JPH0548645B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0548645B2
JPH0548645B2 JP59113436A JP11343684A JPH0548645B2 JP H0548645 B2 JPH0548645 B2 JP H0548645B2 JP 59113436 A JP59113436 A JP 59113436A JP 11343684 A JP11343684 A JP 11343684A JP H0548645 B2 JPH0548645 B2 JP H0548645B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bias voltage
circuit
reverse bias
base
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59113436A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60256222A (ja
Inventor
Goorabu Majuumudaru
Takahiro Hiramoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP59113436A priority Critical patent/JPS60256222A/ja
Publication of JPS60256222A publication Critical patent/JPS60256222A/ja
Publication of JPH0548645B2 publication Critical patent/JPH0548645B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors

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  • Electronic Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はトランジスタを利用した回路に係り、
とくに高速スイツチング動作を可能とするバイポ
ーラトランジスタのベース駆動回路に関する。
〔従来技術〕
トランジスタは各種電子回路に利用されている
が、とくに高速動作を要求される場合も多く、い
ろいろ検討されている。たとえば、バイポーラト
ランジスタを用いたトランジスタスイツチ回路に
おいて、そのパルス応答特性を改善するために、
通常、ベース抵抗に並列にコンデンサを入れると
いうことが行なわれている。また、トランジスタ
を素早くオフさせるために、トランジスタ内部に
蓄積された電荷を外部から力を加えて吸い出さな
くてはならない。すなわち、ベース・エミツタ間
に逆電流を流すわけであるが、この逆電流が大き
いほど電荷を吸い出すのに必要な時間つまり蓄積
時間が短くなる。このようにして、トランジスタ
のターンオフ時間を短くすることで、トランジス
タの高速動作を可能とするのである。ただし、こ
のベース・エミツタ間に流す逆電流つまりベース
逆電流は、大きすぎるとトラジスタの二次降状破
壊を引き起こし易くなるので、注意する必要があ
る。さて、従来のベース駆動回路は、ベース・エ
ミツタ間に一定の逆電圧を印加してベース逆電流
を流すようにしていた。しかし、このように一定
の逆電流を用いると、トランジスタのターンオフ
時のトランジスタ内部の電荷の蓄積による内部抵
抗の増加によつてベース逆電流が制限されるの
で、余り大きなベース逆電流を流すことはでき
ず、したがつて、高速スイツチング動作を制限さ
れることになつている。
〔発明の概要〕
本発明は、トリガ信号発生回路と、順、逆バイ
アス電圧回路と、オフ時電圧回路と、前記順、逆
バイアス電圧回路およびオフ時電圧回路に接続さ
れたベース制御回路からなり、トランジスタの内
部抵抗が増加した時点でベース・エミツタ間の逆
電圧を上げて一定のベース逆電流を流すようにし
たものである。
〔発明の実施例〕
さて、本発明の実施例につき図面を参照して説
明する。なお、各図面に共通な事項には同一の符
号を付す。
第1図は、本発明の一実施例を示す概略構成図
である。1はトリガ信号発生回路、2は順バイア
ス電圧回路、3は第1段目の逆バイアス電圧回
路、4は第2段目の逆バイアス電圧回路、5はオ
フ時電圧回路であり、トリガ信号発生回路1には
順バイアス電圧回路2が接続され、順バイアス電
圧回路2には第1段目の逆バイアス電圧回路3が
ベース制御回路6と並列に接続され、第1段目の
逆バイアス電圧回路3には第2段目の逆バイアス
回路4とオフ時電圧回路5がベース制御回路6と
並列に接続され、さらに第2段目の逆バイアス電
圧回路4とオフ時電圧回路5にはベース制御回路
6が接続される。
第2図はこの概略構成図について、さらに具体
的に示した回路図である。11はシーケンスを構
成し、ベース駆動信号源となるタイマ回路、12
はタイマ回路11の出力信号を一定レベルまで引
き上げるコンパレータであり、前記トリガ信号発
生回路1を構成する。13は順バイアス電圧信号
を発生する単安定マルチバイブレータ、14はこ
のマルチバイブレータ13の出力信号を一定の電
圧レベルまて引き上げるコンパレータであり、前
記順バイアス電圧回路2を構成する。15は第1
段目の逆バイアス電圧信号を発生する単安定マル
チバイブレータ、16はこのマルチバイブレータ
の出力信号を一定の電圧まで増幅するコンパレー
タであり、前記第1段目の逆バイアス電圧回路3
を構成する。17は第2段目の逆バイアス電圧信
号を発生する単安定マルチバイブレータ、18は
このマルチバイブレータ17の出力信号を一定の
電圧まで増幅するコンパレータであり、第2段目
の逆バイアス電圧回路4を構成する。19はオフ
時の逆バイアス電圧信号を発生する単安定マルチ
バイブレータ、20はこのマルチバイブレータ1
9の出力信号を一定電圧まで増幅するコンパレー
タであり、前記オフ時電圧回路5を構成する。な
お、21は順バイアス電圧回路2、第1、第2段
目の逆バイアス電圧回路3,4およびオフ時電圧
回路5の4種類の信号を1つの信号とする加算増
幅器である。
第3図はこの回路図の各部の信号波形を示すタ
イムチヤートであり、1はタイマ11の出力信号
A、2はコンパレータ12の出力信号B、3はマ
ルチバイブレータ13の出力信号C、4はコンパ
レータ14の出力信号D、5はマルチバイブレー
タ15の出力信号E、6はコンパレータ16の出
力信号F、7はマルチバイブレータ17の出力信
号G、8はコンパレータ18の出力信号H、9は
マルチバイブレータ19の出力信号I、10はコ
ンパレータ20の出力信号J、そして11は加算
増幅器21の出力信号Kを示している。
このように構成された一実施例につき、各図を
参照してその動作を説明する。トランジスタのベ
ース駆動用の基本信号は、出力信号Aとしてタイ
マ11で発生され、さらにコンパレータ12で増
幅され出力信号Bとなる。出力信号Bはマルチバ
イブレータ13、コンパレータ14によりそれぞ
れ出力信号C,Dとなる。出力信号Dはマルチバ
イブレータ15、コンパレータ16によりそれぞ
れ出力信号E,Fとなる。出力信号Fはマルチバ
イブレータ17,19およびコンパレータ18,
20によりそれぞれ出力信号G,HおよびI,J
となる。なお、出力信号D,F,H,Jは加算増
幅器21に入力されて出力信号Kとなる。したが
つて、この出力信号Kがトランジスタのベース駆
動用信号となる。
すなわち、第3図11にて示されているよう
に、逆バイアス電圧は2段階で絶対値が大となる
信号波形を有するものである。
〔発明の効果〕
本発明は、タイマなどを含むトリガ信号発生回
路の出力信号を単安定マルチバイブレータとコン
パレータとの組合せなどからなる順、逆バイアス
電圧回路ならびにオフ時電圧回路で処理し、さら
に加算回路に導いてベース駆動用信号としたもの
であり、従来の一定の逆電圧の代わりに、後方部
分で絶対値が大きくなる2段階波形の逆バイアス
電圧をベースに印加するこにより、トランジスタ
の内部抵抗が増加した時点でベース・エミツタ間
の逆電圧を上げて一定のベース逆電流を流すこと
ができ、トランジスタを早くオフできるので、確
実に高速スイツチング動作を期待することができ
るなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す概略構成図、
第2図はこの一実施例を具体的に示す回路図、第
3図はこの回路図の各部の信号波形を示すタイム
チヤートである。 1……トリガ信号発生回路、2……順バイアス
電圧回路、3,4……逆バイアス電圧回路、5…
…オフ時電圧回路、11……タイマ、12,1
4,16,18,20……コンパレータ、13,
15,17,19……単安定マルチバイブレー
タ、21……加算増幅器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 トランジスタのベースを駆動するための基本
    信号となるトリガ信号を発生するトリガ信号発生
    回路と、 このトリガ信号に基づいて前記ベースの順バイ
    アス電圧を発生する順バイアス電圧回路と、 この順バイアス電圧の終了時に前記ベースの第
    1の逆バイアス電圧を発生する第1段目の逆バイ
    アス電圧回路と、 この第1の逆バイアス電圧の後方部分で発生し
    その終了時まで接続するとともに、この第1の逆
    バイアス電圧と加算されたときに第1の逆バイア
    ス電圧より絶対値が大きい2段階波形を形成する
    ための第2の逆バイアス電圧を発生する第2段目
    の逆バイアス電圧回路と、 前記第1の逆バイアス電圧の終了時に前記ベー
    スのオフ時電圧を発生するオフ時電圧回路と、 前記順バイアス電圧と第1の逆バイアス電圧と
    第2の逆バイアス電圧とオフ時電圧とを加算する
    ベース制御回路と、 からなり、第1の逆バイアス電圧と第2の逆バイ
    アス電圧の加算により、2段階波形の逆バイアス
    電圧を形成するようにしたトランジスタのベース
    駆動回路。 2 トリガ信号発生回路は、タイマとこのタイマ
    に接続されたコンパレータを備え、順バイアス電
    圧回路、第1段目、第2段目の逆バイアス電圧回
    路およびオフ時電圧回路は、それぞれ単安定マル
    チバイブレータとこのバイブレータに接続された
    コンパレータを備え、ベース制御回路は、加算器
    を備えた特許請求の範囲第1項記載のトランジス
    タのベース駆動回路。
JP59113436A 1984-05-31 1984-05-31 トランジスタのベ−ス駆動回路 Granted JPS60256222A (ja)

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JPS60256222A JPS60256222A (ja) 1985-12-17
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JP2560701B2 (ja) * 1986-10-30 1996-12-04 富士通株式会社 スイツチ素子駆動回路
JPH0282713A (ja) * 1988-09-19 1990-03-23 Fujitsu Ltd スイッチング補助回路

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JPS60256222A (ja) 1985-12-17

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