JPH0588547B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0588547B2 JPH0588547B2 JP61071752A JP7175286A JPH0588547B2 JP H0588547 B2 JPH0588547 B2 JP H0588547B2 JP 61071752 A JP61071752 A JP 61071752A JP 7175286 A JP7175286 A JP 7175286A JP H0588547 B2 JPH0588547 B2 JP H0588547B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- tape carrier
- semiconductor devices
- conductor pattern
- conductor patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用テープキヤリアに関す
る。
る。
従来の半導体装置用テープキヤリア（以下単に
テープキヤリアという）は第２図に示したよう
に、絶縁フイルム１の片面のみに所望の配線２と
半導体装置を電気的に試験する時の試験用電極３
からなる導体パターン１０が形成されていた。
テープキヤリアという）は第２図に示したよう
に、絶縁フイルム１の片面のみに所望の配線２と
半導体装置を電気的に試験する時の試験用電極３
からなる導体パターン１０が形成されていた。
上述した従来のテープキヤリアは、半導体装
置、特に集積回路装置（LSI）の高集積化に伴な
つて集積回路装置の外部引出し用電極の数が増え
る場合、必然的にテープキヤリアに形成される試
験用電極の数も多くなり、テープキヤリア自体の
面積が大きくなるという問題点がある。
置、特に集積回路装置（LSI）の高集積化に伴な
つて集積回路装置の外部引出し用電極の数が増え
る場合、必然的にテープキヤリアに形成される試
験用電極の数も多くなり、テープキヤリア自体の
面積が大きくなるという問題点がある。
本発明の目的は、面積の小さな半導体装置用テ
ープキヤリアを提供することにある。
ープキヤリアを提供することにある。
本発明の半導体装置用テープキヤリアは、絶縁
フイルム上に複数の導体パターンが形成されてな
る半導体装置用テープキヤリアであつて、一部の
前記導体パターンは前記絶縁フイルムの表面と裏
面とに分割されて形成され、かつスルーホールを
介して接続されているものである。
フイルム上に複数の導体パターンが形成されてな
る半導体装置用テープキヤリアであつて、一部の
前記導体パターンは前記絶縁フイルムの表面と裏
面とに分割されて形成され、かつスルーホールを
介して接続されているものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図ａ，ｂは本発明の一実施例の平面図であ
り、ａはテープキヤリアの表面側をまたｂは裏面
側を示している。
り、ａはテープキヤリアの表面側をまたｂは裏面
側を示している。
第１図ａにおいて、絶縁フイルム１上には配線
２と試験用電極３とからなる複数の導体パターン
１０が形成されているが、一部の導体パターンは
第１図ａ，ｂに示したように、絶縁フイルム１の
表面と裏面とに分割されて形成されている。そし
て、絶縁フイルム１の表面に形成された導体パタ
ーン１０Ａと裏面に形成された導体パターン１０
Ｂとはスルーホール４を介して接続されている。
２と試験用電極３とからなる複数の導体パターン
１０が形成されているが、一部の導体パターンは
第１図ａ，ｂに示したように、絶縁フイルム１の
表面と裏面とに分割されて形成されている。そし
て、絶縁フイルム１の表面に形成された導体パタ
ーン１０Ａと裏面に形成された導体パターン１０
Ｂとはスルーホール４を介して接続されている。
このように構成された本実施例においては、導
電パターンが絶縁膜の表裏の２面に形成され、必
然的に試験用電極３や分散される為テープキヤリ
アの面積は小さくなる。従つてLSIの外部引出し
用電極の数が増してもテープキヤリアの面積の増
加は抑制されたものとなる。
電パターンが絶縁膜の表裏の２面に形成され、必
然的に試験用電極３や分散される為テープキヤリ
アの面積は小さくなる。従つてLSIの外部引出し
用電極の数が増してもテープキヤリアの面積の増
加は抑制されたものとなる。
以上説明したように本発明は、配線と試験用電
極からなる導体パターンを、絶縁フイルムの表面
と裏面とに分割して形成することにより、半導体
装置の高集積化に伴なう外部引出し用電極の数が
増加しても面積を大きくする必要のない半導体装
置用テープキヤリアが得られる。
極からなる導体パターンを、絶縁フイルムの表面
と裏面とに分割して形成することにより、半導体
装置の高集積化に伴なう外部引出し用電極の数が
増加しても面積を大きくする必要のない半導体装
置用テープキヤリアが得られる。
第１図はａ，ｂは本発明の一実施例の平面図、
第２図は従来の半導体装置用テープキヤリアの平
面図である。 １……絶縁フイルム、２……配線、３……試験
用電極、４……スルーホール、１０，１０Ａ，１
０Ｂ……導体パターン。
第２図は従来の半導体装置用テープキヤリアの平
面図である。 １……絶縁フイルム、２……配線、３……試験
用電極、４……スルーホール、１０，１０Ａ，１
０Ｂ……導体パターン。
Claims (1)
- １ 絶縁フイルムの一主面から前記絶縁フイルム
の開孔部に突出して設けられた複数の導体パター
ンを有する半導体装置用テープキヤリアにおい
て、前記複数の導体パターンは前記一主面にて終
端した第１の導体パターン群と、前記一主面から
スルーホールを介して前記絶縁フイルムの反対面
へ導出され前記反対面にて終端した第２の導体パ
ターン群とからなることを特徴とする半導体装置
用テープキヤリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61071752A JPS62226637A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 半導体装置用テ−プキヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61071752A JPS62226637A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 半導体装置用テ−プキヤリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62226637A JPS62226637A (ja) | 1987-10-05 |
| JPH0588547B2 true JPH0588547B2 (ja) | 1993-12-22 |
Family
ID=13469576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61071752A Granted JPS62226637A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 半導体装置用テ−プキヤリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62226637A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046040A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP61071752A patent/JPS62226637A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62226637A (ja) | 1987-10-05 |
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