JPH0586657B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0586657B2 JPH0586657B2 JP58240206A JP24020683A JPH0586657B2 JP H0586657 B2 JPH0586657 B2 JP H0586657B2 JP 58240206 A JP58240206 A JP 58240206A JP 24020683 A JP24020683 A JP 24020683A JP H0586657 B2 JPH0586657 B2 JP H0586657B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- bumps
- film
- conductive film
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/251—Materials
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子やフイルムキヤリア、電子
回路基板などにバンプを提供するための、バンプ
を有する転写用バンプ製造方法に関するものであ
る。
回路基板などにバンプを提供するための、バンプ
を有する転写用バンプ製造方法に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
従来のバンプを有する模擬半導体基板は、第１
図にその具体構成を示すように、たとえばガラス
板より成る基体１を設け、この上に金属バンプ材
（Auなど）に対して剥離性の良い金属層たとえば
Pd，Pt，SnO2，ITOなどの導電膜２を全面に形
成する。
図にその具体構成を示すように、たとえばガラス
板より成る基体１を設け、この上に金属バンプ材
（Auなど）に対して剥離性の良い金属層たとえば
Pd，Pt，SnO2，ITOなどの導電膜２を全面に形
成する。
そして、この導電膜２の上にフオトエツチング
等によつて開孔部３より導電膜２が露出するよう
にSiO2膜のようなメツキレジスト層４を形成す
る。
等によつて開孔部３より導電膜２が露出するよう
にSiO2膜のようなメツキレジスト層４を形成す
る。
そして、このメツキレジスト層の開孔部３を通
じて外部に露出している導電膜２の上にAuのよ
うな金属バンプ材を電気メツキによつて厚付けし
てバンプ５を形成する。このような構成では、バ
ンプの剥離性をよくするためにメツキレジスト層
４を薄くするとピンホール６が生じて、電気メツ
キするとレジスト層４のピンホール６に余分なバ
ンプ７が形成されるという問題があつた。またメ
ツキレジスト層４を厚くするとバンプ５が剥離し
にくくなるということもあつた。そのため、半導
体素子の電極部にバンプ５を転写するときに品質
管理上、または組立上において問題があつた。
じて外部に露出している導電膜２の上にAuのよ
うな金属バンプ材を電気メツキによつて厚付けし
てバンプ５を形成する。このような構成では、バ
ンプの剥離性をよくするためにメツキレジスト層
４を薄くするとピンホール６が生じて、電気メツ
キするとレジスト層４のピンホール６に余分なバ
ンプ７が形成されるという問題があつた。またメ
ツキレジスト層４を厚くするとバンプ５が剥離し
にくくなるということもあつた。そのため、半導
体素子の電極部にバンプ５を転写するときに品質
管理上、または組立上において問題があつた。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するものであ
り、バンプの剥離を確実にして、余部なバンプを
設けないようにするものである。
り、バンプの剥離を確実にして、余部なバンプを
設けないようにするものである。
発明の構成
本発明の製造方法は、絶縁基板状に導電膜を形
成し、この導電膜上に所定形状の開孔部を設けた
第一の絶縁膜を形成し、さらに前記第一の絶縁膜
上に前記開孔部より大なる開孔部を設け、第二の
絶縁膜を形成した転写バンプ用基板を製造し、こ
の転写バンプ基板の導電膜に電気メツキ法により
金属バンプを形成するもので、絶縁膜のピンホー
ルを大幅に削減でき、またバンプの剥離性も向上
し、品質管理上、組立上きわめて有利である。
成し、この導電膜上に所定形状の開孔部を設けた
第一の絶縁膜を形成し、さらに前記第一の絶縁膜
上に前記開孔部より大なる開孔部を設け、第二の
絶縁膜を形成した転写バンプ用基板を製造し、こ
の転写バンプ基板の導電膜に電気メツキ法により
金属バンプを形成するもので、絶縁膜のピンホー
ルを大幅に削減でき、またバンプの剥離性も向上
し、品質管理上、組立上きわめて有利である。
実施例の説明
以下に本発明の一実施例を第２図ａ〜ｄにもと
づいて説明する。図において、１１は絶縁性の基
体、１２は基体１１上に形成された導電膜、１３
は導電膜１２上に形成された第一の絶縁膜、１４
は第一の絶縁膜１３に形成された開孔部、１５は
第一の絶縁膜１３上に形成された第二の絶縁膜、
１６は第二の絶縁膜１５に形成された開孔部１７
は第二の絶縁膜１５の開孔部１６と第一の絶縁膜
１３の開孔部１４とを通して導電膜１２上に形成
されたバンプ、１８は第一の絶縁膜のピンホール
である。
づいて説明する。図において、１１は絶縁性の基
体、１２は基体１１上に形成された導電膜、１３
は導電膜１２上に形成された第一の絶縁膜、１４
は第一の絶縁膜１３に形成された開孔部、１５は
第一の絶縁膜１３上に形成された第二の絶縁膜、
１６は第二の絶縁膜１５に形成された開孔部１７
は第二の絶縁膜１５の開孔部１６と第一の絶縁膜
１３の開孔部１４とを通して導電膜１２上に形成
されたバンプ、１８は第一の絶縁膜のピンホール
である。
たとえば基体１１は耐熱ガラスを用い、前記基
体１１上にバンプ材（Auなど）に対して剥離性
のよいITOなどの導電膜１２を形成したのち、前
記導電膜１２上にSiO2膜を塗布法により薄く
（500Å〜1000Å）形成して第一の絶縁膜１３とす
る。そしてフオトエツチング等の手段により前記
第一の絶縁膜１３に開孔部１４を設ける。これは
半導体素子の電極の位置に対応しており、開口部
１４の大きさはバンプの大きさにより決められ
る。さらに第一の絶縁膜１３上に感充性ポリイド
膜を塗布法により厚く（1μm〜10μm）形成して
第二の絶縁膜１５とし、前記第二の絶縁膜１５に
バンプよりも大きな開孔部１６をフオトエツチン
グで設ける。このようにすればバンプの剥離性を
向上させるために第一の絶縁膜１３を薄くして、
第一の絶縁膜１３にピンホール１８が発生しても
第二の絶縁膜１５により埋めることができる。
体１１上にバンプ材（Auなど）に対して剥離性
のよいITOなどの導電膜１２を形成したのち、前
記導電膜１２上にSiO2膜を塗布法により薄く
（500Å〜1000Å）形成して第一の絶縁膜１３とす
る。そしてフオトエツチング等の手段により前記
第一の絶縁膜１３に開孔部１４を設ける。これは
半導体素子の電極の位置に対応しており、開口部
１４の大きさはバンプの大きさにより決められ
る。さらに第一の絶縁膜１３上に感充性ポリイド
膜を塗布法により厚く（1μm〜10μm）形成して
第二の絶縁膜１５とし、前記第二の絶縁膜１５に
バンプよりも大きな開孔部１６をフオトエツチン
グで設ける。このようにすればバンプの剥離性を
向上させるために第一の絶縁膜１３を薄くして、
第一の絶縁膜１３にピンホール１８が発生しても
第二の絶縁膜１５により埋めることができる。
発明の効果
このように本発明は第一と第二の絶縁膜を形成
しているため、バンプの剥離性がよく、ピンホー
ルによるバンプの少ない品質のよいバンプを有す
る模擬半導体装置を提供することができるため、
半導体装置の電極へバンプを確実に転写でき、ま
たピンホールによるバンプがないためシヨートな
どのトラブルを解消でき、半導体素子の組立上き
わめて有利である。
しているため、バンプの剥離性がよく、ピンホー
ルによるバンプの少ない品質のよいバンプを有す
る模擬半導体装置を提供することができるため、
半導体装置の電極へバンプを確実に転写でき、ま
たピンホールによるバンプがないためシヨートな
どのトラブルを解消でき、半導体素子の組立上き
わめて有利である。
第１図は従来のバンプを有する模擬半導体装置
の断面図、第２図ａ〜ｄは本発明の一実施例にお
ける各工程におけるバンプを有する模擬半導体装
置の断面図である。 １，１１……基体、２，１２……導電膜、３…
…メツキレジスト膜の開孔部、４……メツキレジ
スト膜、５，１７……バンプ、６……ピンホー
ル、７……余分なバンプ、１３……第一の絶縁
膜、１４……第一の絶縁膜の開孔部、１５……第
二の絶縁膜、１６……第二の絶縁膜の開孔部、１
８……第一の絶縁膜のピンホール。
の断面図、第２図ａ〜ｄは本発明の一実施例にお
ける各工程におけるバンプを有する模擬半導体装
置の断面図である。 １，１１……基体、２，１２……導電膜、３…
…メツキレジスト膜の開孔部、４……メツキレジ
スト膜、５，１７……バンプ、６……ピンホー
ル、７……余分なバンプ、１３……第一の絶縁
膜、１４……第一の絶縁膜の開孔部、１５……第
二の絶縁膜、１６……第二の絶縁膜の開孔部、１
８……第一の絶縁膜のピンホール。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に導電膜を形成し、この導電膜上
に所定形状の開孔部を設けた第一の絶縁膜を形成
し、さらに前記第一の絶縁膜上に前記開孔部より
大なる開孔部を設け、第二の絶縁膜を形成した転
写バンプ用基板を製造し、この転写バンプ基板の
導電膜に電気メツキ法により金属バンプを形成す
る転写用バンプ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58240206A JPS60132346A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 転写用バンプ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58240206A JPS60132346A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 転写用バンプ製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60132346A JPS60132346A (ja) | 1985-07-15 |
| JPH0586657B2 true JPH0586657B2 (ja) | 1993-12-13 |
Family
ID=17056027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58240206A Granted JPS60132346A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 転写用バンプ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60132346A (ja) |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP58240206A patent/JPS60132346A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60132346A (ja) | 1985-07-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |