JPH06259721A

JPH06259721A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH06259721A
Application number: JP23305393A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Saito; 正斎藤; Seiichi Ogata; 誠一小形; Takashi Sugano; 丘菅野; Shinji Takahashi; 伸司高橋; Toshinobu Watanabe; 利信渡辺; Tomio Kobayashi; 富夫小林; Takashi Sato; 敬佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-10-07
Filing date: 1993-09-20
Publication date: 1994-09-16

Abstract

(57)【要約】【目的】基板とガラス接合膜、又はガラス接合膜と金
属磁性膜の密着性を改善して、磁気ヘッドの歩留り及び
信頼性の向上を図る。【構成】金属磁性膜３を一対の基板１Ａ、１Ｂにより
膜厚方向で挟み込み、ガラス接合膜７を介して接合一体
化して成る一対の磁気コア半体２０Ａ及び２０Ｂを、金
属磁性膜３の端面が対向するように突き合わせてその突
き合わせ面間に磁気ギャップｇを構成してなる磁気ヘッ
ドにおいて、基板１Ｂとガラス接合膜７との間にこのガ
ラス接合膜材料に比し高融点材料より成る界面膜８を設
けて構成する。なお、このとき、上記基板をフェライト
材としても良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高透磁率の金属磁性膜
を磁気コア半体で挟み込み、金属磁性膜の端面が突き合
わせられて磁気ギャップが構成されるいわゆる金属磁性
膜積層型の磁気ヘッドに係わる。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＶＴＲ（ビデオテープレコーダ
ー）等の磁気記録再生装置において、高画質化等を目的
として情報信号の短波長記録化が進められており、これ
に伴い磁性粉として強磁性金属粉末を用いたいわゆるメ
タルテープや、ベースフィルム上に強磁性金属材料を直
接被着した蒸着テープ等の高保磁力の磁気記録媒体が使
用されつつあり、この高保磁力の磁気記録媒体に用いて
好適な磁気ヘッドとして、磁気コアの磁気ギャップを構
成する部分が金属磁性膜より成る金属磁性膜タイプの磁
気ヘッドが提案されている。

【０００３】このような磁気ヘッドにおいては、更に高
出力、高周波数帯域化（短波長化）が要求されているこ
とから、トラック幅相当の厚さの金属磁性膜を用いるに
際して、単に金属磁性膜の膜厚を大とするだけでは渦電
流損が多くなり出力が低下する。

【０００４】そこでこのような渦電流損を防止し、上述
した高出力、高帯域化を可能にする方法として膜厚の薄
い金属磁性膜が絶縁膜を介して複数層積層されて成るい
わゆる金属磁性膜積層型の磁気ヘッドが提案されてお
り、このような構成とすることによって、例えば従来構
成の磁気ヘッドにおいてコア材として用いられているフ
ェライトに比してその透磁率を格段に大とすることがで
きる。

【０００５】このような金属磁性膜積層型の磁気ヘッド
を製造するにあたっては、通常基板上に各層を積層した
後、これらを多数枚ガラス融着等により接合して、その
後所定の巻線溝等を研削加工して各ヘッドチップ毎に切
断して形成する方法が採られている。このとき、そのガ
ラス融着の際に設けられるガラス接合膜と、基板または
金属磁性膜との界面の密着性が弱いため、製造工程にお
いて剥がれ等の不具合が発生する場合がある。

【０００６】例えば図７に示すように、フェライト材等
より成る基板１Ａ上に下地膜２が被着され、この上に金
属磁性膜３₁ 〜３₄ が絶縁膜４₁ 〜４₃ を介して交互に
積層形成され、更にガラス接合のためのガラス・スパッ
タ膜１８が形成される場合に、ヘッド製造工程途中の例
えばガラス熱処理過程において、接着強度の低下により
ガラス・スパッタ膜１８が剥離してしまう場合がある。

【０００７】また、例えば図８に示すように、基板１Ａ
上にガラス接合膜７を介してフェライト材よりなる基板
１Ｂを積層した場合には、熱処理時にフェライト材より
なる基板１Ｂとガラス接合膜７が反応し、ガラス接合膜
７内には気泡１５が発生し、実質的な接触面積が減少し
て密着強度が劣化する場合がある。なお、このようにガ
ラス接合膜７内に気泡１５が残留すると、この気泡１５
内に磁気記録媒体、例えばテープの摩耗粉が堆積してし
まい、ヘッドクロッグの原因となる等の不都合も生じ
る。

【０００８】また、ガラス接合膜内の気泡１５は、金属
磁性膜３（３₄ ）とガラス接合膜７との反応によっても
生じ、上記のような不都合が生じる。なお、図８におい
て、図７に対応する部分には同一符号を付して重複説明
を省略する。

【０００９】更に、基板１Ｂとガラス接合膜７との反応
により、基板１Ｂの強度が劣化し、基板１Ｂ積層後の各
種工程において、図中に示すような基板１Ｂ内部での破
断２４が発生する。

【００１０】更にまた金属磁性膜、ガラス接合膜の変質
や劣化によっても同様に密着強度の低下を招来し、磁気
ヘッドの歩留りの低下及び信頼性の低下を来する恐れが
ある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな基板とガラス接合膜、又は金属磁性膜とガラス接合
膜との密着性を改善し、基板の破断等の発生を防ぎ、金
属磁性膜積層型磁気ヘッドの歩留り及び信頼性の向上を
はかり、またガラス接合膜内の気泡の発生を抑制して、
クロッグの低減化をはかる。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、その一例の略
線的拡大斜視図を図１に示すように、金属磁性膜３（３
₁ 〜３₄ ）を一対の基板１Ａ及び１Ｂにより膜厚方向で
挟み込み、ガラス接合膜７を介して接合一体化して成る
一対の磁気コア半体２０Ａ及び２０Ｂを、金属磁性膜３
₁ 〜３₄ の端面が対向するように突き合わせてその突き
合わせ面間に磁気ギャップｇを構成してなる磁気ヘッド
において、基板１Ｂとガラス接合膜７との間にこのガラ
ス接合膜材料に比し高融点材料より成る第１の界面膜８
を設けて構成する。

【００１３】また、本発明は、上述の構成において、ガ
ラス接合膜７と金属磁性膜３（３₄）との間にガラス接
合膜材料に比し高融点材料より成る第２の界面膜６を設
けて構成する。

【００１４】更に本発明は、上述の基板１Ｂをフェライ
ト材により構成する。

【００１５】更にまた本発明は、上述の第１の界面膜８
を高融点非磁性金属により構成する。また本発明は、上
述の第１の界面膜８を酸化物材料により構成する。更に
本発明は、上述の第１の界面膜８を酸化変調膜として構
成する。

【００１６】なお、本発明は、上述の第１の界面膜８及
び／又は第２の界面膜６を高融点非磁性金属或いは酸化
物材料或いは酸化変調膜として構成しても良い。

【００１７】また本発明は、ガラス接合膜７と基板１Ｂ
との間の第１の界面膜８を、基板１Ｂ側において高酸素
濃度として構成する。更にまた本発明は、ガラス接合膜
７と金属磁性膜３₄ との間の第２の界面膜６を、ガラス
接合膜７側において高酸素濃度として構成する。

【００１８】

【作用】上述したように本発明においては、ガラス接合
膜７と基板１Ｂとの間に第１の界面膜８を設けることか
ら、例えば図２にその一例の要部略線的拡大断面図を示
すように、ガラス接合のための加熱処理工程においてガ
ラス接合膜７の剥離が抑制される。また、特に、基板１
Ｂとしてフェライト基板を用いる場合には、ガラス接合
膜７内の気泡の発生や基板１Ｂの強度劣化を抑制するこ
とができた。なお、図２においては金属磁性膜３₁ 〜３
₄ をそれそれ絶縁膜４₁ 〜４₃ を介して順次積層形成し
た場合を示す。

【００１９】また、同様にガラス接合膜７と金属磁性膜
３（３₄ ）との間に第２の界面膜６を設けることによ
り、ガラス接合膜７の気泡の発生を同様に抑制すること
ができた。

【００２０】これは、第２の界面膜６や第１の界面膜８
を設けることによって、フェライト材よりなる基板１Ｂ
とガラス接合膜７、ガラス接合膜７と金属磁性膜３との
反応を抑制できて、この反応ガスによる気泡の発生や基
板の強度劣化を抑制できたためと思われる。従ってこれ
ら本発明によれば、ガラス接合膜７の実質的な密着性を
改善することができて、基板の破断等の発生を防ぐこと
ができ、磁気ヘッドの歩留り及び信頼性の向上を図るこ
とができる。

【００２１】また本発明においては、上述の第１の界面
膜８の材料としてガラスに比し高融点の非磁性金属か、
又は酸化物を用いることにより、確実にガラス接合膜７
と基板１Ｂの反応を抑制することができた。

【００２２】なお、第２の界面膜６も上記材料によって
構成しても良く、更に金属磁性膜３との反応を抑制でき
る。

【００２３】更に、第１の界面膜８を酸化変調膜として
構成し、基板１１側においてより高酸素濃度として構成
することによって、更に密着性を高めることができ、第
２の界面膜６も酸素変調膜として構成し、ガラス接合膜
７側においてより高酸素濃度として構成することによっ
て、更に密着性を高めることができて、確実にガラス接
合膜７の剥離、気泡の発生を抑制して磁気ヘッドを歩留
り良く得ることができた。

【００２４】

【実施例】以下、本発明を適用した磁気ヘッドの実施例
について図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例
においては、磁気記録の例えばディジタルＶＴＲ装置や
ハイビジョン用のディジタルＶＴＲ装置においてＶＴＲ
の高画質化等を目的として、例えば単位時間内にできる
だけ多くの情報を処理し記録再生するために、情報信号
の帯域を数十ＭＨｚ〜百ＭＨｚ程度を越える帯域まで広
域化される場合に適用して好適な磁気ヘッドの例を示
す。

【００２５】図１に示す例は、基板１Ａ、１Ｂと金属磁
性膜３（３₁ 〜３₄ ）よりなる一対の磁気コア半体２０
Ａ及び２０Ｂが突き合わされて閉磁路を構成して成るい
わゆる金属磁性膜積層型の磁気ヘッドであって、特にそ
の磁気コア半体２０Ａ及び２０Ｂは、金属磁性膜３を一
対の基板１Ａ及び１Ｂにより膜厚方向で挟み込み接合一
体化して成り、この磁気コア半体２０Ａ及び２０Ｂを、
金属磁性膜３の端面が対向するように突き合わせてその
突き合わせ面間に磁気ギャップｇを構成して成るラミネ
ート型磁気ヘッドの場合を示す。

【００２６】そしてこの場合基板１Ａと１Ｂとの間に
は、下地膜２、金属磁性膜３₁ 、絶縁膜４₁ 、金属磁性
膜３₂ 、絶縁膜４₂ 、金属磁性膜３₃ 、絶縁膜４₃ 、金
属磁性膜３₄ 、第２の界面膜６、ガラス接合膜７及び第
１の界面膜８とが設けられて成る。１２は磁気テープ等
の磁気記録媒体との対接面、１３は巻線溝、１４は巻線
を示す。なお、本実施例の磁気ヘッドにおいては、基板
１Ａ、１Ｂの構成材料として常温において非磁性のＺｎ
フェライト材を用いた。

【００２７】ところで、通常、上記のようなラミネート
型磁気ヘッドにおいては、金属磁性膜とガラス接合膜と
の濡れ性が、基板を構成するセラミックス、結晶化ガラ
ス、フェライト等の非磁性材料やフェライト材等の酸化
物磁性材料等との濡れ性に比べて極端に劣ることから、
特開昭６１−８０５１１号、特開平４−２５５９０２
号、特開平４−３２４１０４号の各公報等に示されるよ
うに、金属磁性膜とガラス接合膜の界面にガラス接合膜
との濡れ性が良好な界面膜を設け、これらの密着性を向
上させている。

【００２８】しかしながら、基板としてフェライト材を
用いた場合に、従来のような金属磁性膜とガラス接合膜
との界面にのみ界面膜を設けた構造にすると、フェライ
ト基板を積層する際の加熱処理時にフェライト基板とガ
ラス接合膜の反応によりガラス接合膜内には気泡が発生
する。そして、この気泡内に、磁気記録媒体、例えばテ
ープの摩耗粉等が堆積し易く、ヘッドクロック等の問題
が発生する。更にはフェライト基板とガラス接合膜の反
応により、フェライト基板の強度が劣化し、フェライト
基板積層後の各種加工においてフェライト基板内部から
の破断が発生する。そこで、本実施例においては、金属
磁性膜３₄ とガラス接合膜７との間に第２の界面膜６を
設けてこれらの密着性を向上させると共に、ガラス接合
膜７と基板１Ｂとの間にも第１の界面膜８を設けること
により、基板１Ｂとガラス接合膜７との反応に起因する
問題を防止している。

【００２９】このようなラミネート型磁気ヘッドの一例
の製造方法を、図３及び図４の工程図を参照して説明す
る。先ず図３Ａに示すように、上記のように常温におい
て非磁性のＺｎフェライト材から成る基板１Ａ上に、Ｓ
ｉＯ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ−
Ａｌ−Ｏ等よりなる付着強度を向上させるための下地膜
２をスパッタリング等により被着する。このとき、下地
膜２は後述する成膜方法によってその酸素濃度が膜厚方
向に変調される構成としてもよい。

【００３０】そしてこの上に金属磁性膜と高周波磁気特
性を向上させるための絶縁膜とを交互に積層した金属磁
性膜を形成する。この場合、金属磁性膜３₁ 、絶縁膜４
₁ 、金属磁性膜３₂ ・・・・を順次スパッタリング等に
より被着形成する。図３及び図４においては簡単化のた
めに金属磁性膜３₁ 及び３₂ 、絶縁膜４₁ のみを示す。
尚、金属磁性膜は４層構成に限らず、２層以上の積層膜
であれば良い。また、金属磁性膜３₁ 、３₂ ・・・・の
材料としては、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃ系合金、Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ
−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−
Ｓｉ−Ｇｅ系合金等、種々の材料の高透磁率金属磁性材
料を用いることができる。また絶縁膜４₁ ・・・・の材
料としてはＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 等種々の材料を用いる
ことができる。

【００３１】更にこの上に第２の界面膜６とガラス接合
膜７とを同様にスパッタリング等により被着する。また
更に、基板１Ａの裏面側にスパッタリング等により第１
の界面膜８を被着する。第１の界面膜８としては、例え
ばＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｉ−Ｃｒ、
Ｃｒ−Ｔｉ、Ｚｒ−Ｃｒ等のガラス接合膜材料に比し高
融点の非磁性合金膜及び合金の膜、又はそれを主成分と
する合金膜を用いることができる。また、ＳｉＯ₂ 、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、Ｃｒ₂ Ｏ₃等のガラ
ス接合膜材料に比し高融点の酸化物膜やＳｉ₃ Ｎ₄ 等の
絶縁膜、または高融点金属及び合金の酸化変調膜を用い
ることもできる。なお、第２の界面膜６も上記材料によ
って形成しても良い。そして、第２の界面膜６と第１の
界面膜８は同一材料により構成しても良く、また上述の
材料から個別に選定して構成することもできる。なお、
本実施例においては第２の界面膜６、第１の界面膜８の
構成材料としてＣｒを用いた。

【００３２】酸化膜の変調方法としては、例えば図３Ｂ
に示すように、各基板１Ａ〜１Ｄをそのガラス接合膜７
と基板裏面側に形成した第１の界面膜８とが対向するよ
うに積層した状態で加熱圧着する工程において、例えば
ガラス接合膜７中の酸素を第２の界面膜６、第１の界面
膜８内に混入させることによって酸素濃度を変調すると
か、後の加熱圧着工程において酸素を比較的高濃度に雰
囲気ガス中に混入して、ガラス接合膜７を介して第２の
界面膜６、第１の界面膜８に酸素を導入させ、酸素濃度
を変調することもできる。また更に、その成膜中の酸素
濃度を変化させるとか、或いは酸素濃度が例えば１０％
一定とされたＡｒガスを用い、スパッタガス圧を変化さ
せることによって、成膜された界面膜の膜厚方向の酸素
濃度を変調させることもできる。

【００３３】そしてこのように各基板１Ａ〜１Ｄを加熱
圧着により接合して積層ブロック２１を形成した後、次
に図４Ａに示すように、積層ブロック２１の所定位置に
巻線溝１３等を入れて加工を施した後、ブロック半体２
２Ａ及び２２Ｂに切断し、これらをギャップ構成材料を
介して接合して、図４Ｂに示すように磁気ギャップｇを
構成する。そして各基板１Ａ〜１Ｄを例えばその膜厚の
ほぼ中間位置において膜厚方向に切断して、各磁気ヘッ
ドチップ２３を形成し、この後図１に示すように磁気記
録媒体との対接面１２を機械的研磨等により形成して金
属磁性膜積層型磁気ヘッドを得ることができる。

【００３４】そこで、本実施例の磁気ヘッドの効果を確
認すべく、以下のような実験を行った。すなわち、先
ず、常温において非磁性のＺｎフェライト材よりなる基
板上にＣｒ界面膜を介してガラス接合膜を設けた磁気ヘ
ッドと、同様にＺｎフェライト基板を用い、この上に直
接的にガラス接合膜を形成した磁気ヘッドを作製し、こ
れら磁気ヘッドのガラス接合膜内の気泡の発生の有無、
フェライト基板内の破断を調査した。なお、本実験にお
いては、ガラス接合膜を構成するガラスとして、Ｔｇが
４３０℃、Ｔｃが４８０℃であるガラスＡと、Ｔｇが４
６５℃、Ｔｃが４９５℃であるガラスＢを用意し、Ｃｒ
界面膜の厚さは０．１μｍとした。そして、基板上に界
面膜を介してガラスＡよりなるガラス接合膜を形成した
磁気ヘッドを磁気ヘッドサンプル１、同様にガラスＢよ
りなるガラス接合膜を形成した磁気ヘッドを磁気ヘッド
サンプル２、基板上に直接的にガラスＡよりなるガラス
接合膜を形成した磁気ヘッドを磁気ヘッドサンプル３、
同様にガラスＢよりなるガラス接合膜を形成した磁気ヘ
ッドを磁気ヘッドサンプル４とした。結果を表１に示
す。

【００３５】

【表１】

【００３６】表１の結果を見てわかるように、基板上に
界面膜を設けた磁気ヘッドサンプル１、２においては、
ガラス接合膜内の気泡の発生、フェライト基板内の破断
が見られず、基板上に界面膜を設けなかった磁気ヘッド
サンプル３、４においては、ガラス接合膜内の気泡の発
生、フェライト基板内の破断が見られ、磁気ヘッドサン
プル１及び２においては、フェライト基板とガラス接合
膜間が反応しておらず、磁気ヘッドサンプル３及び４に
おいてはフェライト基板とガラス接合膜が反応している
ことが確認された。

【００３７】すなわち、本実施例の磁気ヘッドにおいて
は、フェライト基板上に界面膜を介してガラス接合膜を
形成しているため、フェライト基板とガラス接合膜間の
反応が抑制され、ガラス接合膜内の気泡の発生、フェラ
イト基板内の破断が抑えられることが確認された。な
お、このようにガラス接合膜内の気泡の発生が抑えられ
ると、該気泡内に磁気記録媒体の摩耗粉が堆積すること
もなく、ヘッドクロッグ等も防止される。

【００３８】次に、非磁性のＺｎフェライトよりなる基
板上にＣｒ界面膜を介してガラス接合膜を設けたサンプ
ルと基板上に直接的にガラス接合膜を設けたサンプルに
おける付着強度を引張付着強度試験機により夫々測定す
る実験を行った。その結果、Ｃｒ界面膜を有するサンプ
ルにおいては７４９．７ｋｇ／ｃｍ² 、Ｃｒ界面膜を有
しないサンプルにおいては２１３．５ｋｇ／ｃｍ² とい
った結果が得られ、基板上にＣｒ界面膜を介してガラス
接合膜を設けたサンプルの方が付着強度が高かった。

【００３９】従って、これらの結果から、本実施例の磁
気ヘッドにおいてはフェライト基板上に界面膜を介して
ガラス接合膜を形成しているため、フェライト基板とガ
ラス接合膜間の反応が抑制され、これらの密着性が改善
され、その結果、磁気ヘッドの付着強度が向上すること
が確認された。

【００４０】そして上述の構成による本実施例の磁気ヘ
ッドは、その不良発生率が従来の約１／６程度に低減化
され、歩留りの向上を図ることができ、また信頼性の向
上を図ることができた。

【００４１】尚、ガラス接合膜７と基板１Ｂとの間の第
１の界面膜８を、基板１Ｂ側においてより高酸素濃度と
し、ガラス接合膜７と金属磁性膜３との間の第２の界面
膜６をガラス接合膜７側においてより高酸素濃度として
構成することにより、更にガラス接合膜７の密着性を改
善することができ、より歩留り及び信頼性の向上を図る
ことができた。

【００４２】また、上述の第２の界面膜６、第１の界面
膜８の厚さとしては、０．０５μｍ以上とすることによ
り充分な効果が得られ、０．２μｍを越える場合は界面
膜と基板又は金属磁性膜との応力が生じる恐れがあるた
め、０．０５μｍ以上０．２μｍ以下程度とすることが
望ましい。更にガラス接合膜７の厚さとしては、０．１
μｍ以上程度とすることにより充分な付着力が得られ、
また０．５μｍを越える場合は、磁気記録媒体との対接
面であるガラス膜面が大となって、このガラスの摩耗粉
の発生量が大となる恐れがあるため、０．１μｍ以上
０．５μｍ以下程度とすることが望ましい。

【００４３】更にまた上述の例においては、基板材料と
してＺｎフェライト材を用いた場合について述べたが、
その他結晶化ガラス、チタン酸カルシウム、ヘマタイト
等の非磁性セラミックスを基板材料として用いた場合に
おいても、同様に本発明を適用することによってガラス
接合膜の密着性を改善することができた。

【００４４】更にまた本発明の磁気ヘッドは上述の構成
に限ることなく、例えば図５Ａに示すように、各ブロッ
ク半体２２Ａ及び２２Ｂをその積層方向に関して逆向き
に突き合わせて、図５Ｂに示すように、磁気ギャップｇ
の両側にトラック幅規制溝１６を形成して、各磁気ヘッ
ドチップ２３を構成することもできる。図５Ａ及びＢに
おいて、図４Ａ及びＢに対応する部分には同一符号を付
して重複説明を省略する。

【００４５】図６はこのようにして形成した磁気ヘッド
の磁気ギャップｇ側から見た要部平面図である。図６に
おいて、図４Ａ及びＢに対応する部分には同一符号を付
して重複説明を省略する。１７は封着ガラスを示す。こ
のように、トラック幅規制溝１６を設けて、封着ガラス
等の非磁性材料によりトラック幅を規制する場合は、基
板材料として磁性材料を用いることができる。この場合
においても本発明を適用することによってガラス接合膜
の密着性を改善することができた。

【００４６】また本発明の磁気ヘッドにおいて、下地膜
の酸素濃度及び金属磁性膜間の絶縁膜の酸素濃度を変調
させて、例えば金属磁性膜近傍において酸素濃度を低濃
度とし、絶縁膜の中間部において高濃度とすることによ
って、金属磁性膜と絶縁膜との界面強度を大とし、且つ
各金属磁性膜を電気的に分断して渦電流の発生を低減化
する効果を得ることもできる。

【００４７】更にまた本発明は上述の構成に限ることな
く、例えば界面膜をガラス接合膜と基板との間にのみ設
ける等、その他種々の変形変更が可能であることはいう
までもない。

【００４８】

【発明の効果】本発明によれば、基板とガラス接合膜、
或いはガラス接合膜と金属磁性膜との各界面において確
実に密着性を向上させて付着強度を大とすることがで
き、製造工程における下地膜等の剥がれを抑制して歩留
りの向上及び信頼性の向上を図ることができる。特に、
基板としてフェライト基板を用いた場合においても、フ
ェライト基板とガラス接合膜間の反応を防止し、ガラス
接合膜内の気泡の発生、フェライト基板の強度の劣化に
よるフェライト基板内部の破断が抑えられる。なお、ガ
ラス接合膜内に気泡が生じないことから、該気泡内に磁
気記録媒体の摩耗粉が堆積することもなく、ヘッドクロ
ッグ等の不具合が生じないため、磁気ヘッドの信頼性を
大幅に向上することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気ヘッドの一例の略線的拡大斜視図である。

【図２】磁気ヘッドの一例の要部の略線的拡大断面図で
ある。

【図３】磁気ヘッドの一例の製造工程図である。

【図４】磁気ヘッドの一例の製造工程図である。

【図５】磁気ヘッドの他の例の製造工程図である。

【図６】磁気ヘッドの一例の要部の略線的拡大平面図で
ある。

【図７】従来の磁気ヘッドの説明図である。

【図８】従来の磁気ヘッドの要部の略線的拡大断面図で
ある。

【符号の説明】

１Ａ、１Ｂ・・・基板２・・・下地膜３・・・金属磁性膜４・・・絶縁膜６・・・第２の界面膜８・・・第１の界面膜７・・・ガラス接合膜２０Ａ、２０Ｂ・・・磁気コア半体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高橋伸司東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者渡辺利信東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者小林富夫東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者佐藤敬東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属磁性膜を一対の基板により膜厚方向
で挟み込み、ガラス接合膜を介して接合一体化して成る
一対の磁気コア半体を、上記金属磁性膜の端面が対向す
るように突き合わせてその突き合わせ面間に磁気ギャッ
プが構成されて成る磁気ヘッドにおいて、上記基板と上記ガラス接合膜との間に上記ガラス接合膜
材料に比し高融点材料より成る第１の界面膜が設けられ
て成ることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】上記ガラス接合膜と上記金属磁性膜との
間に上記ガラス接合膜材料に比し高融点材料より成る第
２の界面膜が設けられて成ることを特徴とする上記請求
項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】上記基板がフェライト材より成ることを
特徴とする上記請求項１又は２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】第１の界面膜が高融点非磁性金属より成
ることを特徴とする上記請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】第１の界面膜が酸化物材料より成ること
を特徴とする上記請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】第１の界面膜が酸化変調膜とされて成る
ことを特徴とする上記請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】第１の界面膜が、上記基板側において高
酸素濃度とされて成ることを特徴とする上記請求項１に
記載の磁気ヘッド。
【請求項８】第１及び／又は第２の界面膜が高融点非
磁性金属より成ることを特徴とする上記請求項２に記載
の磁気ヘッド。
【請求項９】第１及び／又は第２の界面膜が酸化物材
料より成ることを特徴とする上記請求項２に記載の磁気
ヘッド。
【請求項１０】第１及び／又は第２の界面膜が酸化変
調膜とされて成ることを特徴とする上記請求項２に記載
の磁気ヘッド。
【請求項１１】第２の界面膜が、上記ガラス接合膜側
において高酸素濃度とされて成ることを特徴とする上記
請求項２に記載の磁気ヘッド。