JPH075431B2 - 結晶膜成長用基板及びその形成方法 - Google Patents
結晶膜成長用基板及びその形成方法Info
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- JPH075431B2 JPH075431B2 JP63322934A JP32293488A JPH075431B2 JP H075431 B2 JPH075431 B2 JP H075431B2 JP 63322934 A JP63322934 A JP 63322934A JP 32293488 A JP32293488 A JP 32293488A JP H075431 B2 JPH075431 B2 JP H075431B2
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Landscapes
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、非晶質な材料上に単結晶膜及び又は多結晶
膜を形成することが出来る結晶膜成長用基板及びこの基
板の作製方法に関するものである。
膜を形成することが出来る結晶膜成長用基板及びこの基
板の作製方法に関するものである。
（従来の技術） 非晶質基板、多結晶基板、非晶質材料や多結晶材料でコ
ーテイングされた基板（単結晶基板以外の基板）上に単
結晶膜及び又は多結晶膜（以下結晶膜と総称する）を容
易に形成出来るようになれば、例えば、液晶ディスプレ
イの作製においてはガラス基板上にTFT（薄膜トランジ
スタ）形成用のシリコン結晶膜の形成が出来、ライン型
サーマルヘッドやライン型イメージセンサの作製におい
てはそれに用いる基板上に駆動素子形成用のシリコン結
晶膜の形成が出来、さらにまた、GaAs以外の安価な基板
上にGaAs系の結晶膜を形成して高価な単結晶GaAs基板に
代る基板を提供出来る等、工業的利用価値の高い物が得
られる。このため、単結晶基板以外の基板上に結晶膜を
形成する技術の確率が、長い間各分野で熱望されてい
る。
ーテイングされた基板（単結晶基板以外の基板）上に単
結晶膜及び又は多結晶膜（以下結晶膜と総称する）を容
易に形成出来るようになれば、例えば、液晶ディスプレ
イの作製においてはガラス基板上にTFT（薄膜トランジ
スタ）形成用のシリコン結晶膜の形成が出来、ライン型
サーマルヘッドやライン型イメージセンサの作製におい
てはそれに用いる基板上に駆動素子形成用のシリコン結
晶膜の形成が出来、さらにまた、GaAs以外の安価な基板
上にGaAs系の結晶膜を形成して高価な単結晶GaAs基板に
代る基板を提供出来る等、工業的利用価値の高い物が得
られる。このため、単結晶基板以外の基板上に結晶膜を
形成する技術の確率が、長い間各分野で熱望されてい
る。
この要求を満たそうとする一つの試みとして、例えば文
献（第31回鋳物研究所技術講習会（昭和60年11月27日）
のテキストp33〜41）の中で紹介されているグラフォエ
ピタキシーと称されるものがあった。この方法は、規則
的な微細加工パターンを基板表面に具える非晶質基板上
に結晶成長を行うと、このパターンに応じた方位に結晶
が配向し、よって単結晶薄膜が得られるというものであ
る。そして、上述の文献には、フォトリソグラフィ技術
により深さが0.1μｍで幅が3.8μｍの溝が形成された溶
融石英上に、CVD法により厚さが0.5μｍの非晶質なSi
（シリコン）膜を形成し、この非晶質膜にAr（アルゴ
ン）イオンレーザ光（出力６〜7W）を照射し、（100）S
i膜を形成した例が、紹介されている。しかし、得られ
た膜は微細な割れや表面の荒れがあるため、素子を作り
込めるようなものではなかった。だが、この方法は、非
晶質な基板上に結晶膜を成長させることが出来る可能性
を示したという意味で、画期的なものであった。
献（第31回鋳物研究所技術講習会（昭和60年11月27日）
のテキストp33〜41）の中で紹介されているグラフォエ
ピタキシーと称されるものがあった。この方法は、規則
的な微細加工パターンを基板表面に具える非晶質基板上
に結晶成長を行うと、このパターンに応じた方位に結晶
が配向し、よって単結晶薄膜が得られるというものであ
る。そして、上述の文献には、フォトリソグラフィ技術
により深さが0.1μｍで幅が3.8μｍの溝が形成された溶
融石英上に、CVD法により厚さが0.5μｍの非晶質なSi
（シリコン）膜を形成し、この非晶質膜にAr（アルゴ
ン）イオンレーザ光（出力６〜7W）を照射し、（100）S
i膜を形成した例が、紹介されている。しかし、得られ
た膜は微細な割れや表面の荒れがあるため、素子を作り
込めるようなものではなかった。だが、この方法は、非
晶質な基板上に結晶膜を成長させることが出来る可能性
を示したという意味で、画期的なものであった。
また、その後は、規則的な微細加工パターンを具える非
晶質な基板上に結晶膜をas-depositedのままで形成しよ
うとする試みもされている。
晶質な基板上に結晶膜をas-depositedのままで形成しよ
うとする試みもされている。
しかし、現在のところはアニールが不可欠でありまたア
ニールを行なったとしても好ましい結晶膜は得られてい
ない。
ニールを行なったとしても好ましい結晶膜は得られてい
ない。
所望の結晶膜が得られない原因は、以下に説明するよう
なことであると云われている。なお第６図（Ａ）及び
（Ｂ）はその説明に供する図であり、第６図（Ａ）は上
述したグラフォエピタキシーの研究で用いられた溝突き
溶融石英基板を概略的に示した斜視図、第６図（Ｂ）は
第６図（Ａ）中にＰで示した部分を拡大して示した斜視
図である。
なことであると云われている。なお第６図（Ａ）及び
（Ｂ）はその説明に供する図であり、第６図（Ａ）は上
述したグラフォエピタキシーの研究で用いられた溝突き
溶融石英基板を概略的に示した斜視図、第６図（Ｂ）は
第６図（Ａ）中にＰで示した部分を拡大して示した斜視
図である。
このような溝付き基板11の作製は、一般にフォトリソグ
ラフィ技術によってなされる。しかし、現在のフォトリ
ソグラフィ技術では、基板11に形成する溝13の側面13a
と溝の底面13bとで構成されるコーナー部13cの曲率Rg
は、最少でも5nm程度にしか加工出来ない。これに対し
コーナー部13cで核生成することが出来る蒸着原子の臨
界半径ｒ＊は、上述した文献にも記載されているよう
に、1nm以下であると云われている。これがため、アニ
ールすることなく単結晶膜や多結晶膜を得ることは現在
のところ極めて困難であった。
ラフィ技術によってなされる。しかし、現在のフォトリ
ソグラフィ技術では、基板11に形成する溝13の側面13a
と溝の底面13bとで構成されるコーナー部13cの曲率Rg
は、最少でも5nm程度にしか加工出来ない。これに対し
コーナー部13cで核生成することが出来る蒸着原子の臨
界半径ｒ＊は、上述した文献にも記載されているよう
に、1nm以下であると云われている。これがため、アニ
ールすることなく単結晶膜や多結晶膜を得ることは現在
のところ極めて困難であった。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、基板上に形成した薄膜の単結晶化を図る
ためにこの薄膜を上述のようにレーザ等により加熱する
と、この基板に他の素子が既に作り込まれているような
場合はこの素子に熱の影響がおよび素子の特性を劣化さ
せることになる。従って、出来ることならば、as-depos
itedのままで所望の結晶膜が得られれば好適である。
ためにこの薄膜を上述のようにレーザ等により加熱する
と、この基板に他の素子が既に作り込まれているような
場合はこの素子に熱の影響がおよび素子の特性を劣化さ
せることになる。従って、出来ることならば、as-depos
itedのままで所望の結晶膜が得られれば好適である。
この発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、
従ってこの発明の目的は、単結晶膜及び又は多結晶膜を
より容易に得ることが出来るような結晶膜成長用基板
と、この基板の形成方法とを提供することにある。
従ってこの発明の目的は、単結晶膜及び又は多結晶膜を
より容易に得ることが出来るような結晶膜成長用基板
と、この基板の形成方法とを提供することにある。
（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この出願の結晶膜成長用基
板によれば、表面に高さが0.1μｍ〜数μｍの凸部を数
μｍ間隔で形成することで構成された凹凸を有する下地
と、この下地の凹凸を設けた面の全面上に又は各凹凸の
段差部の側面若しくは下段面のいずれか一方の面上に設
けられ前記段差側面及び下段面で構成されるコーナー部
を実質的に非球面コーナーとする整形部材とを具えて成
ることを特徴とする。
板によれば、表面に高さが0.1μｍ〜数μｍの凸部を数
μｍ間隔で形成することで構成された凹凸を有する下地
と、この下地の凹凸を設けた面の全面上に又は各凹凸の
段差部の側面若しくは下段面のいずれか一方の面上に設
けられ前記段差側面及び下段面で構成されるコーナー部
を実質的に非球面コーナーとする整形部材とを具えて成
ることを特徴とする。
ここで、凹凸を有する前記下地を、少なくとも表面が第
一の材料から成る支持体と、この支持体表面の所定部分
上に設けた前記第一の材料とは電気伝導度が異なるか又
はイオン化傾向が異なる第二の材料から成る凸部とを以
って構成するのが好適である。
一の材料から成る支持体と、この支持体表面の所定部分
上に設けた前記第一の材料とは電気伝導度が異なるか又
はイオン化傾向が異なる第二の材料から成る凸部とを以
って構成するのが好適である。
また、この出願の結晶膜成長用基板の形成方法によれ
ば、結晶膜を成長させるため凹凸を有する結晶膜成長用
基板を形成するに当たり、 表面に高さが0.1μｍ〜数μｍの凸部を数μｍ間隔で形
成することにより凹凸を有する下地を得、該凹凸を有す
る下地の凹凸を設けた面前面に対し又は各凹凸の段差部
の側面上若しくは下段面上のいずれか一方に対し整形材
料を被着することを特徴とする。
ば、結晶膜を成長させるため凹凸を有する結晶膜成長用
基板を形成するに当たり、 表面に高さが0.1μｍ〜数μｍの凸部を数μｍ間隔で形
成することにより凹凸を有する下地を得、該凹凸を有す
る下地の凹凸を設けた面前面に対し又は各凹凸の段差部
の側面上若しくは下段面上のいずれか一方に対し整形材
料を被着することを特徴とする。
ここで、整形材料を段差部の側面又は下段面のいずれか
一方の面に被着させる方法として、例えば以下のまた
はの方法を挙げることが出来る。
一方の面に被着させる方法として、例えば以下のまた
はの方法を挙げることが出来る。
…表面に導電性材料が被着された支持体の所定部分上
に、絶縁性材料から成る凸部又は支持体表面の導電性材
料より卑な導電性材料から成る凸部を形成して凹凸を有
する下地を得、然る後、この下地に対し電解めっき又は
無電解めっきにより前記整形材料を被着する方法。
に、絶縁性材料から成る凸部又は支持体表面の導電性材
料より卑な導電性材料から成る凸部を形成して凹凸を有
する下地を得、然る後、この下地に対し電解めっき又は
無電解めっきにより前記整形材料を被着する方法。
…絶縁性支持体上の所定部分に導電性材料から成る凸
部を形成し、又は、導電性基板上の所定部分にこの導電
性基板より貴な導電性材料から成る凸部を形成して凹凸
を有する下地を得、然る後、この下地に対し電解めっき
又は無電解めっきにより前記整形材料を被着する方法。
部を形成し、又は、導電性基板上の所定部分にこの導電
性基板より貴な導電性材料から成る凸部を形成して凹凸
を有する下地を得、然る後、この下地に対し電解めっき
又は無電解めっきにより前記整形材料を被着する方法。
また、整形材料を凹凸を有する下地の凹凸を設けた面全
面に対し被着する方法として、スパッタ法や蒸着法を挙
げることが出来る。
面に対し被着する方法として、スパッタ法や蒸着法を挙
げることが出来る。
（作用） この出願の結晶膜成長用基板によれば、コーナ部が整形
部材により結晶膜を得るに好適な非球面コーナ部とされ
ているので、結晶膜をより容易に得ることが出来る。
部材により結晶膜を得るに好適な非球面コーナ部とされ
ているので、結晶膜をより容易に得ることが出来る。
また、下地を、少なくとも表面が第一の材料から成る支
持体と、この支持体表面の所定部分上に設けた前記第一
の材料とは電気伝導度が異なるか又はイオン化傾向が異
なる第二の材料から成る凸部とを以って構成すると、こ
の下地に整形材料を電解めっき又は無電解めっきで被着
させることにより、整形材料を凸部及び支持体のいずれ
か一方に選択的に被着させることが出来る。従って、段
差部の側面と下段面とで構成されるコーナー部を非球面
なコーナ部にする整形が容易になる。
持体と、この支持体表面の所定部分上に設けた前記第一
の材料とは電気伝導度が異なるか又はイオン化傾向が異
なる第二の材料から成る凸部とを以って構成すると、こ
の下地に整形材料を電解めっき又は無電解めっきで被着
させることにより、整形材料を凸部及び支持体のいずれ
か一方に選択的に被着させることが出来る。従って、段
差部の側面と下段面とで構成されるコーナー部を非球面
なコーナ部にする整形が容易になる。
また、凹凸を有する下地上にスパッタ法や蒸着法で整形
材料を被着させると、いわるるステップカバレージの原
理により、被着させた薄膜は、段差部のエッジ（段差部
の上段面及び側面で構成されるコーナー部）を境にして
凸部上と凹部上でむしろ別途に成長するようになる。し
たがって、この境に非球面コーナー部が形成される。
材料を被着させると、いわるるステップカバレージの原
理により、被着させた薄膜は、段差部のエッジ（段差部
の上段面及び側面で構成されるコーナー部）を境にして
凸部上と凹部上でむしろ別途に成長するようになる。し
たがって、この境に非球面コーナー部が形成される。
（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の結晶膜成長用基板のい
くつかの実施例とそれらの形成方法の実施例とにつきそ
れぞれ説明する。しかしながら、以下の実施例の説明に
用いる各図はこの発明が理解できる程度に概略的に示し
てあるにすぎず、従って、図中の各構成成分の寸法、形
状及び各構成成分間の寸法比等も概略的であり、この発
明がこれら図にのみ限定されるものでないことは理解さ
れたい。また、これらの図において同一の構成成分につ
いては同一の符号を付して示してある。
くつかの実施例とそれらの形成方法の実施例とにつきそ
れぞれ説明する。しかしながら、以下の実施例の説明に
用いる各図はこの発明が理解できる程度に概略的に示し
てあるにすぎず、従って、図中の各構成成分の寸法、形
状及び各構成成分間の寸法比等も概略的であり、この発
明がこれら図にのみ限定されるものでないことは理解さ
れたい。また、これらの図において同一の構成成分につ
いては同一の符号を付して示してある。
第一実施例 先ず第一実施例の結晶膜成長用基板の構造と、この基板
の形成方法の実施例につき順に説明する。
の形成方法の実施例につき順に説明する。
＜第一実施例の構造説明＞ 第一実施例の結晶膜成長用基板は、凹凸を有する下地
を、少なくとも表面が導電性材料から成る支持体と、絶
縁性材料から成る凸部とで構成し、各凹部の底面にコー
ナー部の整形部材を設けた例である。第１図は、この第
一実施例の結晶膜成長用基板の一部を概略的に示した断
面図である。
を、少なくとも表面が導電性材料から成る支持体と、絶
縁性材料から成る凸部とで構成し、各凹部の底面にコー
ナー部の整形部材を設けた例である。第１図は、この第
一実施例の結晶膜成長用基板の一部を概略的に示した断
面図である。
この例の結晶膜成長用基板は、例えばNi-Au、Ti-Pt、A
l、Cu等の導電性材料から成る薄膜21aを表面に有する例
えばガラス、セラミックス等の任意好適な材料から成る
支持体21と、この導電性薄膜21aの所定部分上に設けた
例えばSiO2、Al2O3等の絶縁性材料から成る凸部23と、
支持体21の凸部23から露出する面上（詳細には導電性薄
膜21aの凸部23から露出する面上）に設けられ例えばC
u、Ni、Au等或いはこれらを主成分とする合金から成り
凸部23及び薄膜21aで構成される段差のコーナ部25を非
球面コーナーとする整形部材27とを具えたものとしてい
る。ここで凸部23は図面に垂直な方向にストライプ状の
ものとしてある。そして凸部23の高さは、これを形成す
る方法が一般にフォトリソグラフィ技術であることから
パターニング精度を確保するため、最大でも数μｍが良
く低すぎては結晶成長のための段差を構成しないので最
少でも0.1μｍ程度が良い。また、導電性薄膜21a及び凸
部23は、単層構造としても多層構造としてもどちらでも
良い。
l、Cu等の導電性材料から成る薄膜21aを表面に有する例
えばガラス、セラミックス等の任意好適な材料から成る
支持体21と、この導電性薄膜21aの所定部分上に設けた
例えばSiO2、Al2O3等の絶縁性材料から成る凸部23と、
支持体21の凸部23から露出する面上（詳細には導電性薄
膜21aの凸部23から露出する面上）に設けられ例えばC
u、Ni、Au等或いはこれらを主成分とする合金から成り
凸部23及び薄膜21aで構成される段差のコーナ部25を非
球面コーナーとする整形部材27とを具えたものとしてい
る。ここで凸部23は図面に垂直な方向にストライプ状の
ものとしてある。そして凸部23の高さは、これを形成す
る方法が一般にフォトリソグラフィ技術であることから
パターニング精度を確保するため、最大でも数μｍが良
く低すぎては結晶成長のための段差を構成しないので最
少でも0.1μｍ程度が良い。また、導電性薄膜21a及び凸
部23は、単層構造としても多層構造としてもどちらでも
良い。
＜第一実施例の形成方法の説明＞ 次に、第１図を用いて説明した第一実施例の結晶膜成長
用基板の形成方法の実施例につき説明する。第２図
（Ａ）〜（Ｃ）は、その説明に供する図であり、形成工
程中の主な工程における基板の様子を断面図を以って示
した図である。
用基板の形成方法の実施例につき説明する。第２図
（Ａ）〜（Ｃ）は、その説明に供する図であり、形成工
程中の主な工程における基板の様子を断面図を以って示
した図である。
先ず、支持体21上に蒸着法、スパッタ法、CVD法等の好
適な方法により導電性薄膜21aを形成する。次いで、こ
の導電性薄膜21a上にスパッタ法、CVD法等により凸部23
形成用絶縁膜31（例えばSiO2膜）を形成する（第２図
（Ａ））。
適な方法により導電性薄膜21aを形成する。次いで、こ
の導電性薄膜21a上にスパッタ法、CVD法等により凸部23
形成用絶縁膜31（例えばSiO2膜）を形成する（第２図
（Ａ））。
次に、凸部形成用絶縁膜31上に例えばレジストを塗布し
公知のリソグラフィー技術により所定形状にパターニン
グして、レジストパタン33を形成する（第２図
（Ｂ））。
公知のリソグラフィー技術により所定形状にパターニン
グして、レジストパタン33を形成する（第２図
（Ｂ））。
次に、凸部形成用絶縁膜31のレジストパタンから露出し
ている部分を好適なエッチング方法で除去する。この結
果、凸部23が形成される（第２図（Ｃ））。この凸部23
と、支持体21とで構成される段差部の、凸部23の側面及
び導電性薄膜で構成されるコーナ部35（第２図（Ｃ）で
は代表して１箇所のみ示している）の曲率は、現在のフ
ォトリソ技術及びエッチング技術では最少でも5nmが限
界である。これに対し、隣接する凸部23間即ち溝幅はμ
ｍオーダの細さの加工が可能である。
ている部分を好適なエッチング方法で除去する。この結
果、凸部23が形成される（第２図（Ｃ））。この凸部23
と、支持体21とで構成される段差部の、凸部23の側面及
び導電性薄膜で構成されるコーナ部35（第２図（Ｃ）で
は代表して１箇所のみ示している）の曲率は、現在のフ
ォトリソ技術及びエッチング技術では最少でも5nmが限
界である。これに対し、隣接する凸部23間即ち溝幅はμ
ｍオーダの細さの加工が可能である。
次いで、上述のコーナー部33の曲率を1nm以下にするた
め、或いは非球面コーナーとするため、支持体21と凸部
23とで構成された下地に対し、電解めっき又は無電解を
行ない整形材料を被着する。めっきは、Cuめっき、Niめ
っき、Auめっき等、又は、Cu,Ni,若しくはAuを主成分と
する合金めっき等の従来公知の好適なめっきで良い。こ
のめっきにおいては、凸部は絶縁性材料で構成されてい
るためこれはめっきされない。従って、導電性薄膜21a
の凸部23間の部分が選択的にめっきされて、コーナー部
35の曲率を整形出来、第１図に示した第一実施例の結晶
膜成長用基板が形成出来る。なお、この場合はレジスト
パタン33を除去後にめっきをしても除去後にめっきをし
ても、いずれでも良い。
め、或いは非球面コーナーとするため、支持体21と凸部
23とで構成された下地に対し、電解めっき又は無電解を
行ない整形材料を被着する。めっきは、Cuめっき、Niめ
っき、Auめっき等、又は、Cu,Ni,若しくはAuを主成分と
する合金めっき等の従来公知の好適なめっきで良い。こ
のめっきにおいては、凸部は絶縁性材料で構成されてい
るためこれはめっきされない。従って、導電性薄膜21a
の凸部23間の部分が選択的にめっきされて、コーナー部
35の曲率を整形出来、第１図に示した第一実施例の結晶
膜成長用基板が形成出来る。なお、この場合はレジスト
パタン33を除去後にめっきをしても除去後にめっきをし
ても、いずれでも良い。
＜第一実施例の変形例の説明＞ 上述した第一実施例では、凸部23を絶縁性材料を以って
構成している。しかし、凸部23を、導電性薄膜21aより
卑な金属を以って構成しても上述の実施例と同様な効果
を得ることが出来る。具体例を示せば、導電性薄膜21a
がNi-Au、Ti-Pt、Al、Cu等である場合、凸部23はTa2N、
Ta-Si或いはCr等とすれば良い。
構成している。しかし、凸部23を、導電性薄膜21aより
卑な金属を以って構成しても上述の実施例と同様な効果
を得ることが出来る。具体例を示せば、導電性薄膜21a
がNi-Au、Ti-Pt、Al、Cu等である場合、凸部23はTa2N、
Ta-Si或いはCr等とすれば良い。
また、整形材料の下地への被着方法は電解めっきや無電
解めっきにかぎるものではない。例えば選択結晶成長法
等の他の方法でも良い。なおこのような場合は、導電性
薄膜、凸部、整形部材の材料は、選択成長法に適したも
のに変更する。
解めっきにかぎるものではない。例えば選択結晶成長法
等の他の方法でも良い。なおこのような場合は、導電性
薄膜、凸部、整形部材の材料は、選択成長法に適したも
のに変更する。
第二実施例 次に、第二実施例の結晶膜成長用基板の構造と、この基
板の形成方法の実施例につき順に説明する。
板の形成方法の実施例につき順に説明する。
＜第二実施例の構造説明＞ 第二実施例の結晶膜成長用基板は、下地を、絶縁性から
成る支持体と、導電性材料から成る凸部とで構成し、各
凸の側面にコーナー部の整形部材を設けた例である。第
３図は、この第二実施例の結晶膜成長用基板の一部を概
略的に示した断面図である。
成る支持体と、導電性材料から成る凸部とで構成し、各
凸の側面にコーナー部の整形部材を設けた例である。第
３図は、この第二実施例の結晶膜成長用基板の一部を概
略的に示した断面図である。
この結晶膜成長用基板は、例えばSiO2,Al2O3等の絶縁膜
41を表面に有する例えばガラス、セラミックス等の任意
好適な材料から成る支持体21と、この絶縁膜41の所定部
分上に設けた例えばNi-Au、Ti-Pt、Al、Cu等の導電性材
料から成る凸部43と、凸部43の側面上に設けられ例えば
Cu、Ni、Au等或いはこれらを主成分とする合金から成り
凸部43及び絶縁膜41で構成される段差のコーナ部25を非
球面コーナーとする整形部材27とを具えたものとしてい
る。ここで凸部43は、第一実施例と同様、図面に垂直な
方向にストライプ状のものとしてある。そして凸部23の
高さも第一実施例と同程度の寸法としている。また、導
電性薄膜21a及び凸部23は、単層構造としても多層構造
としてもどちらでも良い。
41を表面に有する例えばガラス、セラミックス等の任意
好適な材料から成る支持体21と、この絶縁膜41の所定部
分上に設けた例えばNi-Au、Ti-Pt、Al、Cu等の導電性材
料から成る凸部43と、凸部43の側面上に設けられ例えば
Cu、Ni、Au等或いはこれらを主成分とする合金から成り
凸部43及び絶縁膜41で構成される段差のコーナ部25を非
球面コーナーとする整形部材27とを具えたものとしてい
る。ここで凸部43は、第一実施例と同様、図面に垂直な
方向にストライプ状のものとしてある。そして凸部23の
高さも第一実施例と同程度の寸法としている。また、導
電性薄膜21a及び凸部23は、単層構造としても多層構造
としてもどちらでも良い。
＜第二実施例の形成方法の説明＞ 第二実施例の結晶膜成長用基板は、薄膜の形成順序が第
一実施例と異なるのみで基本的には第一実施例の形成方
法と同様な方法で形成出来る。但し、凸部43の形成に用
いるレジストパタン（第２図（Ｂ）に33で示したものに
相当するレジストパタン）は電解めっき或いは無電解め
っきが終了するまで残しておくように、凸部43の上面が
めっきされないようにする。
一実施例と異なるのみで基本的には第一実施例の形成方
法と同様な方法で形成出来る。但し、凸部43の形成に用
いるレジストパタン（第２図（Ｂ）に33で示したものに
相当するレジストパタン）は電解めっき或いは無電解め
っきが終了するまで残しておくように、凸部43の上面が
めっきされないようにする。
＜第二実施例の変形例の説明＞ 上述した第二実施例では、支持体21上に絶縁膜41を別途
に設けている。しかし、支持体21が絶縁性のものである
場合はあえて設けなくとも良い。また、支持体21上に薄
膜を形成する場合この薄膜は絶縁膜にかぎられるもので
はなく凸部43の構成材料より卑な材料から成る薄膜とし
ても良い。即ち、凸部43を構成する材料のほうが支持体
21上に形成される薄膜の構成材料より貴な材料となるよ
うにしても良い。
に設けている。しかし、支持体21が絶縁性のものである
場合はあえて設けなくとも良い。また、支持体21上に薄
膜を形成する場合この薄膜は絶縁膜にかぎられるもので
はなく凸部43の構成材料より卑な材料から成る薄膜とし
ても良い。即ち、凸部43を構成する材料のほうが支持体
21上に形成される薄膜の構成材料より貴な材料となるよ
うにしても良い。
第三実施例 次に、第三実施例の結晶膜成長用基板の構造と、この基
板の形成方法の実施例とにつき順に説明する。
板の形成方法の実施例とにつき順に説明する。
この第三実施例の結晶膜成長用基板は、凹凸を有する下
地の全面に、コーナー部の整形部材を設けた例である。
第４図（Ａ）は、この第三実施例の結晶膜成長用基板の
一部を概略的に示した断面図、第４図（Ｂ）は第４図
（Ａ）中にＱで示した部分を拡大して示した断面図であ
る。
地の全面に、コーナー部の整形部材を設けた例である。
第４図（Ａ）は、この第三実施例の結晶膜成長用基板の
一部を概略的に示した断面図、第４図（Ｂ）は第４図
（Ａ）中にＱで示した部分を拡大して示した断面図であ
る。
この第三実施例の結晶膜成長用基板の整形部材53は、下
地51の凸部上の部分と下地51の凸部上の部分とが不連続
になっておりこの部分では曲率は実質的に存在せず非球
面コーナ部55を構成している。ここで、整形部材53は、
例えば、SiO2,Al2O3,Si3O4,Ta2O5,Al-SiN等の公知の材
料で構成出来る。第４図（Ａ）及び（Ｂ）に示したよう
な構造の結晶膜成長用基板は以下に説明するような方法
で形成することが出来る。
地51の凸部上の部分と下地51の凸部上の部分とが不連続
になっておりこの部分では曲率は実質的に存在せず非球
面コーナ部55を構成している。ここで、整形部材53は、
例えば、SiO2,Al2O3,Si3O4,Ta2O5,Al-SiN等の公知の材
料で構成出来る。第４図（Ａ）及び（Ｂ）に示したよう
な構造の結晶膜成長用基板は以下に説明するような方法
で形成することが出来る。
凹凸を有する下地51は、第一実施例で作製したもの若し
くは第二実施例で作製したもの又は支持体に直接溝を形
成して凹凸を構成させたもので良い。このような下地51
上に蒸着法やスパッタ法により薄膜を形成すると、この
薄膜は第５図のようにステップカバレージ良く被着する
ことはあまりなく、第４図（Ｂ）に示すように凸部の肩
のところを境に凸部上の部分と下地51の凹部上の部分と
が別々に成長する。従って、非球面コーナ部55を容易に
得ることが出来る。
くは第二実施例で作製したもの又は支持体に直接溝を形
成して凹凸を構成させたもので良い。このような下地51
上に蒸着法やスパッタ法により薄膜を形成すると、この
薄膜は第５図のようにステップカバレージ良く被着する
ことはあまりなく、第４図（Ｂ）に示すように凸部の肩
のところを境に凸部上の部分と下地51の凹部上の部分と
が別々に成長する。従って、非球面コーナ部55を容易に
得ることが出来る。
（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この出願の第一発
明である結晶膜成長用基板によれば、表面に高さが0.1
μｍ〜数μｍの凸部を数μｍ間隔で形成することで構成
された凹凸を有する下地の凹凸の段差部側面及び下段面
で構成されるコーナー部を実質的に非球面コーナーとす
る整形部材を設けたことにより、単結晶基板以外の基板
上への結晶膜成長が極めて容易になる。
明である結晶膜成長用基板によれば、表面に高さが0.1
μｍ〜数μｍの凸部を数μｍ間隔で形成することで構成
された凹凸を有する下地の凹凸の段差部側面及び下段面
で構成されるコーナー部を実質的に非球面コーナーとす
る整形部材を設けたことにより、単結晶基板以外の基板
上への結晶膜成長が極めて容易になる。
また、この出願の第二発明である結晶膜成長基板の形成
方法によれば、第一出願に係る結晶膜成長用基板を容易
に得ることが出来る。
方法によれば、第一出願に係る結晶膜成長用基板を容易
に得ることが出来る。
第１図は、第一実施例の結晶膜成長用基板を示す断面
図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）は、第一実施例の結晶膜成長用基
板の形成方法を示す工程図、 第３図は、第二実施例の結晶膜成長用基板を示す断面
図、 第４図（Ａ）及び（Ｂ）は、第三実施例の結晶膜成長用
基板を示す断面図、 第５図は、第三実施例の結晶膜成長用基板の説明に供す
る図、 第６図（Ａ）及び（Ｂ）は、従来及びこの発明の説明に
供する図である。 21……支持体、21a……導電性薄膜 23……凸部（絶縁性）、25……コーナー部 27……整形部材 31……凸部形成用絶縁膜、33……レジストパタン 35……コーナー部 41……絶縁膜、43……凸部（導電性） 51……凹凸を有する下地、53……整形部材 53a……整形部材の凸部上の部分 53b……整形部材の凹部上の部分 55……非球面コーナー部。
図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）は、第一実施例の結晶膜成長用基
板の形成方法を示す工程図、 第３図は、第二実施例の結晶膜成長用基板を示す断面
図、 第４図（Ａ）及び（Ｂ）は、第三実施例の結晶膜成長用
基板を示す断面図、 第５図は、第三実施例の結晶膜成長用基板の説明に供す
る図、 第６図（Ａ）及び（Ｂ）は、従来及びこの発明の説明に
供する図である。 21……支持体、21a……導電性薄膜 23……凸部（絶縁性）、25……コーナー部 27……整形部材 31……凸部形成用絶縁膜、33……レジストパタン 35……コーナー部 41……絶縁膜、43……凸部（導電性） 51……凹凸を有する下地、53……整形部材 53a……整形部材の凸部上の部分 53b……整形部材の凹部上の部分 55……非球面コーナー部。
Claims (6)
- 【請求項１】表面に高さが0.1μｍ〜数μｍの凸部を数
μｍ間隔で形成することで構成された凹凸を有する下地
と、 該下地の前記凹凸を設けた面の全面上に又は各凹凸の段
差部の側面若しくは下段面のいずれか一方の面上に設け
られ前記段差部の側面及び下段面で構成されるコーナー
部を実質的に非球面コーナーとする整形部材と を具えて成ることを特徴とする結晶膜成長用基板。 - 【請求項２】請求項１に記載の結晶膜成長用基板におい
て、 前記凹凸を有する下地を、 少なくとも表面が第一の材料から成る支持体と、前記第
一の材料とは電気伝導度が異なるか又はイオン化傾向が
異なる第二の材料から成り前記支持体上に設けた凸部
と、を以って構成したこと を特徴とする結晶膜成長用基板。 - 【請求項３】結晶膜を成長させるため凹凸を有する結晶
膜成長用基板を形成するに当たり、 表面に高さが0.1μｍ〜数μｍの凸部を数μｍ間隔で形
成することにより凹凸を有する下地を得、 該凹凸を有する下地の凹凸を設けた面全面に対し又は各
凹凸の段差部の側面上若しくは下段面上のいずれか一方
に対し、前記段差部の側面及び下段面で構成されるコー
ナー部を実質的に非球面コーナーとする整形材料を被着
することを特徴とする結晶膜成長用基板の形成方法。 - 【請求項４】請求項３に記載の結晶膜成長用基板の形成
方法において、 表面に導電性材料が被着された支持体の所定部分上に、
絶縁性材料から成る前記凸部又は該支持体表面の導電性
材料より卑な導電性材料から成る前記凸部を形成して前
記下地を得、然る後、 該下地に対し電解めっき又は無電解めっきにより前記整
形材料を被着することを特徴とする結晶膜成長用基板の
形成方法。 - 【請求項５】請求項３に記載の結晶膜成長用基板の形成
方法において、 絶縁性支持体上の所定部分に導電性材料から成る前記凸
部を形成し、又は、表面に導電性材料が被着された支持
体の所定部分上に該導電性材料より貴な導電性材料から
成る前記凸部を形成して前記下地を得、然る後、 該下地に対し電解めっき又は無電解めっきにより前記整
形材料を被着することを特徴とする結晶膜成長用基板の
形成方法。 - 【請求項６】請求項３に記載の結晶膜成長用基板の形成
方法において、 前記下地の凹凸を設けた面の全面に対し前記整形材料を
スパッタ法または蒸着法で被着することを特徴とする結
晶膜成長用基板の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322934A JPH075431B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 結晶膜成長用基板及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322934A JPH075431B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 結晶膜成長用基板及びその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02167896A JPH02167896A (ja) | 1990-06-28 |
| JPH075431B2 true JPH075431B2 (ja) | 1995-01-25 |
Family
ID=18149265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322934A Expired - Lifetime JPH075431B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 結晶膜成長用基板及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH075431B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114606468B (zh) * | 2022-03-11 | 2023-03-31 | 业成科技（成都）有限公司 | 非球面薄膜溅镀系统 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4943881A (ja) * | 1972-09-04 | 1974-04-25 |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63322934A patent/JPH075431B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02167896A (ja) | 1990-06-28 |
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