|
JPH0776832B2
(ja)
*
|
1986-11-28 |
1995-08-16 |
富士写真フイルム株式会社 |
感光性組成物
|
|
JPS63218949A
(ja)
*
|
1987-03-06 |
1988-09-12 |
Sumitomo Chem Co Ltd |
ポジ型レジスト組成物
|
|
US7192681B2
(en)
|
2001-07-05 |
2007-03-20 |
Fuji Photo Film Co., Ltd. |
Positive photosensitive composition
|
|
US7521168B2
(en)
|
2002-02-13 |
2009-04-21 |
Fujifilm Corporation |
Resist composition for electron beam, EUV or X-ray
|
|
US6939662B2
(en)
|
2002-05-31 |
2005-09-06 |
Fuji Photo Film Co., Ltd. |
Positive-working resist composition
|
|
JP4612999B2
(ja)
|
2003-10-08 |
2011-01-12 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
JP4448705B2
(ja)
|
2004-02-05 |
2010-04-14 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
|
JP4551704B2
(ja)
|
2004-07-08 |
2010-09-29 |
富士フイルム株式会社 |
液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
JP4621451B2
(ja)
|
2004-08-11 |
2011-01-26 |
富士フイルム株式会社 |
液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
JP4524154B2
(ja)
|
2004-08-18 |
2010-08-11 |
富士フイルム株式会社 |
化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
US7504193B2
(en)
|
2004-09-02 |
2009-03-17 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method using the same
|
|
JP4469692B2
(ja)
|
2004-09-14 |
2010-05-26 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
|
JP4474256B2
(ja)
|
2004-09-30 |
2010-06-02 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
US7947421B2
(en)
|
2005-01-24 |
2011-05-24 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same
|
|
JP4452632B2
(ja)
|
2005-01-24 |
2010-04-21 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
|
JP4562537B2
(ja)
|
2005-01-28 |
2010-10-13 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
|
JP4439409B2
(ja)
|
2005-02-02 |
2010-03-24 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
TWI471699B
(zh)
|
2005-03-04 |
2015-02-01 |
富士軟片股份有限公司 |
正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
|
|
US7960087B2
(en)
|
2005-03-11 |
2011-06-14 |
Fujifilm Corporation |
Positive photosensitive composition and pattern-forming method using the same
|
|
JP4579019B2
(ja)
|
2005-03-17 |
2010-11-10 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
|
|
JP2006274200A
(ja)
*
|
2005-03-30 |
2006-10-12 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
インク組成物、並びに、これを用いた画像形成方法および記録物
|
|
EP1720072B1
(en)
|
2005-05-01 |
2019-06-05 |
Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. |
Compositons and processes for immersion lithography
|
|
JP4724465B2
(ja)
|
2005-05-23 |
2011-07-13 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
|
JP4861767B2
(ja)
|
2005-07-26 |
2012-01-25 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
|
|
JP4580841B2
(ja)
|
2005-08-16 |
2010-11-17 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
JP4695941B2
(ja)
|
2005-08-19 |
2011-06-08 |
富士フイルム株式会社 |
液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
TWI403843B
(zh)
|
2005-09-13 |
2013-08-01 |
Fujifilm Corp |
正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
|
|
EP1795960B1
(en)
|
2005-12-09 |
2019-06-05 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition, pattern forming method using the positive resist composition, use of the positive resit composition
|
|
JP4911456B2
(ja)
|
2006-11-21 |
2012-04-04 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
|
JP4554665B2
(ja)
|
2006-12-25 |
2010-09-29 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
|
|
JP4905786B2
(ja)
|
2007-02-14 |
2012-03-28 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
EP1962139A1
(en)
|
2007-02-23 |
2008-08-27 |
FUJIFILM Corporation |
Negative resist composition and pattern forming method using the same
|
|
JP5162290B2
(ja)
|
2007-03-23 |
2013-03-13 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
US8088566B2
(en)
|
2007-03-26 |
2012-01-03 |
Fujifilm Corporation |
Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent
|
|
US7592118B2
(en)
|
2007-03-27 |
2009-09-22 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method using the same
|
|
EP1975714A1
(en)
|
2007-03-28 |
2008-10-01 |
FUJIFILM Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method
|
|
US8182975B2
(en)
|
2007-03-28 |
2012-05-22 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method using the same
|
|
US7635554B2
(en)
|
2007-03-28 |
2009-12-22 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method
|
|
JP4982228B2
(ja)
|
2007-03-30 |
2012-07-25 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP5039622B2
(ja)
|
2007-03-30 |
2012-10-03 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
|
|
EP1980911A3
(en)
|
2007-04-13 |
2009-06-24 |
FUJIFILM Corporation |
Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
|
|
JP4562784B2
(ja)
|
2007-04-13 |
2010-10-13 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液
|
|
JP4617337B2
(ja)
|
2007-06-12 |
2011-01-26 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法
|
|
JP2008311474A
(ja)
|
2007-06-15 |
2008-12-25 |
Fujifilm Corp |
パターン形成方法
|
|
WO2008153155A1
(ja)
|
2007-06-15 |
2008-12-18 |
Fujifilm Corporation |
パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法
|
|
JP2009053688A
(ja)
|
2007-07-30 |
2009-03-12 |
Fujifilm Corp |
ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
|
|
JP5066405B2
(ja)
|
2007-08-02 |
2012-11-07 |
富士フイルム株式会社 |
電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
|
|
TWI470345B
(zh)
|
2007-08-03 |
2015-01-21 |
Fujifilm Corp |
含新穎化合物之光阻組成物、使用該光阻組成物之圖案形成方法、及新穎化合物
|
|
EP2177952A4
(en)
|
2007-08-10 |
2011-05-04 |
Fujifilm Corp |
POSITIVELY RESISTANT COMPOSITION AND STRUCTURE FORMATION PROCESS WITH THE POSITIVELY WORKING RESISTANT COMPOSITION
|
|
JP5449675B2
(ja)
|
2007-09-21 |
2014-03-19 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物
|
|
JP4911469B2
(ja)
|
2007-09-28 |
2012-04-04 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP2009122325A
(ja)
|
2007-11-14 |
2009-06-04 |
Fujifilm Corp |
トップコート組成物、それを用いたアルカリ現像液可溶性トップコート膜及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
JP5150296B2
(ja)
|
2008-02-13 |
2013-02-20 |
富士フイルム株式会社 |
電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
|
|
US9046773B2
(en)
|
2008-03-26 |
2015-06-02 |
Fujifilm Corporation |
Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method using the same, polymerizable compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound
|
|
JP5997873B2
(ja)
|
2008-06-30 |
2016-09-28 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
JP5244711B2
(ja)
|
2008-06-30 |
2013-07-24 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
JP5746818B2
(ja)
|
2008-07-09 |
2015-07-08 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
JP5106285B2
(ja)
|
2008-07-16 |
2012-12-26 |
富士フイルム株式会社 |
光硬化性組成物、インク組成物、及び該インク組成物を用いたインクジェット記録方法
|
|
JP5277128B2
(ja)
|
2008-09-26 |
2013-08-28 |
富士フイルム株式会社 |
液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
|
|
KR20110094054A
(ko)
|
2008-12-12 |
2011-08-19 |
후지필름 가부시키가이샤 |
감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 그 조성물을 이용한 패턴 형성 방법
|
|
EP2196462B1
(en)
|
2008-12-12 |
2011-09-28 |
Fujifilm Corporation |
Polymerizable compound, lactone-containing compound, method for manufacturing lactone-containing compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound
|
|
JP5377172B2
(ja)
|
2009-03-31 |
2013-12-25 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
EP2447773B1
(en)
|
2010-11-02 |
2013-07-10 |
Fujifilm Corporation |
Method for producing a pattern, method for producing a MEMS structure, use of a cured film of a photosensitive composition as a sacrificial layer or as a component of a MEMS structure
|
|
JP5635449B2
(ja)
|
2011-03-11 |
2014-12-03 |
富士フイルム株式会社 |
樹脂パターン及びその製造方法、mems構造体の製造方法、半導体素子の製造方法、並びに、メッキパターン製造方法
|
|
KR102082839B1
(ko)
|
2011-08-12 |
2020-02-28 |
미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 |
레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성방법, 이에 이용되는 폴리페놀 화합물 및 이로부터 유도될 수 있는 알코올 화합물
|
|
KR102004692B1
(ko)
|
2011-11-18 |
2019-07-29 |
미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 |
환상 화합물, 그 제조방법, 감방사선성 조성물 및 레지스트 패턴 형성방법
|
|
CN103946204B
(zh)
|
2011-11-18 |
2016-08-24 |
三菱瓦斯化学株式会社 |
环状化合物、其制造方法、辐射敏感组合物及抗蚀图案形成方法
|
|
KR102115331B1
(ko)
|
2012-10-17 |
2020-05-26 |
미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 |
레지스트 조성물
|
|
JP5764589B2
(ja)
|
2012-10-31 |
2015-08-19 |
富士フイルム株式会社 |
化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
|
|
CN104995559B
(zh)
|
2013-02-08 |
2020-04-07 |
三菱瓦斯化学株式会社 |
抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法和用于其的多元酚衍生物
|
|
KR20160019422A
(ko)
|
2013-06-07 |
2016-02-19 |
미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 |
레지스트 조성물
|
|
JP6284849B2
(ja)
|
2013-08-23 |
2018-02-28 |
富士フイルム株式会社 |
積層体
|
|
JP6167016B2
(ja)
|
2013-10-31 |
2017-07-19 |
富士フイルム株式会社 |
積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物
|
|
KR102233088B1
(ko)
|
2014-01-31 |
2021-03-29 |
후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. |
신규 폴리이미드 조성물
|
|
CN108027563B
(zh)
|
2015-04-21 |
2021-12-03 |
富士胶片电子材料美国有限公司 |
光敏性聚酰亚胺组合物
|
|
US10696932B2
(en)
|
2015-08-03 |
2020-06-30 |
Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. |
Cleaning composition
|
|
TW201821280A
(zh)
|
2016-09-30 |
2018-06-16 |
日商富士軟片股份有限公司 |
積層體以及半導體元件的製造方法
|
|
JP7127936B2
(ja)
|
2016-10-25 |
2022-08-30 |
フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド |
ポリイミド
|
|
KR102546332B1
(ko)
|
2016-11-17 |
2023-06-21 |
후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. |
스트리핑 공정
|
|
EP3587385A4
(en)
|
2017-02-23 |
2021-02-24 |
Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. |
COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, PATTERN FORMING PROCESS AND PURIFICATION PROCESS
|
|
CN110476122A
(zh)
|
2017-03-31 |
2019-11-19 |
学校法人关西大学 |
化合物、包含化合物的抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
|
|
TW201900667A
(zh)
|
2017-03-31 |
2019-01-01 |
學校法人關西大學 |
阻劑組成物及使用其之圖型形成方法,以及化合物及樹脂
|
|
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(ja)
|
2017-06-28 |
2019-01-03 |
三菱瓦斯化学株式会社 |
膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、光学部品形成用材料、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、レジスト用永久膜、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法及び回路パターン形成方法
|
|
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(ja)
|
2017-09-11 |
2022-09-21 |
フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド |
誘電フィルム形成用組成物
|
|
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(ja)
|
2017-09-29 |
2023-06-26 |
学校法人 関西大学 |
リソグラフィー用組成物、パターン形成方法、及び化合物
|
|
EP3715949A4
(en)
|
2017-11-20 |
2021-01-27 |
Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. |
COMPOSITION FOR FORMING A LITHOGRAPHIC FILM, LITHOGRAPHIC FILM, RESERVE PATTERN FORMING PROCESS AND CIRCUIT PATTERN FORMING PROCESS
|
|
JP7290114B2
(ja)
|
2018-01-22 |
2023-06-13 |
三菱瓦斯化学株式会社 |
化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法
|
|
US12134596B2
(en)
|
2018-01-31 |
2024-11-05 |
Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. |
Compound, resin, composition, resist pattern formation method, circuit pattern formation method and method for purifying resin
|
|
US20210040290A1
(en)
|
2018-01-31 |
2021-02-11 |
Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. |
Composition, method for forming resist pattern and method for forming insulating film
|
|
TW202031629A
(zh)
|
2018-08-24 |
2020-09-01 |
日商三菱瓦斯化學股份有限公司 |
化合物,及包含其之組成物,以及阻劑圖型之形成方法及絕緣膜之形成方法
|
|
WO2021065450A1
(ja)
|
2019-09-30 |
2021-04-08 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
|
|
WO2021067547A1
(en)
|
2019-10-04 |
2021-04-08 |
Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. |
Planarizing process and composition
|
|
CN115280188A
(zh)
|
2020-01-16 |
2022-11-01 |
富士胶片电子材料美国有限公司 |
干膜
|
|
JP7398551B2
(ja)
|
2020-03-30 |
2023-12-14 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、フォトマスク製造用感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びフォトマスクの製造方法
|
|
EP4129974A4
(en)
|
2020-03-31 |
2023-09-13 |
FUJIFILM Corporation |
ACTINIC RAYS OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAYS OR RADIATION SENSITIVE FILM, METHOD FOR FORMING A PATTERN AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC DEVICE
|
|
TW202209548A
(zh)
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2020-08-27 |
2022-03-01 |
日商富士軟片股份有限公司 |
經加工的基材的製造方法、半導體元件的製造方法、及暫時黏合劑層形成用組成物
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WO2022050313A1
(ja)
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2020-09-04 |
2022-03-10 |
富士フイルム株式会社 |
有機層パターンの製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法
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