JPH0684317A - 光ディスクカートリッジおよびその製造方法 - Google Patents

光ディスクカートリッジおよびその製造方法

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JPH0684317A
JPH0684317A JP23611492A JP23611492A JPH0684317A JP H0684317 A JPH0684317 A JP H0684317A JP 23611492 A JP23611492 A JP 23611492A JP 23611492 A JP23611492 A JP 23611492A JP H0684317 A JPH0684317 A JP H0684317A
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JP
Japan
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optical disk
disk cartridge
manufacturing
layer
case
Prior art date
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Application number
JP23611492A
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English (en)
Inventor
Hisao Nishikawa
尚男 西川
Masahiro Yatake
正弘 矢竹
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、記録再生時のトラブルの発生および
ヘッドクラッシュの発生の原因とならない光ディスクカ
ートリッジおよびその製造方法を提供するを目的とす
る。 【構成】本発明は、プラスチックからなる光ディスクケ
ース102・103の内面に該プラスチックより導電性
が高い層101を形成したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクカートリッ
ジおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光ディスクケースとしてはポリカ
ーボネイトあるいはABS樹脂等のプラスチックを射出
成形して得られる成形品が用いられていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、該光ディスクケースの内面が帯電しやすく、光
ディスクを組み込んで光ディスクカートリッジを形成し
た場合、ホコリを該光カートリッジ内部に引きつけやす
く、その結果、ディスク表面にホコリが付着し記録再生
時のトラブルが発生したり、また、光磁気メモリーのオ
ーバライトを行うにあたりフライングヘッドによる磁界
変調方式を用いる場合等は、ヘッドクラッシュが発生す
るするという課題を有する。そこで本発明はこのような
課題を解決するもので、その目的とするところは、記録
再生時のトラブルの発生およびヘッドクラッシュの発生
の原因とならない光ディスクカートリッジおよびその製
造方法を提供するところにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、プラスチックからなる光ディスクケースの内
面に該プラスチックより導電性の高い層を形成したこと
を特徴とする。
【0005】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
【0006】図1は、本発明の実施例における導電性の
高い層101を光ディスクケースの内面に形成した光デ
ィスクカートリッジの断面図である。光ディスクケース
は上部のアッパーシェル102と下部のローアシェル1
03とからなり、互いに内面を向かい合わせて単板構造
の光ディスク104を組み込んで、ネジ止め等により合
体させて、光ディスクカートリッジが形成される(以
後、ケースの半分を指すときは単にシェルと呼ぶことに
する)。105は基板、106は記録膜、107は記録
膜保護層、108は基板表面保護層、109はマグネッ
トクランプ用のハブである。該光ディスクとしては10
4の他に、図2(a)に示すような密着貼り合わせ構
造、図2(b)に示すようなエアサンドイッチ構造等に
も適用できる。201は基板、202は記録膜、203
は記録膜保護層、204は基板表面保護層、205はマ
グネットクランプ用のハブ、206は接着層、207は
スペーサである。
【0007】図3(a)は本発明の光ディスクカートリ
ッジを製造するのに際し使用した真空蒸着装置の概念図
である。301は真空チャンバー、302はヒーター、
303は防着板であり、304は蒸着源であるCr、3
05は真空ポンプである。図3に示す真空蒸着装置に、
光ディスクケースのシェル306の内面が下になるよう
にセットし、真空にてCrを蒸着した。その結果できあ
がった光ディスク用カートリッジの断面図が図3(b)
である。
【0008】本実施例では、導電性の高い層を形成する
ための蒸着源としてCrを用いたが、カートリッジの材
料として用いられているプラスチックより導電性の高い
層を形成する材料であれば、例えば、Al,Fe,C
o,Ni,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Mo,
W,Mn,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,C
u,Ag,Au,Zn,C,Si,Ga,Ge,Se,
Te,Pb等およびそれらの合金、化合物、酸化物、窒
化物、硅化物、硫化物、炭化物、また、導電性有機材料
等も使用できる。
【0009】次に、導電性の高い層の形成方法として、
紫外線硬化樹脂を塗布し硬化させた場合について説明す
る。
【0010】図4は、光ディスクケースの内面に紫外線
硬化樹脂を塗布および紫外線露光するに際し使用した、
紫外線硬化樹脂塗布装置(a)および紫外線露光装置
(b)の概念図である。401は紫外線硬化樹脂タン
ク、402は塗布パット、403はエアシンダー、40
5は紫外線ランプ、406はコンベアである。塗布パッ
トはメッシュ状になっていて、エアシリンダーにより光
ディスクケースのシェルに押さえつけられると、タンク
から送られてきた紫外線硬化樹脂が表面にしみ出てくる
ようになっている。図4(a)に示す装置に、光ディス
クケースのシェルの内面が上になるようにセットし、紫
外線硬化樹脂を塗布する。これを、図4(b)に示す紫
外線露光装置で紫外線を露光して紫外線硬化樹脂を硬化
させる。その結果できあがった光ディスクカートリッジ
の断面図が図4(c)である。
【0011】層の形成方法としてはこの他に、スパッタ
リング、イオンプレーティング、CVD、メッキ、溶射
等も用いることができる。
【0012】次に、光ディスクケースの内面にフィルム
を貼り付けることにより、導電性の高い層を形成した場
合について説明する。
【0013】図5は、本発明光ディスクカートリッジを
製造するに際し使用した、帯電防止剤を添加したポリエ
チレンテレフタレートフィルムの上視図(a)および断
面図(b)である。このフィルムの片面にロールコート
等により紫外線硬化樹脂を図6(a)に示したように塗
布し、図6(b)に示したように光ディスクケースのシ
ェルの内面に重ね合わせる。これを図4(b)に示した
紫外線露光装置により紫外線を露光して硬化させる。そ
の結果できあがった光ディスクカートリッジの断面図が
図6(c)である。本実施例では接着剤として紫外線硬
化樹脂型の接着剤を用いたが、それ以外にエポキシ系、
ウレタン系、ビニル系、エステル系の接着剤等も用いる
ことができる。
【0014】また、フィルムを貼り付ける方法として、
両面粘着テープを用いてもよい。図5に示したフィルム
の片面に、図7(a)に示したように両面粘着テープを
貼る。ここで、703は保護フィルムである。この保護
フィルムを剥して、図7(b)に示したように光ディス
クケースのシェルの内面に貼り付ける。その結果できあ
がった光ディスクカートリッジの断面図が図7(c)で
ある。
【0015】本実施例では、フィルム材料としてポリエ
チレンテレフタレートフィルムを用いたが、アクリル
系、ポリカーボネイト系、シリコン系、ビニル系、フッ
素系、ウレタン系、セルロース系、ビニロン系、オレフ
ィン系、イミド系、スチレン系、ポリエーテル系等の樹
脂、および、これらに帯電防止剤として界面活性剤を添
加したもの、Cまたは金属などを分散させたもの、ま
た、ガラス、金属フィルム等も使用できる。
【0016】このような実施例に基づき作成した光ディ
スクカートリッジにおいて、光ディスクの回転と静止の
繰り返しテストを行った結果、ケース材料に用いられて
いるプラスチックより導電性の高い層を内面に形成した
光ディスクカートリッジは、従来の光ディスクカートリ
ッジに比べ、記録再生エラーの発生率は1/1000に
減少した。また、光磁気メモリーのオーバライトを行う
にあたりフライングヘッドによる磁界変調方式を用いる
場合等は、ヘッドクラッシュの発生率は1/100であ
った。
【0017】以上、本発明をある特別な実施例において
説明したが、本発明はそれらに限定されるものと考えら
れるべきではなく、本発明の主旨を逸脱しない限り種々
の変更は可能である。
【0018】
【発明の効果】以上に述べたように本発明によれば、プ
ラスチックからなる光ディスクケースの内面に該プラス
チックより導電性の高い層を形成することは、光ディス
クカートリッジの内部にホコリを引きつけにくくなり、
光ディスクの表面にホコリが付着することによる記録再
生のトラブルやフラインッグヘッドのヘッドクラッシュ
の発生する頻度が低減されるという効果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例における導電性の高い層を内面
に形成した光ディスクカートリッジの断面図。
【図2】光ディスクケースに組み込まれる光ディスクの
一例である、密着貼り合わせ構造の光ディスクの断面図
(a)とエアサンドイッチ構造の光ディスクの断面図
(b)。
【図3】請求項4に示す光ディスクカートリッジの製造
方法を説明するための概念図。
【図4】請求項5に示す光ディスクカートリッジの製造
方法を説明するための概念図。
【図5】請求項6、7、8に示す光ディスクカートリッ
ジを製造するに際し、使用したフィルムの上視図(a)
と断面図(b)。
【図6】請求項7に示す光ディスクカートリッジの製造
方法を説明するための概念図。
【図7】請求項8に示す光ディスクカートリッジの製造
方法を説明するための概念図。
【符号の説明】
101 導電性の高い層 102 光ディスクケースのアッパーシェル 103 光ディスクケースのローアシェル 104 単板構造の光ディスク 105 基板 106 記録膜 107 記録膜保護層 108 基板表面ハードコート層 109 マグネットクランプ用ハブ 201 基板 202 記録膜 203 記録膜保護層 204 基板表面保護層 205 マグネットクランプ用ハブ 206 接着層 207 スペーサ 301 真空チャンバー 302 ヒーター 303 防着板 304 Cr蒸着源 305 真空ポンプ 306 光ディスクケースのシェル 307 Cr層 401 紫外線硬化樹脂タンク 402 塗布パット 403 エアシリンダー 404 光ディスクケースのシェル 405 紫外線ランプ 406 コンベア 407 (硬化前の)紫外線硬化樹脂層 408 (硬化後の)紫外線硬化樹脂層 601 ポリエチレンテレフタレートフィルム 602 紫外線硬化樹脂 603 光ディスクケースのシェル 701 ポリエチレンテレフタレートフィルム 702 両面粘着テープ 703 保護フィルム 704 光ディスクケースのシェル

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プラスチックからなる光ディスクケース
    の内面に該プラスチックより導電性の高い層を形成した
    ことを特徴とする光ディスクカートリッジ。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の導電性の高い層とし
    て、金属薄膜を光ディスクケースの内面に形成したこと
    を特徴とする光ディスクカートリッジ。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の導電性の高い層とし
    て、樹脂層を光ディスクケースの内面に形成したことを
    特徴とする光ディスクカートリッジ。
  4. 【請求項4】 請求項2に記載の金属薄膜の形成方法と
    して、真空蒸着を用いたことを特徴とする請求項1に記
    載の光ディスクカートリッジの製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項3に記載の樹脂層の形成方法とし
    て、紫外線硬化樹脂を内面に塗布、硬化させたことを特
    徴とする光ディスクカートリッジの製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項3に記載の樹脂層の形成方法とし
    て、フィルムを内面に貼り付けたことを特徴とする光デ
    ィスクカートリッジの製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載のフィルムを内面に貼り
    付けるに際し、接着剤として紫外線硬化樹脂を用いたこ
    とを特徴とする請求項1に記載の光ディスクカートリッ
    ジの製造方法。
  8. 【請求項8】 請求項6に記載のフィルムを内面に貼り
    付けるに際し、貼り付け材料として両面粘着テープを用
    いたことを特徴とする請求項1に記載の光ディスクカー
    トリッジの製造方法。
JP23611492A 1992-09-03 1992-09-03 光ディスクカートリッジおよびその製造方法 Pending JPH0684317A (ja)

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