JPH069016Y2 - 透明電極の製造装置 - Google Patents
透明電極の製造装置Info
- Publication number
- JPH069016Y2 JPH069016Y2 JP1987164223U JP16422387U JPH069016Y2 JP H069016 Y2 JPH069016 Y2 JP H069016Y2 JP 1987164223 U JP1987164223 U JP 1987164223U JP 16422387 U JP16422387 U JP 16422387U JP H069016 Y2 JPH069016 Y2 JP H069016Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent electrode
- gas
- target
- sputtering
- electrode manufacturing
- Prior art date
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Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は表示装置の透明電極等に用いられるＩＴＯスパ
ッタ膜の製造装置に関するものである。
ッタ膜の製造装置に関するものである。
従来の技術 従来、薄膜作製方法として、真空を利用して抵抗加熱方
式、Ｅ／Ｂ方式、スパッタリング方式が一般的である。
しかし最近は、基板処理温度の低温化、処理能力のアッ
プ、より均一な特性等の点から、スパッタリング方式で
作製されることが多くなってきている。特に、この技術
を用いた表示装置（例えば、液晶表示素子、ＥＣＤ、Ｅ
Ｌ等の透明電極）は需要が多く、同時に大型化表示化の
ための特性面（透過率、抵抗値）も良いのが要求されて
いる。
式、Ｅ／Ｂ方式、スパッタリング方式が一般的である。
しかし最近は、基板処理温度の低温化、処理能力のアッ
プ、より均一な特性等の点から、スパッタリング方式で
作製されることが多くなってきている。特に、この技術
を用いた表示装置（例えば、液晶表示素子、ＥＣＤ、Ｅ
Ｌ等の透明電極）は需要が多く、同時に大型化表示化の
ための特性面（透過率、抵抗値）も良いのが要求されて
いる。
ＩＴＯスパッタ膜の作製方法は、Ａ．Ｉｎ−Ｓｎ合金タ
ーゲット、Ｂ．Ｉｎ2Ｏ3−Ｓｎ2Ｏ3酸化物ターゲットの
方法が主流である。Ａの方法は、反応性スパッタリング
で、反応性の制御に高精度を必要とするため、特に、高
特性（抵抗値の低い膜、数１０オーム程度）膜を作製す
るためには、真空装置の高制御も必要となるが、現実に
は一応実用の状態に達している。Ｂの酸化物ターゲット
方法では、反応性スパッタリングでないため、制御性で
はＡの反応性スパッタリングより安定である。従って、
今一般的には、抵抗値の低い膜（数１０オーム以下）
は、後者の酸化物ターゲットの方法で作製している。
ーゲット、Ｂ．Ｉｎ2Ｏ3−Ｓｎ2Ｏ3酸化物ターゲットの
方法が主流である。Ａの方法は、反応性スパッタリング
で、反応性の制御に高精度を必要とするため、特に、高
特性（抵抗値の低い膜、数１０オーム程度）膜を作製す
るためには、真空装置の高制御も必要となるが、現実に
は一応実用の状態に達している。Ｂの酸化物ターゲット
方法では、反応性スパッタリングでないため、制御性で
はＡの反応性スパッタリングより安定である。従って、
今一般的には、抵抗値の低い膜（数１０オーム以下）
は、後者の酸化物ターゲットの方法で作製している。
第２図に従来の透明電極の製造装置を示す。
ＩＴＯターゲット３，３を設置した真空槽１を１×１０
-5Ｔｏｒｒ以下の高真空にして、Ａｒ用ガス管４及びＯ
2用ガス管５からスパッタリング用ガスＡｒ，Ｏ2を流
す。そして、真空槽１内を１×１０-2〜１×１０-4Ｔｏ
ｒｒの範囲の真空度に保持しながらＩＴＯターゲット
３，３に電圧（−）を印加すると、スパッタガスはイオ
ン化されてターゲット表面にたたき付けられ、反動でタ
ーゲット物質がガラス基板２，２，，上に付着する。
-5Ｔｏｒｒ以下の高真空にして、Ａｒ用ガス管４及びＯ
2用ガス管５からスパッタリング用ガスＡｒ，Ｏ2を流
す。そして、真空槽１内を１×１０-2〜１×１０-4Ｔｏ
ｒｒの範囲の真空度に保持しながらＩＴＯターゲット
３，３に電圧（−）を印加すると、スパッタガスはイオ
ン化されてターゲット表面にたたき付けられ、反動でタ
ーゲット物質がガラス基板２，２，，上に付着する。
この場合、ターゲット表面はイオンが常にたたき付けら
れるため、酸素が奪われて表面が黒くなる。このため、
Ｏ2用ガス管５からのスパッタガスＯ2を増加していき、
ガラス基板２，２，，上に付着するＩＴＯ膜中の酸素量
を補う。
れるため、酸素が奪われて表面が黒くなる。このため、
Ｏ2用ガス管５からのスパッタガスＯ2を増加していき、
ガラス基板２，２，，上に付着するＩＴＯ膜中の酸素量
を補う。
考案が解決しようとする問題点 ところで、Ｏ2ガス混入量は、ターゲットの経時変化に
伴って制御されなければならない。従来、これを装置オ
ペレーターがターゲット表面を目視して手動で調整を行
っていた。
伴って制御されなければならない。従来、これを装置オ
ペレーターがターゲット表面を目視して手動で調整を行
っていた。
本考案は、上記のような点に鑑み、Ｏ2ガス混入量を自
動的に制御する透明電極の製造装置を提供するものであ
る。
動的に制御する透明電極の製造装置を提供するものであ
る。
問題点を解決するための手段 本考案は、Ｉｎ2Ｏ3−Ｓｎ2Ｏ3酸化物をスパッタリング
のターゲットとして用い、真空槽内でＯ2ガスの供給量
を制御しながらスパッタリングにより基板上に透明電極
を作製する透明電極の製造装置において、前記ターゲッ
ト表面の色状態を検出し色状態に対応した出力信号を発
生するモニター手段、及び該出力信号により前記真空槽
内へのＯ2ガス供給量を調節する手段を設けたことを特
徴とする。
のターゲットとして用い、真空槽内でＯ2ガスの供給量
を制御しながらスパッタリングにより基板上に透明電極
を作製する透明電極の製造装置において、前記ターゲッ
ト表面の色状態を検出し色状態に対応した出力信号を発
生するモニター手段、及び該出力信号により前記真空槽
内へのＯ2ガス供給量を調節する手段を設けたことを特
徴とする。
作用 モニター手段によりターゲット表面の酸化状態が常時モ
ニターされ、この結果に従ってＯ2ガス混入量が自動的
に制御されるので、ターゲットの経時変化に関係なく、
安定したＩＴＯスパッタ膜が得られる。
ニターされ、この結果に従ってＯ2ガス混入量が自動的
に制御されるので、ターゲットの経時変化に関係なく、
安定したＩＴＯスパッタ膜が得られる。
実施例 第１図に本考案の一実施例を示す。なお第２図と同一機
能を有する部分については同一符号を付して示してい
る。
能を有する部分については同一符号を付して示してい
る。
第１図において、モニター７，７は、例えば分光モニタ
ー、ＣＣＤ等からなるものであり、ＩＴＯターゲット
３，３表面の色状態を観察する。モニター７，７の出力
は制御回路８，８に入力され、Ｏ2用ガス管５からのＯ2
ガス量を制御する。
ー、ＣＣＤ等からなるものであり、ＩＴＯターゲット
３，３表面の色状態を観察する。モニター７，７の出力
は制御回路８，８に入力され、Ｏ2用ガス管５からのＯ2
ガス量を制御する。
第３図はターゲットの使用時間によるターゲット表面の
状態変化を示したもので、縦軸はターゲット表面の明度
である。第４図は上記制御によって調整されたＯ2ガス
流量を示している。第５図はＩＴＯスパッタ膜中のＯ2
量を示し、実線は本例によるＯ2量、破線は従来の目
視、手動によるＯ2量を示している。
状態変化を示したもので、縦軸はターゲット表面の明度
である。第４図は上記制御によって調整されたＯ2ガス
流量を示している。第５図はＩＴＯスパッタ膜中のＯ2
量を示し、実線は本例によるＯ2量、破線は従来の目
視、手動によるＯ2量を示している。
考案の効果 以上のように本考案によれば、ターゲット表面の経時変
化に関係なく、基板上に堆積されるスパッタ膜がリアル
タイムで均一に作製されるため連続的に膜厚の安定した
スパッタ膜を得ることができる。
化に関係なく、基板上に堆積されるスパッタ膜がリアル
タイムで均一に作製されるため連続的に膜厚の安定した
スパッタ膜を得ることができる。
第１図は本考案の一実施例を示す構成図、第２図は従来
例を示す構成図、第３図はターゲット表面の時間的変化
を示す図、第４図は本考案の一実施例によるＯ2流量を
示す図、第５図は本考案と従来のＩＴＯスパッタ膜中の
Ｏ2量を対比して示す図である。 １……真空槽、２……ガラス基板、３……ＩＴＯターゲ
ット、４……Ａｒ用ガス管、５……Ｏ2用ガス管、７…
…モニター、８……制御回路。
例を示す構成図、第３図はターゲット表面の時間的変化
を示す図、第４図は本考案の一実施例によるＯ2流量を
示す図、第５図は本考案と従来のＩＴＯスパッタ膜中の
Ｏ2量を対比して示す図である。 １……真空槽、２……ガラス基板、３……ＩＴＯターゲ
ット、４……Ａｒ用ガス管、５……Ｏ2用ガス管、７…
…モニター、８……制御回路。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｉｎ2Ｏ3−Ｓｎ2Ｏ3酸化物をスパッタリン
グのターゲットとして用い、真空槽内でＯ2ガスの供給
量を制御しながらスパッタリングにより基板上に透明電
極を作製する透明電極の製造装置において、 前記ターゲット表面の色状態を検出し色状態に対応した
出力信号を発生するモニター手段、及び該出力信号によ
り前記真空槽内へのＯ2ガス供給量を調節する手段を設
けたことを特徴とする透明電極の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987164223U JPH069016Y2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 透明電極の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987164223U JPH069016Y2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 透明電極の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0170864U JPH0170864U (ja) | 1989-05-11 |
| JPH069016Y2 true JPH069016Y2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=31449646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987164223U Expired - Lifetime JPH069016Y2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 透明電極の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069016Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6082660A (ja) * | 1983-10-08 | 1985-05-10 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 酸化物層の形成装置 |
| JPS60130008A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-11 | ダイセル化学工業株式会社 | 透明導電性膜の形成方法 |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP1987164223U patent/JPH069016Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0170864U (ja) | 1989-05-11 |
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