｍ
ｏｌ）で示した値である。
ｏｌ）で示した値である。
［実施例］
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
まず、第１表の試料番号１の調製方法とその電気的特性
について説明する。
について説明する。
ＳｒＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ
，、ＭｎＯ２、Ｂ２Ｏ３の化合物を第１表の試料番号１
に示す組成比になるように配合し、１１５０℃で２時間
仮焼を行った。
，、ＭｎＯ２、Ｂ２Ｏ３の化合物を第１表の試料番号１
に示す組成比になるように配合し、１１５０℃で２時間
仮焼を行った。
これを粉砕し、アクリル系バインダを１０ｗｔ％加え、
攪拌した後、５０メツシユのふるいで造粒し、成形圧力
１ ｔｏｎ／Ｃｍ２、直径１２．５ｍｍ、肉厚０．３ｍ
ｍの円板に成形した。
攪拌した後、５０メツシユのふるいで造粒し、成形圧力
１ ｔｏｎ／Ｃｍ２、直径１２．５ｍｍ、肉厚０．３ｍ
ｍの円板に成形した。
得られた円板状成形体を、窒素９８ｖｏ１％、水素２Ｖ
Ｏ１％からなる還元雰囲気にて１４００°Ｃで３時間焼
成し、半導体磁器を得た。
Ｏ１％からなる還元雰囲気にて１４００°Ｃで３時間焼
成し、半導体磁器を得た。
得られた半導体磁器の表面に金属酸化物ペースト、具体
的には、Ｂｉ２Ｏ，を４Ｑｗｔ％、ｐｂ３０４を４６ｗ
ｔ％、Ｂ２Ｏ３を７ ｗ ｔ％、ＣｕＯを６ ｗ ｔ％
、Ｓｉｎ、を１ｗｔ％および樹脂を溶剤に添加したペー
ストを塗布し、１１５０℃で２時間熱拡散させ、結晶粒
界を絶縁化した。
的には、Ｂｉ２Ｏ，を４Ｑｗｔ％、ｐｂ３０４を４６ｗ
ｔ％、Ｂ２Ｏ３を７ ｗ ｔ％、ＣｕＯを６ ｗ ｔ％
、Ｓｉｎ、を１ｗｔ％および樹脂を溶剤に添加したペー
ストを塗布し、１１５０℃で２時間熱拡散させ、結晶粒
界を絶縁化した。
さらに、この粒界絶縁型半導体磁器の表面に銀ペースト
を印刷することによって塗布し、８００℃で１時間焼き
付けることによってコンデンサを作成した。
を印刷することによって塗布し、８００℃で１時間焼き
付けることによってコンデンサを作成した。
第１表
第２表
得られたコンデンサの電気的特性を測定したところ、第
２表に示す結果を得ることができた。
２表に示す結果を得ることができた。
試料番号２以降の組成物についても、同様の条件にてコ
ンデンサを作成し、同様の条件にて電気的特性を測定し
た。
ンデンサを作成し、同様の条件にて電気的特性を測定し
た。
表中、見掛は誘電率（ε）、誘電体損失（ｔａｎδ）は
、温度２５℃にて周波数１ｋＨｚ、電圧ｌＶ７ｍｓで測
定した値であり、絶縁抵抗（ＩＲ）は、温度２５℃にて
２５Ｖの直流電圧を印加した１５秒後の値であり、温度
特性（ＴＣ）は、温度２０℃を基準とし、−２５℃〜８
５℃の温度範囲における最大容量変化率の値であり、表
中、上段は、最大容量増加率を示し、下段は、最大容量
減少率を示す。また、誘電率と絶縁破壊電圧との積（ε
ｘＢＤＶ）は、１ｍｍ当りの誘電率と絶縁破壊電圧との
積を示す。
、温度２５℃にて周波数１ｋＨｚ、電圧ｌＶ７ｍｓで測
定した値であり、絶縁抵抗（ＩＲ）は、温度２５℃にて
２５Ｖの直流電圧を印加した１５秒後の値であり、温度
特性（ＴＣ）は、温度２０℃を基準とし、−２５℃〜８
５℃の温度範囲における最大容量変化率の値であり、表
中、上段は、最大容量増加率を示し、下段は、最大容量
減少率を示す。また、誘電率と絶縁破壊電圧との積（ε
ｘＢＤＶ）は、１ｍｍ当りの誘電率と絶縁破壊電圧との
積を示す。
なお、表中、試料番号の右上に示される＊は、本発明の
範囲外の試料、すなわち、比較例であることを示す６ 本実施例の試料番号１〜４．７〜９．１２〜１４．１７
〜１９．２２〜２４、及び２７〜２９に示されるように
、本発明によれば、最大粒径が４０〜８０μｍであり、
絶縁抵抗が１５００ ＭΩ以上であり、かつ、誘電率と
絶縁破壊電圧との積が７．０×１０７以上の粒界絶縁型
半導体磁器組成物を得ることができる。
範囲外の試料、すなわち、比較例であることを示す６ 本実施例の試料番号１〜４．７〜９．１２〜１４．１７
〜１９．２２〜２４、及び２７〜２９に示されるように
、本発明によれば、最大粒径が４０〜８０μｍであり、
絶縁抵抗が１５００ ＭΩ以上であり、かつ、誘電率と
絶縁破壊電圧との積が７．０×１０７以上の粒界絶縁型
半導体磁器組成物を得ることができる。
一方、本発明の範囲外の試料番号５．６．１０．１１．
１５．１６．２０．２１．２５．２６．３０においては
、本発明の目的を達成することができない。
１５．１６．２０．２１．２５．２６．３０においては
、本発明の目的を達成することができない。
なお、本発明者らは、表中に示される実施例の組成に限
られず、特許請求の範囲に記載された組成範囲であれば
、本発明の範囲内の他の物質であっても本発明の効果を
得ることができることがわかっている。
られず、特許請求の範囲に記載された組成範囲であれば
、本発明の範囲内の他の物質であっても本発明の効果を
得ることができることがわかっている。
［効果コ
本発明によれば、最大粒径を４０〜８０μｍに制御可能
であり、かつ、厚み当りの誘電率と絶縁破壊電圧との積
が大きい粒界絶縁型半導体磁器組酸物およびその製造方
法を提供することができる。
であり、かつ、厚み当りの誘電率と絶縁破壊電圧との積
が大きい粒界絶縁型半導体磁器組酸物およびその製造方
法を提供することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）一般式（Ｓｒ＿１＿−＿ｘＭ＾０＿ｘＭ＾１＿ｙ
）（Ｔｉ＿１＿−＿ｚＭ＾２＿ｚ）＿ｌＯ＿３＋ｍＭ＾
３＋ｎＭ＾４（但、Ｍ＾０は、Ｃａ、Ｂａ等のアルカリ
土類金属元素のうちの少なくとも１種類、Ｍ＾１は、Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｗ、及び希土類元素のうち少なくとも１種類
、Ｍ＾２は、ＺｒまたはＳｎ、Ｍ＾３は、Ｍｎ、Ａｌ、
及びＳｉのうち少なくとも１種類、Ｍ＾４は、Ｐｂ、Ｂ
の一方又は両方）で表され、 ｘ、ｙ、ｚ、ｌ、ｍ、ｎがそれぞれ ０．０００１≦ｘ≦０．０５ ０．００１≦ｙ≦０．０３ ０．０００５≦ｚ≦０．０５ ０．９９０≦ｌ≦１．０１０ ０．０００１≦ｍ≦０．０１ ０．００１≦ｎ≦０．０３ の範囲にある半導体磁器の結晶粒界が、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｐ
ｂ、Ｂ、及びＳｉのうち少なくとも１種を含む化合物に
より絶縁された粒界絶縁型半導体磁器組成物。 （２）一般式（Ｓｒ＿１＿−＿ｘＭ＾０＿ｘＭ＾１＿ｙ
）（Ｔｉ＿１＿−＿ｚＭ＾２＿ｚ）＿ｌＯ＿３＋ｍＭ＾
３＋ｎＭ＾４（但、Ｍ＾０は、Ｃａ、Ｂａ等のアルカリ
土類金属元素のうちの少なくとも１種類、Ｍ＾１は、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗ、及び希土類元素のうち少なくとも１種類
、Ｍ＾２は、ＺｒまたはＳｎ、Ｍ＾３は、Ｍｎ、Ａｌ、
及びＳｉのうち少なくとも１種類、Ｍ＾４は、Ｐｂ、Ｂ
の一方又は両方）で表され、 ｘ、ｙ、ｚ、ｌ、ｍ、ｎがそれぞれ ０．０００１≦Ｘ≦０．０５ ０．００１≦ｙ≦０．０３ ０．０００５≦ｚ≦０．０５ ０．９９０≦ｌ≦１．０１０ ０．０００１≦ｍ≦０．０１ ０．００１≦ｎ≦０．０３ の範囲になるように配合した後、焼成することによって
半導体磁器を得る工程と、 前記工程によって得られた半導体磁器の結晶粒界をＣｕ
、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｂ、及びＳｉのうち少なくとも１種を含
む化合物を用いて絶縁化する工程とを有する粒界絶縁型
半導体磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2085251A JPH0761898B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2085251A JPH0761898B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03285872A true JPH03285872A (ja) | 1991-12-17 |
| JPH0761898B2 JPH0761898B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=13853354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2085251A Expired - Fee Related JPH0761898B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0761898B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1134203A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-09-19 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52147800A (en) * | 1976-06-03 | 1977-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor ceramic capacitor composite and its method of manufacturing |
| JPS5654026A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-13 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2085251A patent/JPH0761898B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52147800A (en) * | 1976-06-03 | 1977-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor ceramic capacitor composite and its method of manufacturing |
| JPS5654026A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-13 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1134203A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-09-19 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| US6656863B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0761898B2 (ja) | 1995-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02123614A (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
| JP2978580B2 (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JPS623569B2 (ja) | ||
| JPH058524B2 (ja) | ||
| JPH03285871A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS6249977B2 (ja) | ||
| JPH03285870A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2626620B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS5815078A (ja) | 高誘電率系磁器誘電体組成物 | |
| JPH0437076A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JPH03285867A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH0571538B2 (ja) | ||
| JPH07114824A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH03285869A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH0196973A (ja) | 圧電性磁器の製造方法 | |
| JPH0761898B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH0761894B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH03274606A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0283257A (ja) | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS633442B2 (ja) | ||
| JPH05345663A (ja) | 半導体セラミックスおよびその製造方法 | |
| JP3071452B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6258128B2 (ja) | ||
| JPH09183652A (ja) | 強誘電体磁器組成物 | |
| JPS6129531B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |