JPH0584576B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野） この発明はレーザー光線により信号を記録しあ
るいはレーザー光線の反射又は透過により記録さ
れた信号の読み出しを行なう光学式情報記録デイ
スクに用いられるポリカーボネート共重合体から
成る光学式デイスクに関する。 （従来の技術） レーザー光線のスポツトビームをデイスクにあ
て、デイスクに微細なピツトで信号を記録あるい
はこのようなピツトによつて記録された信号をレ
ーザー光線の反射又は透過光量を検出することに
よつて読み出すDRAW（ダイレクト・リード・ア
フター・ライト），Erasable−DRAW（イレーザ
ブル−ダイレクト・リード・アフター・ライト）
型光学式情報記録再生方式は著しく記録密度を上
げることができ特にErasable−DRAW型では記
録の消去．書き込みも可能であり、且つそれらか
ら再生される画像や音質が優れた特性を有するこ
とから画像や音質の記録又は記録再生、多量の情
報記録再生等に広く実用されることが期待されて
いる。この記録再生方式に利用されるデイスクに
はデイスク本体をレーザー光線が透過するために
透明であることは勿論のこと読み取り誤差を少な
くするために光学的均質性が強く求められる。デ
イスク本体形成時の樹脂の冷却及び流動過程にお
いて生じた熱応力、分子配向、ガラス転移点付近
の容積変化による残留応力が主な原因となり、レ
ーザー光線がデイスク本体を通過する際に複屈折
が生ずる。この複屈折に起因する光学的不均一性
が大きいことは光学式デイスクとしては致命的欠
陥である。 （発明が解決しようとする問題点） このようにデイスク成形時の樹脂の冷却及び流
動過程において生じた熱応力、分子配向、残留応
力が主原因で生ずる複屈折は形成条件を選ぶこと
によつて得られるデイスクの複屈折はかなり小さ
くすることができるが、成形樹脂自身のもつ固有
の複屈折、すなわち光弾性定数に大きく依存して
いる。 （問題点を解決するための手段） 複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記
(1)式で表すことができる。 n₁−n₂＝Ｃ（σ₁−σ₂） (1) n₁−n₂：複屈折 σ₁−σ₂：残留応力 Ｃ：光弾性定数 (1)式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が
同じでも得られるデイスクの複屈折が小さくなる
ことは明らかである。そこで発明者らは２，２−
ビス−（４−ヒドロキシフエニル）プロパンと２，
２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシヤリー
ブチルフエニル）プロパンをカーボネート結合に
よつて共重合させることによつて芳香族ポリカー
ボネートの機械的特性を損ねることなく光弾性定
数の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発明
に至つたものである。 （発明の構成） 本発明は２，２−ビス−（４−ヒドロキシフエ
ニル）プロパン（Ｉ）95〜５モル％と２，２−ビ
ス−（４−ヒドロキシ−３−ターシヤリーブチル
フエニル）プロパン（）５〜95モル％とをカー
ボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネー
ト共重合体から成る光学式デイスクに関する。か
くして、この発明によれば、下記の式（Ｉ），
（）で示されるビスフエノールがカーボネート
結合により共重合してなる芳香族ポリカーボネー
ト共重合体が提供される。

【化】

【化】 また、式（）の構成単位は10〜90モル％が好
ましい。というのは、式（）の構成単位が10モ
ル％未満のものであると得られる芳香族ポリカー
ボネートの光弾性定数は式（Ｉ）よりなるホモポ
リカーボネートとあまり変わらない。また、式
（）の構成単位が90モル％を超えると得られる
芳香族ポリカーボネートのガラス転移点が式
（Ｉ）よりなるホモポリカーボネートに較べて著
しく低下する。なお、本発明の共重合体の粘度平
均分子量は13000〜50000が好ましい。13000未満
では共重合体がもろくなり50000を越えると共重
合体の流れが悪くなり成形性が劣る。 さらに、第３成分を共重合体させることも可能
である。本発明のポリカーボネート共重合体の製
造法としては、次の２つのの方法がある。 エステル交換法 ２，２−ビス−（４−ヒドロキシフエニル）プ
ロパンと２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−
ターシヤリーブチルフエニル）プロパンの混合物
に対し化学量論的に当量よりやや過剰のジフエニ
ルカーボネートに通常のカーボネート化触媒の存
在下約160〜180℃の温度下で常圧下、不活性ガス
を導入した条件下で約30分反応させ約２時間〜３
時間かけて徐々に減圧しながら180〜220℃の温度
下で最終的に10Torr，220℃下で前縮合を終了す
る。その後、10Torr，270℃下で30分，5Torr，
270℃下で20分反応し、対で0.5Torr以下好まし
くは0.3Torr〜0.1Torrの減圧下で270℃下で1.5時
間〜2.0時間後縮合を進める。尚、カーボネート
結合のためカーボネート化触媒としてはリチウム
系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系触媒、カ
ルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属触媒が適しており例えば水酸化リ
チウム、炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム、
リン酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水素化
ホウ素ナトリウム、水素化カルシウム、ジブチル
錫オキシド、酸化第１錫が挙げられる。これらの
うち、カリウム系触媒を用いることが好ましい。 ホスゲン法 三つ口フラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導
入管、排気管をつける。２，２−ビス−（４−ヒ
ドロキシフエニル）プロパンと２，２−ビス−
（４−ヒドロキシ−３−ターシヤリーブチルフエ
ニル）プロパンの混合物をピリジンに溶かしこれ
を激しくかき混ぜながらホスゲンガスを導入する
のであるが、ホスゲンは猛毒であるから強力なド
ラフト中で操作する。また、排気末端には水酸化
ナトリウム10％水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒
化するユニツトをつける。ホスゲンはボンベから
の洗気びん、パラフインを入れた洗気びん（泡数
を数える）、空の洗気びんを通してフラスコに導
入する。ガラス導入管はかき混ぜ機の上に差し込
むようにし、析出するピリジン塩によつてつまら
ないようにするため先端を漏斗状に広げておく。
ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容
な濁つてくる。反応温度は30℃以下になるように
水冷する。縮合の進行とともに粘ちようになつて
くる。ホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えなく
なるまでホスゲンを通じる。反応終了後、メタノ
ールを加えて重合体を沈殿せしめ、ろ別乾燥す
る。生成するポリカーボネートは塩化メチレン、
ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランな
どに溶けるから、これらの溶液からメタノールで
再沈殿して精製する。このようにして得られるポ
リカーボネート共重合体は、レーザー光線により
信号を記録し、あるいは、レーザー光線の反射又
は透過により記録された信号の読み出しをおこな
うDRAW，Erasable−DRAW光学式情報記録用
デイスクに有用である。以下に本発明を実施例に
ついて説明するが、本発明は、これらの実施例に
よつて限定されるものではない。 実施例 １ ２，２−ビス−（４−ヒドロキシフエニル）プ
ロパン192重量部（50mol％）と２，２−ビス−
（４−ヒドロキシ−３−ターシヤリーブチルフエ
ニル）プロパン122重量部（50mol％）とジフエ
ニルカーボネート264重量部を３三つ口フラス
コに入れ脱気、N₂パージを５回繰り返した後、
シリコンバス160℃で窒素を導入しながら溶融さ
せた。溶融したら、カーボネート化触媒である水
素化ホウ素カリウムを予めフエノールに溶かした
溶液（仕込んだビスフエノール全量に対して10^-3
mol％量）を加え、160℃、N₂下、30分攪はん醸
成した。次に、同温度下、100Torrにし30分攪は
んした後、同温度下でさらに50Torrに減圧し60
分反応させた。次に徐々に温度を220℃まで上げ
60分反応させここまでの反応でフエノール留出理
論量の80％を留出させた。しかるのち、同温度下
で10Torrに減圧し30分反応させ温度を徐々に270
℃に上げ、30分反応させた。さらに同温度下で
5Torrに減圧し30分反応させ、フエノール留出理
論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終えた。次に
同温度下で0.1〜0.3Toorで２時間後縮合させた。
窒素下にて生成物のポリマーを取り出し冷却した
後ジクロルメタンを溶媒に用いて20℃にて溶液粘
度を測定した。この値から算出した粘度平均分子
量はｖ＝23000であつた。 実施例 ２ 三つ口フラスコに攪はん機、温度計、ガス導入
管、排気管をつける。ジクロルメタンに２，２−
ビス−（４−ヒドロキシフエニル）プロパン192重
量部と２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−タ
ーシヤリーブチルフエニル）プロパン122重量部
を溶かし、水酸化ナトリウム10重量％水溶液を加
えこれを激しく攪はんしながらホスゲンガスを導
入した。ホスゲンはボンベから空の洗気びん、水
を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフラス
コに導入した。ホスゲンガスを導入中の反応温度
は25℃以下になるように水冷した。縮合の進行と
ともに溶液は粘ちようになつてくる。さらにホス
ゲン−塩化水素錯体の黄色が消えてなくなるまで
ホスゲンを通じた。反応終了後、メタノールに反
応溶液を注ぎこみろ別し水洗を繰り返した。さら
に生成したポリカーボネートはジクロルメタンの
溶液からメタノールで再沈精製した。精製後よく
乾燥したのちジクロルメタンを溶媒に用いて20℃
にて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘
度を測定した。この値から算出した粘度平均分子
量はｖ＝26000であつた。 （記録特性の評価） 上記のようにして製造したポリカーボネート共
重合体に記録膜を付けて、光記録特性評価した。
即ち、実施例１，２に記載のポリカーボネート共
重合体を射出成形機（名機製作所製、ダイナメル
ター）を用いて直径130mm、厚さ1.2mmの円盤状基
板に成形し、この基板上にTb_23.5Fe_64.2Co_12.3（原
子％）の合金ターゲツトを用いてスパツタリング
装置（RFスパツタリング装置、日本真空(株)製）
中で光磁気記録膜を1000Å形成した。この記録膜
上に本出願人による特開昭60−177449号に記載の
無機ガラスの保護膜1000Åを上記と同じスパツタ
リング装置を用いて形成した。得られた光磁気デ
イスクの性能をCN比、BERおよび60℃90RH％
の条件下でのCN比変化率で評価した。結果は表
１の通りであつた。

【表】 表１の結果から明らかなように、本発明によるポ
リカーボネート共重合体は複屈折値の低下により
CN比が大幅に向上しており、耐久性にも優れて
いることがわかる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ ２，２−ビス−（４−ヒドロキシフエニル）
   プロパン95〜５モル％と２，２−ビス−（４−ヒ
   ドロキシ−３−ターシヤリーブチルフエニル）プ
   ロパン５〜95モル％とをカーボネート結合して得
   られる芳香族ポリカーボネート共重合体から成る
   光学式デイスク。