JPH0642334Y2 - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH0642334Y2 JPH0642334Y2 JP9005986U JP9005986U JPH0642334Y2 JP H0642334 Y2 JPH0642334 Y2 JP H0642334Y2 JP 9005986 U JP9005986 U JP 9005986U JP 9005986 U JP9005986 U JP 9005986U JP H0642334 Y2 JPH0642334 Y2 JP H0642334Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- main
- clock signal
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体集積回路の関し、特にクロック信号主幹
配線構造を改良した半導体集積回路に関する。
配線構造を改良した半導体集積回路に関する。
半導体集積回路において、種々の回路を同期して動作さ
せるためのクロック信号配線の布設は、従来は例えば、
第2図(a)の平面図に示すような配置である。第2図
(a)に示す例においては、主幹接地配線11とクロック
以外の信号の配線(以下一般配線という)14の間に第一
のクロック信号φAの主幹配線12があり、第二のクロッ
ク信号φBの主幹配線13が一般配線14にはさまれた位置
に配置されている。第2図(b)は第2図(a)のB−
B′線断面図であり、同図に示すように各配線は半導体
基板表面5上に同一層に形成されている。
せるためのクロック信号配線の布設は、従来は例えば、
第2図(a)の平面図に示すような配置である。第2図
(a)に示す例においては、主幹接地配線11とクロック
以外の信号の配線(以下一般配線という)14の間に第一
のクロック信号φAの主幹配線12があり、第二のクロッ
ク信号φBの主幹配線13が一般配線14にはさまれた位置
に配置されている。第2図(b)は第2図(a)のB−
B′線断面図であり、同図に示すように各配線は半導体
基板表面5上に同一層に形成されている。
第2図に示すような従来の半導体集積回路では、各配線
の半導体基板表面5からの高さをH、配線間の間隔をS
とすると、配線と基板との間には単位長さ当りChの、ま
た各配線間には単位長さ当りCsの寄生容量が存在する。
従ってクロック信号の主幹配線12および13には単位長に
つき1本当り最大(Ch+2・Cs)の寄生容量が存在す
る。
の半導体基板表面5からの高さをH、配線間の間隔をS
とすると、配線と基板との間には単位長さ当りChの、ま
た各配線間には単位長さ当りCsの寄生容量が存在する。
従ってクロック信号の主幹配線12および13には単位長に
つき1本当り最大(Ch+2・Cs)の寄生容量が存在す
る。
通常、クロック信号配線は集積回路内部を長距離にわた
って布線されるものであり、その寄生容量は、駆動する
回路の入力容量に比べて大きくなっており、動作速度を
遅らせる要因となっている。
って布線されるものであり、その寄生容量は、駆動する
回路の入力容量に比べて大きくなっており、動作速度を
遅らせる要因となっている。
また、第2図(a)の例では、主幹接地配線11の幅をW
a、配線12〜14の幅をWbとすると、全体でWa+5・Wb+
5・Sの幅が必要である。
a、配線12〜14の幅をWbとすると、全体でWa+5・Wb+
5・Sの幅が必要である。
本考案が解決すしようとする問題点、換言すれば本考案
の目的は、上述のような従来の半導体集積回路の欠点を
除去し、クロック信号配線の寄生容量を低減しまた配線
面積の増加を抑制した半導体集積回路を提供することに
ある。
の目的は、上述のような従来の半導体集積回路の欠点を
除去し、クロック信号配線の寄生容量を低減しまた配線
面積の増加を抑制した半導体集積回路を提供することに
ある。
本考案による半導体集積回路は、多層配線構造を有する
半導体集積回路において、基準電源の主幹配線の上部に
少くとも1本のクロック信号の主幹配線を設け、前記ク
ロック信号の主幹配線を前記基準電源の主幹配線と同一
方向に配置して構成される。
半導体集積回路において、基準電源の主幹配線の上部に
少くとも1本のクロック信号の主幹配線を設け、前記ク
ロック信号の主幹配線を前記基準電源の主幹配線と同一
方向に配置して構成される。
次に、本考案について図面を参照して詳細に説明する。
第1図(a)および(b)は、本考案の一実施例を示す
平面図およびA−A′線断面図である。
平面図およびA−A′線断面図である。
第1図(a)に示すように、本実施例は主幹接地配線1
の上に第一のクロック信号φAの主幹配線2および第二
のクロック信号φBの主幹配線3を設けたものであり、
これらのクロック信号主幹配線以外の一般配線4が主幹
接地配線1と並んで配線されている。
の上に第一のクロック信号φAの主幹配線2および第二
のクロック信号φBの主幹配線3を設けたものであり、
これらのクロック信号主幹配線以外の一般配線4が主幹
接地配線1と並んで配線されている。
第1図(b)は第1図(a)のA−A′線断面図であ
る。主幹接地配線1と一般配線4とは基板表面5から高
さHの位置に設けられていてそれらの間は間隔Sとなっ
ている。第一のクロック信号φAの主幹配線2と第二の
クロック信号φBの主幹配線3とは主幹接地配線1から
高さH′の位置に同一方向に配置して設けられている。
これらのクロック信号の主幹配線2および3の間は間隔
S′となっている。
る。主幹接地配線1と一般配線4とは基板表面5から高
さHの位置に設けられていてそれらの間は間隔Sとなっ
ている。第一のクロック信号φAの主幹配線2と第二の
クロック信号φBの主幹配線3とは主幹接地配線1から
高さH′の位置に同一方向に配置して設けられている。
これらのクロック信号の主幹配線2および3の間は間隔
S′となっている。
ここで、高さH′は高さHと近似した値であり、また、
主幹接地配線1の幅Waは、通常クロック信号の主幹配線
2・3や一般配線4の幅に比べて充分広いので、間隔
S′についてS′>Sとすることが可能である。
主幹接地配線1の幅Waは、通常クロック信号の主幹配線
2・3や一般配線4の幅に比べて充分広いので、間隔
S′についてS′>Sとすることが可能である。
第1図(b)に示すように、第一および第二のクロック
信号の主幹配線2および3と主幹接地配線1との間には
単位長さ当りCh′、主幹配線2・3相互間には単位長さ
当りCs′の寄生容量が存在する。第1図の実施例では主
幹配線2および3と同一層内に他の配線が存在しないの
で、主幹配線2および3は1本当りCh+Cs′の寄生容量
が存在する。
信号の主幹配線2および3と主幹接地配線1との間には
単位長さ当りCh′、主幹配線2・3相互間には単位長さ
当りCs′の寄生容量が存在する。第1図の実施例では主
幹配線2および3と同一層内に他の配線が存在しないの
で、主幹配線2および3は1本当りCh+Cs′の寄生容量
が存在する。
ここで、HとH′とがほぼ等しいことからChとCh′とは
ほぼ等しくまたS<S′であことからCs>Cs′となるの
で、Ch′+Csの値はCh+2・Csの値より小となる。
ほぼ等しくまたS<S′であことからCs>Cs′となるの
で、Ch′+Csの値はCh+2・Csの値より小となる。
また、第1図(a)において、配線全体の幅が(Wa+3
・Wb+3・S)であり、第2図(a)の場合よりも(2
・Wb+2・S)だけ小さくなっている。
・Wb+3・S)であり、第2図(a)の場合よりも(2
・Wb+2・S)だけ小さくなっている。
尚、上述の実施例では主幹接地配線上にクロック信号の
主幹配線を設けた例を示したが、他の安定な基準電源の
主幹配線を用いてもよい。また、クロック信号の主幹配
線の間隔S′が下層の一般配線の間隔Sより大である限
りにおいて、クロック信号配線数を増すことが可能であ
る。
主幹配線を設けた例を示したが、他の安定な基準電源の
主幹配線を用いてもよい。また、クロック信号の主幹配
線の間隔S′が下層の一般配線の間隔Sより大である限
りにおいて、クロック信号配線数を増すことが可能であ
る。
以上に説明したように、本考案の半導体集積回路を用い
ることによって、クロック信号の主幹配線の寄生容量を
低減することができるという効果があり、また配線面積
の増加を抑制した半導体集積回路が得られるという効果
がある。
ることによって、クロック信号の主幹配線の寄生容量を
低減することができるという効果があり、また配線面積
の増加を抑制した半導体集積回路が得られるという効果
がある。
第1図(a)および(b)は本考案の一実施例を示す平
面図およびA−A′線断面図、第2図(a)および
(b)は従来の例の平面図およびB−B′線断面図であ
る。 1・11…主幹接地配線、2・12…第一クロック信号主幹
配線、3・13…第二クロック信号主幹配線、4・14…一
般配線、5…半導体基板表面。
面図およびA−A′線断面図、第2図(a)および
(b)は従来の例の平面図およびB−B′線断面図であ
る。 1・11…主幹接地配線、2・12…第一クロック信号主幹
配線、3・13…第二クロック信号主幹配線、4・14…一
般配線、5…半導体基板表面。
Claims (1)
- 【請求項1】多層配線構造を有する半導体集積回路にお
いて、基準電源の主幹配線の上部に少くとも1本のクロ
ック信号の主幹配線を設け、前記クロック信号の主幹配
線を前記基準電源の主幹配線と同一方向に配置したこと
を特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9005986U JPH0642334Y2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9005986U JPH0642334Y2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62201948U JPS62201948U (ja) | 1987-12-23 |
| JPH0642334Y2 true JPH0642334Y2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=30949592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9005986U Expired - Lifetime JPH0642334Y2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642334Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP9005986U patent/JPH0642334Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62201948U (ja) | 1987-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5309015A (en) | Clock wiring and semiconductor integrated circuit device having the same | |
| JPH0642334Y2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2001144091A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2000349238A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03224261A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0693480B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS63293941A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2788783B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH073642Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63208252A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジ | |
| JPH0582646A (ja) | クロストークノイズ防止機能を備えた半導体回路 | |
| JPS6340347A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0430452A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2560813B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH04262567A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03120848A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS61152064A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JP2002100732A (ja) | 容量素子形成方法 | |
| JPH02165678A (ja) | Mosトランジスタ | |
| JPS6390842A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH02148845A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0831528B2 (ja) | Ecl半導体集積回路装置 | |
| JPH03263355A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS63122154A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0151057B2 (ja) |