JPH08102466A - 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハー - Google Patents

半導体装置の製造方法及び半導体ウエハー

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JPH08102466A JP6237653A JP23765394A JPH08102466A JP H08102466 A JPH08102466 A JP H08102466A JP 6237653 A JP6237653 A JP 6237653A JP 23765394 A JP23765394 A JP 23765394A JP H08102466 A JPH08102466 A JP H08102466A
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semiconductor chip
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 各接合部の信頼性が高く、各界面の密着性が
高い半導体装置を大量に生産する。 【構成】 ウエハー４０上で、各々が外周縁部に複数の
電極パッド１１を備え、かつ複数の電極パッドを除くウ
エハー全面がパッシベーション膜１２で覆われた、複数
の半導体チップ領域を形成する。ウエハー上で、複数の
半導体チップ領域の各々に対して、一端がそれぞれ複数
の電極パッドに接続し、半導体チップ領域の内部に延在
するように複数の配線１４を形成する。ウエハー全面を
カバーコート膜１６で覆う。カバーコート膜に格子状に
複数の開口部１７を形成する。開口部にバンプ１８を形
成する。ウエハー上に形成された複数の半導体チップ領
域をスクライブライン１３に沿って個々の半導体チップ
に分割する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に高密度実装に適した半導体装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体パッケージは、小型軽量化、高速
化、高機能化という電子機器の要求に対応する為に、新
しい形態が次々に開発されている。半導体チップ（以
下、単にチップとも呼ぶ）の高集積化による多ピン化
と、装置の小型・薄型化の要求は厳しくなり、その両立
にはファインピッチ化が避けられない。よって、狭ピッ
チ化が可能なインナーリード接続とピッチを拡大できる
エリアアレイ接続は必要不可欠な技術になることは間違
いないと思われる。
【０００３】現在、チップとリードとの電気的接続、い
わゆるインナーリード接続（ＩＬＢ）には主にワイヤボ
ンディング（wire bonding）方式が用いられている。こ
こで、ワイヤボンディング方式とは、チップ上のボンデ
ィングパッドとパッケージのリードとの接続間を２０〜
３０μｍ径の細線により結線することをいう。ワイヤボ
ンディング方式には熱圧着法（thermo compression bon
ding) と超音波ボンディング法（ultrasonic bonding）
およびこれら両者の特徴を取り入れた超音波熱圧着法が
ある。
【０００４】しかしながら、多ピン化に伴い、パッドピ
ッチが狭くなり、接続が困難になってきた為、ワイヤボ
ンディング方式の代わりにワイヤレスボンディング（wi
reless bonding）方式が注目されている。ワイヤレスボ
ンディング方式とは、チップ上の全電極パッド（以下、
単にパッドとも呼ぶ）と特定のバンブ（bump）や金属リ
ードによりパッケージ上の端子に一度にボンディングす
る方法であり、ギャングボンディング（gang bonding）
とも呼ばれる。ワイヤレスボンディング方式には、ＴＡ
Ｂ（tape automated bonding）方式やフリップチップ
（flip chip ）方式がある。
【０００５】ＴＡＢ方式では、絶縁フィルム上にエッチ
ングして作った金属箔のインナーリンドをチップの電極
パッド上に形成されたバンプとボンディングする。この
為、薄型・小型実装化に対してもメリットがある。ＴＡ
Ｂ方式はテープキャリア方式とも呼ばれる。一方、フリ
ップチップ方式は、チップの能動素子面に半田バンプを
形成し、チップを裏返して基板に直接接続する方式であ
る。その為、多ピン・狭ピッチ化に対応でき、接続配線
長が極めて短い為、高速化や低ノイズ化にも有利であ
る。
【０００６】とにかく、ＴＡＢ方式やフリップチップ方
式のいずれの方式にしても、チップとフィルム（パッケ
ージ）との電気的に接続に、それらの間に設けれたのバ
ンプを使用している。このような方式は、例えば、特開
平５−１２９３６６号公報や特開平６−７７２９３号公
報に開示されている。
【０００７】また、本願出願人は、ワイヤレスボンディ
ング方式の一種ではあるが、半導体チップとキャリアフ
ィルムとを電気的に接続する新方式を提案している（平
成６年５月２５日出願、特願平６−１１０８５７号、発
明の名称「フレキシブルフィルム及びこれを有する半導
体装置」。この新方式では、チップとキャリアフィルム
との電気的接続にバンプを使用せず、バンプをキャリア
フィルムのチップが搭載されない側の面に形成してい
る。
【０００８】以下、図３を参照して、上記特願平６−１
１０８５７号に開示された、半導体ベアチップとキャリ
アフィルムとを組立工程で電気的に接続して、フィルム
キャリア半導体装置を製造する従来の製造方法について
説明する。
【０００９】まず、図３（Ａ）に示すように、フィルム
キャリア半導体装置を構成するのに必要な部材は、半導
体ベアチップ１０とキャリアフィルム２０と接着フィル
ム３０である。
【００１０】キャリアフィルム２０は、ポリイミド系有
機絶縁フィルム２１を有する。この絶縁フィルム２１の
一主面には、半導体ベアチップ１０への接続部を有する
配線層２２が形成されている。また、絶縁フィルム２１
には、スルーホールが開孔しており、このスルーホール
の一端は配線層２２の接続部とは異なる部分に接し、他
端は絶縁フィルム２１の裏面に到達している。スルーホ
ールは導電極２３で埋められている。絶縁フィルム２１
の配線層２２の接続部に対応する部分に開孔部が設けら
れ、この開孔部に充填物２４が挿入されている。尚、キ
ャリアフィルム２０の詳細な構造及びその製造方法につ
いては、上記特願平６−１１０８５７号を参照された
い。
【００１１】接着フィルム３０チップサイズより小さく
切断されており、その厚さは数十μｍ程度である。
【００１２】半導体ベアチップ１０は、図４に示すよう
に、周知のウエハー製造技術によりウエハー４０上に形
成された多数のチップ領域をスクライブライン１３に沿
ってダイシング（dicing）により個々のチップに分割し
たものである。一般に、このダイシングはダイシングソ
ー（dicing saw）方式によって行われる。図示の半導体
ベアチップ１０では、電極パッド１１がチップ外周縁部
に設置されているが、活性領域に配置されていても良
い。電極パッド１１を形成する金属としては一般的にア
ルミニウム系合金が使用される。また、半導体ベアチッ
プ１０の表面に形成されているパッシベーション膜１２
としては、ポリイミド、窒化ケイ素膜、酸化ケイ素膜等
が使用される。
【００１３】図３（Ｂ）に移って、上記切断済み接着フ
ィルム３０を半導体ベアチップ１０上に精度良く位置決
めしてセッティングする。尚、接着フィルム３０として
熱可塑性樹脂を用いる場合、接着フィルム３０が溶融す
る温度まで半導体ベアチップ１０側から接着フィルム３
０を加熱することで仮に固定できる。この時、ボイドが
トラップされないように、接着フィルム３０を設置、加
熱する必要がある。
【００１４】図３（Ｃ）に移って、ＴＡＢ方式による接
続で用いられるシングルポイントボンダーを流用し、キ
ャリアフィルム２０と接着フィルム３０が仮固定された
半導体ベアチップ１０とを位置合わせした後、インナー
リード接続する。この接合は、半導体ベアチップ１０の
電極パッド１１を構成するアルミニウムとキャリアフィ
ルム２０の配線層２２を構成する銅の合金化によって強
固なものとなる。
【００１５】次に、図３（Ｄ）に移って、キャリアフィ
ルム２０と半導体ベアチップ１０とをそれらの間に接着
フィルム３０を挟んで貼り合わせる為に、キャリアフィ
ルム２０側或いは半導体ベアチップ１０側から加熱、加
圧を数秒間行う。そのことによって、キャリアフィルム
３０と半導体ベアチップ１０とは接着する。
【００１６】ところで、キャリアフィルム２０と半導体
ベアチップ１０との接着は、図３（Ｂ）〜（Ｄ）に示し
た方法に限定されない。例えば、接着フィルム３０はキ
ャリアフィルム２０側にセッティングしても構わない。
また、キャリアフィルム２０と半導体ベアチップ１０と
をそれらの間に接着フィルム３０を挟んで位置精度よく
貼り合わせた後に、インナーリード接続しても良い。ま
た、予めウエハー状態で接着層をチップ表面に形成して
おいても構わない。
【００１７】次に、図３（Ｅ）では、選別用パッド２５
を利用して通常のテープキャリヤパッケージ（ＴＣＰ）
と同様の方法で、電気選別・ＢＴを実施する。キャリア
フィルム２０の外形や寸法等、ＥＩＡＪに準拠するよう
設計することで、ソケット、ボール等の選別治具は共有
化することができる。
【００１８】図３（Ｆ）に移って、チップ裏面にレーザ
ー捺印で品名表示後、金型を用い外形切断する。切りし
ろを考慮に入れ、通常、片端１００μｍ程度づつやや大
きめに切断するが、ダイシングソーやレーザー等により
高精度に切断することも可能である。
【００１９】最後に、図４（Ｇ）に移って、キャリアフ
ィルム２０の基板対応面に同一ピッチで格子状に配置さ
れた外部接続用パッドに半田バンプ２６を形成する。こ
の半田バンプ２６の形成方法は、例えば、特開昭４９−
５２９７３号公報に開示された方法を使用できる。すな
わち、半田から成るワイヤをワイヤボンディング法を使
用してボールを形成し、ボールをパッド上に接合後、ボ
ールのみを残してワイヤを切断する。以上のような工程
を経て、フィルムキャリア半導体装置が完成する。
【００２０】ところで、半導体装置にも種々の種類があ
るが、その中でもメモリや液晶ドライバは大量生産に向
いている。このような品種に適用していくことを考えた
場合、上述したような、半導体ベアチップ１０とキャリ
アフィルム２０とを組立工程で電気的に接続する製法で
は、半導体装置を大量に生産することは困難である。そ
のため、半導体装置の大量生産には、ウエハー上で処理
するバッチ式が有効と考えられる。
【００２１】このようなウエハー４０上でバンプを形成
するバッチ式が知られている。この方法はＩＢＭによっ
て開発された技術で、Ｃ４技術と呼ばれており、Ａｌ電
極パッド（チップ電極）にバリヤメタルを形成し、半田
バンプを蒸着して形成する方法である。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
ー上にバンプを形成するとしても、半導体チップ１０の
電極パッド１１はチップ周辺縁部に配置されるので、ウ
エハー上のバンプも必然的にチップの電極パッドにそろ
えて各パッド上に形成されることになる。一方、チップ
の電極パッドをチップ全面に配置することも考えられる
が、そのためにはパッドを全面に配置できるような多層
電極構造を採用しなければならない。この構造は製造が
困難であるとともに、表面の平坦性にも大きな影響を及
ぼし、得策ではない。さらに、チップサイズのシュリン
ク化、多ピン化を両立させようとすると、電極パッドの
狭ピッチ化が進んでくるので、半田バンプを電極パッド
に対応した位置に形成したり実装することは実際上困難
になってきており、かつこれを多層構造で解決しようと
しても上述のとおり製造困難におちいるのは明白であ
る。
【００２３】一方、上述した半導体ベアチップ１０とキ
ャリアフィルム２０とをチップ分割後の組立工程で電気
的に接続する製法では、半導体ベアチップ１０とキャリ
アフィルム２０との間の接合部に信頼性の点で問題があ
る。また、半導体ベアチップ１０とキャリアフィルム２
０との界面の密着にも問題が起こる虞があった。
【００２４】したがって本発明の目的は、電極パッドと
は異なる位置にバンプを有する半導体装置を大量に製造
できる方法を提供することにある。
【００２５】本発明の他の目的は、耐Ｔ／Ｃ性が良好な
半導体装置を製造する方法を提供することにある。
【００２６】本発明の更に他の目的は、耐湿性が良好な
半導体装置を製造する方法を提供することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ウエハ
ー上で、各々が外周縁部に複数の電極パッドを備え、か
つ複数の電極パッドを除くウエハー全面がパッシベーシ
ョン膜で覆われた、複数の半導体チップ領域を形成する
工程と、ウエハー上で、複数の半導体チップ領域の各々
に対して、一端がそれぞれ複数の電極パッドに接続し、
半導体チップ領域の内部に延在するように複数の配線を
形成する工程と、ウエハー全面をカバーコート膜で覆う
工程と、カバーコート膜に格子状に複数の開口部をそれ
ぞれ形成する工程と、複数の開口部に複数のバンプをそ
れぞれ形成する工程と、ウエハー上に形成された複数の
半導体チップ領域をスクライブラインに沿って個々の半
導体チップに分割する工程とを含む半導体装置の製造方
法が得られる。
【００２８】上記半導体装置の製造方法において、半導
体チップ領域の内部に延在される配線が複数の開口部に
おいて露出されるように形成されていることが好まし
い。また、バンプがスクライブラインを避けて形成され
ていることが望ましい。さらに、バンプは電極パッドを
避けて形成されていることが好ましい。
【００２９】また、本発明によれば、複数の半導体チッ
プを収容する半導体ウエハーにおいて、各半導体チップ
間のスクライブラインを除くウエハー全面に格子状のバ
ンプ電極を形成したことを特徴とする半導体ウエハーが
得られる。
【００３０】
【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明す
る。
【００３１】図１に本発明の一実施例による半導体装置
の製造方法を示す。まず、図１（Ａ）に示すように、周
知のウエハー製造工程によって、ウエハー４０上に複数
の半導体チップ領域を形成する。複数の半導体チップ領
域の各々は外周縁部に複数の電極パッド１１を備えてい
る。
【００３２】次に、図１（Ｂ）に移って、ウエハー４０
上をスピンコートでパッシベーション膜１２で覆う。こ
のパッシベーション膜１２の厚さは２０μｍ以下であ
る。次に、周知の露光、エッチングにより、複数の電極
パッド１１を開口する。これにより、複数の電極パッド
１１を除くウエハー４０全面がパッシベーション膜１２
で覆われる。これは、図４に示したウエハー４０であ
り、前述したように、従来においては、このウエハー４
０に形成された複数の半導体チップ領域をスクライブラ
イン１３に沿ってダイシングにより個々の半導体ベアチ
ップに分割している。本発明では、この状態ではまだダ
イシングを行わない。
【００３３】図１（Ｃ）に移って、ウエハー４０上で、
複数の半導体チップ領域の各々に対して、一端がそれぞ
れ複数の電極パッド１１に接続し、半導体チップ領域の
内部に延在するように複数のＡｌ配線１４を形成する。
このＡｌ配線１４の形成は、マスクを利用し、スパッタ
などの薄膜形成技術により行う。Ａｌ配線１４の厚さは
１μｍ以下である。
【００３４】図１（Ｄ）に移って、Ａｌ配線１４上にＮ
ｉメッキ１５を施す。Ｎｉメッキ１５の代わりに、半田
のバリヤメタルになり得る金属、例えば、Ｃｕメッキを
使用してもよい。このＮｉメッキ１５の厚さは、半田接
続部の信頼性を確保し、かつチップと実装基板との熱膨
脹差によって発生する熱応力を吸収する為に、最低でも
５μｍ程度の厚みが必要である。本例では、Ｎｉメッキ
１５の厚さを１０μｍ程度としている。
【００３５】図１（Ｅ）に移って、ウエハー４０全面を
カバーコート膜１６で覆う。このカバーコート膜１６と
しては、例えばポリイミドが使用され、その厚さは２０
μｍ以下である。引き続いて、カバーコート膜１６に、
後述する半田バンプを形成する箇所に格子状に複数の開
口部１７を形成する。この開口部１７の形成はエッチン
グやレーザ加工により行う。この開口部１７でＮｉメッ
キ１５の表面が露出する。この露出したＮｉメッキ１５
の表面にＡｕメッキ処理を施す。これは、後述する半田
バンプ形成時の不良率を抑えるためである。
【００３６】図１（Ｆ）に移って、複数の開口部１７に
ぞれぞれ複数の半田バンプ１８を形成する。半田バンプ
（バンプ電極）１８の高さは１００μｍ程度である。こ
の半田バンプ１８は、例えば以下のような方法で形成で
きる。先ず、半田リボンをダイスとポンチの組み合わせ
で打ち抜くことによって半田片を形成する。次に、半田
片をフラックス等の粘着物で開口部１７に固着する。最
後に、熱処理及びフラックス洗浄することで半田バンプ
１８を形成する。
【００３７】図２にこの状態のウエハー４０を示す。図
２に示されるように、各半導体チップ間のスクライブラ
イン１３を除くウエハー４０全面に格子状のバンプ電極
１８が形成されている。半導体チップ領域の内部に延在
されるＡｌ配線１４が複数の開口部１７を通るように配
設されている。バンプ電極１８はスクライブライン１３
を避けて形成されている。さらに、バンプ電極１８は電
極パッド１１を避けて形成されている。
【００３８】最後に、図１（Ｇ）に移って、ウエハー４
０上に形成された複数の半導体チップ領域をスクライブ
ライン１３に沿ってダイシングにより個々の半導体チッ
プ１０に分割する。
【００３９】図４に示す従来のウエハーでは電極パッド
１１のピッチが０．１ｍｍ程度である。これに対して、
図２に示すウエハーではバンプ電極１８のピッチを０．
５ｍｍ程度にまで広げることができる。したがって、図
１（Ｆ）の半田バンプ１８を形成する際、バンプ電極同
士のショート不良を激減できる。また、実装基板上に実
装する場合の実装歩留まりも向上する。更に、標準化も
し易いという利点がある。また、半田バンプ１８とＮｉ
メッキ１５との結合強度も高い。
【００４０】以上、本発明を実施例によって説明した
が、本発明は上記実施例に限定せず、本発明の趣旨を逸
脱しない範囲内で種々の変形・変更をしても良いのは勿
論である。例えば、バンプとして半田バンプの代わりに
Ａｕバンプを使用しても良い。この場合には、Ｎｉメッ
キ１５を施す工程やＡｕメッキ処理を省くことができ
る。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハー上で各半導体チップ領域に外周縁部に形成され
ている電極パッドを内側に引き回し、格子状にバンプ電
極を再配列したので、大量に半導体装置を生産すること
ができる。また、従来のチップ製造工程の延長であるの
で、新規投資が不要である。さらに、従来のような半導
体ベアチップとキャリアフィルムとの接合部での信頼性
上の不安がなく、耐Ｔ／Ｃ性が良好である。また、各界
面の密着性が高いので、耐湿性も良好である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
【図２】本発明に係る半導体ウエハーを示す図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の丸で囲んだ部分の拡
大図、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ´線で切った断面図であ
る。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
【図４】従来の半導体ウエハーを示す図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）は（ａ）の丸で囲んだ部分の拡大図、
（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ´線で切った断面図である。
【符号の説明】
１０ 半導体チップ １１ 電極パッド １２ パッシベーション膜 １３ スクライブライン １４ Ａｌ配線 １５ Ｎｉメッキ １６ カバーコート膜 １７ 開口部 １８ 半田バンプ（バンプ電極） ４０ ウエハー

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウエハー上で、各々が外周縁部に複数の
    電極パッドを備え、かつ前記複数の電極パッドを除く前
    記ウエハー全面がパッシベーション膜で覆われた、複数
    の半導体チップ領域を形成する工程と、 前記ウエハー上で、前記複数の半導体チップ領域の各々
    に対して、一端がそれぞれ前記複数の電極パッドに接続
    し、半導体チップ領域の内部に延在するように複数の配
    線を形成する工程と、 前記ウエハー全面をカバーコート膜で覆う工程と、 前記カバーコート膜に格子状に複数の開口部をそれぞれ
    形成する工程と、 前記複数の開口部に複数のバンプをそれぞれ形成する工
    程と、 前記ウエハー上に形成された前記複数の半導体チップ領
    域をスクライブラインに沿って個々の半導体チップに分
    割する工程とを含む半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記半導体チップ領域の内部に延在され
    る配線が前記複数の開口部において露出されるように形
    成されている請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記バンプが前記スクライブラインを避
    けて形成されている請求項１記載の半導体装置の製造方
    法。
  4. 【請求項４】 前記バンプは前記電極パッドを避けて形
    成されている請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 複数の半導体チップを収容する半導体ウ
    エハーにおいて、各半導体チップ間のスクライブライン
    を除くウエハー全面に格子状のバンプ電極を形成したこ
    とを特徴とする半導体ウエハー。
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