JPH07183566A - 光ダイオードとその製造方法 - Google Patents
光ダイオードとその製造方法Info
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- JPH07183566A JPH07183566A JP6305712A JP30571294A JPH07183566A JP H07183566 A JPH07183566 A JP H07183566A JP 6305712 A JP6305712 A JP 6305712A JP 30571294 A JP30571294 A JP 30571294A JP H07183566 A JPH07183566 A JP H07183566A
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising photovoltaic cells in arrays in a single semiconductor substrate, the photovoltaic cells having vertical junctions or V-groove junctions
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 必要なシリコン領域を最小にするような光ダ
イオード構造を提供することである。 【構成】 本発明の半導体光ダイオード素子の構造は、
光キャリア収集効率を改善するようなｐ−ｎ接合サイズ
が増大した構造を有する。誘電体で絶縁された領域（シ
リコン−オン−絶縁構造体）内に形成された光ダイオー
ドにおいて、収集ｐ−ｎ接合を発光ダイオードの裏面ま
で延長させて、光キャリアが再結合する前に、光キャリ
アを収集しようとするものである。光キャリア収集効率
を増加させると、光ダイオードの駆動能力を増加させ、
素子を形成するのに必要なシリコン領域を最小化でき
る。かくして、従来の固体リレー光ダイオードに比較し
て、本発明の光ダイオードのシリコン領域は減少する
が、従来の光ダイオードとほぼ同一の駆動能力を達成で
きる。
イオード構造を提供することである。 【構成】 本発明の半導体光ダイオード素子の構造は、
光キャリア収集効率を改善するようなｐ−ｎ接合サイズ
が増大した構造を有する。誘電体で絶縁された領域（シ
リコン−オン−絶縁構造体）内に形成された光ダイオー
ドにおいて、収集ｐ−ｎ接合を発光ダイオードの裏面ま
で延長させて、光キャリアが再結合する前に、光キャリ
アを収集しようとするものである。光キャリア収集効率
を増加させると、光ダイオードの駆動能力を増加させ、
素子を形成するのに必要なシリコン領域を最小化でき
る。かくして、従来の固体リレー光ダイオードに比較し
て、本発明の光ダイオードのシリコン領域は減少する
が、従来の光ダイオードとほぼ同一の駆動能力を達成で
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光キャリア収集効率を改
善した誘電体絶縁構造、およびシリコン−オン−絶縁体
構造内に形成された光ダイオード素子に関する。
善した誘電体絶縁構造、およびシリコン−オン−絶縁体
構造内に形成された光ダイオード素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】光学的に結合された固体リレー、例え
ば、電話信号で用いられるリレーは発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）とスタックを用いて、高電圧スイッチを制御して
いる。従来の固体リレーのアプローチはJ.C. Gammel著"
High-Voltage Solid State Relays for Telecommunicat
ions"(Electro, Section 24, pp.1-4,1986)の論文に開
示されている。
ば、電話信号で用いられるリレーは発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）とスタックを用いて、高電圧スイッチを制御して
いる。従来の固体リレーのアプローチはJ.C. Gammel著"
High-Voltage Solid State Relays for Telecommunicat
ions"(Electro, Section 24, pp.1-4,1986)の論文に開
示されている。
【０００３】このような固体リレーに用いられるＬＥＤ
は、電磁スペクトルの赤外線領域の近傍の光を放出して
いる。この波長の赤外線はシリコンを３０−６０μｍの
間の深さまで貫通する。光ダイオードの効率は、放射が
限界パラメータのもとにおいては、短絡電流により主に
決定される。この光ダイオードの効率は、固体リレーの
高電圧スイッチを駆動するのに必要なシリコン領域に決
定される。
は、電磁スペクトルの赤外線領域の近傍の光を放出して
いる。この波長の赤外線はシリコンを３０−６０μｍの
間の深さまで貫通する。光ダイオードの効率は、放射が
限界パラメータのもとにおいては、短絡電流により主に
決定される。この光ダイオードの効率は、固体リレーの
高電圧スイッチを駆動するのに必要なシリコン領域に決
定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ほとんどすべての固体
素子の設計条件により、本発明の目的は、このような素
子を実現するのに必要なシリコン領域を最小にするよう
な光ダイオード構造を提供することである。
素子の設計条件により、本発明の目的は、このような素
子を実現するのに必要なシリコン領域を最小にするよう
な光ダイオード構造を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体光ダイオ
ード素子の構造は、光キャリア収集効率を改善するよう
なｐ−ｎ接合サイズが増大した構造を有する。誘電体で
絶縁された領域内、あるいは、シリコン−オン−絶縁構
造体内に形成された光ダイオードにおいて、本発明の構
造は収集ｐ−ｎ接合を発光ダイオードの裏面まで延長さ
せて、光キャリアが再結合する前に、光キャリアを収集
しようとするものである。
ード素子の構造は、光キャリア収集効率を改善するよう
なｐ−ｎ接合サイズが増大した構造を有する。誘電体で
絶縁された領域内、あるいは、シリコン−オン−絶縁構
造体内に形成された光ダイオードにおいて、本発明の構
造は収集ｐ−ｎ接合を発光ダイオードの裏面まで延長さ
せて、光キャリアが再結合する前に、光キャリアを収集
しようとするものである。
【０００６】本発明により光キャリア収集効率を増加さ
せると、光ダイオードの駆動能力を増加させ、且つ、素
子を形成するのに必要なシリコン領域を最小化できる。
かくして、従来の固体リレー光ダイオードに比較して、
本発明の光ダイオードのシリコン領域は減少するが、従
来の光ダイオードとほぼ同一の駆動能力を達成できる。
別法として、本発明の光ダイオードは、従来の光ダイオ
ードと同一のシリコン領域を用いて、より高い駆動能力
を達成できる。
せると、光ダイオードの駆動能力を増加させ、且つ、素
子を形成するのに必要なシリコン領域を最小化できる。
かくして、従来の固体リレー光ダイオードに比較して、
本発明の光ダイオードのシリコン領域は減少するが、従
来の光ダイオードとほぼ同一の駆動能力を達成できる。
別法として、本発明の光ダイオードは、従来の光ダイオ
ードと同一のシリコン領域を用いて、より高い駆動能力
を達成できる。
【０００７】本発明の第２の実施例においては、ラップ
アラウンド裏面カソード領域ではなく、別個のｐ−ｎ接
合を光ダイオードの裏面（バックサイド）に形成する。
この個別の裏面ｐ−ｎ接合は、絶縁領域の側壁まで完全
には伸びてはいない。また裏面ｐ−ｎ接合は、光ダイオ
ードの上面において、収集ｐ−ｎ接合に電気的には接続
していない。外部バイアスがゼロの条件下では、この裏
面ｐ−ｎ接合は、大きな組み込み電界を形成し、これに
より、裏面で電子ホール対を分離し、上面ｐ−ｎ接合に
より、その収集が可能となる。この構造は従来の光ダイ
オード構造よりもより大きな短絡電流を提供し、より高
い効率が可能となる。
アラウンド裏面カソード領域ではなく、別個のｐ−ｎ接
合を光ダイオードの裏面（バックサイド）に形成する。
この個別の裏面ｐ−ｎ接合は、絶縁領域の側壁まで完全
には伸びてはいない。また裏面ｐ−ｎ接合は、光ダイオ
ードの上面において、収集ｐ−ｎ接合に電気的には接続
していない。外部バイアスがゼロの条件下では、この裏
面ｐ−ｎ接合は、大きな組み込み電界を形成し、これに
より、裏面で電子ホール対を分離し、上面ｐ−ｎ接合に
より、その収集が可能となる。この構造は従来の光ダイ
オード構造よりもより大きな短絡電流を提供し、より高
い効率が可能となる。
【０００８】二重拡散ＭＯＳ（ＤＭＯＳ）プロセスを用
いて、本発明の何れの光ダイオードも絶縁ゲートバイポ
ーラトランジスタ（isolated gate bipolar transisto
r：ＩＧＢＴ）のような高電圧スイッチと容易に一体形
成することもできる。このようにして得られた固体リレ
ーは、光ダイオードの駆動容量に起因する電流切り替え
能力を改善する。
いて、本発明の何れの光ダイオードも絶縁ゲートバイポ
ーラトランジスタ（isolated gate bipolar transisto
r：ＩＧＢＴ）のような高電圧スイッチと容易に一体形
成することもできる。このようにして得られた固体リレ
ーは、光ダイオードの駆動容量に起因する電流切り替え
能力を改善する。
【０００９】
【実施例】図１には光学結合された固体リレーに用いら
れる従来の光ダイオードが示されている。この従来の光
ダイオード１００はウエル１０４内の基板１０２により
支持されている。誘電体絶縁層１０６は基板１０２の上
に形成された隣接する素子と従来の光ダイオード１００
とを分離するために形成されている。この基板１０２は
多結晶シリコン、結晶半導体（Ｓｉ）、あるいは、絶縁
物である。この誘電体絶縁層１０６は、ＳｉＯ2、Ｓｉ2
Ｎ3でもよい。
れる従来の光ダイオードが示されている。この従来の光
ダイオード１００はウエル１０４内の基板１０２により
支持されている。誘電体絶縁層１０６は基板１０２の上
に形成された隣接する素子と従来の光ダイオード１００
とを分離するために形成されている。この基板１０２は
多結晶シリコン、結晶半導体（Ｓｉ）、あるいは、絶縁
物である。この誘電体絶縁層１０６は、ＳｉＯ2、Ｓｉ2
Ｎ3でもよい。
【００１０】この従来の光ダイオード１００は低濃度ド
ープカソード領域１０８と、高濃度ドープカソード領域
１１０と、高濃度ドープカソード接点領域１１２と、カ
ソード電極接点１１４とを有する。この実施例において
は、低濃度ドープカソード領域１０８、高濃度ドープカ
ソード領域１１０、高濃度ドープカソード接点領域１１
２はＮ−型にドープされたＳｉである。
ープカソード領域１０８と、高濃度ドープカソード領域
１１０と、高濃度ドープカソード接点領域１１２と、カ
ソード電極接点１１４とを有する。この実施例において
は、低濃度ドープカソード領域１０８、高濃度ドープカ
ソード領域１１０、高濃度ドープカソード接点領域１１
２はＮ−型にドープされたＳｉである。
【００１１】従来の光ダイオード１００は、また中濃度
ドープアノード領域１１６と、高濃度ドープアノード接
点領域１１８と、アノード電極１２０とを有する。この
実施例においては、中濃度ドープアノード領域１１６と
高濃度ドープアノード接点領域１１８はＰ−型にドープ
されたＳｉである。図１の導電型は逆でも構わない。従
来の光ダイオード１００の形成方法は当業者には公知で
ある。
ドープアノード領域１１６と、高濃度ドープアノード接
点領域１１８と、アノード電極１２０とを有する。この
実施例においては、中濃度ドープアノード領域１１６と
高濃度ドープアノード接点領域１１８はＰ−型にドープ
されたＳｉである。図１の導電型は逆でも構わない。従
来の光ダイオード１００の形成方法は当業者には公知で
ある。
【００１２】従来の光ダイオード１００は基本的に外部
バイアスがない状態で動作するｐ−ｎ接合である。光信
号（図示せず）が高濃度ドープカソード領域１１０に注
入されると、電子−ホール対が生成される。このｐ−ｎ
接合におけるディプレーション層（図示せず）は、光に
より生成された電子−ホール対を分離する。その結果、
電流が光ダイオードにより生成される。この電流はアノ
ード電極１２０を介して、光ダイオードから流れてる従
来のホール電流である。
バイアスがない状態で動作するｐ−ｎ接合である。光信
号（図示せず）が高濃度ドープカソード領域１１０に注
入されると、電子−ホール対が生成される。このｐ−ｎ
接合におけるディプレーション層（図示せず）は、光に
より生成された電子−ホール対を分離する。その結果、
電流が光ダイオードにより生成される。この電流はアノ
ード電極１２０を介して、光ダイオードから流れてる従
来のホール電流である。
【００１３】本発明による第２の本発明の光ダイオード
２００を図２に示す。図２と図１との相違点は、図１の
高濃度ドープカソード領域１１０を裏面アノード領域２
０２で置き換えたもので、この裏面アノード領域２０２
はウエル１０４の側壁と底部とを包囲する。本発明によ
れば、裏面アノード領域２０２は中濃度ドープアノード
領域１１６と低濃度ドープカソード領域１０８との間に
形成されるｐ−ｎ接合の有効寸法を増加する。この裏面
アノード領域２０２は本発明の光ダイオード２００の近
傍の中濃度ドープアノード領域１１６と電気的に結合
し、そこでは、この２つの領域が領域２０３で互いに隣
接する。さらに、接点が裏面アノード接点領域２０４を
介して、裏面アノード領域２０２に形成できる。この裏
面アノード接点領域２０４は、高濃度ドープアノード接
点領域１１８にアノード電極１２０を介して電気的に結
合される。
２００を図２に示す。図２と図１との相違点は、図１の
高濃度ドープカソード領域１１０を裏面アノード領域２
０２で置き換えたもので、この裏面アノード領域２０２
はウエル１０４の側壁と底部とを包囲する。本発明によ
れば、裏面アノード領域２０２は中濃度ドープアノード
領域１１６と低濃度ドープカソード領域１０８との間に
形成されるｐ−ｎ接合の有効寸法を増加する。この裏面
アノード領域２０２は本発明の光ダイオード２００の近
傍の中濃度ドープアノード領域１１６と電気的に結合
し、そこでは、この２つの領域が領域２０３で互いに隣
接する。さらに、接点が裏面アノード接点領域２０４を
介して、裏面アノード領域２０２に形成できる。この裏
面アノード接点領域２０４は、高濃度ドープアノード接
点領域１１８にアノード電極１２０を介して電気的に結
合される。
【００１４】裏面アノード領域２０２と裏面アノード接
点領域２０４とは両方とも同一の導電型（例、Ｐ型）
で、これは中濃度ドープアノード領域１１６と高濃度ド
ープアノード接点領域１１８についても同様である。裏
面アノード領域２０２は中濃度にドープされた（Ｐ）
で、裏面アノード接点領域２０４は高濃度にドープされ
（Ｐ+）で、裏面アノード領域２０２に対する電気的接
点となる。
点領域２０４とは両方とも同一の導電型（例、Ｐ型）
で、これは中濃度ドープアノード領域１１６と高濃度ド
ープアノード接点領域１１８についても同様である。裏
面アノード領域２０２は中濃度にドープされた（Ｐ）
で、裏面アノード接点領域２０４は高濃度にドープされ
（Ｐ+）で、裏面アノード領域２０２に対する電気的接
点となる。
【００１５】本発明による光ダイオード２００は、光に
より生成されたキャリア（電子−ホール対）をより効率
的に収集する。その理由は、この収集ｐ−ｎ接合が素子
の裏面まで伸びているからである。この中濃度ドープア
ノード領域１１６はウエル１０４の側壁および底部にわ
たって伸びて、収集ｐ−ｎ接合の有効寸法を増加させて
いる。
より生成されたキャリア（電子−ホール対）をより効率
的に収集する。その理由は、この収集ｐ−ｎ接合が素子
の裏面まで伸びているからである。この中濃度ドープア
ノード領域１１６はウエル１０４の側壁および底部にわ
たって伸びて、収集ｐ−ｎ接合の有効寸法を増加させて
いる。
【００１６】本発明のこの構成によると、高濃度ドープ
カソード領域１１０は除去でき、高濃度ドープカソード
接点領域１１２はウエル１０４の側壁から離れた方向に
シフト（移動）できる。中濃度ドープアノード領域１１
６は、この新たな裏面アノード領域２０２に接触するよ
うにウエル１０４の側壁まで伸びる。
カソード領域１１０は除去でき、高濃度ドープカソード
接点領域１１２はウエル１０４の側壁から離れた方向に
シフト（移動）できる。中濃度ドープアノード領域１１
６は、この新たな裏面アノード領域２０２に接触するよ
うにウエル１０４の側壁まで伸びる。
【００１７】裏面アノード領域２０２を追加すること
は、所定の誘電体絶縁ウエルの寸法に対し、有効収集ｐ
−ｎ接合の大きさをほぼ２倍にする。この裏面アノード
領域２０２は、キャリアが再結合する前に、それらのキ
ャリアを収集することにより、裏面方向に生成されるキ
ャリアを有効に利用している。
は、所定の誘電体絶縁ウエルの寸法に対し、有効収集ｐ
−ｎ接合の大きさをほぼ２倍にする。この裏面アノード
領域２０２は、キャリアが再結合する前に、それらのキ
ャリアを収集することにより、裏面方向に生成されるキ
ャリアを有効に利用している。
【００１８】本発明の他の実施例を図３において説明す
る。図３の本発明の光ダイオード３００は裏面層３０２
を有し、この裏面層３０２はウエル１０４の側壁全部に
わたっては伸びていない。さらに、基板１０２は中濃度
ドープアノード領域１１６に低抵抗領域によって接合さ
れてはいない。図２の実施例と同様に、光ダイオード３
００は高濃度ドープカソード領域１１０を含まない。裏
面層３０２は低能度にドープされ、中濃度ドープアノー
ド領域１１６と高濃度ドープアノード接点領域１１８と
同一の導電型である。
る。図３の本発明の光ダイオード３００は裏面層３０２
を有し、この裏面層３０２はウエル１０４の側壁全部に
わたっては伸びていない。さらに、基板１０２は中濃度
ドープアノード領域１１６に低抵抗領域によって接合さ
れてはいない。図２の実施例と同様に、光ダイオード３
００は高濃度ドープカソード領域１１０を含まない。裏
面層３０２は低能度にドープされ、中濃度ドープアノー
ド領域１１６と高濃度ドープアノード接点領域１１８と
同一の導電型である。
【００１９】外部バイアスがゼロであるもとの条件で、
裏面層３０２は低濃度ドープカソード領域１０８でｐ−
ｎ接合を形成する。この第２のｐ−ｎ接合は大きな組み
込まれた（built-in）電界を形成し、これにより、裏面
において生成された電子−ホール対を分離し、中濃度ド
ープアノード領域１１６と低濃度ドープカソード領域１
０８により形成される上面をｐ−ｎ接合によるキャリア
の収集が可能となる。この裏面層３０２により、より高
い短絡電流を光ダイオード３００に提供し、従来の光ダ
イオードよりも、より高い効率が可能となる。
裏面層３０２は低濃度ドープカソード領域１０８でｐ−
ｎ接合を形成する。この第２のｐ−ｎ接合は大きな組み
込まれた（built-in）電界を形成し、これにより、裏面
において生成された電子−ホール対を分離し、中濃度ド
ープアノード領域１１６と低濃度ドープカソード領域１
０８により形成される上面をｐ−ｎ接合によるキャリア
の収集が可能となる。この裏面層３０２により、より高
い短絡電流を光ダイオード３００に提供し、従来の光ダ
イオードよりも、より高い効率が可能となる。
【００２０】本発明による光ダイオード２００と３００
は、垂直トレンチ構造のシリコン−オン−絶縁物（sili
on-on-insulator：ＳＯＩ）の形態で形成することもで
きる。図１−３に示すような誘電体絶縁（dielectric i
solation：ＤＩ）に必要なｖ−溝のエッチング技術はＳ
ＯＩ構造と同様に、当業者には公知である。本発明の本
発明の光ダイオード２００と３００の形成技術は、当業
者に公知であるが、本発明の光ダイオード２００と３０
０を形成するステップは新規性がある。
は、垂直トレンチ構造のシリコン−オン−絶縁物（sili
on-on-insulator：ＳＯＩ）の形態で形成することもで
きる。図１−３に示すような誘電体絶縁（dielectric i
solation：ＤＩ）に必要なｖ−溝のエッチング技術はＳ
ＯＩ構造と同様に、当業者には公知である。本発明の本
発明の光ダイオード２００と３００の形成技術は、当業
者に公知であるが、本発明の光ダイオード２００と３０
０を形成するステップは新規性がある。
【００２１】次に本発明により本発明の光ダイオード２
００を形成する代表的な製造ステップを示す。基板（１
０２）を形成する。この基板内に絶縁領域（１０４）を
形成する。ここで、この絶縁領域は底部と側壁とを有す
る。この絶縁領域の底部と側壁に沿って、半導体材料の
第１層（２０２）を形成する。この第１層は第１導電型
（例、Ｐ）である。この第１層の上に半導体材料の第２
層（１０８）を形成する。この第２層は第２導電型
（例、Ｎ）である。ここで、第１のｐ−ｎ接合が第１層
と第２層の間に形成される。この第２層の上に半導体材
料の第３層（１１６）を形成する。この半導体材料の第
３層は第１層と同一の導電型である。ここで、第２のｐ
−ｎ接合が第２層と第３層との間に形成される。そし
て、この第３層は第１層に電気的に接合される。このス
テップの間において、この第１ｐ−ｎ接合は絶縁領域の
底部と側壁にまで広がった光生成キャリアを収集する。
これにより、絶縁領域当たりの収集ｐ−ｎ接合領域を増
加させて、光ダイオードの効率を増加させる。
００を形成する代表的な製造ステップを示す。基板（１
０２）を形成する。この基板内に絶縁領域（１０４）を
形成する。ここで、この絶縁領域は底部と側壁とを有す
る。この絶縁領域の底部と側壁に沿って、半導体材料の
第１層（２０２）を形成する。この第１層は第１導電型
（例、Ｐ）である。この第１層の上に半導体材料の第２
層（１０８）を形成する。この第２層は第２導電型
（例、Ｎ）である。ここで、第１のｐ−ｎ接合が第１層
と第２層の間に形成される。この第２層の上に半導体材
料の第３層（１１６）を形成する。この半導体材料の第
３層は第１層と同一の導電型である。ここで、第２のｐ
−ｎ接合が第２層と第３層との間に形成される。そし
て、この第３層は第１層に電気的に接合される。このス
テップの間において、この第１ｐ−ｎ接合は絶縁領域の
底部と側壁にまで広がった光生成キャリアを収集する。
これにより、絶縁領域当たりの収集ｐ−ｎ接合領域を増
加させて、光ダイオードの効率を増加させる。
【００２２】次に、光ダイオード３００を形成する本発
明のステップを説明する。基板（１０２）を形成する。
この基板内に絶縁領域（１０４）を形成する。ここで、
この絶縁領域は底部と側壁とを有する。この絶縁領域の
底部と側壁に沿って、半導体材料の第１層（３０２）を
形成する。この第１層は第１導電型（例、Ｐ）である。
この第１層の上に半導体材料の第２層（１０８）を形成
する。この第２層は第２導電型（例、Ｎ）である。ここ
で、第１のｐ−ｎ接合が第１層と第２層の間に形成され
る。この第２層の上に半導体材料の第３層（１１６）を
形成する。この半導体材料の第３層は第１層と同一の導
電型である。ここで、第２のｐ−ｎ接合が第２層と第３
層との間に形成される。この操作の間、第１層は絶縁領
域の底部から離れた方向に電子−ホール対を向けるよう
な組み込み電界を形成し、これにより、第２のｐ−ｎ接
合の電子−ホール対収集効率を増加させる。
明のステップを説明する。基板（１０２）を形成する。
この基板内に絶縁領域（１０４）を形成する。ここで、
この絶縁領域は底部と側壁とを有する。この絶縁領域の
底部と側壁に沿って、半導体材料の第１層（３０２）を
形成する。この第１層は第１導電型（例、Ｐ）である。
この第１層の上に半導体材料の第２層（１０８）を形成
する。この第２層は第２導電型（例、Ｎ）である。ここ
で、第１のｐ−ｎ接合が第１層と第２層の間に形成され
る。この第２層の上に半導体材料の第３層（１１６）を
形成する。この半導体材料の第３層は第１層と同一の導
電型である。ここで、第２のｐ−ｎ接合が第２層と第３
層との間に形成される。この操作の間、第１層は絶縁領
域の底部から離れた方向に電子−ホール対を向けるよう
な組み込み電界を形成し、これにより、第２のｐ−ｎ接
合の電子−ホール対収集効率を増加させる。
【００２３】最後に、本発明の光ダイオード２００を図
４に示す。本発明による２個の本発明の光ダイオード２
００が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ４００内に一
体に形成されている。この絶縁ゲートバイポーラトラン
ジスタ４００と本発明の光ダイオード２００は、絶縁ウ
エル４０２により絶縁されている。本発明の方法によれ
ば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ４００はＰ+−
型の導電性の裏面アノード層４０４により形成されてい
る。この裏面アノード層４０４は、本発明の光ダイオー
ド２００の裏面アノード領域２０２と同時に形成され得
る。
４に示す。本発明による２個の本発明の光ダイオード２
００が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ４００内に一
体に形成されている。この絶縁ゲートバイポーラトラン
ジスタ４００と本発明の光ダイオード２００は、絶縁ウ
エル４０２により絶縁されている。本発明の方法によれ
ば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ４００はＰ+−
型の導電性の裏面アノード層４０４により形成されてい
る。この裏面アノード層４０４は、本発明の光ダイオー
ド２００の裏面アノード領域２０２と同時に形成され得
る。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、従
来の光ダイオードに比較して、キャリアの収集効率が良
く、従って、光ダイオードの発生効率が従来のものより
も高くなるという利点がある。
来の光ダイオードに比較して、キャリアの収集効率が良
く、従って、光ダイオードの発生効率が従来のものより
も高くなるという利点がある。
【図１】従来の光ダイオードを表す断面図。
【図２】本発明の第１実施例による光ダイオードを表す
図。
図。
【図３】本発明の第２実施例による光ダイオードを表す
図。
図。
【図４】本発明による光ダイオードと絶縁ゲートバイポ
ーラトランジスタを有する光学接合された固体リレーを
表す断面図。
ーラトランジスタを有する光学接合された固体リレーを
表す断面図。
１００ 従来の光ダイオード １０２ 基板 １０４ ウエル １０６ 誘電体絶縁層 １０８ 低濃度ドープカソード領域 １１０ 高濃度ドープカソード領域 １１２ 高濃度ドープカソード接点領域 １１４ カソード電極接点 １１６ 中濃度ドープアノード領域 １１８ 高濃度ドープアノード接点領域 １２０ アノード電極 ２００ 本発明の光ダイオード ２０２ 裏面アノード領域 ２０３ 領域 ２０４ 裏面アノード接点領域 ３００ 本発明の光ダイオード ３０２ 裏面層 ４００ 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ ４０２ 絶縁ウエル ４０４ 裏面アノード層
Claims (6)
- 【請求項１】 基板（１０２）内に底部と側壁とを有す
る絶縁領域（１０６）内に形成された光ダイオード（２
００）において、 前記絶縁領域（１０６）内の底部に沿って形成された第
１導電型（Ｐ）の半導体材料の第１層（２０２）と、 前記第１層（２０２）の上に形成された第２導電型
（Ｎ）の半導体材料の第２層（１０８）と、 前記第２層（１０８）の上に形成され、前記第１層（２
０２）と電気的に導通（１２０）する第１導電型（Ｐ）
の半導体材料の第３層（１１６，１１８）と、からな
り、 前記第１層（２０２）と第２層（１０８）でもって、第
１のｐ−ｎ接合を形成し、 前記第３層（１１６）と第２層（１０８）でもって、第
２のｐ−ｎ接合を形成し、 前記第１のｐ−ｎ接合は、前記絶縁領域の底部と側壁に
広がる光生成キャリアを収集することを特徴とする光ダ
イオード。 - 【請求項２】 基板（１０２）内に底部と側壁とを有す
る絶縁領域（１０６）内に形成された光ダイオード（３
００）において、 前記絶縁領域（１０６）内の底部に形成された第１濃度
の第１導電型（Ｐ）の半導体材料の第１層（３０２）
と、 前記第１層（３０２）の上に形成された第２導電型
（Ｎ）の半導体材料の第２層（１０８）と、 前記第２層（１０８）の上に形成され、第１濃度より高
濃度である第２濃度の第１導電型（Ｐ）の半導体材料の
第３層（１１６，１１８）と、からなり、 前記第１層（３０２）と第２層（１０８）でもって、第
１のｐ−ｎ接合を形成し、 前記第３層（１１６，１１８）と第２層（１０８）でも
って、第２のｐ−ｎ接合を形成し、 前記第１層（３０２）は、前記絶縁領域の底部から離れ
た方向に、電子−ホール対を向けるようなビルト−イン
電界を提供することを特徴とする光ダイオード。 - 【請求項３】 前記基板（１０２）は、ポリシリコン製
であり、前記絶縁領域（１０６）の側壁は、垂直ではな
いことを特徴とする請求項１または２の光ダイオード。 - 【請求項４】 前記基板（１０２）は絶縁性で、前記絶
縁領域（１０６）は垂直絶縁溝の間に形成されることを
特徴とする請求項１または２の光ダイオード。 - 【請求項５】 （Ａ）基板（１０２）を形成するステッ
プと、 （Ｂ）前記基板（１０２）内に底部と側壁とを有する絶
縁領域（１０６）を形成するステップと、 （Ｃ）前記絶縁領域（１０６）の底部と側壁の上に第１
導電型（Ｐ）の半導体材料の第１層（２０２）を形成す
るステップと、 （Ｄ）前記第１層（２０２）の上に第２導電型（Ｎ）の
半導体材料の第２層（１０８）を形成するステップと、 （Ｅ）前記第２層（１０８）の上に第１導電型の半導体
材料の第３層（１１６）を形成するステップと、 （Ｆ）前記第３層（１１６，１１８）と前記第１層（２
０２）とを電気的に接続（１２０）するステップと からなり、前記第１層と第２層により、第１のｐ−ｎ接
合を形成し、 前記第３層と第２層により、第２のｐ−ｎ接合を形成す
ることを特徴とする光ダイオードの製造方法。 - 【請求項６】 （Ａ）基板（１０２）を形成するステッ
プと、 （Ｂ）前記基板（１０２）内に底部と側壁とを有する絶
縁領域（１０６）を形成するステップと、 （Ｃ）前記絶縁領域（１０６）の底部の上に、第１濃度
の第１導電型（Ｐ）の半導体材料の第１層（３０２）を
形成するステップと、 （Ｄ）前記第１層（３０２）の上に第２導電型（Ｎ）の
半導体材料の第２層（１０８）を形成するステップと、 （Ｅ）前記第２層（１０８）の上に、第１濃度より高濃
度である第２濃度の第１導電型の半導体材料の第３層
（１１６，１１８）を形成するステップと、 からなり、前記第１層と第２層により、第１のｐ−ｎ接
合を形成し、 前記第３層と第２層により、第２のｐ−ｎ接合を形成す
ることを特徴とする光ダイオードの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US155610 | 1993-11-17 | ||
| US08/155,610 US5360987A (en) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | Semiconductor photodiode device with isolation region |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183566A true JPH07183566A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=22556109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6305712A Pending JPH07183566A (ja) | 1993-11-17 | 1994-11-16 | 光ダイオードとその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5360987A (ja) |
| JP (1) | JPH07183566A (ja) |
| KR (1) | KR950015836A (ja) |
Families Citing this family (81)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228750B1 (en) | 1994-12-30 | 2001-05-08 | Lucent Technologies | Method of doping a semiconductor surface |
| US5796153A (en) * | 1995-05-08 | 1998-08-18 | Analogic Corporation | Variable-response x-ray detection assemblies and methods of using same |
| US5587611A (en) * | 1995-05-08 | 1996-12-24 | Analogic Corporation | Coplanar X-ray photodiode assemblies |
| DE19528573A1 (de) * | 1995-08-03 | 1997-02-06 | Siemens Ag | Photodiode und Verfahren zu deren Herstellung |
| US5671914A (en) * | 1995-11-06 | 1997-09-30 | Spire Corporation | Multi-band spectroscopic photodetector array |
| US5726440A (en) * | 1995-11-06 | 1998-03-10 | Spire Corporation | Wavelength selective photodetector |
| US5780913A (en) * | 1995-11-14 | 1998-07-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photoelectric tube using electron beam irradiation diode as anode |
| JP2751910B2 (ja) * | 1996-02-28 | 1998-05-18 | 日本電気株式会社 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| JP3170463B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2001-05-28 | シャープ株式会社 | 回路内蔵受光素子 |
| US5783854A (en) * | 1996-10-15 | 1998-07-21 | Honeywell Inc. | Thermally isolated integrated circuit |
| US5728607A (en) * | 1996-11-20 | 1998-03-17 | Lucent Technologies Inc. | Method of making a P-channel bipolar transistor |
| US6180967B1 (en) | 1997-04-29 | 2001-01-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Bicolor infrared detector with spatial/temporal coherence |
| JP3413078B2 (ja) * | 1997-10-06 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置と密着型イメージセンサ |
| US6458619B1 (en) | 1998-02-05 | 2002-10-01 | Integration Associates, Inc. | Process for producing an isolated planar high speed pin photodiode with improved capacitance |
| US6027956A (en) * | 1998-02-05 | 2000-02-22 | Integration Associates, Inc. | Process for producing planar dielectrically isolated high speed pin photodiode |
| US6548878B1 (en) | 1998-02-05 | 2003-04-15 | Integration Associates, Inc. | Method for producing a thin distributed photodiode structure |
| US6303967B1 (en) | 1998-02-05 | 2001-10-16 | Integration Associates, Inc. | Process for producing an isolated planar high speed pin photodiode |
| US6753586B1 (en) | 1998-03-09 | 2004-06-22 | Integration Associates Inc. | Distributed photodiode structure having majority dopant gradient and method for making same |
| US6259145B1 (en) * | 1998-06-17 | 2001-07-10 | Intel Corporation | Reduced leakage trench isolation |
| US6218691B1 (en) * | 1998-06-30 | 2001-04-17 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Image sensor with improved dynamic range by applying negative voltage to unit pixel |
| US6269199B1 (en) | 1998-12-30 | 2001-07-31 | Intel Corporation | Through silicon modulator and method using polarized light |
| US6323985B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-11-27 | Intel Corporation | Mosfet through silicon modulator and method |
| US6853044B1 (en) * | 1999-06-29 | 2005-02-08 | Hynix Semiconductor Inc. | Image sensor with improved dynamic range by applying negative voltage to unit pixel |
| US6690078B1 (en) | 1999-08-05 | 2004-02-10 | Integration Associates, Inc. | Shielded planar dielectrically isolated high speed pin photodiode and method for producing same |
| IT1317199B1 (it) * | 2000-04-10 | 2003-05-27 | Milano Politecnico | Dispositivo fotorivelatore ultrasensibile con diaframma micrometricointegrato per microscopi confocali |
| US6580109B1 (en) * | 2002-02-01 | 2003-06-17 | Stmicroelectronics, Inc. | Integrated circuit device including two types of photodiodes |
| US6861341B2 (en) * | 2002-02-22 | 2005-03-01 | Xerox Corporation | Systems and methods for integration of heterogeneous circuit devices |
| US7288825B2 (en) * | 2002-12-18 | 2007-10-30 | Noble Peak Vision Corp. | Low-noise semiconductor photodetectors |
| JP5011681B2 (ja) * | 2004-12-02 | 2012-08-29 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
| DE102004060365B4 (de) * | 2004-12-15 | 2009-03-19 | Austriamicrosystems Ag | Bauelement mit Halbleiterübergang und Verfahren zur Herstellung |
| US7329556B2 (en) * | 2004-12-30 | 2008-02-12 | Korean Electronics Technology Institute | High-sensitivity image sensor and fabrication method thereof |
| JP4369885B2 (ja) * | 2005-03-15 | 2009-11-25 | セイコーインスツル株式会社 | イメージセンサ |
| KR100723457B1 (ko) * | 2006-09-20 | 2007-05-31 | (주)한비젼 | 반도체 소자 |
| US20090146179A1 (en) * | 2007-12-11 | 2009-06-11 | Young-Kai Chen | Planar arrays of photodiodes |
| ITTO20080045A1 (it) | 2008-01-18 | 2009-07-19 | St Microelectronics Srl | Schiera di fotodiodi operanti in modalita' geiger reciprocamente isolati e relativo procedimento di fabbricazione |
| ITTO20080046A1 (it) | 2008-01-18 | 2009-07-19 | St Microelectronics Srl | Schiera di fotodiodi operanti in modalita' geiger reciprocamente isolati e relativo procedimento di fabbricazione |
| US8410568B2 (en) * | 2008-08-29 | 2013-04-02 | Tau-Metrix, Inc. | Integrated photodiode for semiconductor substrates |
| US9289132B2 (en) | 2008-10-07 | 2016-03-22 | Mc10, Inc. | Catheter balloon having stretchable integrated circuitry and sensor array |
| US8389862B2 (en) | 2008-10-07 | 2013-03-05 | Mc10, Inc. | Extremely stretchable electronics |
| US9123614B2 (en) | 2008-10-07 | 2015-09-01 | Mc10, Inc. | Methods and applications of non-planar imaging arrays |
| US8886334B2 (en) | 2008-10-07 | 2014-11-11 | Mc10, Inc. | Systems, methods, and devices using stretchable or flexible electronics for medical applications |
| US8097926B2 (en) | 2008-10-07 | 2012-01-17 | Mc10, Inc. | Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy |
| IT1392366B1 (it) * | 2008-12-17 | 2012-02-28 | St Microelectronics Rousset | Fotodiodo operante in modalita' geiger con resistore di soppressione integrato e controllabile, schiera di fotodiodi e relativo procedimento di fabbricazione |
| IT1393781B1 (it) * | 2009-04-23 | 2012-05-08 | St Microelectronics Rousset | Fotodiodo operante in modalita' geiger con resistore di soppressione integrato e controllabile ad effetto jfet, schiera di fotodiodi e relativo procedimento di fabbricazione |
| US9723122B2 (en) | 2009-10-01 | 2017-08-01 | Mc10, Inc. | Protective cases with integrated electronics |
| CN101714591B (zh) * | 2009-11-10 | 2012-03-14 | 大连理工大学 | 一种硅光电二极管的制作方法 |
| IT1399690B1 (it) | 2010-03-30 | 2013-04-26 | St Microelectronics Srl | Fotodiodo a valanga operante in modalita' geiger ad elevato rapporto segnale rumore e relativo procedimento di fabbricazione |
| US8697986B2 (en) * | 2011-03-01 | 2014-04-15 | Au Optronics Corporation | Photovoltaic device with double-junction |
| US9159635B2 (en) | 2011-05-27 | 2015-10-13 | Mc10, Inc. | Flexible electronic structure |
| US9757050B2 (en) | 2011-08-05 | 2017-09-12 | Mc10, Inc. | Catheter balloon employing force sensing elements |
| WO2013022853A1 (en) | 2011-08-05 | 2013-02-14 | Mc10, Inc. | Catheter balloon methods and apparatus employing sensing elements |
| US20130200268A1 (en) * | 2011-09-28 | 2013-08-08 | Mc10, Inc. | Electronics for detection of a property of a surface |
| US9226402B2 (en) | 2012-06-11 | 2015-12-29 | Mc10, Inc. | Strain isolation structures for stretchable electronics |
| KR20150031324A (ko) | 2012-07-05 | 2015-03-23 | 엠씨10, 인크 | 유동 감지를 포함하는 카테터 장치 |
| US9295842B2 (en) | 2012-07-05 | 2016-03-29 | Mc10, Inc. | Catheter or guidewire device including flow sensing and use thereof |
| US9171794B2 (en) | 2012-10-09 | 2015-10-27 | Mc10, Inc. | Embedding thin chips in polymer |
| KR20150072415A (ko) | 2012-10-09 | 2015-06-29 | 엠씨10, 인크 | 의류에 집적되는 컨포멀 전자기기 |
| US9305907B2 (en) | 2013-03-22 | 2016-04-05 | Stmicroelectronics S.R.L. | Optoelectronic integrated device including a photodetector and a MOSFET transistor, and manufacturing process thereof |
| US9706647B2 (en) | 2013-05-14 | 2017-07-11 | Mc10, Inc. | Conformal electronics including nested serpentine interconnects |
| WO2015021039A1 (en) | 2013-08-05 | 2015-02-12 | Xia Li | Flexible temperature sensor including conformable electronics |
| CA2925387A1 (en) | 2013-10-07 | 2015-04-16 | Mc10, Inc. | Conformal sensor systems for sensing and analysis |
| WO2015077559A1 (en) | 2013-11-22 | 2015-05-28 | Mc10, Inc. | Conformal sensor systems for sensing and analysis of cardiac activity |
| EP3092661A4 (en) | 2014-01-06 | 2017-09-27 | Mc10, Inc. | Encapsulated conformal electronic systems and devices, and methods of making and using the same |
| JP6253439B2 (ja) * | 2014-02-17 | 2017-12-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| KR20160129007A (ko) | 2014-03-04 | 2016-11-08 | 엠씨10, 인크 | 전자 디바이스를 위한 다부분 유연성 봉지 하우징 |
| US9899330B2 (en) | 2014-10-03 | 2018-02-20 | Mc10, Inc. | Flexible electronic circuits with embedded integrated circuit die |
| US10297572B2 (en) | 2014-10-06 | 2019-05-21 | Mc10, Inc. | Discrete flexible interconnects for modules of integrated circuits |
| USD781270S1 (en) | 2014-10-15 | 2017-03-14 | Mc10, Inc. | Electronic device having antenna |
| FR3029686A1 (fr) * | 2014-12-08 | 2016-06-10 | St Microelectronics Tours Sas | Dispositif radiofrequence protege contre des surtensions |
| US10477354B2 (en) | 2015-02-20 | 2019-11-12 | Mc10, Inc. | Automated detection and configuration of wearable devices based on on-body status, location, and/or orientation |
| WO2016140961A1 (en) | 2015-03-02 | 2016-09-09 | Mc10, Inc. | Perspiration sensor |
| US10653332B2 (en) | 2015-07-17 | 2020-05-19 | Mc10, Inc. | Conductive stiffener, method of making a conductive stiffener, and conductive adhesive and encapsulation layers |
| US10709384B2 (en) | 2015-08-19 | 2020-07-14 | Mc10, Inc. | Wearable heat flux devices and methods of use |
| EP3356003A4 (en) | 2015-10-01 | 2019-04-03 | Mc10, Inc. | METHOD AND SYSTEM FOR INTERACTION WITH A VIRTUAL ENVIRONMENT |
| WO2017062508A1 (en) | 2015-10-05 | 2017-04-13 | Mc10, Inc. | Method and System for Neuromodulation and Stimulation |
| EP3829187A1 (en) | 2016-02-22 | 2021-06-02 | Medidata Solutions, Inc. | System, devices, and method for on-body data and power transmission |
| CN108781313B (zh) | 2016-02-22 | 2022-04-08 | 美谛达解决方案公司 | 用以贴身获取传感器信息的耦接的集线器和传感器节点的系统、装置和方法 |
| WO2017184705A1 (en) | 2016-04-19 | 2017-10-26 | Mc10, Inc. | Method and system for measuring perspiration |
| US10447347B2 (en) | 2016-08-12 | 2019-10-15 | Mc10, Inc. | Wireless charger and high speed data off-loader |
| CN115881746A (zh) * | 2022-12-01 | 2023-03-31 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 功率器件的制备方法及功率器件 |
| CN116154022B (zh) * | 2023-03-14 | 2024-03-22 | 江南大学 | 一种双层SiO2隔离的光电二极管结构、阵列及制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446969A (en) * | 1987-08-15 | 1989-02-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Photodetector |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100761A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light sensitive device |
| JPS59198756A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-10 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| US4961097A (en) * | 1985-03-11 | 1990-10-02 | Motorola Inc. | High frequency photo detector and method for the manufacture thereof |
| JPS62123783A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-05 | Nec Corp | フオトダイオ−ド |
| JPH0242768A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-13 | Sharp Corp | 回路内蔵受光素子 |
| JPH0242767A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-13 | Sharp Corp | 回路内蔵受光素子 |
| JP2717839B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1998-02-25 | 松下電子工業株式会社 | 光半導体装置 |
| US5239193A (en) * | 1990-04-02 | 1993-08-24 | At&T Bell Laboratories | Silicon photodiode for monolithic integrated circuits |
-
1993
- 1993-11-17 US US08/155,610 patent/US5360987A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-11-10 KR KR1019940029386A patent/KR950015836A/ko not_active Ceased
- 1994-11-16 JP JP6305712A patent/JPH07183566A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446969A (en) * | 1987-08-15 | 1989-02-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Photodetector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5360987A (en) | 1994-11-01 |
| KR950015836A (ko) | 1995-06-17 |
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