JPH0619201Y2 - マイクロ波装置用パツケ−ジ - Google Patents
マイクロ波装置用パツケ−ジInfo
- Publication number
- JPH0619201Y2 JPH0619201Y2 JP1986084191U JP8419186U JPH0619201Y2 JP H0619201 Y2 JPH0619201 Y2 JP H0619201Y2 JP 1986084191 U JP1986084191 U JP 1986084191U JP 8419186 U JP8419186 U JP 8419186U JP H0619201 Y2 JPH0619201 Y2 JP H0619201Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- package
- dielectric substrate
- frame
- layer dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、増幅器，ミクサ，発振器等のマイクロ波装
置を収容するパッケージの改良に関する。
置を収容するパッケージの改良に関する。
従来のマイクロ波装置用パッケージは、例えば特公昭６
０−４３０２２号公報に開示されている。このマイクロ
波装置用パッケージは、第５図に示すように、金属性の
キャリヤ１の上にマイクロ波装置を包囲する第１誘電体
フレーム２と、スペーサとしての第２誘電体フレーム３
と、保護板である金属性蓋４とを順次積層して成り、第
６図に示すように、前記第１誘電体フレーム２の表面に
は、入出力用金属膜５ａ，５ｂ及びバイアス用金属膜６
ａ，６ｂを配置してあり、この入出力用金属膜５ａ，５
ｂ及びバイアス用金属膜６ａ，６ｂにワイヤボンディン
グ等により前記マイクロ波装置の入出力端子及びバイア
ス端子が接続される。
０−４３０２２号公報に開示されている。このマイクロ
波装置用パッケージは、第５図に示すように、金属性の
キャリヤ１の上にマイクロ波装置を包囲する第１誘電体
フレーム２と、スペーサとしての第２誘電体フレーム３
と、保護板である金属性蓋４とを順次積層して成り、第
６図に示すように、前記第１誘電体フレーム２の表面に
は、入出力用金属膜５ａ，５ｂ及びバイアス用金属膜６
ａ，６ｂを配置してあり、この入出力用金属膜５ａ，５
ｂ及びバイアス用金属膜６ａ，６ｂにワイヤボンディン
グ等により前記マイクロ波装置の入出力端子及びバイア
ス端子が接続される。
そこで、入出力用金属膜５ａ，５ｂからのマイクロ波入
力は、第１誘電体フレーム２上に構成されたマイクロス
トリップ線路、及び第１誘電体フレーム２と第２誘電体
フレーム３で構成されるトリプレート線路を経て、マイ
クロ装置の入力端子に伝搬する。また、マイクロ波装置
の出力は、上記とは逆の経路で入出力用金属膜５ａ，５
ｂからパッケージ外に取り出される。マイクロ波装置へ
のバイアスの印加も、前記バイアス用金属膜６ａ，６ｂ
を通じて上記と同様に行なわれる。
力は、第１誘電体フレーム２上に構成されたマイクロス
トリップ線路、及び第１誘電体フレーム２と第２誘電体
フレーム３で構成されるトリプレート線路を経て、マイ
クロ装置の入力端子に伝搬する。また、マイクロ波装置
の出力は、上記とは逆の経路で入出力用金属膜５ａ，５
ｂからパッケージ外に取り出される。マイクロ波装置へ
のバイアスの印加も、前記バイアス用金属膜６ａ，６ｂ
を通じて上記と同様に行なわれる。
上記構成のマイクロ波装置用パッケージであって大型の
ものは、誘電体フレーム自体も大枠となり、この大枠の
誘電体フレームの製造時にそりが発生し、また割れるこ
とがあるために、製造が難しくなるという問題があっ
た。
ものは、誘電体フレーム自体も大枠となり、この大枠の
誘電体フレームの製造時にそりが発生し、また割れるこ
とがあるために、製造が難しくなるという問題があっ
た。
この考案はこの問題を解消し、大きな誘電体フレームを
必要としない構成のマイクロ波装置用パッケージを提供
することを目的とする。
必要としない構成のマイクロ波装置用パッケージを提供
することを目的とする。
この考案のマイクロ波装置用パッケージは、上記目的を
達成するために、第１金属性フレーム１１の互に対向す
る個所の表面に形成した上方開口の凹部のそれぞれに、
下層誘電体基板と上層誘電体基板とから成る２層誘電体
基板を配置し、下層誘電体基板の下面に金属膜を設け、
上層誘電体基板の表面に前記第１金属性フレームに対向
するフレーム取付け用金属膜と、パッケージ内接続用金
属膜及びパッケージ外接続用金属膜を設け、この上層誘
電体基板の裏面に層間金属膜を設け、この層間金属膜の
両側部分をそれぞれ前記パッケージ内接続用金属膜とパ
ッケージ外接続用金属膜に、上層誘電体基板に設けたス
ルーホールを介して電気的に接続するようにした構成を
具備し、パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接
続用金属膜と層間金属膜とでマイクロストリップ線路を
構成し、かつフレーム取付け用金属膜と層間金属膜と裏
面金属膜とでトリプレート線路を構成して成る。
達成するために、第１金属性フレーム１１の互に対向す
る個所の表面に形成した上方開口の凹部のそれぞれに、
下層誘電体基板と上層誘電体基板とから成る２層誘電体
基板を配置し、下層誘電体基板の下面に金属膜を設け、
上層誘電体基板の表面に前記第１金属性フレームに対向
するフレーム取付け用金属膜と、パッケージ内接続用金
属膜及びパッケージ外接続用金属膜を設け、この上層誘
電体基板の裏面に層間金属膜を設け、この層間金属膜の
両側部分をそれぞれ前記パッケージ内接続用金属膜とパ
ッケージ外接続用金属膜に、上層誘電体基板に設けたス
ルーホールを介して電気的に接続するようにした構成を
具備し、パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接
続用金属膜と層間金属膜とでマイクロストリップ線路を
構成し、かつフレーム取付け用金属膜と層間金属膜と裏
面金属膜とでトリプレート線路を構成して成る。
この考案のマイクロ波装置用パッケージは上記の構成で
あり、額縁状の誘電体フレームを具備しないので、誘電
体フレームが割れるという問題が生じることはない。
あり、額縁状の誘電体フレームを具備しないので、誘電
体フレームが割れるという問題が生じることはない。
以下にこの考案の実施例を図面により説明する。第１図
はこの考案の１実施例の斜視図、第２図は第１図の分解
図、第３図は２層誘電体基板の分解斜視図である。
はこの考案の１実施例の斜視図、第２図は第１図の分解
図、第３図は２層誘電体基板の分解斜視図である。
第１図，第２図において、１は金属性キャリヤ、４は金
属性蓋、１１はマイクロ波装置を包囲する第１金属性フ
レーム、１２はスペーサとしての第２金属性フレームで
ある。前記金属性キャリヤ１の上に置かれた額縁状の第
１金属性フレーム１１の各辺中央個所の表面に、上方に
開口の凹部１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂを設けてあ
る。上記凹部１３ａ，１３ｂにはそれぞれ下層誘電体基
板１５と上層誘電体基板１６とを重ねた２層誘電体基板
１７ａ，１７ｂがそれぞれ配置してある。上記凹部１４
ａ，１４ｂにはそれぞれ下層誘電体基板１８と上層誘電
体基板１９とを重ねた２層誘電体基板２０ａ，２０ｂが
それぞれ配置してある。第１金属性フレーム１１の上に
額縁状の第２金属性フレーム１２が、そしてその上に蓋
４が取付けてある。
属性蓋、１１はマイクロ波装置を包囲する第１金属性フ
レーム、１２はスペーサとしての第２金属性フレームで
ある。前記金属性キャリヤ１の上に置かれた額縁状の第
１金属性フレーム１１の各辺中央個所の表面に、上方に
開口の凹部１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂを設けてあ
る。上記凹部１３ａ，１３ｂにはそれぞれ下層誘電体基
板１５と上層誘電体基板１６とを重ねた２層誘電体基板
１７ａ，１７ｂがそれぞれ配置してある。上記凹部１４
ａ，１４ｂにはそれぞれ下層誘電体基板１８と上層誘電
体基板１９とを重ねた２層誘電体基板２０ａ，２０ｂが
それぞれ配置してある。第１金属性フレーム１１の上に
額縁状の第２金属性フレーム１２が、そしてその上に蓋
４が取付けてある。
入，出力端子部またはバイアス端子部を構成する上記層
誘電体基板１７ａ，１７ｂ，２０ａ，２０ｂはほぼ同一
の構成の金属膜構成Ｍを有しており、これを２層誘電体
基板１７ａの構成のみを第３図により説明する。
誘電体基板１７ａ，１７ｂ，２０ａ，２０ｂはほぼ同一
の構成の金属膜構成Ｍを有しており、これを２層誘電体
基板１７ａの構成のみを第３図により説明する。
第３図において、２１は上層誘電体基板１６ａの表面に
第２金属性フレーム１２に対向する如く設けたフレーム
取付け用金属膜、２２，２３は同じ表面の内側と外側に
設けられフレーム取付け用金属膜と直角方向に延長する
パッケージ内接続用金属膜とパッケージ外接続用金属
膜、２４，２４は第１の上層誘電体基板１６ａに設けた
スルーホール、２５は第１の上層誘電体基板１６ａの裏
面にスルーホール２４，２４を橋絡するように設けた層
間金属膜、２６は第１の下層誘電体基板１５ａの裏面に
設けた裏面金属膜である。前記パッケージ内接続用金属
膜２２と層間金属膜２５、及び層間金属膜２５とパッケ
ージ外接続用金属膜２３は、金属を充填した前記スルー
ホール２４を介して電気的に接続するようになってい
る。
第２金属性フレーム１２に対向する如く設けたフレーム
取付け用金属膜、２２，２３は同じ表面の内側と外側に
設けられフレーム取付け用金属膜と直角方向に延長する
パッケージ内接続用金属膜とパッケージ外接続用金属
膜、２４，２４は第１の上層誘電体基板１６ａに設けた
スルーホール、２５は第１の上層誘電体基板１６ａの裏
面にスルーホール２４，２４を橋絡するように設けた層
間金属膜、２６は第１の下層誘電体基板１５ａの裏面に
設けた裏面金属膜である。前記パッケージ内接続用金属
膜２２と層間金属膜２５、及び層間金属膜２５とパッケ
ージ外接続用金属膜２３は、金属を充填した前記スルー
ホール２４を介して電気的に接続するようになってい
る。
なお、上記の金属膜構成Ｍは、２層誘電体基板２０ａ，
２０ｂについては両側に２個併設される。
２０ｂについては両側に２個併設される。
この実施例のパッケージを組立てる時には、フレーム取
付け用金属膜２１を覆うように第２金属性フレーム１２
を取付けるものとし、これによりフレーム取付け用金属
膜２１は第２金属性フレーム１２を介して第１金属性フ
レーム１１に電気的に接続される。また、前記裏面金属
膜２６も第１金属性フレーム１１に電気的に接続され
る。そこで、このパッケージではパッケージ内接続用金
属膜２２と層間金属膜２５、及びパッケージ外接続用金
属膜２３と層間金属膜２５でマイクロストリップ線路
が、また層間金属膜２５，フレーム取付け用金属膜２
１，及び裏面金属膜２６でトリプレート線路が構成さ
れ、パッケージ内接続用金属膜２２にマイクロ波装置の
入力端子を接続し、パッケージ外接続用金属膜２３から
マイクロ波を入力すると、この入射波はマイクロストリ
ップ線路−トリプレート線路−マイクロストリップ線路
を伝搬して、マイクロ波装置へと供給される。一方マイ
クロ波装置の出力は、これと逆の経路でパッケージ外接
続用金属膜２３に出力される。
付け用金属膜２１を覆うように第２金属性フレーム１２
を取付けるものとし、これによりフレーム取付け用金属
膜２１は第２金属性フレーム１２を介して第１金属性フ
レーム１１に電気的に接続される。また、前記裏面金属
膜２６も第１金属性フレーム１１に電気的に接続され
る。そこで、このパッケージではパッケージ内接続用金
属膜２２と層間金属膜２５、及びパッケージ外接続用金
属膜２３と層間金属膜２５でマイクロストリップ線路
が、また層間金属膜２５，フレーム取付け用金属膜２
１，及び裏面金属膜２６でトリプレート線路が構成さ
れ、パッケージ内接続用金属膜２２にマイクロ波装置の
入力端子を接続し、パッケージ外接続用金属膜２３から
マイクロ波を入力すると、この入射波はマイクロストリ
ップ線路−トリプレート線路−マイクロストリップ線路
を伝搬して、マイクロ波装置へと供給される。一方マイ
クロ波装置の出力は、これと逆の経路でパッケージ外接
続用金属膜２３に出力される。
この考案の他の実施例の斜視図を第４図に示す。この実
施例では２層誘電体基板１７ａ，１７ｂをそれぞれ４組
設けてあり、適宜入出力信号用或いはバイアス供給端子
に割当てることができる特徴がある。なお、２層誘電体
基板はさらに増すことができる。
施例では２層誘電体基板１７ａ，１７ｂをそれぞれ４組
設けてあり、適宜入出力信号用或いはバイアス供給端子
に割当てることができる特徴がある。なお、２層誘電体
基板はさらに増すことができる。
この考案のマイクロ波装置用パッケージは、第１金属性
フレームに設けた複数個の凹部に２層誘電体基板を配置
し、この２層誘電体基板は、下面に裏面金属膜が設けら
れて成る下層誘電体基板と、この下層誘電体基板上に積
層される上層誘電体基板とより成り、上層誘電体基板の
上面には第２金属性フレームとの電気的接続のためのフ
レーム取付け用金属膜と、パッケージ内接続用金属膜及
びパッケージ外接続用金属膜とが形成され、また、前記
パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接続用金属
膜と上層誘電体基板の下面とを電気的に接続するために
設けられた各スルーホールと、上層誘電体基板と下層誘
電体基板との層間に設けられて前記各スルーホールを電
気的に接続するための層間金属膜とが設けられており、
前記パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接続用
金属膜と層間金属膜とでマイクロストリップ線路を構成
し、かつフレーム取付け用金属膜と層間金属膜と裏面金
属膜とでトリプレート線路を構成して成るので、大枠形
状の誘電体フレームを必要とせず、従って誘電体フレー
ムを製造時に当該フレームが割れるという問題は解消さ
れ、かつ、より大きくて、精度及び耐久性が高く、しか
もマイクロ波装置用パッケージとしての機能を十分に果
たすパッケージを製造できるという効果がある。また放
熱及び電磁シールド効果も従来のものより優れていると
いう利点もある。
フレームに設けた複数個の凹部に２層誘電体基板を配置
し、この２層誘電体基板は、下面に裏面金属膜が設けら
れて成る下層誘電体基板と、この下層誘電体基板上に積
層される上層誘電体基板とより成り、上層誘電体基板の
上面には第２金属性フレームとの電気的接続のためのフ
レーム取付け用金属膜と、パッケージ内接続用金属膜及
びパッケージ外接続用金属膜とが形成され、また、前記
パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接続用金属
膜と上層誘電体基板の下面とを電気的に接続するために
設けられた各スルーホールと、上層誘電体基板と下層誘
電体基板との層間に設けられて前記各スルーホールを電
気的に接続するための層間金属膜とが設けられており、
前記パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接続用
金属膜と層間金属膜とでマイクロストリップ線路を構成
し、かつフレーム取付け用金属膜と層間金属膜と裏面金
属膜とでトリプレート線路を構成して成るので、大枠形
状の誘電体フレームを必要とせず、従って誘電体フレー
ムを製造時に当該フレームが割れるという問題は解消さ
れ、かつ、より大きくて、精度及び耐久性が高く、しか
もマイクロ波装置用パッケージとしての機能を十分に果
たすパッケージを製造できるという効果がある。また放
熱及び電磁シールド効果も従来のものより優れていると
いう利点もある。
第１図はこの考案の１実施例の斜視図、第２図は第１図
の分解図、第３図は２層誘電体基板の分解斜視図、第４
図は他の実施例の斜視図、第５図は従来例の斜視図、第
６図は第５図の分解図である。 １……金属性キャリヤ、４……蓋、１１……第１金属性
フレーム、１２……第２金属性フレーム、１３ａ，１３
ｂ，１４ａ，１４ｂ……凹部、１５，１８……下層誘電
体基板、１６，１９……上層誘電体基板、１７ａ，１７
ｂ，２０ａ，２０ｂ……２層誘電体基板、２１……フレ
ーム取付け用金属膜、２２……パッケージ内接続用金属
膜、２３……パッケージ外接続用金属膜、２４……スル
ーホール、２５……層間金属膜、２６……裏面金属膜。
の分解図、第３図は２層誘電体基板の分解斜視図、第４
図は他の実施例の斜視図、第５図は従来例の斜視図、第
６図は第５図の分解図である。 １……金属性キャリヤ、４……蓋、１１……第１金属性
フレーム、１２……第２金属性フレーム、１３ａ，１３
ｂ，１４ａ，１４ｂ……凹部、１５，１８……下層誘電
体基板、１６，１９……上層誘電体基板、１７ａ，１７
ｂ，２０ａ，２０ｂ……２層誘電体基板、２１……フレ
ーム取付け用金属膜、２２……パッケージ内接続用金属
膜、２３……パッケージ外接続用金属膜、２４……スル
ーホール、２５……層間金属膜、２６……裏面金属膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｌ 7128−4Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】金属性キャリヤ上に設けられ、入，出力端
子部またはバイアス端子部を構成する２層誘電体基板を
嵌合するための上方開放の凹部が形成されて成る枠形状
の第１金属性フレームと、この第１金属性フレームに対
向する小形の第２金属性フレームと、この第２金属性フ
レームを覆う蓋とより成るマイクロ波装置用パッケージ
であって、 前記凹部は第１金属性フレームの互に対向する個所に形
成され、 前記２層誘電体基板は、下面に裏面金属膜が設けられて
成る下層誘電体基板と、この下層誘電体基板上に積層さ
れる上層誘電体基板とより成り、 前記上層誘電体基板の上面には前記第２金属性フレーム
との電気的接続のためのフレーム取付け用金属膜と、パ
ッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接続用金属膜
とが形成され、 また、前記パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外
接続用金属膜と上層誘電体基板の下面とを電気的に接続
するために設けられた各スルーホールと、上層誘電体基
板と下層誘電体基板との層間に設けられて前記各スルー
ホールを電気的に接続するための層間金属膜とが設けら
れており、 前記パッケージ内接続用金属膜及びパッケージ外接続用
金属膜と層間金属膜とでマイクロストリップ線路を構成
し、かつフレーム取付け用金属膜と層間金属膜と裏面金
属膜とでトリプレート線路を構成して成ることを特徴と
するマイクロ波装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986084191U JPH0619201Y2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | マイクロ波装置用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986084191U JPH0619201Y2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | マイクロ波装置用パツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196401U JPS62196401U (ja) | 1987-12-14 |
| JPH0619201Y2 true JPH0619201Y2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=30938468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986084191U Expired - Lifetime JPH0619201Y2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | マイクロ波装置用パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619201Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5812671B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-11-17 | 京セラ株式会社 | 素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190046A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS59180514A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-13 | Toshiba Corp | 光受信モジユ−ル |
-
1986
- 1986-06-03 JP JP1986084191U patent/JPH0619201Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62196401U (ja) | 1987-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4147889A (en) | Chip carrier | |
| KR830002552B1 (ko) | 이중 공동반도체 칩캐리어 | |
| JP3056960B2 (ja) | 半導体装置及びｂｇａパッケージ | |
| US3780352A (en) | Semiconductor interconnecting system using conductive patterns bonded to thin flexible insulating films | |
| CA2144088A1 (en) | Hermetically sealed circuit modules having conductive cap anchors | |
| US5235209A (en) | Multi-layer lead frame for a semiconductor device with contact geometry | |
| JPS63211663A (ja) | 回路基板 | |
| US6054773A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH0834278B2 (ja) | 半導体チップキャリヤー装置 | |
| JPS6148928A (ja) | ハイブリッド集積回路 | |
| JP2973646B2 (ja) | ベアチップｌｓｉの実装構造 | |
| JPH04273200A (ja) | シールド装置 | |
| US3833753A (en) | Hermetically sealed mounting structure for miniature electronic circuitry | |
| JP2000068436A (ja) | 半導体装置および半導体装置用フレーム | |
| JPH0352008Y2 (ja) | ||
| JPH02146792A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JPH023621Y2 (ja) | ||
| US6882858B1 (en) | Flexible board and method of fabricating the same | |
| JPH0982826A (ja) | 半導体素子封止用パッケージおよびそれを用いた回路装置の実装構造 | |
| JPH02271656A (ja) | 多層化マイクロ波集積回路 | |
| JP2669892B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH085559Y2 (ja) | プリント基板 | |
| JP3201893B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0249731Y2 (ja) | ||
| JP3509070B2 (ja) | パッケージを用いた電子装置 |