JPH06103693B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH06103693B2
JPH06103693B2 JP22464287A JP22464287A JPH06103693B2 JP H06103693 B2 JPH06103693 B2 JP H06103693B2 JP 22464287 A JP22464287 A JP 22464287A JP 22464287 A JP22464287 A JP 22464287A JP H06103693 B2 JPH06103693 B2 JP H06103693B2
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JP
Japan
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wiring
resistivity
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low
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益男 山崎
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NEC Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に回路ブロック間を接続
する配線に関する。
〔従来の技術〕
従来、複数の回路ブロック間を配線で接続する半導体装
置はにおいては、第2図に示すように、出力回路ブロッ
ク1と入力回路ブロック2は高抵抗率配線3と低抵抗率
配線4とから構成されていた。第3図は、配線の抵抗率
(単位長当りの抵抗)による配線距離と遅延時間との関
係を示す図であり、出力回路ブロック1と、入力回路ブ
ロック2の配線距離が長くなると、配線抵抗が大きくな
り、特に高抵抗率配線では遅延時間が大きくなってい
た。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体装置においては、半導体装置の高
密度化に伴ない回路ブロック間の接続用配線の幅が狭く
なり、高抵抗率配線が多くなる傾向がある。すなわち単
位線長当りの抵抗値が大となる。又、半導体装置の大規
模化で、回路ブロック間の配線距離が長くなり、高抵抗
率配線を用いたことで配線抵抗が大きく、時定数の増加
を招き、遅延時間が大きくなって高速化を妨げるという
欠点がある。
この対策として全面的に低抵抗率配線を採用しようとす
ると、太幅の配線を使用する必要があるため配線可能な
信号本数が減少するという問題をもっていた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、複数の回路ブロックと、該回路
ブロック間を高抵抗率の配線とこれに接続する低抵抗率
の配線とを用いて接続する半導体装置であって、前記回
路ブロック間の配線はその長さが長い程低抵抗率の配線
の割合を多くしたものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を説明するためのブロック図
である。
複数の出力回路ブロック1,1Aと入力回路ブロック2,2Aと
はそれぞれ高抵抗率配線3と低抵抗率配線4で接続され
ている。そして、特に配線の長い出力回路ブロック1と
入力回路ブロック2間は、配線の長さの短い出力路ブロ
ック1Aと入力回路ブロック2A間に比べ、低抵抗率配線の
割合が多くなっている。
このように回路ブロック間の配線距離が長く、高抵抗率
配線を用いることで配線抵抗が大きくなり、遅延時間の
遅れが大きい場合、回路ブロック間の配線を、低抵抗率
配線を多く使用することにより、配線抵抗を少なくし遅
延時間を速めることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体装置内の回路ブロ
ック間を接続する配線において、その距離が長い場合配
線抵抗が大きな高抵抗率配線を用いると、時定数が大き
く、遅延時間の遅れが大きくなるため、配線が長くなる
につれて低抵抗率配線の割合を多くすることにより、配
線抵抗を小さくし、時定数を減少させ、回路ブロック間
の遅延時間を速くでき、大規模化による回路ブロック間
の長い配線の遅延時間を小さくできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を説明するためのブロック
図、第2図は回路ブロック間の配線構造を説明するため
のブロック図、第3図は抵抗率の違いによる配線距離と
遅延時間との関係を示す図である。 1,1A…出力回路ブロック、2,2A…入力回路ブロック、3
…高抵抗率配線、4…低抵抗率配線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の回路ブロックと、該回路ブロック間
    を高抵抗率の配線とこれに接続する低抵抗率の配線とを
    用いて接続する半導体装置において、前記回路ブロック
    間の配線はその長さが長い程低抵抗率の配線の割合が多
    くなっていることを特徴とする半導体装置。
JP22464287A 1987-09-07 1987-09-07 半導体装置 Expired - Lifetime JPH06103693B2 (ja)

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JPS6466951A JPS6466951A (en) 1989-03-13
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JP2674462B2 (ja) * 1993-04-13 1997-11-12 日本電気株式会社 半導体装置

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