JPH0638433B2 - 半導体部品の製造方法 - Google Patents

半導体部品の製造方法

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JPH0638433B2
JPH0638433B2 JP58175107A JP17510783A JPH0638433B2 JP H0638433 B2 JPH0638433 B2 JP H0638433B2 JP 58175107 A JP58175107 A JP 58175107A JP 17510783 A JP17510783 A JP 17510783A JP H0638433 B2 JPH0638433 B2 JP H0638433B2
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JP
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semiconductor component
wire bonding
die
component manufacturing
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一三男 小林
和彦 熊木
信人 山崎
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Shinkawa Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 （発明の利用分野） 本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体部品の製造方法に係
り、特に銅を素材とするリードフレームのボンデイング
工程の改良に関する。
（発明の背景） 一般に、ボンデイング工程は、第１図に示すように、リ
ードフレームにＡｇペーストを介してダイをボンデイン
グするダイボンデイング工程１が行われ、次にオーブン
によつて前記Ａｇペーストを乾燥する乾燥工程２が行わ
れた後、前記リードフレームと前記ダイとにワイヤをボ
ンデイングするワイヤボンデイング工程３が行われる。
前記リードフレームは、一般に４２アロイ材が用いられ
ているが、最近、原価低減を図るために、リードフレー
ムとして安い鉄入り銅や錫入り銅の材料を使用する傾向
にある。ところで、前記銅材は温度を上げると酸化し易
い。そこで従来は、前記ワイヤボンデイング工程３は還
元雰囲気中で作業が行われている。しかしながら、前記
乾燥工程２はオーブンによる乾燥であるので、この乾燥
工程２でリードフレームが酸化すると同時に、Ａｇペー
スト中に含まれている不純物がリードフレームに付着
し、次のワイヤボンデイング工程３でのボンダビリテイ
が低下するという欠点があつた。特に銅メツキ、銅素材
のリードフレームは、この傾向が顕著に表われる。
また銅素材で、リツケルメツキ、銀メツキ、金メツキの
リードフレームにおいても、メツキ工程での洗滌工程の
不足や、洗滌液の劣化等により、リードフレーム表面の
汚れがあると、ワイヤボンデイング工程３でワイヤが付
かなくなつたり、断線する。これらの不着数は0.数％で
微少であるが、今後ますますワイヤ接続数が多くなつて
くると、ＩＣ当りの不良率は数％に上がり、問題となつ
てくる。
（発明の目的） 本発明の目的は、銅を素材とするリードフレームへのボ
ンダビリテイを向上させることができる半導体の製造方
法を提供することにある。
（発明の実施例） 以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。ダイ
ボンデイング工程１でＡｇペーストを介してダイがボン
デイングされたリードフレームを、Ｈ２５〜２０％、残
りＮ２よりなる不活性ガスの還元雰囲気炉中で１５０〜
３００℃の温度で２〜５分間放置して乾燥させる乾燥工
程１２を行う。これにより、リードフレームの微少酸化
膜や不純物が還元されるので、次のボンデイング工程３
におけるワイヤの接着強度が向上する。
例えば、ワイヤボンデイング工程３における接着率は、
還元雰囲気炉に２分放置した時は約８４％で、３分放置
した時は９６％に向上し、４分放置した時はほぼ１００
％に達した。
なお、還元雰囲気炉はワイヤボンデイングを施すワイヤ
ポンデイング装置と別個に設けても、又はワイヤボンデ
イング装置に一体に組込んでもよい。
（発明の効果） 以上の説明から明らかな如く、本発明によれば、ペース
トを介してダイがボンデイングされたリードフレームを
還元雰囲気炉で乾燥させ、その後ワイヤボンデイングを
行うので、前記還元雰囲気炉での乾燥によつて微少な酸
化や不純物による汚染等が完全に還元され、ワイヤボン
デイングの接着強度が著しく向上する。
【図面の簡単な説明】
図はボンデイング工程を示し、第１図は従来例の説明
図、第２図は本発明の一実施例を示す説明図である。 １……ダイボンデイング工程、１２……還元雰囲気炉で
の乾燥工程、３……ワイヤボンデイング工程。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 信人 東京都武蔵村山市伊奈平２丁目51番地の１ 株式会社新川内 (56)参考文献 特開 昭57−54337（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−229825（ＪＰ，Ａ) 実公 昭57−42175（ＪＰ，Ｙ２) 電子材料19〔７〕（1980年７月）Ｐ．27 −31

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ペーストを介してダイがボンデイングされ
    たリードフレームをＨ２５〜２０％、残りＮ２よりなる
    ガスの還元雰囲気炉で乾燥させ、その後ワイヤボンデイ
    ングを行うことを特徴とする半導体部品の製造方法。
JP58175107A 1983-09-20 1983-09-20 半導体部品の製造方法 Expired - Lifetime JPH0638433B2 (ja)

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Publications (2)

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JPS6065541A JPS6065541A (ja) 1985-04-15
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JPS6133262Y2 (ja) * 1980-08-14 1986-09-29
JPS5754337A (en) * 1980-09-19 1982-03-31 Toshiba Corp Assembling apparatus for semiconductor device
JPS59229825A (ja) * 1983-05-27 1984-12-24 Rohm Co Ltd 半導体ペレツトのダイボンデング装置

Non-Patent Citations (1)

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電子材料１９〔７〕（１９８０年７月）Ｐ．２７−３１

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