JPH0793751A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0793751A JPH0793751A JP23758593A JP23758593A JPH0793751A JP H0793751 A JPH0793751 A JP H0793751A JP 23758593 A JP23758593 A JP 23758593A JP 23758593 A JP23758593 A JP 23758593A JP H0793751 A JPH0793751 A JP H0793751A
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- magnetic
- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 走行性が良く、かつ、帯電防止効果に優れ、
そしてドロップアウトが少なくて再生特性に優れ、又、
体積当たりの記録容量が高い磁気記録媒体を提供するこ
とである。 【構成】 支持体の一面に金属薄膜型の磁性膜が、他面
に金属薄膜型の非磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体
の製造方法であって、前記非磁性膜にイオンを照射する
磁気記録媒体の製造方法。
そしてドロップアウトが少なくて再生特性に優れ、又、
体積当たりの記録容量が高い磁気記録媒体を提供するこ
とである。 【構成】 支持体の一面に金属薄膜型の磁性膜が、他面
に金属薄膜型の非磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体
の製造方法であって、前記非磁性膜にイオンを照射する
磁気記録媒体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属薄膜型の磁気記録
媒体の製造方法に関するものである。
媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体には、非磁
性支持体であるフィルム上に磁性粉やバインダを溶剤中
に分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布型のものと、
バインダを用いず、金属磁性粒子をフィルム上に堆積さ
せてなる金属薄膜型のものとがある。
性支持体であるフィルム上に磁性粉やバインダを溶剤中
に分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布型のものと、
バインダを用いず、金属磁性粒子をフィルム上に堆積さ
せてなる金属薄膜型のものとがある。
【０００３】これらの中、金属薄膜型の磁気記録媒体
は、磁性層にバインダを含まないことから、磁性材料の
充填密度が高く、高密度記録に適したものであると言わ
れている。ところで、現在発売又は開発されている金属
薄膜型の磁気記録媒体は、図４に示される構成のものと
なっている。図４中、２１は厚さが２〜５０μｍのポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、２２は、
例えば真空蒸着法を用いて構成された厚さが１５００Å
のＣｏ−Ｎｉ（８０％−２０％）合金磁性膜、２３は潤
滑剤の膜、２４はバックコート層である。尚、このバッ
クコート層２４は、粒径が１０〜１００ｎｍのカーボン
ブラックとバインダ樹脂とを塗料中に分散させ、グラビ
ア法、リバース法又はダイ塗工方式で、乾燥後の厚さが
０．５〜１．０μｍになるよう塗布することによって構
成されたものである。
は、磁性層にバインダを含まないことから、磁性材料の
充填密度が高く、高密度記録に適したものであると言わ
れている。ところで、現在発売又は開発されている金属
薄膜型の磁気記録媒体は、図４に示される構成のものと
なっている。図４中、２１は厚さが２〜５０μｍのポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、２２は、
例えば真空蒸着法を用いて構成された厚さが１５００Å
のＣｏ−Ｎｉ（８０％−２０％）合金磁性膜、２３は潤
滑剤の膜、２４はバックコート層である。尚、このバッ
クコート層２４は、粒径が１０〜１００ｎｍのカーボン
ブラックとバインダ樹脂とを塗料中に分散させ、グラビ
ア法、リバース法又はダイ塗工方式で、乾燥後の厚さが
０．５〜１．０μｍになるよう塗布することによって構
成されたものである。
【０００４】ここで、バックコート層の役割は次のよう
な点にある。 （１）導電性を持たせることにより、帯電防止を図り、
ゴミの付着を防止する。 （２）表面性を改善（摩擦係数μを、例えば０．１５〜
０．２５）して、走行安定性を得る。 （３）表の磁性層と裏とのバランスを図り、反りの発生
を防止する。
な点にある。 （１）導電性を持たせることにより、帯電防止を図り、
ゴミの付着を防止する。 （２）表面性を改善（摩擦係数μを、例えば０．１５〜
０．２５）して、走行安定性を得る。 （３）表の磁性層と裏とのバランスを図り、反りの発生
を防止する。
【０００５】このように、金属薄膜型の磁気記録媒体で
あっても、バックコート層は依然として塗布型となって
いる。ところで、バックコート層を先に塗布してから磁
性層を真空蒸着すると、真空系においてバックコート層
からの脱ガス（バインダの溶剤から発生）が生じ、真空
度が低下し、蒸着がうまくいかず、磁性膜が良好に形成
できず、高性能な磁気記録媒体が得られない。
あっても、バックコート層は依然として塗布型となって
いる。ところで、バックコート層を先に塗布してから磁
性層を真空蒸着すると、真空系においてバックコート層
からの脱ガス（バインダの溶剤から発生）が生じ、真空
度が低下し、蒸着がうまくいかず、磁性膜が良好に形成
できず、高性能な磁気記録媒体が得られない。
【０００６】この為、真空中で磁性膜を形成した後、大
気中に取り出してバックコート層用の塗料を塗布し、バ
ックコート層を設けている。しかしながら、この方法
は、バックコート層を設ける工程で、磁性層が汚れた
り、ゴミが付着し、ドロップアウトが増加するといった
問題点がある。又、カーボンブラックの導電性は良好で
あるが、バインダ量が多い為、導電性が低下してしま
い、帯電防止効果が低いといった問題点もある。
気中に取り出してバックコート層用の塗料を塗布し、バ
ックコート層を設けている。しかしながら、この方法
は、バックコート層を設ける工程で、磁性層が汚れた
り、ゴミが付着し、ドロップアウトが増加するといった
問題点がある。又、カーボンブラックの導電性は良好で
あるが、バインダ量が多い為、導電性が低下してしま
い、帯電防止効果が低いといった問題点もある。
【０００７】
【発明の開示】本発明の目的は、走行性が良く、かつ、
帯電防止効果に優れ、そしてドロップアウトが少なくて
再生特性に優れ、又、体積当たりの記録容量が高い磁気
記録媒体を提供することである。この本発明の目的は、
支持体の一面に金属薄膜型の磁性膜が、他面に金属薄膜
型の非磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体の製造方法
であって、前記非磁性膜にイオンを照射することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法によって達成される。
帯電防止効果に優れ、そしてドロップアウトが少なくて
再生特性に優れ、又、体積当たりの記録容量が高い磁気
記録媒体を提供することである。この本発明の目的は、
支持体の一面に金属薄膜型の磁性膜が、他面に金属薄膜
型の非磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体の製造方法
であって、前記非磁性膜にイオンを照射することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法によって達成される。
【０００８】尚、この磁気記録媒体の製造方法の実施に
際して、非磁性膜には複数種類のイオンが照射されるこ
とが好ましい。又、イオンを異なる方向から照射するこ
とが好ましい。特に、異なるイオンを異なる方向から照
射することが好ましい。以下、本発明について説明す
る。本発明で用いられる磁気記録媒体の支持体は非磁性
のものであり、この支持体はＰＥＴ等のポリエステル、
ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボ
ネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セル
ロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材
料、ガラスやセラミック等の無機系材料、アルミニウム
合金などの金属材料が用いられる。
際して、非磁性膜には複数種類のイオンが照射されるこ
とが好ましい。又、イオンを異なる方向から照射するこ
とが好ましい。特に、異なるイオンを異なる方向から照
射することが好ましい。以下、本発明について説明す
る。本発明で用いられる磁気記録媒体の支持体は非磁性
のものであり、この支持体はＰＥＴ等のポリエステル、
ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボ
ネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セル
ロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材
料、ガラスやセラミック等の無機系材料、アルミニウム
合金などの金属材料が用いられる。
【０００９】この支持体の一面側には、蒸着手段やスパ
ッタ手段といった乾式メッキ手段によって金属薄膜型の
磁性膜が設けられる。金属磁性膜を構成する蒸発磁性粒
子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の
他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の
金属を含有させたもの等が用いられる。尚、金属磁性膜
の成膜時には酸化性ガスなどが供されていて、金属磁性
膜の表面層には酸化膜からなる保護層が形成されること
が好ましい。
ッタ手段といった乾式メッキ手段によって金属薄膜型の
磁性膜が設けられる。金属磁性膜を構成する蒸発磁性粒
子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の
他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の
金属を含有させたもの等が用いられる。尚、金属磁性膜
の成膜時には酸化性ガスなどが供されていて、金属磁性
膜の表面層には酸化膜からなる保護層が形成されること
が好ましい。
【００１０】支持体の他面側には、いわゆるバックコー
ト膜が設けられる。このバックコート膜は、本発明にあ
っては、蒸着手段やスパッタ手段といった乾式メッキ手
段によって構成された金属薄膜型の非磁性膜である。バ
ックコート膜を構成する蒸発金属粒子の材料としては、
例えばＣｕ−Ａｌ−Ｘ（但し、ＸはＭｎ，Ｆｅ，Ｎｉの
群の中から選ばれる一つ、若しくは二つ以上）系合金、
Ａｌ−Ｓｉ系合金、ＴｉあるいはＴｉ合金等が用いられ
る。又、Ａｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ａｇなどの金属も用
いられる。尚、この金属非磁性膜には、イオンガン（例
えば、カウフマンタイプとかＥＣＲ（高周波）タイプ）
によってイオンを照射することが大事である。例えば、
Ｎ2 ，Ｏ2 ，Ｃｌ2 ，ＣＨ4 あるいはＡｒといったよう
なイオン化できるものをイオンガンによってイオン化
し、これを非磁性膜に照射する。好ましくは、二種類以
上のイオンが照射されることである。
ト膜が設けられる。このバックコート膜は、本発明にあ
っては、蒸着手段やスパッタ手段といった乾式メッキ手
段によって構成された金属薄膜型の非磁性膜である。バ
ックコート膜を構成する蒸発金属粒子の材料としては、
例えばＣｕ−Ａｌ−Ｘ（但し、ＸはＭｎ，Ｆｅ，Ｎｉの
群の中から選ばれる一つ、若しくは二つ以上）系合金、
Ａｌ−Ｓｉ系合金、ＴｉあるいはＴｉ合金等が用いられ
る。又、Ａｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ａｇなどの金属も用
いられる。尚、この金属非磁性膜には、イオンガン（例
えば、カウフマンタイプとかＥＣＲ（高周波）タイプ）
によってイオンを照射することが大事である。例えば、
Ｎ2 ，Ｏ2 ，Ｃｌ2 ，ＣＨ4 あるいはＡｒといったよう
なイオン化できるものをイオンガンによってイオン化
し、これを非磁性膜に照射する。好ましくは、二種類以
上のイオンが照射されることである。
【００１１】支持体面に設けられる磁性膜（金属磁性
膜）と非磁性膜（バックコート膜）との関係は、金属磁
性膜によって現れる応力の方向とバックコート膜によっ
て現れる応力の方向とが同じであることが好ましい。例
えば、金属磁性膜によって現れる応力が引っ張り応力タ
イプの場合には、バックコート膜によって現れる応力も
引っ張り応力タイプのものとなるようバックコート膜の
種類（金属組成）や形成条件を選定することが好まし
い。かつ、双方の膜が引っ張り応力タイプのものである
場合には、バックコート膜によって現れる応力の絶対値
が金属磁性膜によって現れる応力よりも大きくなるよう
設計し、これによってカール率が０〜１５％、特に５〜
１５％であるようにすることが一層好ましい。又、金属
磁性膜によって現れる応力が圧縮応力タイプの場合に
は、バックコート膜によって現れる応力も圧縮応力タイ
プのものとなるようバックコート膜の種類（金属組成）
や形成条件を選定することが好ましい。かつ、双方の膜
が圧縮応力タイプのものである場合には、バックコート
膜によって現れる応力の絶対値が金属磁性膜によって現
れる応力よりも小さくなるよう設計し、これによってカ
ール率が０〜１５％、特に５〜１５％であるようにする
ことが一層好ましい。
膜）と非磁性膜（バックコート膜）との関係は、金属磁
性膜によって現れる応力の方向とバックコート膜によっ
て現れる応力の方向とが同じであることが好ましい。例
えば、金属磁性膜によって現れる応力が引っ張り応力タ
イプの場合には、バックコート膜によって現れる応力も
引っ張り応力タイプのものとなるようバックコート膜の
種類（金属組成）や形成条件を選定することが好まし
い。かつ、双方の膜が引っ張り応力タイプのものである
場合には、バックコート膜によって現れる応力の絶対値
が金属磁性膜によって現れる応力よりも大きくなるよう
設計し、これによってカール率が０〜１５％、特に５〜
１５％であるようにすることが一層好ましい。又、金属
磁性膜によって現れる応力が圧縮応力タイプの場合に
は、バックコート膜によって現れる応力も圧縮応力タイ
プのものとなるようバックコート膜の種類（金属組成）
や形成条件を選定することが好ましい。かつ、双方の膜
が圧縮応力タイプのものである場合には、バックコート
膜によって現れる応力の絶対値が金属磁性膜によって現
れる応力よりも小さくなるよう設計し、これによってカ
ール率が０〜１５％、特に５〜１５％であるようにする
ことが一層好ましい。
【００１２】そして、金属磁性膜の反対側の面に設ける
バックコート膜を上記のように構成させた磁気記録媒体
は、 （１）表面性が改善（摩擦係数μが、例えば０．１５〜
０．２５）され、走行安定性が図れる。 （２）導電性が充分に有り、帯電防止が図れ、ゴミの付
着が防止される。 （３）支持体面の両側のバランスが図れ、磁気ヘッドと
の当たりが良くなる。 （４）体積当たりの記録容量が高く、高密度記録型のも
のとなる。 といった特長が奏される。
バックコート膜を上記のように構成させた磁気記録媒体
は、 （１）表面性が改善（摩擦係数μが、例えば０．１５〜
０．２５）され、走行安定性が図れる。 （２）導電性が充分に有り、帯電防止が図れ、ゴミの付
着が防止される。 （３）支持体面の両側のバランスが図れ、磁気ヘッドと
の当たりが良くなる。 （４）体積当たりの記録容量が高く、高密度記録型のも
のとなる。 といった特長が奏される。
【００１３】尚、このような特長を奏させるバックコー
ト膜の形成は、金属磁性膜の形成の後に行っても、先に
行っても良く、あるいは同時に行っても良い。尚、工程
を分けて行う場合に、一方の薄膜を形成してロールに巻
き取り、そしてそのロールを真空装置から一度大気中に
取り出して別の真空装置に装填し、他方の薄膜を形成す
るようにしても良く、このようにしてもゴミの付着等の
問題は生じない。
ト膜の形成は、金属磁性膜の形成の後に行っても、先に
行っても良く、あるいは同時に行っても良い。尚、工程
を分けて行う場合に、一方の薄膜を形成してロールに巻
き取り、そしてそのロールを真空装置から一度大気中に
取り出して別の真空装置に装填し、他方の薄膜を形成す
るようにしても良く、このようにしてもゴミの付着等の
問題は生じない。
【００１４】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００１５】
〔実施例１〕図１及び図２は本発明の実施に用いられる
磁気記録媒体の製造装置の概略図、図３は得られた磁気
記録媒体の概略図である。各図中、１は真空容器、２は
ターボポンプ、３はロータリポンプ、４は９．８μｍ厚
さの支持体（ＰＥＴフィルム）６の供給側ロール、５は
支持体６の巻取側ロール、７は冷却キャン、８はルツ
ボ、９は電子銃、１０は遮蔽板、１１ａ，１１ｂはカウ
フマン型のイオンガンである。
磁気記録媒体の製造装置の概略図、図３は得られた磁気
記録媒体の概略図である。各図中、１は真空容器、２は
ターボポンプ、３はロータリポンプ、４は９．８μｍ厚
さの支持体（ＰＥＴフィルム）６の供給側ロール、５は
支持体６の巻取側ロール、７は冷却キャン、８はルツ
ボ、９は電子銃、１０は遮蔽板、１１ａ，１１ｂはカウ
フマン型のイオンガンである。
【００１６】このような装置を用いて、先ず、ルツボ８
に非磁性金属、例えばＡｌを充填し、真空容器１内を１
０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空度のものに排気した
後、電子ビーム加熱によりルツボ８内の非磁性金属を蒸
発させ、支持体６の裏面側に０．０４〜１μｍ、例えば
１０００Å厚さ堆積させる。この時、支持体６は供給側
ロール４から巻取側ロール５に走行させられている。
に非磁性金属、例えばＡｌを充填し、真空容器１内を１
０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空度のものに排気した
後、電子ビーム加熱によりルツボ８内の非磁性金属を蒸
発させ、支持体６の裏面側に０．０４〜１μｍ、例えば
１０００Å厚さ堆積させる。この時、支持体６は供給側
ロール４から巻取側ロール５に走行させられている。
【００１７】この非磁性金属膜が成膜された後の段階
で、イオンガン１１ａ，１１ｂからイオンが非磁性金属
膜に照射される。例えば、イオンガン１１ａにはガス導
入管１２ａによってＮ2 ガスが供給されており、又、イ
オンガン１１ｂにはガス導入管１２ｂによってＡｒガス
が供給されており、イオンガン１１ａからは窒素イオン
が非磁性金属膜に照射され、イオンガン１１ｂからはア
ルゴンイオンが非磁性金属膜に照射されている。尚、イ
オンガン１１ａとイオンガン１１ｂとの向きは異なる向
きに設定されており、従って窒素イオンが非磁性金属膜
に照射される向きと、アルゴンイオンが非磁性金属膜に
照射される向きとは異なっている。
で、イオンガン１１ａ，１１ｂからイオンが非磁性金属
膜に照射される。例えば、イオンガン１１ａにはガス導
入管１２ａによってＮ2 ガスが供給されており、又、イ
オンガン１１ｂにはガス導入管１２ｂによってＡｒガス
が供給されており、イオンガン１１ａからは窒素イオン
が非磁性金属膜に照射され、イオンガン１１ｂからはア
ルゴンイオンが非磁性金属膜に照射されている。尚、イ
オンガン１１ａとイオンガン１１ｂとの向きは異なる向
きに設定されており、従って窒素イオンが非磁性金属膜
に照射される向きと、アルゴンイオンが非磁性金属膜に
照射される向きとは異なっている。
【００１８】このようにしてバックコート膜１３が形成
されてなる支持体６を、真空蒸着装置の冷却キャンにバ
ックコート膜１３側が当たるように走行させ、真空容器
内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空度のものに排気
した後、電子ビーム加熱などによりルツボ内の磁性金属
（８０ａｔ％Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ）を蒸発させ、支持
体６の表面に１５００Å厚さ堆積させ、磁性膜１４を形
成した。尚、磁性膜１４の形成に際しては、蒸着部分に
酸素ガス導入管から酸素を供給し、強制酸化させること
によって磁性膜の表層部分を酸化させた。
されてなる支持体６を、真空蒸着装置の冷却キャンにバ
ックコート膜１３側が当たるように走行させ、真空容器
内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空度のものに排気
した後、電子ビーム加熱などによりルツボ内の磁性金属
（８０ａｔ％Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ）を蒸発させ、支持
体６の表面に１５００Å厚さ堆積させ、磁性膜１４を形
成した。尚、磁性膜１４の形成に際しては、蒸着部分に
酸素ガス導入管から酸素を供給し、強制酸化させること
によって磁性膜の表層部分を酸化させた。
【００１９】この後、パーフルオロポリエーテル（グレ
ード：ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＩＡＣ カルボキシル基
変性、日本モンテジソン社製）をフッ素不活性液体（フ
ロリナート、ＦＣ−８４、住友スリーエム社製）に０．
１％となるよう希釈・分散させた塗料をダイ塗工方式に
より乾燥後の厚さが２０Å程度となるように磁性膜１４
の表面に塗布し、１００℃で乾燥させ、所定の幅にスリ
ットし、磁気テープを得た。尚、１５は潤滑膜である。
ード：ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＩＡＣ カルボキシル基
変性、日本モンテジソン社製）をフッ素不活性液体（フ
ロリナート、ＦＣ−８４、住友スリーエム社製）に０．
１％となるよう希釈・分散させた塗料をダイ塗工方式に
より乾燥後の厚さが２０Å程度となるように磁性膜１４
の表面に塗布し、１００℃で乾燥させ、所定の幅にスリ
ットし、磁気テープを得た。尚、１５は潤滑膜である。
【００２０】そして、このようにして得られた原反を８
ｍｍ幅にスリットし、８ｍｍＶＴＲ用の磁気テープを得
た。 〔実施例２〕実施例１において、イオンガン１１ａには
ガス導入管１２ａによってＯ2 ガスを供給し、イオンガ
ン１１ｂにはガス導入管１２ｂによってＡｒガスを供給
した他は同様に行い、８ｍｍＶＴＲ用の磁気テープを得
た。
ｍｍ幅にスリットし、８ｍｍＶＴＲ用の磁気テープを得
た。 〔実施例２〕実施例１において、イオンガン１１ａには
ガス導入管１２ａによってＯ2 ガスを供給し、イオンガ
ン１１ｂにはガス導入管１２ｂによってＡｒガスを供給
した他は同様に行い、８ｍｍＶＴＲ用の磁気テープを得
た。
【００２１】〔実施例３〕実施例１において、イオンガ
ン１１ａにはガス導入管１２ａによってＣＨ4 ガスを供
給し、イオンガン１１ｂにはガス導入管１２ｂによって
Ａｒガスを供給した他は同様に行い、８ｍｍＶＴＲ用の
磁気テープを得た。 〔実施例４〕実施例１において、イオンガン１１ａには
ガス導入管１２ａによってＮ2 ガスを供給し、イオンガ
ン１１ｂにはＡｒガスを供給しないようにした他は同様
に行い、８ｍｍＶＴＲ用の磁気テープを得た。
ン１１ａにはガス導入管１２ａによってＣＨ4 ガスを供
給し、イオンガン１１ｂにはガス導入管１２ｂによって
Ａｒガスを供給した他は同様に行い、８ｍｍＶＴＲ用の
磁気テープを得た。 〔実施例４〕実施例１において、イオンガン１１ａには
ガス導入管１２ａによってＮ2 ガスを供給し、イオンガ
ン１１ｂにはＡｒガスを供給しないようにした他は同様
に行い、８ｍｍＶＴＲ用の磁気テープを得た。
【００２２】〔比較例１〕実施例１において、イオンガ
ン１１ａにはＮ2 ガスを供給しないように、イオンガン
１１ｂにはＡｒガスを供給しないようにした他は同様に
行い、８ｍｍＶＴＲ用の磁気テープを得た。 〔特性〕上記各例で得られた磁気テープを再生装置に装
着し、テープの走行性を調べたので、その結果を表−１
に示す。
ン１１ａにはＮ2 ガスを供給しないように、イオンガン
１１ｂにはＡｒガスを供給しないようにした他は同様に
行い、８ｍｍＶＴＲ用の磁気テープを得た。 〔特性〕上記各例で得られた磁気テープを再生装置に装
着し、テープの走行性を調べたので、その結果を表−１
に示す。
【００２３】 表−１ イオンガン１１ａ イオンガン１１ｂ 非磁性面の走行性 ガス量 加速電圧 ガス量 加速電圧 （動摩擦係数μ） 実施例１ 50sccm １ｋＶ 50sccm １ｋＶ ０．１８ 10sccm １ｋＶ 10sccm １ｋＶ ０．２５ 50sccm 0.2ｋＶ 50sccm 0.3ｋＶ ０．２１ 10sccm 0.2ｋＶ 30sccm 0.5ｋＶ ０．２５ 実施例２ 50sccm １ｋＶ 50sccm １ｋＶ ０．１５ 実施例３ 50sccm １ｋＶ 50sccm １ｋＶ ０．２０ 実施例４ 50sccm １ｋＶ − − ０．２５ 比較例１ − − − − ０．８ これによれば、本発明のようにして得られた磁気記録媒
体は走行性が良いことが窺え、記録再生特性が良いこと
が判る。
体は走行性が良いことが窺え、記録再生特性が良いこと
が判る。
【００２４】又、バックコート膜が金属薄膜であるか
ら、帯電防止効果に優れ、ドロップアウトが少なく、再
生特性に優れている。
ら、帯電防止効果に優れ、ドロップアウトが少なく、再
生特性に優れている。
【００２５】
【効果】本発明によれば、走行性が良く、かつ、帯電防
止効果に優れ、そしてドロップアウトが少なく、再生特
性に優れた磁気記録媒体が得られる。
止効果に優れ、そしてドロップアウトが少なく、再生特
性に優れた磁気記録媒体が得られる。
【図１】本発明の実施に用いられる磁気記録媒体の製造
装置の全体概略図
装置の全体概略図
【図２】本発明の実施に用いられる磁気記録媒体の製造
装置の要部概略図
装置の要部概略図
【図３】本発明の実施により得られた磁気記録媒体の概
略図
略図
【図４】従来の磁気記録媒体の概略図
１ 真空容器 ６ 支持体 １１ａ，１１ｂ イオンガン １３ バックコート膜 １４ 磁性膜 １５ 潤滑膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 支持体の一面に金属薄膜型の磁性膜が、
他面に金属薄膜型の非磁性膜が設けられてなる磁気記録
媒体の製造方法であって、 前記非磁性膜にイオンを照射することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 非磁性膜に複数種類のイオンを照射する
ことを特徴とする請求項１の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 非磁性膜にイオンを異なる方向から照射
することを特徴とする請求項１または請求項２の磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23758593A JPH0793751A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23758593A JPH0793751A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793751A true JPH0793751A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17017504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23758593A Pending JPH0793751A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793751A (ja) |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP23758593A patent/JPH0793751A/ja active Pending
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