JPH07105602B2 - 多層配線基板 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はコンピュータ、電子交換装置などに用いられる
IC、LSI等に実装される大型の多層配線基板に関する。

〔従来の技術〕

この種の大型の多層配線基板として、従来では主として
次の２種類のものが多用されている。

１つはフェノール、エポキシなどの樹脂で構成された積
層基板の表面に銅箔をはり付け、これをエッチング処理
によってパターン形成した樹脂配線基板としてのもので
ある。

他はアルミナ粉末等のセラミック材料を液状のバインダ
を用いて粘り合わせたシート状のセラミック基板、いわ
ゆるグリーンシート上にパターンを印刷し、所要枚数を
積み重ねて圧着し、これを焼結させるセラミック配線基
板としてのものである。

従来では、いずれの場合でも、予め基板を製品寸法に合
致させた大型のものとして構成し、これにパターンの形
成等を行っている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

樹脂配線基板によるものでは、大型の基板にスルーホー
ルの形成、エッチング処理等を直接行っているため、比
較的誤差が大きくなり、スルーホール形式精度またはエ
ッチング精度が低下し易く、高密度化するうえで困難で
ある。

また、セラミック配線基板によるものでは、パターンの
印刷性が悪くなり、また焼結時の焼縮みが大きくなるな
ど、やはり大型基板を直接用いることにより高密度化が
困難である。

なお、これらの樹脂配線基板やセラミック配線基板を用
いて高密度化を図る手段として超多層化構造とすること
が考えられる。しかし、この手段は技術的には可能で
も、生産リードタイムが長期化するとともに、所望の精
度のものが得にくく歩留りが低下するなどの欠点があ
り、実用上では問題が多い。

そこで本発明の目的は、高密度化が容易かつ確実に行
え、生産リードタイムの短縮および歩留りの向上が図れ
る大型の多層積層板を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明では、回路配線を積層基板内に多層に設けた大型
の多層配線基板において、セラミック基板に回路配線を
施してなる小型に分割された複数のセラミック配線基板
を備え、その各セラミック配線基板の側面には接着用樹
脂層が形成されており、かつ基板表面にそれぞれ延在す
る金属端子が前記接着用樹脂層の表面と面一な状態でこ
の側面に間隔を置いて配置されており、それぞれ対向す
る金属端子が圧接した状態で各セラミック配線基板のこ
れら金属端子が存在しない部位の接着用樹脂層同士を接
合することにより大型に形成するようにしている。

すなわち、本発明では各セラミック配線基板の側面の金
属端子同士を対向させて圧接し、このときこの側面の金
属端子が存在しない部位の接着用樹脂層同士を接合する
ようにしている。この結果、パターン印刷性がよく、焼
結時の焼縮みが小さく、しかも生産リードタイムが短
く，歩留りもよい高密度の多層配線基板を制作すること
ができ、また、金属端子同士が圧接するので、各セラミ
ック配線基板間の電気的接続も同時に行われることにな
る。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

第１図は最終成形品としての大型の積層配線基板１を示
す。この積層配線基板１はセラミック基板からなるもの
で、その内部に所要の回路配線が多層に設けられてい
る。すなわち、この積層配線基板１は、アルミナセラミ
ック製の基板表面にタングステン（Ｗ）またはモリブデ
ン（Mo）からなる電源パターンと、金（Au）または銀パ
ラジウム（Ag/Pd）からなる信号パターンとを形成し、
その表面にポリイミド樹脂を層間絶縁として、多数の金
（Au）または銅（Cu）の微細パターンを積層形成したも
のである。

第２図は、第１図に示す大型の積層配線基板１の構成素
材として予め小型に分割形成されたセラミック配線基板
２を示している。この実施例では四分割形とされてお
り、その分割された各セラミック配線基板２に予め前記
の多層回路配線が設けられ、また隣接する各１対の側面
が接合端縁部2aとされている。

第３図は、第２図に示すセラミック基板２の接合端縁部
2aを拡大して示している。各セラミック基板２の接合端
縁部2aには、金（Au）からなる金属端子３と、ポリイミ
ド樹脂からなる接着用樹脂層４とが形成されている。金
属端子３は各パターン部から接合端縁部2aに突出すると
ともに、接合端縁部2aの端面に沿って折曲し延在してい
る。また、接着用樹脂層４は接合端縁部2aの端面全体に
沿い、かつ金属端子３と面一な状態で形成されている。

なお、接着用樹脂層４を構成するポリイミド樹脂の厚さ
は50μｍ以下とされており、接合前においては閉環反応
の中間段階（Ｂステージ）となっている。

また、金属端子３の線幅は、フォトリソグラフィおよび
エッチングにより、10μｍ程度とされている。

第４図は第３図に示す分割形のセラミック配線基板２の
接合端縁部2aを接合した状態を示している。この接合を
行う場合には、各セラミック配線基板２を所定の治工具
によって位置決めし、接合面に約2kg/mm²の加圧力を作
用させる。そして約400℃の温度で約１時間、窒素
（N₂）雰囲気中に保持する。これにより、ポリイミド樹
脂が完全に閉環反応し、接着用樹脂層４が相互に接着さ
れる。なお、金属端子３同士も熱圧着される。

このようにして、第２図に示す全てのセラミック配線基
板２が接合されて第１図に示す大型の多層配線基板１が
形成されるものである。

このようにして形成される多層配線基板１によれば、分
割体としての小型のセラミック配線基板２の段階でパタ
ーン形成、焼結等が行われるのでパターン形成精度がよ
く、また焼縮みも小さくて済む。そして接合も能率よ
く、確実に行え、高密度の大型の多層配線基板１が短い
生産リードタイムで歩留りよく得られるようになる。

なお、前記実施例における各部の材料、寸法、接合条件
等は必要に応じて変更できることはもちろんである。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明に係わる多層配線基板によると、
複数に分割された小型のセラミック配線基板が、その側
面に形成された金属端子と接着用樹脂層とを介して互い
に接合されて大型に形成されるものであるから、小型基
板段階で回路配線を施すことができ、歩留りが良く、か
つ生産リードタイムの短い高密度、大型の多層配線基板
が実現できる。また、各セラミック配線基板の側面の接
合に際して金属端子同士が圧接するので、各セラミック
配線基板間の電気的接続も同時に行われることになると
いう効果もある。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図は最終成
形品としての大型の多層配線基板を示す斜視図、第２図
は分割されたセラミック配線基板を示す斜視図、第３図
は第２図の一部を拡大して示す図、第４図は基板の接合
状態を示す図である。 １……多層配線基板、２……セラミック配線基板、３…
…金属端子、４……接着用樹脂層。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】回路配線を積層基板内に多層に設けた大型
   の多層配線基板において、 セラミック基板に回路配線を施してなる小型に分割され
   た複数のセラミック配線基板を備え、その各セラミック
   配線基板の側面には接着用樹脂層が形成されており、か
   つ基板表面にそれぞれ延在する金属端子が前記接着用樹
   脂層の表面と面一な状態でこの側面に間隔を置いて配置
   されており、それぞれ対向する金属端子が圧接した状態
   で各セラミック配線基板のこれら金属端子が存在しない
   部位の接着用樹脂層同士を接合することにより大型に形
   成してなることを特徴とする多層配線基板。
2. 【請求項２】金属端子は金（Au）製であり、接着用樹脂
   はポリイミド樹脂であることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の多層配線基板。