JPH0542437B2 - - Google Patents
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- JPH0542437B2 JPH0542437B2 JP60094183A JP9418385A JPH0542437B2 JP H0542437 B2 JPH0542437 B2 JP H0542437B2 JP 60094183 A JP60094183 A JP 60094183A JP 9418385 A JP9418385 A JP 9418385A JP H0542437 B2 JPH0542437 B2 JP H0542437B2
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Landscapes
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Description
産業上の利用分野
本発明は新規な化合物であるハロゲノ1,3−
ジオキサン誘導体およびこの誘導体を含有する液
晶組成物に関する。 従来技術とその問題点 液晶を応用した表示素子は液晶物質の持つ光学
異方性あるいは誘導異方性を利用したものであ
り、その表示様式によつてTN型(ねじれネマチ
ツク型)、DS型(動的散乱型)、ゲスト・ホスト
型、DAP型など各種の方式がある。これらの方
式に使用される液晶物質に要求される性質はそれ
ぞれ異なり、なるべく広い温度範囲で液晶相を示
すことおよび水分、熱、光、空気等に対して安定
であることは共通して要求される。現在のところ
単一化合物でそのような要求を全て満たすものは
なく、数種の液晶化合物または液晶類似化合物を
混合して得られる液晶組成物を使用している。 発明の目的 本発明の目的は誘導率の異方性の大きな液晶化
合物を提供することにある。また液晶組成物とし
て他の成分と混合して使用する場合に相溶性がよ
く得られた液晶組成物の粘度上昇を低くおさえる
化合物を提供することにある。 発明の構成 本発明は一般式 (式中でnは1ないし10の整数、ZはF、Brお
よびClから選ばれた基を示す。)にて示される1,
3−ジオキサン誘導体および該化合物を含有する
ことを特徴とする液晶組成物である。 一般式()で示される化合物は次の反応式で
示される既知の方法で製造することができる。式
中でnおよびZは前述のとおりである。 すなわち、置換ベンジルクロリド()と4−
ヒドロキシベンズアルデヒド()をアセトン溶
媒中無水炭酸カリウムの存在下に反応させて4−
(ハロゲノベンジルオキシ)ベンズアルデヒド化
合物()を得る。次にこのアルデヒド化合物
()とプロパンジオール化合物()とを不活
性有機溶媒中で後述の触媒の存在下、常圧にて還
流温度にて反応させる。 ()と()の反応において有機溶媒として
はベンゼン、トルエン、クロロホルム、四塩化炭
素、塩化メチレン等が適しており、触媒としては
塩化アルミニウム、四塩化スズ、四塩化チタンな
どのルイス酸や硫酸、リン酸などの鉱酸、トルエ
ンスルフオン酸などが使用できる。反応物に溶剤
抽出、水洗、乾燥、再結晶などの一連の精製処理
を施すことによつて目的とする()式の化合物
を単離できる。 なお環化反応の際にジオキサン環に関してトラ
ンス体の()とシス体の()が生成するが、
(トランス体:シス体=3:1)、目的の化合物は
トランス体であり、シス体方の融点が低く溶剤に
対する溶解度も大きいので、再結晶を1回又はそ
れ以上行うことにより、シス体と分離されたトラ
ンス体のみを得ることができる。 また()の2−アルキル1,3−プロパンジ
オールはアルキルマロン酸ジエチルエステルを水
素化リチウムアルミニウムで還元することにより
得られる。 本発明の化合物を製造する場合に用いる前述の
置換ベンジルクロリド()の例としては、次の
化合物を示すことができる。 o−ハロゲノベンジルクロリド、m−ハロゲノ
ベンジルクロリド、およびp−ハロゲノベンジル
クロリドでハロゲンがF、BrまたはClで示され
る化合物。 一般式()で示される本発明の化合物は他の
液晶化合物または液晶組成物と混合して新規な液
晶組成物として使用することができる。 一般式()で示される化合物と混合する他の
液晶化合物としては以下に示すような一般式で示
される化合物群に含まれる1種あるいは2種以上
の化合物を使用できる。一般式()で示される
化合物の液晶組成物中の含有量は好ましくは1〜
30wt%、より好ましくは5〜20wt%である。 なお、上記各式中、Rはアルキルを、Xは
ジオキサン誘導体およびこの誘導体を含有する液
晶組成物に関する。 従来技術とその問題点 液晶を応用した表示素子は液晶物質の持つ光学
異方性あるいは誘導異方性を利用したものであ
り、その表示様式によつてTN型(ねじれネマチ
ツク型)、DS型(動的散乱型)、ゲスト・ホスト
型、DAP型など各種の方式がある。これらの方
式に使用される液晶物質に要求される性質はそれ
ぞれ異なり、なるべく広い温度範囲で液晶相を示
すことおよび水分、熱、光、空気等に対して安定
であることは共通して要求される。現在のところ
単一化合物でそのような要求を全て満たすものは
なく、数種の液晶化合物または液晶類似化合物を
混合して得られる液晶組成物を使用している。 発明の目的 本発明の目的は誘導率の異方性の大きな液晶化
合物を提供することにある。また液晶組成物とし
て他の成分と混合して使用する場合に相溶性がよ
く得られた液晶組成物の粘度上昇を低くおさえる
化合物を提供することにある。 発明の構成 本発明は一般式 (式中でnは1ないし10の整数、ZはF、Brお
よびClから選ばれた基を示す。)にて示される1,
3−ジオキサン誘導体および該化合物を含有する
ことを特徴とする液晶組成物である。 一般式()で示される化合物は次の反応式で
示される既知の方法で製造することができる。式
中でnおよびZは前述のとおりである。 すなわち、置換ベンジルクロリド()と4−
ヒドロキシベンズアルデヒド()をアセトン溶
媒中無水炭酸カリウムの存在下に反応させて4−
(ハロゲノベンジルオキシ)ベンズアルデヒド化
合物()を得る。次にこのアルデヒド化合物
()とプロパンジオール化合物()とを不活
性有機溶媒中で後述の触媒の存在下、常圧にて還
流温度にて反応させる。 ()と()の反応において有機溶媒として
はベンゼン、トルエン、クロロホルム、四塩化炭
素、塩化メチレン等が適しており、触媒としては
塩化アルミニウム、四塩化スズ、四塩化チタンな
どのルイス酸や硫酸、リン酸などの鉱酸、トルエ
ンスルフオン酸などが使用できる。反応物に溶剤
抽出、水洗、乾燥、再結晶などの一連の精製処理
を施すことによつて目的とする()式の化合物
を単離できる。 なお環化反応の際にジオキサン環に関してトラ
ンス体の()とシス体の()が生成するが、
(トランス体:シス体=3:1)、目的の化合物は
トランス体であり、シス体方の融点が低く溶剤に
対する溶解度も大きいので、再結晶を1回又はそ
れ以上行うことにより、シス体と分離されたトラ
ンス体のみを得ることができる。 また()の2−アルキル1,3−プロパンジ
オールはアルキルマロン酸ジエチルエステルを水
素化リチウムアルミニウムで還元することにより
得られる。 本発明の化合物を製造する場合に用いる前述の
置換ベンジルクロリド()の例としては、次の
化合物を示すことができる。 o−ハロゲノベンジルクロリド、m−ハロゲノ
ベンジルクロリド、およびp−ハロゲノベンジル
クロリドでハロゲンがF、BrまたはClで示され
る化合物。 一般式()で示される本発明の化合物は他の
液晶化合物または液晶組成物と混合して新規な液
晶組成物として使用することができる。 一般式()で示される化合物と混合する他の
液晶化合物としては以下に示すような一般式で示
される化合物群に含まれる1種あるいは2種以上
の化合物を使用できる。一般式()で示される
化合物の液晶組成物中の含有量は好ましくは1〜
30wt%、より好ましくは5〜20wt%である。 なお、上記各式中、Rはアルキルを、Xは
【式】
【式】または
【式】を、Yは−CN、ハロゲン、
R′またはOR′を、R′はアルキル基を、mは1また
は2をそれぞれ示す。 本発明の効果 一般式()で示される本発明の化合物で、特
に前述の()式でp位置に置換基を有するもの
は誘電率の異方性が大きくその透明点が高い為に
本発明の化合物を使用することにより得られた液
晶組成物の駆動電圧を低下させ、その透明点を上
昇させる事ができる。 以下実施例によつて本発明を更に具体的に説明
するが、本発明はこれらの例に限定されるもので
はない。 実施例 1 5−プロピル−2−〔4′−(4″−フルオロベンジ
ルオキシ)フエニル〕−1,3−ジオキサン アセトン200mlに4−ヒドロキシベンズアルデ
ヒド()6.1g(0.05モル)を溶解しこれに無
水炭酸カリウム34.6g(0.25モル)を加え加熱還
流させた。これに4−フルオロベンジルクロリド
()10.8g(0.075モル)を加えた。続いて反応
混合物を加熱還流下に10時間反応させ、しかる後
に反応混合物を500mlの水に加え析出した結晶を
別した。粗結晶をエチルアルコールから再結晶
して4−(4′−フルオロベンジルオキシ)ベンズ
アルデヒド()6.3g(68%)を得た。この物
の融点は97.7〜98.8℃であつた。 4−(4′−フルオロベンジルオキシ)ベンズア
ルデヒド()5g(21.7ミリモル)、2−プロ
ピル−1,3−プロパンジオール()2.6g
(21.7ミリモル)、p−トルエンスルホン0.01gを
乾燥したトルエン100mlに加えこれらを還流し、
デイーン・スターク・トラツプで反応物によつて
生成する水を分離し、更に水が留出しなくなるま
で還流を続けた。反応終了後室温にまで冷却し
た。トルエン層を5%炭酸水素ナトリウム水溶液
100mlで2回洗浄し、続いて水で中性になるまで
洗浄した。トルエン溶を無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、しかる後にトルエンを留去し得られた油状
物をエチルアルコールから2回再結晶を行い、目
的物である5−プロピル−2−〔4′−(4″−フルオ
ロベンジルオキシ)フエニル〕−1,3−ジオキ
サン3.7g(収率52%)を得た。 この物は液晶相を示し C−S点(結晶−スメクチツク相転移点)76.3℃ S−N点(スメクチツク−ネマチツク相転移点)
93.2℃ N−I点(ネマチツク−等方性液相転移点)
111.8℃を示した。 実施例 2〜4 実施例1に準じた方法により次に示す化合物を
得た。 5−プロピル−2−〔4′−(4″−クロロベンジル
オキシ)フエニル〕1,3−ジオキサン C−N点(結晶−ネマチツク相転移点);117.8
℃ N−I点;128.8℃ 5−ペンチル−2−〔4′−(4″−クロロベンジル
オキシ)フエニル〕−1,3−ジオキサン C−S点;773℃ S−I点(スメクチツク−
等方性液相転移点);138.1℃ 5−ペンチル−2−〔4′−(3″−フルオロベンジ
ルオキシ)フエニル〕−1,3−ジオキサン C−I点(結晶−等方性液相転移点);57.5℃
S−I点;56.7℃ 実施例 5 Aトランス−4−プロピル−(4′−シアノフ エニル)シクロヘキサン 30重量% トランス−4−ベンチル−(4′−シアノフ エニル)シクロヘキサン 40重量% トランス−4−ヘプチル−(4′−シアノフ エニル)シクロヘキサン 30重量% なる組成の液晶組成物Aのネマチツク−透明点は
52.1℃、誘電異方性値は+11.2、20℃での粘度は
23.4c.p.である。 ケイ素でコーテイングしてラビング処理した厚
さ10μmのTNセルに前記液晶組成物Aを入れて、
20℃でその特性を測定したところ、しきい電圧は
1.54V、飽和電圧は2.13Vであつた。この液晶組
成物A85重量%に本発明の化合物の1つである5
−ベンチル−2−〔4′−(4″−フルオロベンジルオ
キシ)フエニル〕−1,3−ジオキサン15重量%
を加えた液晶組成物のN−I点は58℃、誘電異方
性は13.5、20℃での粘度は25c.p.であつた。この
液晶組成物を前述のTNセルに封入したものの動
作しきい電圧は1.47Vに、飽和電圧は2.01Vに低
下した。
は2をそれぞれ示す。 本発明の効果 一般式()で示される本発明の化合物で、特
に前述の()式でp位置に置換基を有するもの
は誘電率の異方性が大きくその透明点が高い為に
本発明の化合物を使用することにより得られた液
晶組成物の駆動電圧を低下させ、その透明点を上
昇させる事ができる。 以下実施例によつて本発明を更に具体的に説明
するが、本発明はこれらの例に限定されるもので
はない。 実施例 1 5−プロピル−2−〔4′−(4″−フルオロベンジ
ルオキシ)フエニル〕−1,3−ジオキサン アセトン200mlに4−ヒドロキシベンズアルデ
ヒド()6.1g(0.05モル)を溶解しこれに無
水炭酸カリウム34.6g(0.25モル)を加え加熱還
流させた。これに4−フルオロベンジルクロリド
()10.8g(0.075モル)を加えた。続いて反応
混合物を加熱還流下に10時間反応させ、しかる後
に反応混合物を500mlの水に加え析出した結晶を
別した。粗結晶をエチルアルコールから再結晶
して4−(4′−フルオロベンジルオキシ)ベンズ
アルデヒド()6.3g(68%)を得た。この物
の融点は97.7〜98.8℃であつた。 4−(4′−フルオロベンジルオキシ)ベンズア
ルデヒド()5g(21.7ミリモル)、2−プロ
ピル−1,3−プロパンジオール()2.6g
(21.7ミリモル)、p−トルエンスルホン0.01gを
乾燥したトルエン100mlに加えこれらを還流し、
デイーン・スターク・トラツプで反応物によつて
生成する水を分離し、更に水が留出しなくなるま
で還流を続けた。反応終了後室温にまで冷却し
た。トルエン層を5%炭酸水素ナトリウム水溶液
100mlで2回洗浄し、続いて水で中性になるまで
洗浄した。トルエン溶を無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、しかる後にトルエンを留去し得られた油状
物をエチルアルコールから2回再結晶を行い、目
的物である5−プロピル−2−〔4′−(4″−フルオ
ロベンジルオキシ)フエニル〕−1,3−ジオキ
サン3.7g(収率52%)を得た。 この物は液晶相を示し C−S点(結晶−スメクチツク相転移点)76.3℃ S−N点(スメクチツク−ネマチツク相転移点)
93.2℃ N−I点(ネマチツク−等方性液相転移点)
111.8℃を示した。 実施例 2〜4 実施例1に準じた方法により次に示す化合物を
得た。 5−プロピル−2−〔4′−(4″−クロロベンジル
オキシ)フエニル〕1,3−ジオキサン C−N点(結晶−ネマチツク相転移点);117.8
℃ N−I点;128.8℃ 5−ペンチル−2−〔4′−(4″−クロロベンジル
オキシ)フエニル〕−1,3−ジオキサン C−S点;773℃ S−I点(スメクチツク−
等方性液相転移点);138.1℃ 5−ペンチル−2−〔4′−(3″−フルオロベンジ
ルオキシ)フエニル〕−1,3−ジオキサン C−I点(結晶−等方性液相転移点);57.5℃
S−I点;56.7℃ 実施例 5 Aトランス−4−プロピル−(4′−シアノフ エニル)シクロヘキサン 30重量% トランス−4−ベンチル−(4′−シアノフ エニル)シクロヘキサン 40重量% トランス−4−ヘプチル−(4′−シアノフ エニル)シクロヘキサン 30重量% なる組成の液晶組成物Aのネマチツク−透明点は
52.1℃、誘電異方性値は+11.2、20℃での粘度は
23.4c.p.である。 ケイ素でコーテイングしてラビング処理した厚
さ10μmのTNセルに前記液晶組成物Aを入れて、
20℃でその特性を測定したところ、しきい電圧は
1.54V、飽和電圧は2.13Vであつた。この液晶組
成物A85重量%に本発明の化合物の1つである5
−ベンチル−2−〔4′−(4″−フルオロベンジルオ
キシ)フエニル〕−1,3−ジオキサン15重量%
を加えた液晶組成物のN−I点は58℃、誘電異方
性は13.5、20℃での粘度は25c.p.であつた。この
液晶組成物を前述のTNセルに封入したものの動
作しきい電圧は1.47Vに、飽和電圧は2.01Vに低
下した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中でnは1ないし10の整数、ZはF、Brお
よびClから選ばれた基を示す。) にて示される1,3−ジオキサン誘導体。 2 一般式 (式中でnは1ないし10の整数、ZはF、Brお
よびClから選ばれた基を示す。) にて示される1,3−ジオキサン誘導体を含有す
ることを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094183A JPS61254581A (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | 1,3−ジオキサン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094183A JPS61254581A (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | 1,3−ジオキサン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61254581A JPS61254581A (ja) | 1986-11-12 |
| JPH0542437B2 true JPH0542437B2 (ja) | 1993-06-28 |
Family
ID=14103203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60094183A Granted JPS61254581A (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | 1,3−ジオキサン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61254581A (ja) |
-
1985
- 1985-05-01 JP JP60094183A patent/JPS61254581A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61254581A (ja) | 1986-11-12 |
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