JPH0558567B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、ヒータブロツクに関する。

〔発明の技術的背景〕

従来、不活性ガス雰囲気中でダイボンデイング
やワイヤボンデイングが施される被処理体のリー
ドフレームの搬送装置には、第２図に示すような
ヒータブロツク２０が組込まれている。図中１
は、上蓋ヒータブロツクである。上蓋ヒータブロ
ツク１には、ヒータブロツク本体７（後述する）
との衝合面の所定領域に不活性ガス噴出孔２ａ，
２ｂが形成されている。不活性ガス噴出孔２ａ，
２ｂは、不活性ガス通路３、ニツプル４を順次介
して外界に通じている。なお、不活性ガス噴出孔
２ａ，２ｂは、後述するリードフレーム５の半導
体素子（図示せず）取着位置に対応して上蓋ヒー
タブロツク１の長手方向に沿つて形成されてい
る。また、上蓋ヒータブロツク１には、ヒータブ
ロツク本体７との衝合部に所定の配置で突起６
ａ，６ｂが並設されている。上蓋ヒータブロツク
１の真下には、これと衝合するようにしてヒータ
ブロツク本体７が設けられている。ヒータブロツ
ク本体７の衝合部には、リードフレーム５を収容
する凹部１５が形成されている。凹部１５内に
は、突起６ａ、abが嵌入すると共に、不活性ガ
ス噴出孔２ａ，２ｂが臨むように配置するように
なつている。ヒータブロツク本体７には、凹部１
５と連通するようにして不活性ガス噴出孔８ａ，
８ｂが形成されている。この不活性ガス噴出孔８
ａ，８ｂは、不活性ガス通路９、ニツプル１０を
順次介して外界に通じている。ヒータブロツク本
体７内には、リードフレーム５を所定温度まで加
熱するためのカートリツジヒータ１１が所定の間
隔で埋設されている。カートリツジヒータ１１
は、図示しない熱電対と温度調節器により所定温
度に温度制御されるようになつている。なお、上
蓋ヒータブロツク１とヒータブロツク本体７と
は、図示しないねじによつて一体に螺着されるよ
うになつている。

〔背景技術の問随点〕

上記の従来のヒータブロツクは、次のような欠
点を有する。

上蓋ヒータブロツク１とヒータブロツク本体
７との衝合部に熱によつて隙間が生じて外部か
ら空気が侵入する。

このため銅合金等からなる被処理体であるリ
ードフレーム５が酸化され、ダイボンデイング
の信頼性の低下を招く。

ダイボンデイングの信頼性の低下に伴い、生
産性、歩留りの低下を招く。

ダイボンデイングの強度が十分に得られず、
次工程のワイヤボンデイングの際に半導体素子
の剥れが起きて、ワイヤボンダーの停止による
稼動率の低下を招く。

被処理体であるリードフレーム５が酸化され
るため、ワイヤボンデイング工程での還元時
間、還元手段（フイーダ）が長くなる。このた
め生産時間、設備費の増加を引き起こす。

酸化されたリードフレーム５の還元を十分に
できないため、外部リード側（2nd側）でのボ
ンデイングの信頼性を低下を招く。

〔発明の目的〕

本発明は、上蓋ヒータブロツクとヒータブロツ
ク本体との接合を完全にして外部からの空気の侵
入を遮断し、高品質のボンデイング処理を高い生
産性、歩留りの下に実現することができるヒータ
ブロツクを提供することをその目的とするもので
ある。

〔発明の概要〕

本発明は、上蓋ヒータブロツクに所定形状の突
起を形成し、ヒータブロツク本体にこの突起が嵌
合する凹溝を対応して形成し、かつ、凹溝内に圧
潰部材を介して突起を嵌合させることにより、上
記ヒータブロツクとヒータブロツク本体とを完全
に接合して外部からの空気の侵入を遮断し、高品
質のボンデイング処理を高い生産性歩留りの下に
実現することができるヒータブロツクである。

〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図中３１は、上蓋ヒータブロツクであ
る。上蓋ヒータブロツク３１の直下には、これと
衝合するヒータブロツク本体３２が設けられてい
る。ヒータブロツク本体３２の上面部の所定領域
には、被処理体であるリードフレーム３３を収容
するための凹部３４が形成されている。凹部３４
の近傍には、これを囲むようにして凹溝３５ａ，
３５ｂが形成されている。凹溝３５ａ，３５ｂ内
には、ステンレスパイプ、アルミニウム線等から
なる圧潰部材３６が収容されている。ヒータブロ
ツク本体３２には、一端部が凹部３４の底部で開
口する不活性ガス噴出孔３７ａ，３７ｂが形成さ
れている。不活性ガス噴出孔３７ａ，３７ｂの他
端部は、不活性ガス通路３８、ニツプル３９を順
次介して不活性ガス源（図示せず）に接続されて
いる。ヒータブロツク本体３２内には、リードフ
レーム３３を所定温度まで加熱するための熱源で
あるカートリツジヒータ４０が所定の間隔で埋設
されている。カートリツジヒータ４０は、リード
線４１を介して図示しない熱電対、温度調節器に
接続され、所定の加熱温度制御できるようになつ
ている。上蓋ヒータブロツク３１には、ヒータブ
ロツク本体３２との衝合面に凹部３４の内壁面に
当接するようにして突起４２ａ，４２ｂが形成さ
れている。また、この衝合面には、この突起４２
ａ，４２ｂとほぼ平行にして凹溝３５ａ，３５ｂ
に嵌合する突起４３ａ，４３ｂが設けられてい
る。凹部３４に対向する上蓋ヒータブロツク３１
の対向面には、不活性ガス噴出孔４４ａ，４４ｂ
が形成されている。不活性ガス噴出孔４４ａ，４
４ｂは、不活性ガス通路４５、ニツプル４６を順
次介して不活性ガス源（図示せず）に接続されて
いる。なお、上蓋ヒータブロツク３１とヒータブ
ロツク本体３２には、図示しないねじによつて一
体に螺着されるようになつている。

このように構成されたヒータブロツク５０によ
れば、凹部３４にリードフレーム３３を収容し、
上蓋ヒータブロツク３１とヒータブロツク本体３
２とを衝合すると、突起４３ａ，４３ｂが圧潰部
材３６を例えば0.1〜0.15mmの肉厚まで押し潰し
て凹溝３５ａ，３５ｂ内に嵌合する。このため凹
部３４はほぼ完全に密封された状態となる。その
結果、リードフレーム３３の熱処理に際して次の
ような効果を発揮することができる。

圧潰部材３６を押し潰して凹溝３５ａ，３５
ｂ内に嵌合した突起４３ａ，４３ｂによつて、
凹部３４内が完全に密封されるので、リードフ
レーム３３の酸化を防止してダイボンデイング
の信頼性を高めることができる。

凹部３４から外部に不活性ガスが洩れるのを
防止して不活性ガスの消費量を少なくしてコス
トの低減を図ることができる。

ダイボンデイングにて素子をリードフレーム
３３に完全に装着してワイヤボンデイング時の
剥れを防止することにより、外部リード側のボ
ンデイングの信頼性を高めることができる。

ダイボンダー機構、ワイヤボンダー機構にお
ける還元領域（フレームフイーダ）を小さくし
て、装置の小型化及び設備費の低減を達成する
ことができる。

なお、実施例では説明を簡単にするため、上蓋
ヒータブロツク３１及びヒータブロツク本体３２
については、夫々一体の単品で形成されているも
のについて説明したが、上記ヒータブロツク３
１、ヒータブロツク本体３２が複数の分割体で構
成されている場合には、分割体の衝合部に凹部３
４を囲むようにして実施例と同様の突起４３ａ，
４３ｂ、圧潰部材３６、凹溝３５ａ，３５ｂを設
けることが望ましい。

また、本実施例で使用される圧潰部材３６は、
僅かな外力によつて押し潰すことが可能であり、
この外力を除去することによつて容易に元の状態
に戻るため、再利用も可能である。

〔発明の効果〕

以上説明した如く、本発明に係るヒータブロツ
クによれば、上蓋ヒータブロツクとヒータブロツ
ク本体との接合を完全にして外部からの空気の侵
入を遮断し、高品質のボンデイング処理を高い生
産性、歩留りの下に実現することができるもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の断面図、第２図
は、従来のヒータブロツクの断面図である。 ３１……上蓋ヒータブロツク、３２……ヒータ
ブロツク本体、３３……リードフレーム、３４…
…凹部、３５ａ，３５ｂ……凹溝、３６……圧潰
部材、３７ａ，３７ｂ……不活性ガス噴出孔、３
８……不活性ガス通路、３９……ニツプル、４０
……カートリツジヒータ、４１……リード線、４
２ａ，４２ｂ……突起、４３ａ，４３ｂ……突
起、４４ａ，４４ｂ……不活性ガス噴出孔、４５
……不活性ガス通路、４６……ニツプル、５０…
…ヒータブロツク。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 互いに衝合して設けられた上蓋ヒータブロツ
   クおよびヒータブロツク本体と、該ヒータブロツ
   ク本体の衝合部に形成された被処理体を収容する
   ための凹部と、該凹部に連通した不活性ガス噴出
   孔と、前記被処理体を加熱するための熱源とを具
   備するヒータブロツクにおいて、 前記上蓋ヒータブロツクの衝合面側には、前記
   ヒータブロツク本体の凹部の内壁面に当接し、該
   凹部に収容された被処理体を押さえる第一の突起
   と、該第一の突起と離間され、前記ヒータブロツ
   ク本体の凹部を包囲するように配置された第二の
   突起とが形成されていることと、 前記ヒータブロツク本体の衝合面側には、前記
   凹部の外側近傍に該凹部を包囲し前記第二の突起
   と嵌合する凹溝が形成され、且つ該凹溝内には圧
   潰部材が収容されていることを特徴とする、ヒー
   タブロツク。