JPH08178992A

JPH08178992A - 回路基板検査方法及びその装置

Info

Publication number: JPH08178992A
Application number: JP6335715A
Authority: JP
Inventors: Katsuya Kosuge; 克也小菅
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-12-21
Filing date: 1994-12-21
Publication date: 1996-07-12

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、微細ピツチのランドパターンをもつ
回路基板のオープン・シヨートチエツクを容易にさせ得
る回路基板検査方法及びその装置の実現を目的とするも
のである。【構成】回路基板の配線パターンのうち、微細ピツチで
形成された複数の第１のランドを一括してシヨートさせ
た後、各第１のランドと、各第１のランドにそれぞれ対
応する第２のランドとの間の導電性をそれぞれ検査する
ようにして配線パターンに対するオープン検査を行う一
方、各第１のランドをシヨートさせずに所定の第２のラ
ンド同士間の導通性を検査するようにして配線パターン
に対するシヨート検査を行うようにしたことにより、微
細ピツチのランドパターンをもつ回路基板のオープン・
シヨートチエツクを容易にさせ得る回路基板検査方法及
びその装置を実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【目次】以下の順序で本発明を説明する。産業上の利用分野従来の技術（図８〜図１０）発明が解決しようとする課題（図８〜図１３）課題を解決するための手段（図１〜図７）作用（図１〜図７）実施例（１）実施例によるオープン・シヨート検査方法（図１
及び図２）（２）実施例による回路基板検査装置の全体構成（図３
〜図７）（３）実施例の動作（図１〜図７）（４）実施例の効果（図１〜図７）（５）他の実施例（図１〜図７）発明の効果

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は、回路基板検査方法及び
その装置に関し、例えば回路基板の配線パターンが所定
状態に形成されているか否かを検査する回路基板検査方
法及びその装置に適用して好適なものである。

【０００３】

【従来の技術】従来、回路基板の製造工程の１つに、絶
縁基板上に形成された配線パターン（以下、所定の第１
及び第２のランドと、これら第１及び第２のランドを電
気的につなぐラインとを合わせてパターンと呼び、絶縁
基板上に形成された全てのパターンを合わせて配線パタ
ーンと呼ぶ）が予め定められた所定状態に形成されてい
るか否かを検査する、いわゆるオープン・シヨート（ｏ
／ｓ）検査と呼ばれる工程がある。

【０００４】通常、この種の工程は、図８に示すよう
に、検査対象の回路基板１の各ランド２Ａ、２Ｂ、２
Ｃ、２Ｄ、２Ｅ、２Ｆに抵抗値測定器（図示せず）と電
気的に接続された探針３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、
３Ｆをそれぞれ接触させ、所定の各探針３Ａ〜３Ｆ間の
電気抵抗値をそれぞれ測定することにより各パターン４
Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄの切断（オープン）の有無や各パ
ターン４Ａ〜４Ｄ間の短絡（シヨート）の有無を検出す
るようにして行われる。実際上例えば図８の回路基板１
に対するオープン・シヨート検査では、上述のように各
ランド２Ａ〜２Ｆにそれぞれ探針３Ａ〜３Ｆを接触させ
た後、まずパターン４Ａを介して導通すべき探針３Ａ及
び探針３Ｂ間の抵抗値を測定する。この際このパターン
４Ａが図９（Ａ）のように正しく形成されている場合に
は、抵抗値としてパターン４Ａの材質、厚み及び長さ等
で定まる所定値が得られる。

【０００５】これに対してパターン４Ａが図９（Ｂ）の
ようにオープンしている場合には、探針３Ａ及び探針３
Ｂ間の抵抗値はパターン４Ａが正しく形成されていると
きに比べてはるかに大きな値を示す。従つて探針３Ａ及
び探針３Ｂ間の抵抗値に基づいてパターン４Ａのオープ
ンの有無を確認することができる。続いてパターン４
Ｂ、スルーホール５及びパターン４Ｃを介して導通すべ
き探針３Ｃ及び探針３Ｄ間と、パターン４Ｄを介して導
通すべき探針３Ｅ及び探針３Ｆ間との各抵抗値をそれぞ
れ順次測定することにより、各パターン４Ｂ〜４Ｄやス
ルーホール５に対するオープンの有無の検査（以下、こ
れら一連の検査をオープンテストと呼ぶ）を行う。

【０００６】次いで導通しないはずの探針３Ａ及び探針
３Ｃ間の抵抗値を測定する。このときパターン４Ａ及び
パターン４Ｂが図１０（Ａ）のように正しく形成されて
いる場合には、探針３Ａ及び探針３Ｃ間の抵抗値として
数〔ＭΩ〕の非常に大きな値が得られる。これに対して
パターン４Ａ及びパターン４Ｂ間が例えば図１０（Ｂ）
のようにシヨートしている場合には、探針３Ａ及び探針
３Ｂ間の抵抗値はパターン４Ａ及びパターン４Ｂが正し
く形成されているとき（すなわちシヨートしていないと
き）に比べてはるかに小さな値を示す。従つて探針３Ａ
及び探針３Ｃ間の抵抗値に基づいてパターン４Ａ及びパ
ターン４Ｂ間におけるシヨートの有無を確認することが
できる。

【０００７】さらに同様にして、導通しないはずの探針
３Ｃ及び探針３Ｆ間の抵抗値を測定することにより、パ
ターン４Ｃ及びパターン４Ｄ間におけるシヨートの有無
を検査（以下、これら一連の検査をシヨートテストと呼
ぶ）する。このようにしてこの回路基板１に対するオー
プン・シヨート検査を行うことができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところでこの種のオー
プン・シヨート検査では、通常、ｏ／ｓチエツカ（オー
プン・シヨートチエツカ）と呼ばれる所定の検査装置を
用いて行われる。ｏ／ｓチエツカは、検査対象となる回
路基板１（図８）のランドパターンに応じた配置で複数
の探針３Ａ〜３Ｆが配置された単数又は複数枚の測定ボ
ードを有し、当該測定ボードを各探針３Ａ〜３Ｆの先端
がそれぞれ回路基板１の対応するランド２Ａ〜２Ｆに位
置合わせさせて接触させた後、予め入力されたプログラ
ムに従つて所定の探針３Ａ〜３Ｆ間の抵抗値を順次測定
して、測定結果がそれぞれ所定の範囲内に入つているか
否かを順次判断することにより、当該回路基板１の配線
パターンに対するオープン・シヨート検査を行い得るよ
うになされている。

【０００９】ところが、近年、図１１に示すように、回
路基板に形成されるランド１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ間の
ピツチＨ₁は高密度実装技術の向上に伴つてますます狭
く（例えば0.3 〔mm〕程度）なつてきており、これら各
ランド１０Ａ〜１０Ｃにそれぞれ対応させて各探針が狭
ピツチで配置された測定ボードを作成することが非常に
困難になつてきた。またこのような高密度実装用の回路
基板では、必然的に各ランド１０Ａ〜１０Ｃの大きさも
小さくなる。ところが図１２（Ａ）及び（Ｂ）からも明
らかなように、絶縁基板２０上に形成されたランド２１
Ａ、２１Ｂが小さくなると、当該ランド２１Ａ、２１Ｂ
に対する探針２２の位置の許容範囲Ｗ₁、Ｗ₂も小さく
（Ｗ₁＞Ｗ₂）なるため、各探針２２と対応するランド
２１Ｂとの位置合わせが困難な問題もあつた。

【００１０】さらに、従来から回路基板の非常に小さな
ランドに対する部品の接合では当該ランドの表面性が問
題となることが知られている。ところが、通常、探針が
あてられたランドを微視的に見ると小さな傷が形成され
ており、これが図１３（Ａ）に示すように大きなランド
２１Ａの場合には傷２１ＡＸによる現実的な問題は生じ
ないものの、図１２（Ｂ）に示すように小さなランド２
１Ｂの場合には当該ランド２１Ｂ表面の傷２１ＢＸの占
める割合が大きいために部品実装に影響を受け易くなる
問題があつた。

【００１１】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、微細ピツチのランドパターンをもつ回路基板のオー
プン・シヨート検査を容易にさせ得る回路基板検査方法
及びその装置を提案しようとするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、回路基板（４４）の配線パターン
が所定状態に形成されているか否かを検査する回路基板
検査方法において、配線パターンのうち、微細ピツチで
形成された複数の第１のランド（４０Ａ〜４０Ｆ）を一
括してシヨートさせた後、各第１のランド（４０Ａ〜４
０Ｆ）と、各第１のランド（４０Ａ〜４０Ｆ）に配線パ
ターンの対応する各ラインをそれぞれ介して電気的につ
ながるべき各第２のランド（４３Ａ〜４３Ｆ）との間の
導電性をそれぞれ検査することにより配線パターンに対
するオープン検査を行う第１の工程と、各第１のランド
（４０Ａ〜４０Ｆ）をシヨートさせずに所定の第２のラ
ンド（４３Ａ〜４３Ｆ）間の導通性を検査することによ
り配線パターンに対するシヨート検査を行う第２の工程
とを設けるようにした。また本発明においては、第１の
工程における第１のランド（４０Ａ〜４０Ｆ）を一括し
てシヨートさせる作業を、第１のランド（４０Ａ〜４０
Ｆ）と一括して面接触する通電性の導電手段（５０）を
用いて行うようにした。

【００１３】さらに本発明においては、検査対象の回路
基板（４４）、（７０）の配線パターンが所定状態に形
成されているか否かを検査する回路基板検査装置におい
て、回路基板（７０）を所定状態に位置決め保持する基
板保持手段（６２）と、基板保持手段（６２）によつて
所定状態に位置決め保持された回路基板（７０）の上配
線パターンのうち、微細ピツチで形成された複数の第１
のランド（７２Ａ〜７２Ｃ）を一括してシヨートさせる
ツール（６７）と、各第１のランド（７２Ａ〜７２Ｃ）
と配線パターンの対応するラインをそれぞれ介して電気
的につながるべき各第２のランド（７１Ａ〜７１Ｃ）に
対してそれぞれ個別に電気的に接触する複数の導電部材
（６５Ａ〜６５Ｃ）と、ツール（５０）、（６７）及び
各導電部材（６５Ａ〜６５Ｃ）間の各導電性並びに所定
の導電部材（６５Ａ〜６５Ｃ）間の各導電性をそれぞれ
検査する導電性検査手段とを設け、回路基板（７０）の
各第１のランド（７２Ａ〜７２Ｃ）をツール（６７）に
よつて一括してシヨートさせると共に各導電部材（６５
Ａ〜６５Ｃ）をそれぞれ対応する第２のランド（７１Ａ
〜７１Ｃ）に接触させながら、導電性検査手段によつて
ツール（６７）及び各導電部材（６５Ａ〜６５Ｃ）間の
各導電性をそれぞれ検査することにより配線パターンに
対してオープン検査を行う一方、各第１のランド（７２
Ａ〜７２Ｃ）をシヨートさせずに各導電部材（６５Ａ〜
６５Ｃ）をそれぞれ対応する第２のランド（７１Ａ〜７
１Ｃ）に接触させながら、導電性検査手段によつて所定
の導電部材（６５Ａ〜６５Ｃ）間の各導電性をそれぞれ
検査することにより配線パターンに対してシヨート検査
を行うようにした。

【００１４】さらに本発明においては、ツール（５０）
は、各第１のランド（７２Ａ〜７２Ｃ）と一括して面接
触する通電性の導電部（６７Ｂ）を有するようにした。

【００１５】

【作用】回路基板（４４）、（７０）の配線パターンの
うち、微細ピツチで形成された複数の第１のランド（４
０Ａ〜４０Ｆ）、（７２Ａ〜７２Ｃ）を一括してシヨー
トさせた後、各第１のランド（４０Ａ〜４０Ｆ）、（７
２Ａ〜７２Ｃ）と、各第１のランド（４０Ａ〜４０
Ｆ）、（７２Ａ〜７２Ｃ）にそれぞれ配線パターンのラ
インを介して電気的につながるべき各第２のランド（４
３Ａ〜４３Ｆ）、（７１Ａ〜７１Ｃ）との間の導電性を
それぞれ検査するようにして配線パターンに対するオー
プン検査を行う一方、各第１のランド（４０Ａ〜４０
Ｆ）、（７２Ａ〜７２Ｃ）をシヨートさせずに所定の第
２のランド（４３Ａ〜４３Ｆ）、（７１Ａ〜７１Ｃ）間
の導通性を検査するようにして配線パターンに対するシ
ヨート検査を行うようにしたことにより、従来作成が難
しかつた微細ピツチのランドパターンをもつ回路基板
（４４）、（７０）に対応する測定ボートも、当該測定
ボードを使用する場合の高精度な位置合わせも必要とせ
ずにこの種の回路基板（４４）、（７０）に対するオー
プン・シヨート検査を行うことができ、かくして微細ピ
ツチのランドパターンをもつ回路基板のオープン・シヨ
ート検査を容易にさせ得る回路基板検査方法及びその装
置を実現できる。

【００１６】

【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。

【００１７】（１）実施例によるオープン・シヨート検
査方法図１は、実施例による回路基板のオープン・シヨート検
査のプロセスを示すものであり、例えば図２のような微
細ピツチで形成された複数の第１のランド（以下、これ
らをそれぞれ微細ピツチランドと呼ぶ）４０Ａ、４０
Ｂ、４０Ｃ、４０Ｄ、４０Ｅ、４０Ｆと、これら各微細
ピツチランド４０Ａ〜４０Ｆに各パターン４２Ａ、４２
Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄ、４２Ｅ、４２Ｆの各ラインをそれ
ぞれ介して電気的につながれた通常の第２の各ランド
（以下、これを通常ランドと呼ぶ）４３Ａ、４３Ｂ、４
３Ｃ、４３Ｄ、４３Ｅ、４３Ｆとがパターン面４４Ａ上
に形成されてなる検査対象の回路基板４４を、まず所定
状態に位置合わせする（図１のステツプＳＰ１）。

【００１８】続いて図２（Ｂ）に示すように、この回路
基板４４の各微細ピツチランド４０Ａ〜４０Ｆに対し
て、これら各微細ピツチランド４０Ａ〜４０Ｆに一括し
てそれぞれ接触し得るツール５０を接触させると共に、
各通常ランド４３Ａ〜４３Ｆにそれぞれ個別に探針５１
Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄ、５１Ｅ、５１Ｆの先端を
接触させる（図１のステツプＳＰ２）。この際ツール５
０としては、接触する全ての微細ピツチランド４０Ａ〜
４０Ｆに対して導通をもち得るものを使用する。次いで
ツール５０と各探針５１Ａ〜５１Ｆとの間の抵抗値をそ
れぞれ測定する（図１のステツプＳＰ３）。この際例え
ば対応するパターン４２Ａ〜４２Ｆがオープンしている
と、ツール５０及び探針５１Ａ〜５１Ｆ間の抵抗値はオ
ープンしていない場合に比べて非常に大きな値を示す。
従つて測定によつて得られる抵抗値に基づいて各パター
ン４２Ａ〜４２Ｆのオープンの有無を検査することがで
きる。

【００１９】次いで各探針５１Ａ〜５１Ｆをそれぞれ対
応する各通常ランド４３Ａ〜４３Ｆに接触させたまま、
ツール５０だけを回路基板４４の各微細ピツチランド４
０Ａ〜４０Ｆからはずした後（図１のステツプＳＰ
４）、各探針５１Ａ〜５１Ｆ間の抵抗値を測定する（図
１のステツプＳＰ５）。このとき回路基板４４の各パタ
ーン４２Ａ〜４２Ｆが正しく形成されている場合には、
各探針５１Ａ〜５１Ｆ間の抵抗値はそれぞれ非常に大き
な値を示す。これに対してパターン４２Ａ〜４２Ｆがシ
ヨートしている場合には、対応する各探針５１Ａ〜５１
Ｆ間の抵抗値は非常に低い値を示す。従つて測定によつ
て得られる抵抗値に基づいて、各パターン４２Ａ〜４２
Ｆ間のシヨートの有無を確認することができる。従つて
このように各微細ピツチランド４０Ａ〜４０Ｆに対して
一括して接触するツール５０を用いることによつて、個
別に探針５１Ａ〜５１Ｆをあてる（接触させる）ことが
できないような微細ピツチのランド４０Ａ〜４０Ｆをも
つ回路基板４４に対しても、オープン・シヨート検査を
正しく行うことができる。

【００２０】（２）実施例による回路基板検査装置の全
体構成ここで図３及び図４は、上述したオープン・シヨート検
査方法を行う回路基板検査装置６０の構成例を示すもの
であり、検査対象の回路基板を、架台６１上に配置され
たステージ６２上に載せるようにしてセツトするように
なされている。ステージ６２は、矢印ｘで示す左右方向
（以下、この方向をｘ方向と呼ぶ）、矢印ｙで示す前後
方向（以下、この方向をｙ方向）及び矢印θで示す回転
方向（以下、この方向をθ方向と呼ぶ）に自在に移動で
き、セツトされた回路基板を所定の検査位置にまで移動
させてこの検査位置において保持し得るようになされて
いる。

【００２１】またステージ６２上方には、架台６３によ
つて矢印ｚで示す上下方向（以下、これをｚ方向と呼
ぶ）に移動自在に支持されたプレート６４が配設されて
いると共に、当該プレート６４には検査対象の回路基板
の通常ランドの形成位置に応じた位置関係で複数の探針
６５Ａ、６５Ｂ、６５Ｃが貫通するように固着され、か
つ各探針６５Ａ〜６５Ｃはコードを介して図示しない抵
抗測定器と電気的に接続されている。これによりこの回
路基板検査装置６０では、検査対象の回路基板が検査位
置に位置決め保持された状態において、プレート６４が
初期状態の高さ位置から下降することによつて、各探針
６５Ａ〜６５Ｃの先端部をそれぞれ回路基板の対応する
各通常ランドに接触させることができると共に、この状
態において各探針６５Ａ〜６５Ｃ間の抵抗値を測定し得
るようになされている。

【００２２】さらにプレート６４には、回路基板に設け
られた複数の微細ピツチランドの形成位置に対応させて
開口６４Ａが設けられていると共に、ステージ６２上に
は、当該プレート６４の開口６４Ａを挿通し得るよう
に、かつ駆動ねじ６６を介して架台６１の突起部６１Ａ
に支持されるようにして微細ピツチランド用のツール６
７が配置されている。この場合駆動ねじ６６は、図示し
ない駆動機構によりその軸の回りに自在に回転し得るよ
うになされ、かくして螺挿するツール６７を必要に応じ
てプレート６４とは個別にｚ方向に自在に移動させ得る
ようになされている。またツール６７は、図５に示すよ
うに、その本体部６７Ａの下端部に金線をまとめた導通
部６７Ｂが設けられて構成されており、プレート６４の
開口６４Ａを介して導通部６７Ｂの先端面と対向する回
路基板の各微細ピツチランドに対して当該先端面を一括
して当接させ得るようになされている。この場合ツール
６７の導通部６７Ｂは、コードを介して上述した抵抗値
測定器に電気的に接続されている。

【００２３】かくしてこの回路基板検査装置６０では、
ステージ６２によつて検査位置に位置決め保持された回
路基板の各微細ピツチランドに対して、必要に応じてツ
ール６７の導通部６７Ｂの先端面を接触させることによ
りこれら各微細ピツチランドを一括してシヨートさせる
ことができる一方、ツール６７と各探針６５Ａ〜６５Ｃ
との間の抵抗値を抵抗値測定器によつて測定し得るよう
になされいる。従つてこの回路基板検査装置６０では、
動作時、まずステージ６２が駆動することにより、図６
（Ａ）のように当該ステージ６２上にセツトされた検査
対象の回路基板７０を検査位置にまで移動させる。これ
により図６（Ｂ）及び図７（Ａ）のように回路基板７０
の対応する通常ランド７１Ａ、７１Ｂ、７１Ｃ及び微細
ピツチランド７２Ａ、７２Ｂ、７２Ｃを、それぞれ対応
する各探針６５Ａ〜６５Ｃ又はツール５０と位置合わせ
する。

【００２４】続いて架台６３（図３）が下降することに
よりプレート６４を下降させると共に、駆動ねじ６６
（図３）の駆動機構が駆動することによりツール６７を
下降させ、かくして図７（Ｂ）に示すように、各探針６
５Ａ〜６５Ｃをそれぞれ回路基板７０の対応する通常ラ
ンド７１Ａ〜７１Ｃにそれぞれ接触させ、かつツール６
７の導通部６７Ｂの先端面を回路基板７０の各微細ピツ
チランド７２Ａ〜７２Ｃに一括して接触させる。次いで
抵抗値測定器によつて各探針６５Ａ〜６５Ｃとツール６
７との間の電気抵抗値を順次測定する。これにより回路
基板７０の通常ランド７１Ａ及び微細ピツチランド７２
Ａを形成するパターン７３Ａと、通常ランド７１Ｂ及び
微細ピツチランド７２Ｂを形成するパターン７３Ｂと、
通常ランド７１Ｃ及び微細ピツチランド７２Ｃを形成す
るパターン７３Ｃに対するオープンテストを行う。

【００２５】さらにオープンテスト終了後、駆動ねじ６
６（図３）の駆動機構が駆動して図７（Ｃ）のようにツ
ール６７を上昇させることにより各微細ピツチランド７
２Ａ〜７２Ｃからツール６７の導電部６７Ｂを離すと共
に、この後探針７１Ａ及び探針７１Ｂ間の抵抗値と探針
７１Ｂ及び探針７１Ｃ間の抵抗値とをそれぞれ順次測定
することにより各パターン７３Ａ〜７３Ｃ間のシヨート
テストを行う。さらにこの回路基板検査装置６０では、
このシヨートテストが終了すると、架台６３（図３）が
駆動してプレート６４を上昇させることにより各探針６
５Ａ〜６５Ｃを回路基板７０の対応する通常ランド７１
Ａ〜７１Ｃからそれぞれ離し、かくしてこの回路基板７
０に対するオープン・シヨート検査を終了する。

【００２６】この実施例の場合、プレート６４は透明材
を用いて形成されている。またプレート６４の上方には
カメラ（図示せず）が配設されており、当該カメラはプ
レート６４を介して撮像した回路基板７０の画像を画像
信号として図示しない画像処理装置に送出するようにな
されている。画像処理装置は、画像信号に基づいて得ら
れる回路基板７０の位置情報に基づいてステージ６２の
駆動機構を駆動制御する。これによりこの回路基板検査
装置６０では、ステージ６２上にセツトされた検査対象
の回路基板７０を検査位置に正確に位置決めし得るよう
になされている。

【００２７】（３）実施例の動作以上の構成において、この回路基板検査装置６０では、
検査対象の回路基板７０に対してピツチ間の狭い各微細
ピツチランド７２Ａ〜７２Ｃには一括してツール６７の
導電部６７Ｂを接触させると共に、これら各微細ピツチ
ランド７２Ａ〜７２Ｃとそれぞれ各パターン７３Ａ〜７
３Ｃのラインを介して電気的につながつたピツチ間の大
きい各通常ランド７１Ａ〜７１Ｃには従来通り探針６５
Ａ〜６５Ｃをそれぞれ個別に接触させるようにしてオー
プンテストを行い、この後ツール６７の導電部６７Ｂを
各微細ピツチランド７２Ａ〜７２Ｃからはずしてシヨー
トテストを行う。

【００２８】従つて従来作成が困難であつた、各微細ピ
ツチランド７２Ａ〜７２Ｃにそれぞれ対応して探針が配
置された測定ボードも、このような測定ボードを用いた
場合の各微細ピツチランド７２Ａ〜７２Ｃと各探針との
高精度な位置合わせも必要とせず、各微細ピツチランド
７２Ａ〜７２Ｃとツール６７とをある程度の精度で位置
合わせをするだけで微細ピツチのランドパターンをもつ
回路基板７０に対して正確なオープン・シヨート検査を
行うことができる。またこの際ツール６７は、回路基板
７０の各微細ピツチランド７２Ａ〜７２Ｃに対して従来
の探針のように点接触するのではなく面接触するため
に、これら各微細ピツチランド７２Ａ〜７２Ｃの表面を
傷つけ難い。従つてこの後行われる部品実装に悪影響を
与えずにオープン・シヨート検査を行うことができる。

【００２９】（４）実施例の効果以上の構成によれば、検査対象の回路基板７０に対する
オープンテストを、ピツチ間の狭い各微細ピツチランド
７２Ａ〜７２Ｃには一括してツール６７の導電部６７Ｂ
を接触させると共に、これら各微細ピツチランド７２Ａ
〜７２Ｃと各パターン７３Ａ〜７３Ｃのラインをそれぞ
れ介して電気的に接続されたピツチ間の大きい各通常ラ
ンド７１Ａ〜７１Ｃには従来通り探針６５Ａ〜６５Ｃを
それぞれ個別に接触させるようにして行う一方、当該回
路基板７０に対するシヨートテストを、各微細ピツチラ
ンド７２Ａ〜７２Ｃをシヨートさせずに各通常ランド７
１Ａ〜７１Ｃに探針６５Ａ〜６５Ｃを接触させるように
して行うようにしたことにより、微細ピツチランド７２
Ａ〜７２Ｃにそれぞれ対応して探針が配置された測定ボ
ードも、当該測定ボードを使用した場合の高精度な位置
合わせも必要とせず、かつ部品実装に悪影響を与えずに
オープン・シヨート検査を行うことができ、かくして微
細ピツチのランドパターンをもつ回路基板のオープン・
シヨート検査を容易にさせ得る回路基板検査方法及びそ
の装置を実現できる。

【００３０】（５）他の実施例なお上述の実施例においては、ツール６７の導電部６７
Ｂの素材として金線を用いるようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、この他例えば導電ゴム
などのように回路基板７０の各微細ピツチランド７２Ａ
〜７２Ｃにダメージを与えないような柔らかさと電気的
な導電性とをもつものであれば種々のものを適用でき
る。

【００３１】また上述の実施例においては、回路基板検
査装置６０において、ステージ６２が移動することによ
りステージ６２上にセツトされた検査対象の回路基板７
０の各通常ランド７１Ａ〜７１Ｃ及び各微細ピツチラン
ド７２Ａ〜７２Ｃと、対応する各探針６５Ａ〜６５Ｃ又
はツール６７との位置合わせを行うようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、例えばステージ
６２を固定させてプレート６４及びツール６７を移動さ
せることにより回路基板７０の各通常ランド７１Ａ〜７
１Ｃ及び各微細ピツチランド７２Ａ〜７２Ｃと、対応す
る各探針６５Ａ〜６５Ｃ及びツール６７との位置合わせ
を行うようにしても良い。

【００３２】さらに上述の実施例においては、オープン
・シヨート検査において、シヨートテストに先行してオ
ープンテストを行うようにした場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、オープンテストに先行してシヨ
ートテストを行うようにしても良い。

【００３３】さらに上述の実施例においては、回路基板
検査装置６０のステージ６２として、カメラと画像処理
装置と連動した電動のものを適用するようにした場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、手動のものを
適用するようにしても良い。

【００３４】さらに上述の実施例においては、測定によ
り得られた回路基板７０の各パターン７３Ａ〜７３Ｃの
各ランド７１Ａ〜７１Ｃ、７２Ａ〜７２Ｃ間又は各パタ
ーン７３Ａ〜７３Ｃ間の抵抗値に基づいてオープン又は
シヨートの有無を検査するようにした場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、各パターン７３Ａ〜７３
Ｃのランド７１Ａ〜７１Ｃ、７２Ａ〜７２Ｃ間又は各パ
ターン７３Ａ〜７３Ｃ間のこの他の導電性（例えば電流
値や電圧値）の高低に基づいてこれら各パターン７３Ａ
〜７３Ｃのランド７１Ａ〜７１Ｃ、７２Ａ〜７２Ｃ間又
は各パターン７３Ａ〜７３Ｃ間のオープン検査やシヨー
ト検査を行うようにしても良い。

【００３５】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、検査対象
となる回路基板の配線パターンのうち、微細ピツチで形
成された複数の第１のランドを所定のツールを用いて一
括してシヨートさせた後、各第１のランドと、各第１の
ランドにそれぞれ配線パターンのラインを介して電気的
につながるべき各第２のランドとの間の導電性をそれぞ
れ検査するようにして配線パターンに対するオープン検
査を行う一方、各第１のランドをシヨートさせずに所定
の第２のランド同士間の導通性を検査するようにして配
線パターンに対するシヨート検査を行うようにしたこと
により、従来作成が難しかつた微細ピツチのランドパタ
ーンをもつ回路基板に対応する測定ボートも、当該測定
ボードを使用する場合の高精度な位置合わせも必要とせ
ずにこの種の回路基板に対するオープン・シヨート検査
を行うことができ、かくして微細ピツチのランドパター
ンをもつ回路基板のオープン・シヨート検査を容易にさ
せ得る回路基板検査方法及びその装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例によるオープン・シヨート検査方法のプ
ロセスを示す略線図である。

【図２】実施例によるオープン・シヨート検査方法の説
明に供する略線図である。

【図３】実施例による回路基板検査装置の構成を示す略
線的な斜視図である。

【図４】各探針及びツールの様子を示す斜視図である。

【図５】ツールの構成を示す側面図である。

【図６】回路基板検査装置の動作の説明に供する平面図
である。

【図７】回路基板検査装置の動作の説明に供する平面図
である。

【図８】従来のオープン・シヨート検査方法の説明に供
する斜視図である。

【図９】従来のオープン・シヨート検査方法の説明に供
する斜視図である。

【図１０】従来のオープン・シヨート検査方法の説明に
供する斜視図である。

【図１１】高密度実装用の回路基板のランドの説明に供
する平面図である。

【図１２】ランドサイズの違いによる位置合わせの許容
誤差の違いの説明に供する略線的な側面図である。

【図１３】ランドサイズの違いによる探針跡の影響の説
明に供する略線的な側面図である。

【符号の説明】

４０Ａ〜４０Ｆ、７２Ａ〜７２Ｃ……微細ピツチラン
ド、４２Ａ〜４２Ｆ、７３Ａ〜７３Ｃ……パターン、４
３Ａ〜４３Ｆ、７１Ａ〜７１Ｃ……通常ランド、４４、
７０……回路基板、５０、６７……ツール、５１Ａ〜５
１Ｆ、６５Ａ〜６５Ｃ……探針、６０……回路基板検査
装置。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】回路基板の配線パターンが所定状態に形成
されているか否かを検査する回路基板検査方法におい
て、上記配線パターンのうち、微細ピツチで形成された複数
の第１のランドを一括してシヨートさせた後、各上記第
１のランドと、各上記第１のランドに上記配線パターン
の対応する各ラインをそれぞれ介して電気的につながる
べき各第２のランドとの間の導電性をそれぞれ検査する
ことにより上記配線パターンに対するオープン検査を行
う第１の工程と、各上記第１のランドをシヨートさせずに所定の第２のラ
ンド間の導通性を検査することにより上記配線パターン
に対するシヨート検査を行う第２の工程とを具えること
を特徴とする回路基板検査方法。
【請求項２】上記第１の工程における各上記第１のラン
ドを一括してシヨートさせる作業を、各上記第１のラン
ドと一括して面接触する通電性の所定の導電手段を用い
て行なうことを特徴とする請求項１に記載の回路基板検
査方法。
【請求項３】検査対象の回路基板の配線パターンが所定
状態に形成されているか否かを検査する回路基板検査装
置において、上記回路基板を所定状態に位置決め保持する基板保持手
段と、上記所定状態に位置決め保持された上記回路基板の上配
線パターンのうち、微細ピツチで形成された複数の第１
のランドを一括してシヨートさせるツールと、各上記第１のランドと上記配線パターンの対応する各ラ
インをそれぞれ介して電気的につながるべき各第２のラ
ンドに対してそれぞれ個別に電気的に接触する複数の導
電部材と、上記ツール及び上記各導電部材間の各導電性並びに所定
の上記導電部材間の各導電性をそれぞれ検査する導電性
検査手段とを具え、上記回路基板の上記各第１のランド
を上記ツールによつて一括してシヨートさせると共に各
上記導電部材をそれぞれ対応する上記第２のランドに接
触させながら、上記導電性検査手段によつて上記ツール
及び各上記導電部材間の各導電性をそれぞれ検査するこ
とにより上記配線パターンに対してオープン検査を行う
一方、各上記第１のランドをシヨートさせずに各上記導
電部材をそれぞれ対応する上記第２のランドに接触させ
ながら、上記導電性検査手段によつて所定の導電部材間
の各導電性をそれぞれ検査することにより上記配線パタ
ーンに対してシヨート検査を行うことを特徴とする回路
基板検査装置。
【請求項４】上記ツールは、各上記第１のランドと一括
して面接触する通電性の導電部を具えることを特徴とす
る請求項３に記載の回路基板検査装置。