JPS58224421A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS58224421A JPS58224421A JP10690782A JP10690782A JPS58224421A JP S58224421 A JPS58224421 A JP S58224421A JP 10690782 A JP10690782 A JP 10690782A JP 10690782 A JP10690782 A JP 10690782A JP S58224421 A JPS58224421 A JP S58224421A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- manufacturing
- magnetic head
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属磁性薄膜を用いたＶＴＲ用磁気ヘッドに係
り、量産上好適な製造方法に関゛杉。
り、量産上好適な製造方法に関゛杉。
ＶＴＲの高性能、高密度記録実現のためには、磁束密度
Ｂｒと保磁力Ｈｅの大きいメタルテープを用いる記録シ
ステムが有効であり、これに対応できるヘッドとして高
飽和磁束密度の金属磁性材の薄膜あるいは薄帯なコア材
とする磁気ヘッドが有望とされている。既にいくつが報
告されている薄膜磁気ヘッドは、センダストやパーマロ
イやアモルファス合金をスパッタリングにより基板上に
コア厚み相当分だけ薄膜状に被着して一対のコアをつく
り、その端面どうじを突合せてギャップを形成するもの
である。その製造方法を図面を用いて説明する。
Ｂｒと保磁力Ｈｅの大きいメタルテープを用いる記録シ
ステムが有効であり、これに対応できるヘッドとして高
飽和磁束密度の金属磁性材の薄膜あるいは薄帯なコア材
とする磁気ヘッドが有望とされている。既にいくつが報
告されている薄膜磁気ヘッドは、センダストやパーマロ
イやアモルファス合金をスパッタリングにより基板上に
コア厚み相当分だけ薄膜状に被着して一対のコアをつく
り、その端面どうじを突合せてギャップを形成するもの
である。その製造方法を図面を用いて説明する。
第１図は従来の薄膜ｉ気ヘッドの製造方法を示す工程図
である。（ａ）非磁性基板１上に０）磁性薄膜２をコア
厚すなわちトラック幅相当分被着し、ω）第２の非磁性
基板３で上記磁性薄膜２を挾み込んで接着積層して積層
体４をつくる。この場合の接着材には低融点ガラスなど
が用いられる。（ｄ） Ｐｋ層体４を短冊状にスライス
してコアブロック５とし、（ｅ）スライスした面を研摩
しさらに巻線溝６を加工してＣＯアブロック５１とＩコ
アブロック５２を形成する。次に各研牽面にギャップ長
規制用非磁性膜（図示せず）を被着し、（ｆ）一対のＣ
コアブロック５１と■コアブロック５２を突合せボンデ
ィングブロック７をつくる。この場合の接着材にも低融
点ガラスが有効で、接着力及びギャップ精度が良好とな
る。＠チップ８の形状に切離し伽）各チップ８を薄肉化
１内研８巻線９を施して薄膜磁気ヘッド１０を完成させ
る。
である。（ａ）非磁性基板１上に０）磁性薄膜２をコア
厚すなわちトラック幅相当分被着し、ω）第２の非磁性
基板３で上記磁性薄膜２を挾み込んで接着積層して積層
体４をつくる。この場合の接着材には低融点ガラスなど
が用いられる。（ｄ） Ｐｋ層体４を短冊状にスライス
してコアブロック５とし、（ｅ）スライスした面を研摩
しさらに巻線溝６を加工してＣＯアブロック５１とＩコ
アブロック５２を形成する。次に各研牽面にギャップ長
規制用非磁性膜（図示せず）を被着し、（ｆ）一対のＣ
コアブロック５１と■コアブロック５２を突合せボンデ
ィングブロック７をつくる。この場合の接着材にも低融
点ガラスが有効で、接着力及びギャップ精度が良好とな
る。＠チップ８の形状に切離し伽）各チップ８を薄肉化
１内研８巻線９を施して薄膜磁気ヘッド１０を完成させ
る。
上記した従来の薄膜ヘッドの製造方法は、特に高密度記
録用狭トランクヘッドの場合、ギャップボンディング工
程に於て次のような欠点を有していた。すなわち工程（
ｆ）に於けるトラック合わせ作業に関し、ボンディング
ブロック７の両端部り、Ａ′方向からトラック位置を観
察しながら数ミクロンの精度で合わせねばならず、この
作業に高度の技術と多大の時間を費しトラック幅精度不
良の大きな原因となっていた。従来これを回避する一手
段として、非磁性基板１の厚み精度を向上させて、コア
ブロック５１．５２の底面位置が同一面となるようにし
てトラック合わせな行う方法もとられて（：′□る。し
かしこの方法ではコアブロック５１．５２の非磁性基板
１の厚みの差の分だけ原理的にトラックずれが生じ、＋
１１非磁性基板１の厚み精度の大幅な向上を要求する（
２ンコアブロツク５１ 、５２の組合せは同一基板の隣
接位置としてベアリング作業を行う、などの対策が必要
となり、いずれも実用的量産的に大きな障害となってい
た。
録用狭トランクヘッドの場合、ギャップボンディング工
程に於て次のような欠点を有していた。すなわち工程（
ｆ）に於けるトラック合わせ作業に関し、ボンディング
ブロック７の両端部り、Ａ′方向からトラック位置を観
察しながら数ミクロンの精度で合わせねばならず、この
作業に高度の技術と多大の時間を費しトラック幅精度不
良の大きな原因となっていた。従来これを回避する一手
段として、非磁性基板１の厚み精度を向上させて、コア
ブロック５１．５２の底面位置が同一面となるようにし
てトラック合わせな行う方法もとられて（：′□る。し
かしこの方法ではコアブロック５１．５２の非磁性基板
１の厚みの差の分だけ原理的にトラックずれが生じ、＋
１１非磁性基板１の厚み精度の大幅な向上を要求する（
２ンコアブロツク５１ 、５２の組合せは同一基板の隣
接位置としてベアリング作業を行う、などの対策が必要
となり、いずれも実用的量産的に大きな障害となってい
た。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくし、ボン
ディング時のトラック合わせ作業を容易でしかも高精度
に実現するための薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことである。
ディング時のトラック合わせ作業を容易でしかも高精度
に実現するための薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことである。
この目的を達成するため本発明においては、磁性薄膜す
なわちトラック位置に接合する基板面どうしを揃えれは
原理的にトラックずれが生じないことに注目し、磁性薄
膜を挾み込む一対の非磁性基板の突合せ面方向の長さを
かえておき、長い方の非磁性基板の磁性薄膜側の面を基
準に突合せ時のトラック合わせを行うこととする。
なわちトラック位置に接合する基板面どうしを揃えれは
原理的にトラックずれが生じないことに注目し、磁性薄
膜を挾み込む一対の非磁性基板の突合せ面方向の長さを
かえておき、長い方の非磁性基板の磁性薄膜側の面を基
準に突合せ時のトラック合わせを行うこととする。
１、□
以下、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施例
を図面を用いて詳細に説明する。
を図面を用いて詳細に説明する。
第２図は第１の実施例を示す工程図である。
（ａ）第１の非磁性基板１にυ）磁性薄膜２を被着しさ
らに積層接着用ガラス（図示せず）を被着した。非磁性
基板１の＃科には、耐摩耗性と熱膨張係数αを考慮して
板厚約１ｍの非磁性フェライトまたは結晶化ガラス（い
ずれもα＝１３０Ｘ１［］Ｉ／’Ｃ）を用いた。磁性薄
膜２は磁気特性（Ｂｓ。
らに積層接着用ガラス（図示せず）を被着した。非磁性
基板１の＃科には、耐摩耗性と熱膨張係数αを考慮して
板厚約１ｍの非磁性フェライトまたは結晶化ガラス（い
ずれもα＝１３０Ｘ１［］Ｉ／’Ｃ）を用いた。磁性薄
膜２は磁気特性（Ｂｓ。
μ、１（ｃ等）の優れているセンダスト薄膜（ｒｅ −
Ａｔ−８ｉ）をスパッタリングで形成し、膜厚１゜μｍ
ごとに８１０３膜で層間絶縁した多層構造としてビデオ
帯域での磁気特性を向上させた。磁性薄膜２の全厚は１
０〜５０μｍとした。積層接着用ガラスは、Ｐｂを主成
分とする低融点ガラス（作業温度７００℃）をスパッタ
リングにより約１μｍ被着させた。次に＠）第２の非磁
性基板３で磁性薄Ｍ２を挾み込んで加圧加熱し積層体４
をつくった。第２の非磁性基板は第１の非磁性基板と同
一材料であるが、図示しであるようにその寸法を第１の
非磁性基板１より大きくし積層接着後に長手方向に各々
約１１はみ出す形とした。
Ａｔ−８ｉ）をスパッタリングで形成し、膜厚１゜μｍ
ごとに８１０３膜で層間絶縁した多層構造としてビデオ
帯域での磁気特性を向上させた。磁性薄膜２の全厚は１
０〜５０μｍとした。積層接着用ガラスは、Ｐｂを主成
分とする低融点ガラス（作業温度７００℃）をスパッタ
リングにより約１μｍ被着させた。次に＠）第２の非磁
性基板３で磁性薄Ｍ２を挾み込んで加圧加熱し積層体４
をつくった。第２の非磁性基板は第１の非磁性基板と同
一材料であるが、図示しであるようにその寸法を第１の
非磁性基板１より大きくし積層接着後に長手方向に各々
約１１はみ出す形とした。
接着条件は０．５〜１ψ加圧状態で７００℃１０分間加
４ 熱を行い、積層間隙１μｍ以下で接着強度の高い良好な
積層体４を得た。次に（ｄ）積層体４を短冊状にスライ
スしてコアブロック５を得た。この際スライス面を非磁
性基板１，２の面に対し適宜傾けることにより所定のア
ジマス角を得ることが可能となる。（ｅ）スライス面を
鏡面研摩し、巻線溝６を加工し、Ｃコアブロック５１と
Ｉコアブロック５２とした。（ｆ）各研摩面にギャップ
長規制用非磁性膜とボンディング用ガラス（いずれも図
示せず）を被着させ、突合せてボンディングブロック７
を得た。ギャップ長規制用非磁性膜にはＳｉｎ、 を
、ボンディング用ガラスには前記積層接着用ガラスより
さらに融点の低い低融点ガラス（作業温度５００℃）を
各々０．１μｍずつスパッタリングで形成した。またト
ラック合わせ作業は、コアブロック５１ 、５２を構成
している第２の非磁性基板３の積層側の面で第１の非磁
性基板１からはみ出した両端の部分Ｂ 、 Ｂ’を基準
面として第３の治具（図示せず）の上で突きあてこれら
を揃えることにより行った。これによりトラック合わせ
作業は１〜２μｍの高精度で短時間で行うことができた
。この状態でコアブロックどうしを加圧し５００℃で１
０分加熱し、ギャップ長０４μｍのボンディングブロッ
ク７を得た。（ロ））チッ１８の形状に切離しくｈ）各
チッ１８を薄肉化１内研１巻線９を施して薄膜磁気ヘッ
ド１０を完成させた。
４ 熱を行い、積層間隙１μｍ以下で接着強度の高い良好な
積層体４を得た。次に（ｄ）積層体４を短冊状にスライ
スしてコアブロック５を得た。この際スライス面を非磁
性基板１，２の面に対し適宜傾けることにより所定のア
ジマス角を得ることが可能となる。（ｅ）スライス面を
鏡面研摩し、巻線溝６を加工し、Ｃコアブロック５１と
Ｉコアブロック５２とした。（ｆ）各研摩面にギャップ
長規制用非磁性膜とボンディング用ガラス（いずれも図
示せず）を被着させ、突合せてボンディングブロック７
を得た。ギャップ長規制用非磁性膜にはＳｉｎ、 を
、ボンディング用ガラスには前記積層接着用ガラスより
さらに融点の低い低融点ガラス（作業温度５００℃）を
各々０．１μｍずつスパッタリングで形成した。またト
ラック合わせ作業は、コアブロック５１ 、５２を構成
している第２の非磁性基板３の積層側の面で第１の非磁
性基板１からはみ出した両端の部分Ｂ 、 Ｂ’を基準
面として第３の治具（図示せず）の上で突きあてこれら
を揃えることにより行った。これによりトラック合わせ
作業は１〜２μｍの高精度で短時間で行うことができた
。この状態でコアブロックどうしを加圧し５００℃で１
０分加熱し、ギャップ長０４μｍのボンディングブロッ
ク７を得た。（ロ））チッ１８の形状に切離しくｈ）各
チッ１８を薄肉化１内研１巻線９を施して薄膜磁気ヘッ
ド１０を完成させた。
本実施例によれば、（ｃ）の積層工程で第２の非磁性基
板６の長さを第１の非磁性基板１の長さより大きくした
ので、（ｆ）のボンディング時のトラック位置合わせ作
業がコアブロック両端の第２の非磁性基板の積層側の面
だけを基準にして、原理的にトラックずれを発生せずに
実現できた。
板６の長さを第１の非磁性基板１の長さより大きくした
ので、（ｆ）のボンディング時のトラック位置合わせ作
業がコアブロック両端の第２の非磁性基板の積層側の面
だけを基準にして、原理的にトラックずれを発生せずに
実現できた。
またこの作業は第３の治具を用いてこれ九基準面を突き
あてるだけで十分であり、作業の大幅な簡略化と時間短
縮がはかられた。
あてるだけで十分であり、作業の大幅な簡略化と時間短
縮がはかられた。
次に第３図は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の
他の実施例を示す工程図である。第２図の実施例とは逆
に、第２の非磁性基板６の長さを第１の非磁性基板１の
長さよりも短くして、（Ｃ）の積層接着工程で第１の非
磁性基板１及びこれに被着した磁性薄膜２の端部が突き
出した構造とした。この場合（ｆ）に示すボンディング
工程では記号ｃ 、 ｃ’で示す磁性薄膜２の面を基準
にトラック合わせを行った。この結果前記第２図に示し
た実施例の場合と全く同様にトラックずれのきわめて少
ない＃膜磁気ベッド１ｏを完成させた。
他の実施例を示す工程図である。第２図の実施例とは逆
に、第２の非磁性基板６の長さを第１の非磁性基板１の
長さよりも短くして、（Ｃ）の積層接着工程で第１の非
磁性基板１及びこれに被着した磁性薄膜２の端部が突き
出した構造とした。この場合（ｆ）に示すボンディング
工程では記号ｃ 、 ｃ’で示す磁性薄膜２の面を基準
にトラック合わせを行った。この結果前記第２図に示し
た実施例の場合と全く同様にトラックずれのきわめて少
ない＃膜磁気ベッド１ｏを完成させた。
以上の説明はへラドコア材としてセンダスト薄膜の場合
であったが、パーマロイ、アモルファス等の強磁性薄膜
はもちろん、センダストやアモルファスの薄板を２枚の
非磁性基板で挾み込む構造の薄膜磁気ヘッドにおいても
本発明が有効である。
であったが、パーマロイ、アモルファス等の強磁性薄膜
はもちろん、センダストやアモルファスの薄板を２枚の
非磁性基板で挾み込む構造の薄膜磁気ヘッドにおいても
本発明が有効である。
以上述べたように本発明によれば、磁性薄膜を挾む２枚
の非磁性基板の長さをかえて積層体およびコアブロック
を形成したので、ボンディング時のトラック合わせ作業
が長い方の非磁性基板の積層側の面を基準に揃えれば原
理的にトラックずれが生じない。従って狭トラツク薄膜
磁気ヘッドを高精度にしかも短時間の容易な作業で実現
でき、また従来技術で障害となっていた非磁性基板の厚
み精度およびベアリング作業等の問題も一挙忙解決でき
その量産上の効果は顕著である。
の非磁性基板の長さをかえて積層体およびコアブロック
を形成したので、ボンディング時のトラック合わせ作業
が長い方の非磁性基板の積層側の面を基準に揃えれば原
理的にトラックずれが生じない。従って狭トラツク薄膜
磁気ヘッドを高精度にしかも短時間の容易な作業で実現
でき、また従来技術で障害となっていた非磁性基板の厚
み精度およびベアリング作業等の問題も一挙忙解決でき
その量産上の効果は顕著である。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程図
、ｍ２図は本発明による薄膜磁気へラドの製造方法の一
実施例を示す工程図、第６図は本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の他の実施例を示す工程図である。 １．３・・・非磁性基板 ２・・・磁性薄膜 １０・・・薄膜磁気ヘッド 才 ｌ 図 才 ２ 図 ２ ：ｊ′３ 団
、ｍ２図は本発明による薄膜磁気へラドの製造方法の一
実施例を示す工程図、第６図は本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の他の実施例を示す工程図である。 １．３・・・非磁性基板 ２・・・磁性薄膜 １０・・・薄膜磁気ヘッド 才 ｌ 図 才 ２ 図 ２ ：ｊ′３ 団
Claims (2)
- （１） 第１の非磁性基板と第２の非磁性基板で磁性薄
膜を挾み込んだ一対のコアブロックをその端面において
互いに突合せてギャップを形成する薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、該非磁性基板の突合せ面方向の長さを
かえたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （２）上記非磁性基板のうち長い非磁性基板の磁性薄膜
側の面を基準に突合せ時のトラック合わせな行うことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10690782A JPS58224421A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10690782A JPS58224421A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58224421A true JPS58224421A (ja) | 1983-12-26 |
Family
ID=14445516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10690782A Pending JPS58224421A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58224421A (ja) |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP10690782A patent/JPS58224421A/ja active Pending
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