JPH079937B2 - 半導体装置の配線構造 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置内の配線法に関し、特に多層配線
の形状に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体装置の基板上の配線では、複数層の配線を
用いることが一般的であり、各層の配線は、その上下の
層の配線方向と直交していることが多い。第３図（ａ）
は従来の２層配線の断面図、同図（ｂ）は層間絶縁膜を
省略して示した平面図である。これらの図において、３
本の第１層配線11はある間隔で互いに平行に形成され、
その上部を第２層配線４がそれに直交する方向に敷設さ
れている。また、これらの層間には絶縁膜３が形成され
ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の半導体装置内配線では、下層の配線の間
隔がある範囲（配線の膜厚とのアスペクト比が１前後）
にある場合、下層の配線の段差によって上層の配線がく
びれて、断線や断面積の減少による耐電流量の減少など
が生じやすいなどの欠点がある。また、上層の配線のく
びれをなくすために、下層配線の間隔を広げることは同
一の領域内の配線本数の減少や、配線幅の減少を必要と
するなどの欠点がある。逆に、下層の配線の間隔を一律
に狭めると、下層の配線間の短絡や、配線の側面容量の
増加を招くという欠点がある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点に対し本発明では、複数本の平行隣接して敷
設されている下層配線の間隔を、その上層の直交して敷
設された配線との交差部近傍で、狭くすることにより、
上層の配線のくびれを少くし、上層配線の断線の発生を
防止している。

〔実施例〕

つぎに本発明を実施例により説明する。

第１図（ａ）は本発明の一実施例の断面図、同図（ｂ）
は層間絶縁膜を省略して示した平面図である。これらの
図において、３本の第１層配線１は互いに平行して形成
され、その上部に、層間絶縁膜３をはさんで、第２層配
線４が直交して敷設されている。しかして、３本の第１
層配線１は、第２層配線４との直交部近傍で線幅がそれ
ぞれ横にふくらませており、その結果、隣接線間間隔が
部分的に狭くされている。このように、上層配線と直交
する多数平行の下層配線の間隔が、前記直交する交差部
近傍で局所的に狭くされていることにより、下層配線の
段差による上層配線のくびれを小さくし断線事故が防止
される。他方、線間隔が狭くなるとそれだけ短絡の危険
は増大することになるが、本発明では線間隔は局部的に
狭くなるだけだから、短絡による歩留り低下は少ない。

第２図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例の断面図
と平面図である。第２図（ａ），（ｂ）において、４本
の平行する第１層配線２は、上層の配線４と直交する交
差部近傍では、両側に位置する２本の配線は一定の幅で
そのまま真直に伸びているが、中間の２本の配線は、幅
が一定でも、それぞれ両側の配線の方に出張った形に屈
曲されて接近して間隔が狭くされ、逆に２本の間が離れ
て間隔が広くされている。本例では、上層配線のくびれ
が最もきつい特定の間隔より、一方では狭く、他方では
広くすることにより、上層配線の断線が防止される。ま
た、配線幅が一定であるため、基板間容量や層間容量は
従来の配線と変わらない利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、上層配線との交差部で下
層配線の間隔を狭めることによって上層配線の断線や断
面積の減少を抑え、半導体装置の歩留や信頼性を向上で
きる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施例
の断面図および層間絶縁膜を省略した平面図である。第
２図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第２の実施例の
断面図および平面図である。第３図（ａ），（ｂ）は従
来の半導体装置の配線構造を示す断面図と層間絶縁膜を
省略した平面図である。 1,2,11……第１層（下層）配線、３……層間絶縁膜、４
……第２層（上層）配線。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】平行隣接して設けられた複数の下層配線
   と、これら下層配線を覆う絶縁膜によりこれら下層配線
   のいずれとも絶縁されてこれら下層配線と交差する上層
   配線とを有し、前記複数の下層配線の間隔が前記上層配
   線との交差部において他の部分よりも狭くされているこ
   とを特徴とする半導体装置の配線構造。