JPH055895B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH055895B2 JPH055895B2 JP58187693A JP18769383A JPH055895B2 JP H055895 B2 JPH055895 B2 JP H055895B2 JP 58187693 A JP58187693 A JP 58187693A JP 18769383 A JP18769383 A JP 18769383A JP H055895 B2 JPH055895 B2 JP H055895B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- target
- thin film
- mixture
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は混合物薄膜の形成方法に関する。
従来技術
混合物薄膜を形成するには、従来、二蒸発源蒸
着法、フラツシユ蒸着法などによつて行なわれて
いたが、前者は大面積にわたつて均一な組成を得
ることが困難であり、また後者は再現性に乏しい
という実用上の欠点を有していた。
着法、フラツシユ蒸着法などによつて行なわれて
いたが、前者は大面積にわたつて均一な組成を得
ることが困難であり、また後者は再現性に乏しい
という実用上の欠点を有していた。
近年スパツタリング技術が進歩するにともなつ
て、混合物または化合物をターゲツトとして、
RFまたはDCスパツタリングによつて、特定の組
成を有する薄膜を形成することが可能になつた。
しかし、厚み方向に組成を変化させた混合物薄膜
は、グレーテイドインデツクス光導波路などの高
性能機能素子の作製に利用することができるもの
であるが、このような混合物薄膜を形成する実用
的な方法は知られていない。
て、混合物または化合物をターゲツトとして、
RFまたはDCスパツタリングによつて、特定の組
成を有する薄膜を形成することが可能になつた。
しかし、厚み方向に組成を変化させた混合物薄膜
は、グレーテイドインデツクス光導波路などの高
性能機能素子の作製に利用することができるもの
であるが、このような混合物薄膜を形成する実用
的な方法は知られていない。
発明の目的
本発明の目的は、厚み方向に組成が変化した複
数の物質からなる混合物薄膜の形成方法を提供す
ることである。
数の物質からなる混合物薄膜の形成方法を提供す
ることである。
発明の構成
本発明の上記目的は、物質の異なる複数のスパ
ツタリングターゲツトを交互に基板と対向させ、
各対向時にターゲツトからスパツタリングされて
基板上に堆積する各ターゲツト物質の量を、少な
くとも１つのターゲツト物質の各対向時における
堆積量が時間の経過に伴なつて変化するように制
御しながら、複数のターゲツト物質を交互に基板
上に堆積させて、厚み方向に組成が変化した複数
の物質からなる混合物薄膜を製造することを特徴
とする混合物薄膜の形成方法により達成できる。
ツタリングターゲツトを交互に基板と対向させ、
各対向時にターゲツトからスパツタリングされて
基板上に堆積する各ターゲツト物質の量を、少な
くとも１つのターゲツト物質の各対向時における
堆積量が時間の経過に伴なつて変化するように制
御しながら、複数のターゲツト物質を交互に基板
上に堆積させて、厚み方向に組成が変化した複数
の物質からなる混合物薄膜を製造することを特徴
とする混合物薄膜の形成方法により達成できる。
この厚み方向に組成が変化した混合物薄膜は、
基板を取付ける回転可能な支持体と、基板の回転
につれて交互に基板と対向するように配置した複
数のスパツタリングターゲツトと、これらのター
ゲツト相互間に配置したターゲツト物質の堆積量
を検知する検知器と、検知した堆積量に基づいて
各ターゲツトのスパツタリング電力を制御する装
置とを含む混合物薄膜の形成装置に使用して製造
することができる。
基板を取付ける回転可能な支持体と、基板の回転
につれて交互に基板と対向するように配置した複
数のスパツタリングターゲツトと、これらのター
ゲツト相互間に配置したターゲツト物質の堆積量
を検知する検知器と、検知した堆積量に基づいて
各ターゲツトのスパツタリング電力を制御する装
置とを含む混合物薄膜の形成装置に使用して製造
することができる。
堆積量を検知する装置はエリプソメータが便宣
である。
である。
第１図は本発明の混合物薄膜の製造方法に使用
する装置を示し、電源を除く部分は、図示しない
真空チエンバ内に収容されている。混合物薄膜を
形成すべき基板１は、回転可能な支持体２に取付
け、けい素ターゲツト３とゲルマニウムターゲツ
ト４とが交互に基板１と対向するように配置して
ある。これらのターゲツト３と４との間に厚み検
出器６としてエリプソメータ（溝尻光学製、商品
名DVH−36）を配置してあり、検知した厚みを
各ターゲツト電源にフイードバツクして、スパツ
タリング電流を制御する。
する装置を示し、電源を除く部分は、図示しない
真空チエンバ内に収容されている。混合物薄膜を
形成すべき基板１は、回転可能な支持体２に取付
け、けい素ターゲツト３とゲルマニウムターゲツ
ト４とが交互に基板１と対向するように配置して
ある。これらのターゲツト３と４との間に厚み検
出器６としてエリプソメータ（溝尻光学製、商品
名DVH−36）を配置してあり、検知した厚みを
各ターゲツト電源にフイードバツクして、スパツ
タリング電流を制御する。
第２図は本発明の混合物薄膜の製造方法に使用
する装置を示す。基板１は、回転可能な円板であ
る基板支持体２に取付け、この上方にターゲツト
３，４，５を配置し、これらの間に厚み検出器６
を配置する。
する装置を示す。基板１は、回転可能な円板であ
る基板支持体２に取付け、この上方にターゲツト
３，４，５を配置し、これらの間に厚み検出器６
を配置する。
実施例
真空チエンバ内の雰囲気を酸素50％＋アルゴン
50％とし、ガス圧は５×10-3Torrに保つた。支
持体２を10rpmで回転させ、カソード電流をけい
素ターゲツトには４Ａと一定とし、ゲルマニウム
ターゲツトには時間の経過に伴なつて０Ａから４
Ａまで変化させた。各ターゲツトを１回通過した
後の厚みの増加は、けい素スパツタリングの場合
は1.4nmとし、ゲルマニウムスパツタリングの場
合は最初の0nmから1.4nmまで変化させた。スパ
ツタリングによつて得られた酸化物薄膜の屈折率
は、第３図に示すようにゲルマニウムターゲツト
のカソード電流が０Ａのときは1.46、４Ａのとき
は1.52であり、これらは酸化物の組成がSi1Ge0O2
およびSi0．5Ge0．5O2にそれぞれ対応する。
50％とし、ガス圧は５×10-3Torrに保つた。支
持体２を10rpmで回転させ、カソード電流をけい
素ターゲツトには４Ａと一定とし、ゲルマニウム
ターゲツトには時間の経過に伴なつて０Ａから４
Ａまで変化させた。各ターゲツトを１回通過した
後の厚みの増加は、けい素スパツタリングの場合
は1.4nmとし、ゲルマニウムスパツタリングの場
合は最初の0nmから1.4nmまで変化させた。スパ
ツタリングによつて得られた酸化物薄膜の屈折率
は、第３図に示すようにゲルマニウムターゲツト
のカソード電流が０Ａのときは1.46、４Ａのとき
は1.52であり、これらは酸化物の組成がSi1Ge0O2
およびSi0．5Ge0．5O2にそれぞれ対応する。
発明の効果
本発明によつて、二元酸化物薄膜の組成を厚み
方向に変化させて製造することができる。
方向に変化させて製造することができる。
第１図は本発明の方法に使用する装置の説明図
であり、第２図は本発明の方法に使用する他の装
置の説明図であり、第３図はゲルマニウムターゲ
ツトの電流と、生成した酸化物薄膜の屈折率との
関係を示すグラフである。 １……基板、２……支持回転体、３，４，５…
…スパツタリングターゲツト、６……厚み検出
器。
であり、第２図は本発明の方法に使用する他の装
置の説明図であり、第３図はゲルマニウムターゲ
ツトの電流と、生成した酸化物薄膜の屈折率との
関係を示すグラフである。 １……基板、２……支持回転体、３，４，５…
…スパツタリングターゲツト、６……厚み検出
器。
Claims (1)
- １ 物資の異なる複数のスパツタリングターゲツ
トを交互に基板と対向させ、各対向時にターゲツ
トからスパツタリングされて基板上に推積する各
ターゲツト物質の量を、少なくとも１つのターゲ
ツト物質の各対向時における堆積量が時間の経過
に伴なつて変化するように制御しながら、複数の
ターゲツト物資を交互に基板上に堆積させて、厚
み方向に組成が変化した複数の物質からなる混合
物薄膜を製造することを特徴とする混合物薄膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18769383A JPS6082663A (ja) | 1983-10-08 | 1983-10-08 | 混合物薄膜製造の方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18769383A JPS6082663A (ja) | 1983-10-08 | 1983-10-08 | 混合物薄膜製造の方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6082663A JPS6082663A (ja) | 1985-05-10 |
| JPH055895B2 true JPH055895B2 (ja) | 1993-01-25 |
Family
ID=16210494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18769383A Granted JPS6082663A (ja) | 1983-10-08 | 1983-10-08 | 混合物薄膜製造の方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6082663A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08214930A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-27 | Eewa:Kk | 包装容器および包装容器の製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61207573A (ja) * | 1985-03-09 | 1986-09-13 | Matsufumi Takatani | 多成分系電力スパツタリング法 |
| JPS62142763A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
| JPH07109029B2 (ja) * | 1986-05-20 | 1995-11-22 | 松下電器産業株式会社 | ペロブスカイト薄膜の製造方法 |
| JPS6487768A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Hitachi Ltd | Multifunction vacuum plating device |
| EP1260604A4 (en) * | 2000-01-27 | 2006-12-27 | Nikon Corp | METHOD FOR PRODUCING A FILM OF COMPOSITE MATERIAL WITH A GAS-PRODUCING ELEMENT |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538427A (en) * | 1978-09-09 | 1980-03-17 | Toshiba Electric Appliance Co Ltd | Oblique pot-type incinerator |
| JPS57116347A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-20 | Canon Inc | Photoconductive material |
-
1983
- 1983-10-08 JP JP18769383A patent/JPS6082663A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08214930A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-27 | Eewa:Kk | 包装容器および包装容器の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6082663A (ja) | 1985-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2886502A (en) | Cathodic sputtering of metal and dielectric films | |
| JPH055895B2 (ja) | ||
| US4591417A (en) | Tandem deposition of cermets | |
| JPS61250163A (ja) | 多層薄膜の製造方法および装置 | |
| US4376795A (en) | Method of producing image sensor | |
| US5240581A (en) | Method of producing a magneto-optical disk | |
| JPS61235560A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
| JPH09296265A (ja) | 斜め蒸着膜の製造方法 | |
| JPH06212403A (ja) | 酸化Ｉｎ−Ｓｎ系透明導電膜の製造方法 | |
| US4040927A (en) | Cadmium tellurite thin films | |
| JPH05132771A (ja) | スパツタ装置およびその方法 | |
| KR0178784B1 (ko) | 산화물 초전도 박막의 제조방법 및 그 장치 | |
| JP2844779B2 (ja) | 膜形成方法 | |
| SU742400A1 (ru) | Способ получени многослойных интерференционных зеркал | |
| JP2751140B2 (ja) | 複屈折板の製造方法 | |
| JPH0730447B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2710988B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JPH1060642A (ja) | インジウム酸化物／スズ酸化物透明電極基板上での有機物薄膜の蒸着過程を直接モニタリングしながら蒸着薄膜を作製する方法 | |
| JPS6348632A (ja) | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 | |
| JPH02125862A (ja) | 酸化物超伝導膜の成膜法 | |
| JPH08158041A (ja) | 透明導電膜の製造方法および装置 | |
| JPH021910B2 (ja) | ||
| JPS5837952Y2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPS62287069A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH0562459B2 (ja) |