JPH06166647A - シクロヘキセン誘導体 - Google Patents
シクロヘキセン誘導体Info
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- JPH06166647A JPH06166647A JP4343592A JP34359292A JPH06166647A JP H06166647 A JPH06166647 A JP H06166647A JP 4343592 A JP4343592 A JP 4343592A JP 34359292 A JP34359292 A JP 34359292A JP H06166647 A JPH06166647 A JP H06166647A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】一般式(1)で表されるシクロヘキセン誘導
体、およびこの誘導体を含有する液晶組成物。 【化1】 (ただし、R1 は炭素数1〜10のアルキル基を示し、
Xはシアノ基またはハロゲン原子を示し、Yは水素原子
またはハロゲン原子を示す。) 【効果】誘電異方性が正の値を示す。また種々の化合物
との相互溶解性も高い。
体、およびこの誘導体を含有する液晶組成物。 【化1】 (ただし、R1 は炭素数1〜10のアルキル基を示し、
Xはシアノ基またはハロゲン原子を示し、Yは水素原子
またはハロゲン原子を示す。) 【効果】誘電異方性が正の値を示す。また種々の化合物
との相互溶解性も高い。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶材料として有用なシ
クロヘキセン誘導体、およびシクロヘキセン誘導体を含
有する液晶組成物に関するものである。
クロヘキセン誘導体、およびシクロヘキセン誘導体を含
有する液晶組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、時計、電卓を始めワー
プロ、テレビ等に広く利用されている。これらの液晶表
示装置のなかで特に多く使用されているのは、液晶材料
の光学的異方性および誘電異方性を利用したTN型(ね
じれネマチック型)液晶表示装置である。現在液晶表示
装置に用いられる液晶材料に要求される特性としては、
液晶温度範囲が広いこと、電気光学的な応答速度が速い
こと、視角範囲が広いこと、駆動電圧が低いこと、化学
的および光学的に安定であることなどが挙げられる。
プロ、テレビ等に広く利用されている。これらの液晶表
示装置のなかで特に多く使用されているのは、液晶材料
の光学的異方性および誘電異方性を利用したTN型(ね
じれネマチック型)液晶表示装置である。現在液晶表示
装置に用いられる液晶材料に要求される特性としては、
液晶温度範囲が広いこと、電気光学的な応答速度が速い
こと、視角範囲が広いこと、駆動電圧が低いこと、化学
的および光学的に安定であることなどが挙げられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置の駆動電
圧はしきい値電圧Vthの値に依存し、しきい値電圧V
thは誘電異方性△εの平方根に比例する。そのため誘
電異方性△εの値が正の液晶材料を用いると、しきい値
電圧Vthを低い値に抑えることができ、低電圧駆動が
可能になる。
圧はしきい値電圧Vthの値に依存し、しきい値電圧V
thは誘電異方性△εの平方根に比例する。そのため誘
電異方性△εの値が正の液晶材料を用いると、しきい値
電圧Vthを低い値に抑えることができ、低電圧駆動が
可能になる。
【0004】以上のような特性を全て満足する単一の液
晶化合物は未だ見いだされていない。そのためいろいろ
な特性をもった数種の液晶化合物を混合したり、あるい
はさらに非液晶化合物を混合したりして実用に供してい
るのが現状である。
晶化合物は未だ見いだされていない。そのためいろいろ
な特性をもった数種の液晶化合物を混合したり、あるい
はさらに非液晶化合物を混合したりして実用に供してい
るのが現状である。
【0005】そこで本発明は、誘電異方性△εが正の液
晶化合物の提供、および低電圧駆動が可能な液晶組成物
の提供を目的とするものである。
晶化合物の提供、および低電圧駆動が可能な液晶組成物
の提供を目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のシクロヘキセン
誘導体は一般式(1)で表されるものである。
誘導体は一般式(1)で表されるものである。
【0007】
【化2】
【0008】(ただし、R1 は炭素数1〜10のアルキ
ル基を示し、Xはシアノ基またはハロゲン原子を示し、
Yは水素原子またはハロゲン原子を示す。)
ル基を示し、Xはシアノ基またはハロゲン原子を示し、
Yは水素原子またはハロゲン原子を示す。)
【0009】また、本発明の液晶組成物は、前記シクロ
ヘキセン誘導体を含有するものである。
ヘキセン誘導体を含有するものである。
【0010】本発明のシクロヘキセン誘導体の製造方法
について説明する。ただしR1 は炭素数1〜10のアル
キル基を示し、Xはシアノ基またはハロゲン原子を示
し、Yは水素原子またはハロゲン原子を示す。
について説明する。ただしR1 は炭素数1〜10のアル
キル基を示し、Xはシアノ基またはハロゲン原子を示
し、Yは水素原子またはハロゲン原子を示す。
【0011】本発明の化合物(1)の製造方法の一例を
化3に示す。まずp−ジブロモベンゼン(a)とマグネ
シウムとを反応させグリニアール試薬(b)を作製し、
次にグリニアール試薬(b)と4−置換シクロヘキサノ
ン(c)とを反応させ、その後脱水反応させることによ
り化合物(d)が得られる。次にこの化合物(d)をシ
アン化第1銅と反応させることにより目的のシクロヘキ
セン誘導体(1)が得られる。
化3に示す。まずp−ジブロモベンゼン(a)とマグネ
シウムとを反応させグリニアール試薬(b)を作製し、
次にグリニアール試薬(b)と4−置換シクロヘキサノ
ン(c)とを反応させ、その後脱水反応させることによ
り化合物(d)が得られる。次にこの化合物(d)をシ
アン化第1銅と反応させることにより目的のシクロヘキ
セン誘導体(1)が得られる。
【0012】
【化3】
【0013】本発明のシクロヘキセン誘導体は多くの液
晶化合物と混合し液晶組成物を製造することができる。
本発明の誘導体と混合可能な液晶化合物としてはエステ
ル系、シクロヘキシルフェニル系、ビフェニル系、ピリ
ミジン系、ジオキサン系、トラン系などが挙げられる。
晶化合物と混合し液晶組成物を製造することができる。
本発明の誘導体と混合可能な液晶化合物としてはエステ
ル系、シクロヘキシルフェニル系、ビフェニル系、ピリ
ミジン系、ジオキサン系、トラン系などが挙げられる。
【0014】
【実施例】次に実施例を挙げ、本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によりなんら制約される
ものではない。
るが、本発明はこれらの実施例によりなんら制約される
ものではない。
【0015】(実施例1)p−ジブロモベンゼン54g
を無水エーテル200mlに溶解した。次に、金属マグ
ネシウム粉末6gを含有する無水エーテルを攪拌しなが
らp−ジブロモベンゼンの無水エーテル溶液を15〜2
0℃で滴下し、その後室温で1時間反応させてグリニア
ール試薬であるp−ブロモフェニルマグネシウムブロマ
イドを生成させた。生成したグリニアール試薬を攪拌し
ながら4−プロピルオキシシクロヘキサノン30gを−
10〜0℃で滴下した後、室温でさらに1時間反応させ
た。反応終了後、塩酸20mlを除々に滴下した後、ジ
エチルエーテルで抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄
した後、無水硫酸ナトリウムを加えて抽出液を乾燥させ
た。これをろ過しろ液から溶媒を減圧留去して4−プロ
ピルオキシ−1−(p−ブロモフェニル)シクロヘキサ
ノールの粗生成物を得た。
を無水エーテル200mlに溶解した。次に、金属マグ
ネシウム粉末6gを含有する無水エーテルを攪拌しなが
らp−ジブロモベンゼンの無水エーテル溶液を15〜2
0℃で滴下し、その後室温で1時間反応させてグリニア
ール試薬であるp−ブロモフェニルマグネシウムブロマ
イドを生成させた。生成したグリニアール試薬を攪拌し
ながら4−プロピルオキシシクロヘキサノン30gを−
10〜0℃で滴下した後、室温でさらに1時間反応させ
た。反応終了後、塩酸20mlを除々に滴下した後、ジ
エチルエーテルで抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄
した後、無水硫酸ナトリウムを加えて抽出液を乾燥させ
た。これをろ過しろ液から溶媒を減圧留去して4−プロ
ピルオキシ−1−(p−ブロモフェニル)シクロヘキサ
ノールの粗生成物を得た。
【0016】この粗生成物をトルエン400mlに溶解
し、この溶液に硫酸水素カリウム12gを加えた後、攪
拌しながら還流し、反応によって生成する水をデカンタ
ーで除去した。この脱水反応を1時間行った後、反応混
合物を冷却した。トルエン層を飽和炭酸ナトリウム水溶
液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した後、トルエンを留去し、減圧蒸留して沸点145
℃/1mmHgの留分を採った。これをアセトンから再
結晶させ、4−プロピルオキシ−1−(p−ブロモフェ
ニル)シクロヘキセン38gを得た。
し、この溶液に硫酸水素カリウム12gを加えた後、攪
拌しながら還流し、反応によって生成する水をデカンタ
ーで除去した。この脱水反応を1時間行った後、反応混
合物を冷却した。トルエン層を飽和炭酸ナトリウム水溶
液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した後、トルエンを留去し、減圧蒸留して沸点145
℃/1mmHgの留分を採った。これをアセトンから再
結晶させ、4−プロピルオキシ−1−(p−ブロモフェ
ニル)シクロヘキセン38gを得た。
【0017】次にこの化合物をN−メチルピロリドン1
00mlに溶解し、シアン化第1銅14gを加えて2時
間還流する。その後約60mlのN−メチルピロリドン
を留去し、次いで塩化第2鉄水を加え60℃で攪拌し、
トルエン抽出し酸洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、トルエンを留去し、
エタノールから再結晶して化4で表される4−プロピル
オキシ−1−(p−シアノフェニル)シクロヘキセン2
2gを得た。この化合物の融点50.3℃であった。ま
た、この化合物の赤外線吸収スペクトルを図1に示す。
00mlに溶解し、シアン化第1銅14gを加えて2時
間還流する。その後約60mlのN−メチルピロリドン
を留去し、次いで塩化第2鉄水を加え60℃で攪拌し、
トルエン抽出し酸洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、トルエンを留去し、
エタノールから再結晶して化4で表される4−プロピル
オキシ−1−(p−シアノフェニル)シクロヘキセン2
2gを得た。この化合物の融点50.3℃であった。ま
た、この化合物の赤外線吸収スペクトルを図1に示す。
【0018】
【化4】
【0019】(実施例2)化5で表される化合物のみか
らなる液晶組成物の特性はN−I点52℃、△n0.1
20、粘度23.0cps、Vth1.45Vであった。
この液晶組成物90重量部に、本発明の化合物である4
−プロピルオキシ−1−(p−シアノフェニル)シクロ
ヘキセン10重量部を加えた液晶組成物のN−I点は4
4℃、△n0.115で粘度は25.0cpsであり、
Vthは1.24Vと低くなった。なお、しきい値電圧V
thはこの液晶組成物をセル厚9μmのTN型液晶表示装
置に搭載した際の値である。
らなる液晶組成物の特性はN−I点52℃、△n0.1
20、粘度23.0cps、Vth1.45Vであった。
この液晶組成物90重量部に、本発明の化合物である4
−プロピルオキシ−1−(p−シアノフェニル)シクロ
ヘキセン10重量部を加えた液晶組成物のN−I点は4
4℃、△n0.115で粘度は25.0cpsであり、
Vthは1.24Vと低くなった。なお、しきい値電圧V
thはこの液晶組成物をセル厚9μmのTN型液晶表示装
置に搭載した際の値である。
【0020】
【化5】
【0021】
【発明の効果】本発明のシクロヘキセン誘導体は、誘電
異方性Δεが正を示す。そのため本発明の誘導体を含有
する液晶組成物は液晶材料として優れた特性を有し、ま
たその液晶組成物を用いた液晶表示装置は良好な表示特
性を示し、特に低電圧駆動に優れる。さらに本発明の誘
導体は種々の液晶化合物との相互溶解性が大きく、液晶
組成物の構成成分として多くの液晶材料と組み合わせて
使用することができ、液晶組成物の特性改良に有用なも
のである。
異方性Δεが正を示す。そのため本発明の誘導体を含有
する液晶組成物は液晶材料として優れた特性を有し、ま
たその液晶組成物を用いた液晶表示装置は良好な表示特
性を示し、特に低電圧駆動に優れる。さらに本発明の誘
導体は種々の液晶化合物との相互溶解性が大きく、液晶
組成物の構成成分として多くの液晶材料と組み合わせて
使用することができ、液晶組成物の特性改良に有用なも
のである。
【図1】 本発明シクロヘキセン誘導体の赤外線吸収ス
ペクトルを表す図である。
ペクトルを表す図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 一般式(1)で表されるシクロヘキセン
誘導体。 【化1】 (ただし、R1 は炭素数1〜10のアルキル基を示し、
Xはシアノ基またはハロゲン原子を示し、Yは水素原子
またはハロゲン原子を示す。) - 【請求項2】 請求項1記載のシクロヘキセン誘導体を
含有する液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343592A JPH06166647A (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | シクロヘキセン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343592A JPH06166647A (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | シクロヘキセン誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06166647A true JPH06166647A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18362722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4343592A Pending JPH06166647A (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | シクロヘキセン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06166647A (ja) |
-
1992
- 1992-12-01 JP JP4343592A patent/JPH06166647A/ja active Pending
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