JPH07297224A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH07297224A
JPH07297224A JP6084232A JP8423294A JPH07297224A JP H07297224 A JPH07297224 A JP H07297224A JP 6084232 A JP6084232 A JP 6084232A JP 8423294 A JP8423294 A JP 8423294A JP H07297224 A JPH07297224 A JP H07297224A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
semiconductor device
lead bonding
bonding window
thin plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP6084232A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Koizumi
洋 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH07297224A publication Critical patent/JPH07297224A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】TCPのピン数が同じであれば、その半導体チ
ップの大きさにかかわらず捺印寸法を統一して捺印工程
を簡略化する。 【構成】半導体チップ4の裏面に半導体チップ4よりも
大きいがアウターリードボンディング用窓の内枠よりも
小さい捺印用薄板10を接着剤9で接着することによ
り、半導体チップの外形寸法によらず捺印寸法が統一で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
TCP(Tape Carrier Package)
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のTCPについて図面を参照して説
明する。
【0003】図2(a)は従来のTCPを示す平面図、
図2(b)は図2(a)のB−B′線断面図、図2
(c)は図2(a)の底面図である。
【0004】図2(a)〜(c)に示すように、スプロ
ケットホール2,インナーリードボンディング用窓7,
アウターリードボンディング用窓6の夫々を形成した絶
縁フィルム1の表面に接着剤で接着したCu箔をパター
ニングしてリード3を形成したTABテープのリード3
と、半導体チップ4に形成したバンプ8とを超音波接合
でインナーリードボンディングし、半導体チップ4の表
面とリード3の先端にエポキシ系の樹脂5で薄くコーテ
ィングする。
【0005】次に、半導体チップ4の裏面に製品名や製
造ロット番号をインク又はレーザにより捺印してTCP
を構成する。
【0006】このように、TCPは外形が小型で且つ非
常に薄くできるという特徴を有している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】この従来のTCPで
は、半導体チップの裏面に製品名や製造ロット番号を捺
印するため、他の種類のパッケージに比べて捺印可能な
範囲が非常に狭いうえに搭載する半導体チップの外形に
より捺印可能な文字の大きさや、文字数が異なってく
る。例えば、CMOS G/Aでは同じピン数でも半導
体チップの外形の種類が20〜30種類もあり、その種
類ごとに製品外形、捺印指定を管理することは非常に困
難であるという問題があった。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
インナーリードボンディング用窓およびアウターリード
ボンディング用窓を設けた絶縁フィルム上に形成して前
記インナーリードボンディング用窓内に先端を突出した
リードを有するTABテープと、前記リードの先端に電
極を接合して前記TABテープ上に搭載した半導体チッ
プと、前記リードの先端を含む前記半導体チップの表面
を樹脂でコーティングした半導体装置において、前記半
導体チップの裏面に接着して設け且つ前記半導体チップ
よりも大きく前記アウターリードボンディング用窓の内
枠よりも小さい面積を有する捺印用の薄板を備えてい
る。
【0009】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0010】図1(a)は本発明の一実施例を示す平面
図、図1(b)は図1(a)のA−A′線断面図であ
る。
【0011】図1(a),(b)に示すように、スプロ
ケットホール2,インナーリードボンディング用窓(又
はデバイス開口部)7,アウターリードボンディング用
窓6の夫々を形成した絶縁フィルム1の表面に接着剤に
より接着したCu箔をパターニングしてインナーリード
ボンディング用窓7内に先端を突出したリード3を有す
るTABテープを形成する。
【0012】ここで、インナーリードボンディング用窓
7は同じピン数でも機種の異なる半導体チップ4の寸法
の大小に応じて大きさが異なるが、アウターリードボン
ディング用窓6の寸法、位置は変らず一定である。
【0013】次に、半導体チップ4の電極パッドに設け
たバンプ8とリード3の先端とを位置合わせし超音波接
合でインナーリードボンディングして半導体チップ4を
TABテープ上に搭載し、半導体チップの裏面にAgペ
ースト等の接着剤9によりアルミニウムやステンレスあ
るいはチタン等の金属板からなる厚さ0.1〜1.0m
mの捺印用の薄板10を接着する。
【0014】ここで、薄板10は搭載された半導体チッ
プ4の寸法よりも大きく、且つアウタリードボンディン
グ用窓6の内枠(各辺に存在するアウターリードボンデ
ィング用窓6のインナーリードボンディング用窓7側の
枠で囲まれた領域)よりも小さい面積を有している。
【0015】また、薄板10はCuや42合金等の金属
板を使用しても良く、腐食し易いものについてはNiめ
っきや半田めっきを施すかあるいは塗料を塗布して用い
る。また、これらの金属板以外にエポキシ系等の樹脂板
や各種のセラミクス板を用いても良く、腐食の問題を解
決できる利点がある。
【0016】なお、薄板10を半導体チップ4の裏面に
接着する工程はインナーリードボンディングの前又は後
で行っても良いし、インナーリードボンディングと同時
に行うことも可能である。
【0017】次に、半導体チップ4の表面およびリード
3の先端を含む部分にエポキシ樹脂5をコーティング
し、薄板10の表面にインク又はレーザで製品名や製造
ロット番号を捺印する。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップ4の裏面に捺印用の薄板を接着して、この薄板の表
面に捺印することにより、同じピン数のTCPにおける
捺印寸法を搭載する半導体チップの寸法の大小にかかわ
らず捺印寸法を統一することができ、生産工程の簡略化
を実現できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す平面図およびA−A′
線断面図。
【図2】従来の半導体装置の一例を示す平面図およびB
−B′線断面図および底面図。
【符号の説明】
1 TABテープ 2 スプロケットホール 3 リード 4 半導体チップ 5 樹脂 6 アウターリードボンディング用窓 7 インナーリードボンディング用窓 8 バンプ 9 接着剤 10 薄板

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 インナーリードボンディング用窓および
    アウターリードボンディング用窓を設けた絶縁フィルム
    上に形成して前記インナーリードボンディング用窓内に
    先端を突出したリードを有するTABテープと、前記リ
    ードの先端に電極を接合して前記TABテープ上に搭載
    した半導体チップと、前記リードの先端を含む前記半導
    体チップの表面を樹脂でコーティングした半導体装置に
    おいて、前記半導体チップの裏面に接着して設け且つ前
    記半導体チップよりも大きく前記アウターリードボンデ
    ィング用窓の内枠よりも小さい面積を有する捺印用の薄
    板を備えたことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 薄板がアルミニウム,ステンレス,チタ
    ン,銅,42合金のいずれか1種の金属板である請求項
    1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 薄板がエポキシ系の樹脂板である請求項
    1記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 薄板がセラミクス板である請求項1記載
    の半導体装置。
JP6084232A 1994-04-22 1994-04-22 半導体装置 Pending JPH07297224A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2000048247A1 (fr) * 1999-02-15 2000-08-17 Hitachi, Ltd. Dispositif semi-conducteur, dispositif electronique et procede de fabrication associe
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KR100705521B1 (ko) * 1998-12-02 2007-04-10 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 장치

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JPH01270335A (ja) * 1988-04-22 1989-10-27 Hitachi Ltd 半導体装置

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19960618