JPH0820740B2

JPH0820740B2 - 電子写真用感光体

Info

Publication number: JPH0820740B2
Application number: JP61118269A
Authority: JP
Inventors: 正臣佐々木; 知幸島田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1986-05-21
Filing date: 1986-05-21
Publication date: 1996-03-04
Anticipated expiration: 2011-03-04
Also published as: JPS62273545A

Description

【発明の詳細な説明】技術分野本発明は電子写真用の感光体に関し、さらに詳しく
は、光を照射したとき電荷担体を発生する物質（以下
「電荷発生物質」という）としてビスアゾ顔料を含有す
る感光層を設けた電子写真用感光体に関する。

従来技術電子写真用の感光体として、無機物系のものではセレ
ン及びその合金を用いたもの、あるいは色素増感した酸
化亜鉛を結着樹脂中に分散した感光体などが、また有機
物系のものでは2,4,7-トリニトロ‐9-フルオレノン（以
下「TNF」という）とポリ‐N-ビニルカルバゾール（以
下「PVK」という）との電荷移動錯体を用いたものなど
が代表的なものとして知られている。

しかし、これらの感光体は多くの長所を持っていると
同時に、さまざまな欠点を持っている。例えば、現在広
く用いられているセレン感光体は製造する条件がむずか
しく、製造コストが高かったり、可撓性がないためにベ
ルト状に加工することがむずかしく、また熱や機械的な
衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要する。酸化亜鉛感光
体は安価な酸化亜鉛を用いて支持体への塗布で製造する
ことが出来るためコストは低いが、一般に感度が低かっ
たり、表面の平滑性、硬度、引っ張り強度、耐摩耗性な
どの機械的な欠点があり、通常反復して使用する普通紙
複写機用の感光体としては耐久性などに問題が多い。ま
た、TNFとPVKとの電荷移動錯体を用いた感光体は感度が
低く、高速複写機用の感光体としは不適当である。

近年、これらの感光体の欠点を排除するために広範な
研究が進められ、特に有機物系のさまざまな感光体が提
案されている。中でも、有機顔料の薄膜を導電性支持体
上に形成し（電荷発生層）、この上に電荷搬送物質を主
体とする層（電荷搬送層）を形成した積層型の感光体が
従来の有機物系の感光体に比べ、一般の感度が高く帯電
性が安定していることなどの点から普通紙複写機用の感
光体として注目されており、一部実用に供されているも
のがある。

この種の従来の積層型の感光体として、（１）電荷発生層としてペリレン誘導体を真空蒸着した
薄層を用い、電荷搬送層にオキサジアゾール誘導体を用
いたもの（USP 3871882参照）（２）電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いたもの（特公昭55−42380号公
報参照）（３）電荷発生層としてジスチリルベンゼン系ビスアゾ
化合物の有機溶媒分散液を塗布して形成した薄層を用
い、電荷搬送層にヒドラゾン化合物を用いたもの（特開
昭55-84943号公報参照）などが知られている。

しかしながら、この種の積層型の感光体においても従
来のものは多くの長所を持っていると同時にさまざまな
欠点をもっていることも事実である。即ち、次のごとき
欠点である。

（１）で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール誘導
体とを用いた感光体は、実用上は問題がないとしても、
より高速な複写機用としては感度が低い。また、この感
光体の分光感度を支配する電荷発生物質であるペリレン
誘導体は、可視域全般にわたっては吸収がないため、カ
ラー複写機用感光体としては不適当である。

（２）で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン化合
物とを用いた感光体は、比較的感度は高いものの電荷発
生層を形成するための塗布溶剤として、一般に取り扱い
にくい有機アミン（例えばエチレンジアミン）を用いる
必要があり、感光体作成上の欠点が多い。

（３）で示したジスチリルベンゼン系ビスアゾ化合物と
ヒドラゾン化合物とを用いた感光体は、ビスアゾ化合物
の分散液の塗布により容易に電荷発生層を形成できるこ
とから製造上は大変有利なものであるが、若干感度が低
いため高速複写機用の感光体としては不充分である。一
方、近年レーザープリンター用感光体の要求も高まって
おり、特に半導体レーザーの波長域における高感度感光
体の開発が望まれているが、上述の感光体は、これら半
導体レーザーに対し、極めて感度が低く、実用に供し得
ないのが実情である。

目的本発明は、前述の従来の欠点を克服した感光体で、可
視域全般及び半導体レーザーの発振波長域にわたってフ
ラットな感度を有し、またその製造方法も容易な電子写
真用及びレーザープリンター用感光体を提供することを
目的とする。

構成本発明者は、前記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた
結果、導電性支持体上に、電荷発生物質として一般式
（Ｉ）、（式中、Arはカップラー残基を表わす）で示されるビスアゾ顔料を有効成分として含有する層を
形成せしめたことを特徴とする電子写真用感光体を提供
することによって前記目的が達成できることを見出し
た。

一般式（Ｉ）のビスアゾ化合物の製造に使用されるAr
Hとして表されるカップラーとしては、たとえばフェノ
ール類、ナフトール類などの水酸基を有する芳香族炭化
水素化合物及び水酸基を有する複素環式化合物、アミノ
基を有する芳香族炭化水素化合物及びアミノ基を有する
複素環式化合物、アミノナフトール類などの水酸基及び
アミノ基を有する芳香族炭化水素化合物及び複素環式化
合物、脂肪族もしくは、芳香族のエノール性ケトン基を
有する化合物（活性メチレン基を有する化合物）などが
用いられ、好ましくは、カップラー残基Arが下記一般式
（II）、（III）、（IV）、（Ｖ）、（VI）、（VII）、
（VIII）、（IX）、（Ｘ）、（XI）、（XII）の一般式
で表わされるものである。

〔上記式（II）、（III）、（IV）および（Ｖ）中、X,Y
₁,Z,mおよびｎはそれぞれ以下のものを表わす。

または−NHSO₂−R₃ （R₁およびR₂は水素または置換もしくは無置換のアル
キル基を表わし、R₃は置換もしくは無置換のアルキル基
または置換もしくは無置換のアリール基を表わす。） Y₁：水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ
基、スルホ基、置換もしくは無置換のスルファモイル基
または（R₄は水素、アルキル基またはその置換体、フェニル
基またはその置換体を表わし、Y₂は炭化水素環基または
その置換体、複素環基またはその置換体、あるいは（但し、R₅は炭化水素環基またはその置換体、複素環基
またはその置換体あるいはスチリル基またはその置換
体、R₆は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換
体を表わすか、あるいはR₅及びR₆はそれらに結合する炭
素原子と共に環を形成してもよい。）を示す。） Z:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環またはそ
の置換体 n:1または２の整数 m:1または２の整数〕〔式（VI）および（VII）中、R₇は置換もしくは無置
換の炭化水素基を表わし、Ｘは前記に同じである。〕〔式中、R₈はアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シル基またはそのエステルを表わし、Ar₁は炭化水素環
基またはその置換体を表わし、Ｘは前記と同じであ
る。〕〔上記式（IX）および（Ｘ）中、R₉は水素または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar₂は炭化水素
環基またはその置換体を表わす。〕前記一般式（II）、（III）、（IV）または（Ｖ）の
Ｚの炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環など
が例示でき、また複素環としてはインドール環、カルバ
ゾール環、ベンゾラン環などが例示できる。また、Ｚの
環における置換基としては塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子及びアルコキシ基が例示できる。

Y₂またはR₅における炭化水素環基としては、フェニル
基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、ま
た、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリル
基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、R₅お
よびR₆が結合して形成する環としては、フルオレン環な
どが例示できる。

Y₂またはR₅の炭化水素環基または複素環基あるいはR₅
およびR₆によって形成される環における置換基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの
アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子な
どのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基など
のジアラルキルアミノ基、トリフルオロメチル基などの
ハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基ま
たはそのエステル、水酸基、−SO₃Naなどのスルホン酸
塩基などが挙げられる。

R₄のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。

R₇またはR₉における炭化水素基の代表例としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、ベンジル基などのアラルキル基、フェニル基など
のアリール基またはこれらの置換体が例示できる。

R₇またはR₉の炭化水素基における置換基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。

Ar₁またはAr₂における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、これ
らの基における置換基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキ
シ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基な
どのジアルキルアミノ基などが例示できる。

また、Ｘの中では特に水酸基が適当である。

上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式
（III）、（VI）、（VII）、（VIII）、（IX）および
（Ｘ）で示されるものであり、この中でも一般式におけ
るＸが水酸基のものが好ましい。また、この中でも一般
式（XI）（Y₁およびＺは前記に同じ。）で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式（Z,Y₂およびR₂は前記に同じ。）で表わされるカップラー残基である。

さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも一
般式（XIII）または（XIV）（Z,R₂，R₅およびR₆は前記に同じであり、またR₁₀と
しては上記のY₂の置換基が例示できる。）で表わされるものが適当である。

以上のような本発明に用いるビスアゾ顔料の具体例を
構造式で示すと次の通りである。簡略化のため、カップ
ラー残基であるArの構造式のみで示した。

以上のような本発明のビスアゾ顔料を用いることによ
り極めて高感度な電子写真用感光体が容易に製造でき
る。

本発明のビスアゾ顔料は、例えばウイッチヒ反応によ
り得られる1,8-ビス（4-ニトロフェニル）‐1,3,5,7-オ
クタテトラエンを還元して得られる1,8-ビス（4-アミノ
フェニル）‐1,3,5,7-オクタテトラエンを常法によりジ
アゾ化してテトラゾニウム塩とし、このテトラゾニウム
塩と対応するカップラーとを適当な有機溶媒たとえばN,
N-ジメチルホルムアミド中で塩基を作用させてカップリ
ング反応を行なうことによって容易に製造することがで
きる。その例として以下に前記No.1のビスアゾ顔料の製
造例を示すが、他のビスアゾ顔料もカップラーを変える
他はこの製造例に従って容易に製造することができる。

製造例濃硫酸7.2mlと水100mlからなる希硫酸に1,8-ビス（4-
アミノフェニル）‐1,3,5,7-オクタテトラエン6.10gを
加え、60℃で２時間攪拌した−２℃まで急冷した後、亜
硝酸ナトリウム3.23gを水10mlに溶解した溶液を−５℃
〜−２℃で50分を要して滴下した。その後、同温度で20
分間攪拌し、冷水400mlを加えた後、微量の不溶部を濾
過除去し、濾液に42％硼弗化水素酸を加え、析出する結
晶を濾過乾燥して、本発明の暗赤色のテトラゾニウム塩
8.4g（収率82％）を得た。

赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法）では、2230cm^-1
にジアゾニウム塩の伸縮振動に基づく吸収が認められ
た。このようにして得られたテトラゾニウム塩0.49gと3
-ヒドロキシ‐2-ナフトエ酸アニリド0.55gをジメチルホ
ルムアミド（DMF）200mlに溶解し、これに酢酸ナトリウ
ム0.34gを水4mlに溶解した溶液を室温で20分を要して滴
下した。滴下後、同温度で３時間攪拌した後、生成した
顔料を濾取し、濾過残渣をジメチルホルムアミド250ml
で５回洗浄してから水250mlで２回洗浄した。減圧下加
熱乾燥して青味黒粉末の前記化合物No.1のビスアゾ顔料
1,8-ビス〔4-（2-ヒドロキシ‐3-フェニルカルバモイル
ナフチル‐1-アゾ）〕フェニル‐1,3,5,7-オクタテトラ
エン0.72g（収率82％）を得た。

分解点:276℃ 元素分析値ＣＨＮ実測値 77.44 4.72 9.87 C₅₄H₄₀N₆O₄としての計算値 77.48 4.83 10.04 可視スペクトル（10容積％エチレンジアミンDMF） λmax 596nm 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法）を第３図に示した
が、1675cm^-1にＣ＝０伸縮振動、995cm^-1にトランスの
面外変角振動に基づく吸収が認められた。

本発明の電子写真用感光体ではビスアゾ顔料は感光層
における電荷発生物質として用いられ、この感光体の代
表的な構成を第１図および第２図に示した。

第１図の感光体は、導電性支持体11上に、ビスアゾ顔
料13を主体とする電荷発生層15と電荷搬送物質を主体と
する電荷搬送層17とからなる積層型の感光層191を設け
たものである。

第１図の感光体では、像露光された光は電荷搬送層を
透過し、電荷発生層15に到達し、その部分のビスアゾ顔
料13で電荷の生成が起こり、一方、電荷搬送層17は電荷
の注入を受けその搬送を行なうもので、光減衰に必要な
電荷の生成はビスアゾ顔料13で行なわれ、また電荷の搬
送は電荷搬送層17でというメカニズムである。

第２図の感光体は導電性支持体11上に主としてビスア
ゾ顔料13、電荷搬送物質および絶縁性結合剤からなる感
光層192を設けたものである。ここでもビスアゾ顔料13
は電荷発生物質である。

その他の感光体として第１図に電荷発生層と電荷搬送
層を逆にすることも可能である。

感光層の厚さは、第１図のもので電荷発生層15の厚み
は好ましくは0.01〜５μさらに好ましくは0.05〜２μで
ある。この厚さが0.01μ以下であると電荷の発生は十分
ではなく、また５μ以上であると残留電位が高く実用に
耐えない。電荷搬送層17の厚さは好ましくは３〜50μ、
さらに好ましくは５〜20μである。この厚さが３μ以下
であると帯電量が不十分であり、50μ以上であると残留
電位が高く実用的ではない。

電荷発生層15は前記の一般式で示されるビスアゾ顔料
を主体とし、さらに結合剤、可塑剤などを含有すること
ができる。また、電荷発生層中のビスアゾ顔料の割合は
好ましくは30重量％以上、さらに好ましくは50重量％以
上である。

電荷搬送層17は電荷搬送物質と結合剤を主体とし、さ
らに可塑剤などを含有することができる。電荷搬送層中
の電荷搬送物質の割合は10〜95重量％、好ましくは30〜
90重量％である。電荷搬送物質の占める割合が10重量％
未満であると、電荷の搬送はほとんど行なわれず、また
95重量％以上であると感光体皮膜の機械的強度が極めて
悪く実用に供しえない。

第２図に示した感光体の場合は、感光層192の厚さは
好ましくは３〜50μ、さらに好ましくは５〜20μであ
る。また、感光体192中のジスアゾ顔料の割合は好まし
くは50重量％以下、さらに好ましくは20重量％以下であ
り、また電荷搬送物質の割合は好ましくは10〜95重量
％、さらに好ましくは30〜90重量％である。

本発明は、電子写真用感光体における電荷発生物質とし
て、前記一般式（Ｉ）で表わされる特定のビスアゾ顔料
を用いることを骨子とするものであり、導電性支持体、
電荷搬送物質など他の構成要素としては従来知られてい
たもののいずれもが使用できるが、それらについて以下
に具体的に説明する。

本発明の感光体において使用される導電性支持体とし
ては、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属板、ポリエステ
ル等のプラスチックシートまたはプラスチックフィルム
にアルミニウム、SnO₂等の導電材料を蒸着したもの、あ
るいは導電処理した紙等が使用される。

結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエ
ステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネー
ト、ポリアセタールなどの縮合系樹脂やポリビニルケト
ン、ポリスチレン、ポリ‐N-ビニルカルバゾール、ポリ
アクリルアミドなどのビニル重合体などが挙げられる
が、絶縁性で且つ接着性のある樹脂は全て使用できる。

可塑剤としては、ハロゲン化パラフィン、ポリ塩化ビ
フェニル、ジメチルナフタレン、ジブチルフタレートな
どが挙げられる。その他感光体の表面性をよくするため
にシリコンオイル等を加えてもよい。

電荷搬送物質には正孔搬送物質と電子搬送物質があ
る。正孔搬送物質としては、たとえば以下の一般式
（１）〜（11）に示されるような化合物が例示できる。

〔式中、R₁₁₅はメチル基、エチル基、2-ヒドロキシエ
チル基又は2-クロルエチル基を表わし、R₁₂₅はメチル
基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R
₁₃₅は水素、塩素、臭素、炭素数１〜４のアルキル基、
炭素数１〜４のアルコキシル基、ジアルキルアミノ基又
はニトロ基を表わす。〕〔式中、Ar₃はナフタレン環、アントラセン環、スチ
リル基及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、R₁₄₅はアルキル基又はベン
ジル基を表わす。〕〔式中、R₁₅₅はアルキル基、ベンジル基、フェニル
基、ナフチル基を表わし、R₁₆₅は水素、炭素数１〜３の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアルキル
アミノ基、ジアラルキルアミノ基またはジアリールアミ
ノ基を表わし、ｎは１〜４の整数を表わし、ｎが２以上
のときはR₁₆₅は同じでも異なっていてもよい。R₁₇₅は水
素またはメトキシ基を表わす。〕〔式中、R₁₈₅は炭素数１〜11のアルキル基、置換もし
くは無置換のフェニル基又は複素環基を表わし、R₁₉₅R
₂₀₅はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素、炭
素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、クロ
ルアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基を表わ
し、また、R₁₉₅とR₂₀₅は互いに結合し窒素を含む複素環
を形成していてもよい。R₂₁₅は同一でも異なっていても
よく水素、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基又
はハロゲンを表わす。〕〔式中、R₂₂₅は水素またはハロゲン原子を表わし、Ar
₄は置換または無置換のフェニル基、ナフチル基、アン
トリル基あるいはカルバゾリル基を表わす。〕〔式中、R₂₃₅は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数１
〜４のアルコキシ基または炭素数１〜４のアルキル基を
表わしAr₅はを表わし、R₂₄₅は炭素数１〜４のアルキル基を表わし、
R₂₅₅は水素、ハロゲン、炭素数１〜４のアルキル基、炭
素数１〜４のアルコキシ基またはジアルキルアミノ基を
表わし、ｎは１または２であって、ｎが２のときはR₂₅₅
は同一でも異なってもよく、R₂₆₅およびR₂₇₅は水素、炭
素数１〜４の置換または無置換のアルキル基あるいは置
換または無置換のベンジル基を表わす。〕〔式中、R₂₈₅及びR₂₉₅はカルバゾリル基、ピリジル
基、チェニル基、インドリル基、フリル基或いはそれぞ
れ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフ
チル基またはアントリル基であって、これらの置換基が
ジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カル
ボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、シアノ
基、アラルキルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎアラルキル
アミノ基、アミノ基、ニトロ基およびアセチルアミノ基
からなる群から選ばれた基を表わす。〕〔式中、R₃₀₅は低級アルキル基またはベンジル基を表
わし、R₃₁₅は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級
アルキル基またはベンジル基で置換されたアミノ基を表
わし、ｎは１または２の整数を表わす。〕〔式中、R₃₂₅は水素原子、アルキル基、アルコキシ基
またはハロゲン原子を表わし、R₃₃₅およびR₃₄₅はアルキ
ル基、置換または無置換のアラルキル基あるいは置換ま
たは無置換のアリール基を表わし、R₃₅₅は水素原子また
は置換もしくは無置換のフェニル基を表わし、また、Ar
₆はフェニル基またはナフチル基を表わす。〕〔式中、ｎは０または１の整数、R₃₆₅は水素原子、ア
ルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を示
し、A₁は９−アントリル基または置換もしくは無置換のＮ−アル
キルカルバゾリル基を表わし、ここでR₃₇₅は水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または（但し、R₃₈₅およびR₃₉₅はアルキル基、置換または無置
換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基を示
し、R₃₈₅およびR₃₉₅は環を形成してもよい）を表わし、
ｍは0,1,2または３の整数であって、ｍが２以上にとき
はR₃₇₅は同一でも異なってもよい。〕〔式中、R₄₀₅，R₄₁₅およびR₄₂₅は水素、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ基またはハロ
ゲン原子を表わし、ｎは０または１を表わす。〕一般式（１）で表わされる化合物には、たとえば9-エ
チルカルバゾール‐3-アルデヒド、1-メチル‐1-フェニ
ルヒドラゾン、9-エチルカルバゾール‐3-アルデヒド1-
ベンジル‐1-フェニルヒドラゾン、9-エチルカルバゾー
ル‐3-アルデヒド1,1-ジフェニルヒドラゾンなどであ
る。

一般式（２）で表わされる化合物には、たとえば4-ジ
エチルアミノスチレン‐β‐アルデヒド1-メチル‐1-フ
ェニルヒドラゾン、4-メトキシナフタレン‐1-アルデヒ
ド1-ベンジル‐1-フェニルヒドラゾンなどがある。

一般式（３）で表わされる化合物にはたとえば、4-メ
トキシベンズアルデヒド1-メチル‐1-フェニルヒドラゾ
ン、2,4-ジメトキシベンズアルデヒド1-ベンジル‐1-フ
ェニルヒドラゾン、4-ジエチルアミノベンズアルデヒド
1,1-ジフェニルヒドラゾン、4-メトキシベンズアルデヒ
ド1-ベンジル‐1-（4-メトキシ）フェニルヒドラゾン、
4-ジフェニルアミノベンズアルデヒド1-ベンジル‐1-フ
ェニルヒドラゾン、4-ジベンジルアミノベンズアルデヒ
ド‐1,1-ジフェニルヒドラゾンなどがある。

一般式（４）で表わされる化合物には、たとえば1,1-
ビス（4-ジベンジルアミノフェニル）プロパン、トリス
（4-ジエチルアミノフェニル）メタン、1,1-ビス（4-ジ
ベンジルアミノフェニル）プロパン、2,2′‐ジメチル
‐4,4′‐ビス（ジエチルアミノ）‐トリフェニルメタ
ンなどがある。

一般式（５）で表わされる化合物には、たとえば9-
（4-ジエチルアミノスチリル）アントラセン、9-ブロム
‐10-（4-ジエチルアミノスチリル）アントラセンなど
がある。

一般式（６）で表わされる化合物には、たとえば9-
（4-ジメチルアミノベンジリデン）フルオレン、3-（9-
フルオレニリデン）‐9-エチルカルバゾールなどがあ
る。

一般式（７）で表わされる化合物には、たとえば1,2-
ビス（4-ジエチルアミノスチリル）ベンゼン、1,2-ビス
（2,4-ジメトキシスチリル）ベンゼンがある。

一般式（８）で表わされる化合物には、たとえば3-ス
チリル‐9-エチルカルバゾール、3-（4-メトキシスチリ
ル）‐9-エチルカルバゾールなどがある。

一般式（９）で表わされる化合物には、たとえば4-ジ
フェニルアミノスチルベン、4-ジベンジルアミノスチル
ベン、4-ジトリルアミノスチルベン、1-（4-ジフェニル
アミノスチリル）ナフタレン、1-（4-ジエチルアミノス
チリル）ナフチレンなどがある。

一般式（10）で表わされる化合物には、たとえば４′
‐ジフェニルアミノ‐α‐フェニルスチルベン、４′‐
メチルフェニルアミノ‐α‐フェニルスチルベンなどが
ある。

一般式（11）で表わされる化合物には、たとえば1-フ
ェニル‐3-（4-ジエチルアミノスチリル）‐5-（4-ジエ
チルアミノフェニル）ピラゾリン、1-フェニル‐3-（4-
ジメチルアミノスチリル）‐5-（4-ジメチルアミノフェ
ニル）ピラゾリンなどがある。

この他の正孔搬送物質としては、たとえば2,5-ビス
（4-ジエチルアミノフェニル）‐1,3,4-オキサジアゾー
ル、2,5-ビス〔4-（4-ジエチルアミノスチリル）フェニ
ル〕‐1,3,4-オキサジアゾール、2-（9-エチルカルバゾ
リル‐3-）‐5-（4-ジエチルアミノフェニル）‐1,3,4-
オキサジアゾールなどのオキサジアゾール化合物、2-ビ
ニル‐4-（2-クロルフェニル）‐5-（4-ジエチルアミノ
フェニル）オキサゾール、2-（4-ジエチルアミノフェニ
ル）‐4-フェニルオキサゾールなどのオキサゾール化合
物などの低分子化合物がある。また、ポリ‐N-ビニルカ
ルバゾール、ハロゲン化ポリ‐N-ビニルカルバゾール、
ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ピレンホ
ルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデ
ヒド樹脂などの高分子化合物も使用できる。

電子搬送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブ
ロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ンジメタン、2,4,7-トリニトロ‐9-フルオレノン、2,4,
5,7-テトラニトロ‐9-フルオレノン、2,4,5,7-テトラニ
トロキサントン、2,4,8-トリニトロチオキサントン、2,
6,8-トリニトロ‐4H-インデノ〔1,2-b〕チオフエン‐4-
オン、1,3,7-トリニトロジベンゾチオフエン‐5,5-ジオ
キサイドなどがある。

これらの電荷搬送物質は単独又は２種以上混合して用
いられる。

なお、以上のようにして得られる感光体には、いずれ
も導電性支持体の感光体の間に必要に応じて接着層又は
バリヤ層を設けることができる。これらの層に用いられ
る材料としてはポリアミド、ニトロセルロース、酸化ア
ルミニウムなどが適当で、また膜厚は１μ以下が好まし
い。

第１図の感光体を作成するには、導電性支持体上のビ
スアゾ顔料をUSP3,973,959,USP3,996,049等に記載され
ている真空蒸着方法で真空蒸着するか、あるいは、ビス
アゾ顔料の微粒子を必要とあれば結合剤を溶解した適当
な溶剤中に分散し、これを導電性支持体上に塗布乾燥
し、更に必要とあれば、例えば特開昭51−90827号公報
に示されているようなバフ研摩等の方法により表面仕上
をするか、膜厚を調整した後、電荷搬送物質及び結合剤
を含む溶液を塗布乾燥して得られる。

第２図の感光体を作成するにはビスアゾ顔料の微粉末
を電荷搬送物質及び結合剤を溶解した溶液中に分散せし
め、これを導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。

いずれの場合も本発明に使用されるビスアゾ顔料はボ
ールミル等により粒径５μ以下、好ましくは２μ以下に
粉砕して用いられる。塗布方法は通常の手段、例えばド
クターブレード、デイッピング、ワイヤーバーなどで行
なう。

本発明の感光体を用いて複写を行なうには、感光層面
に帯電、露光を施した後、現像を行ない、必要によっ
て、紙などへ転写を行うことにより達成される。

本発明の電子写真用感光体は1,8-ジフェニル‐1,3,5,
7-オクタテトラエン骨格を有するビスアゾ顔料を電荷発
生物質として用いることにより、従来の感光体に比較し
て製造が容易であり、また、高感度で、しかも可視域全
般及び半導体レーザーの発振波長域にわたってフラット
な感度を示し、感光体の反復使用に対しても特性が安定
しているなど、優れた性質を有する。

次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これ
により本発明の実施の態様が限定されるものではない。

実施例１ビスアゾ顔料No.1を7.5重量部、及びポリエステル樹
脂（東洋紡績社製バイロン200）のテトラヒドロフラン
溶液（固形分濃度0.5％）500重量部をボールミル中で粉
砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着したポリ
エステルベース（導電性支持体）のアルミ面上にドクタ
ーブレードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約１μ
ｍの電荷発生層を形成した。

この電荷発生層上に、電荷搬送物質として9-エチルカ
ルバゾール‐3-アルデヒド1-メチル‐1-フェニルヒドラ
ゾン２重量部、ポリカーボネート樹脂（帝人社製パンラ
イトK-1300）２重量部およびテトラヒドロフラン16重量
部を混合溶解した溶液をドクターブレードを用いて塗布
し、80℃で２分間、ついで105℃で５分間乾燥して厚さ
約20μｍの電荷搬送層を形成して第１図に示した積層型
の感光体No.1を作成した。

実施例２〜25 実施例１で用いたビスアゾ顔料No.1の代りに後記表−
１に示すビスアゾ顔料を用いた以外は実施例１と同様に
して感光体No.2〜25を作成した。

実施例26〜40 電荷搬送物質として1-フェニル‐3-（4-ジエチルアミ
ノスチリル）‐5-（4-ジエチルアミノフェニル）ピラゾ
リンを用い、後記表−２に示すビスアゾ顔料を用いた以
外は実施例１と同様にして感光体No.26〜40を作成し
た。

実施例41〜55 電荷搬送物質としてα‐フェニル‐４′‐N,N-ジフェ
ニルアミノスチルベンを用い、後記表−３に示すビスア
ゾ顔料を用いた以外は実施例１と同様にして感光体No.4
1〜55を作成した。

実施例55〜65 電荷搬送物質として1,1-ビス（4-ジベンジルアミノフ
ェニル）プロパンを用い、後記表−４に示すビスアゾ顔
料を用いた以外は、実施例１と同様にして感光体No.56
〜65を作成した。

これらの感光体No.1〜65について、静電複写紙試験装
置（（株）川口電機製作所製、SP 428型）を用いて、−
6KVのコロナ放電を20秒間行なって負に帯電せしめた
後、20秒間暗所に放置し、その時の表面電位Vpo（Ｖ）
を測定し、次いで、タングステンランプによってその表
面が照度4.5ルックスになるようにして光を照射しその
表面電位がVpoの1/2になるまでの時間（秒）を求め、露
光量E1/2（ルックス・秒）を算出した。その結果を表−
１〜表−４に示した。

比較例１米国特許第3,871,882号に記載の電荷発生層としてペ
リレン誘導体を用い、電荷搬送層にオキサジアゾール誘
導体を用いた積層型の感光体を下記のように作成した。

電荷発生物質としてN,N′‐ジメチルペリレン‐3,4,
9,10-テトラカルボン酸ジイミドをアルミニウム板上
に、真空度10^-5mmHg、蒸着源温度350℃、蒸着時間３分
間の条件下に真空蒸着し、電荷発生層を形成した。次い
でこの電荷発生層上に、2,5-ビス（4-ジエチルアミノフ
ェニル）‐1,3,4-オキサジアゾール５重量部、ポリエス
テル樹脂（デュポン社製、ポリエステルアドヒースイブ
49000）５重量部及びテトラヒドロフラン90重量部から
なる溶液を塗布し、120℃で10分間乾燥して、厚さ約10
μｍの電荷発生層を形成し、比較感光体No.1を作成し
た。

比較例２特公昭55-42380号公報に記載されている、電荷発生層
としてクロルダイアンブルーを用い、電荷搬送層にヒド
ラゾン化合物を用いた積層型の感光体を下記のようにし
て作成した。

クロルダイアンブルー25重量部、エチレンジアミン12
40重量部、n-ブチルアミン990重量部及びテトラヒドロ
フラン2740重量部からなる溶液を、アルミ蒸着したポリ
エステルベースのアルミ面上にウエットギャップ25μｍ
でドクターブレードを用いて塗布、乾燥し、電荷発生層
を形成した。次いで、この電荷発生層上に、4-ジエチル
アミノベンズアルデヒド‐1,1-ジフェニルヒドラゾン10
重量部、ポリカーボネート樹脂（実施例１で用いた樹脂
と同じもの）10重量部及びテトラヒドロフラン80重量部
よりなる溶液を、ドクターブレードを用いて塗布し、乾
燥して厚さ約18μｍの電荷搬送層を形成し、積層型の比
較感光体No.2を作成した。

比較例３特開昭55-84943号公報に記載されている、電荷発生層
としてジスチリルベンゼン系ビスアゾ化合物を用い、電
荷搬送層にヒドラゾン化合物を用いた積層型の感光体を
下記のようにして作成した。

4,4″‐ビス〔2-ヒドロキシ‐3-（2,4-ジメチルフェ
ニルカルバモイル）‐1-ナフチルアゾ〕‐1,4-ジスチリ
ルベンゼン20重量部、ポリビニルブチラール（東京電気
化学社製デンカブチラール＃4000-1）３重量部、ポリメ
チルメタアクリレート（三菱レーヨン社製ダイヤナール
BR-80）７重量部及びテトラヒドロフラン300重量部を、
ボールミル中で３時間ミリングし、この分散液をテトラ
ヒドロフラン2700重量部で希釈した後、アルミ蒸着した
ポリエステルベース（導電性支持体）のアルミ面上にド
クターブレードを用いて塗布、乾燥し、厚さ約0.3μｍ
の電荷発生層を形成した。次いで、この電荷発生層上
に、9-エチルカルバゾール‐3-アルデヒド1-メチル‐1-
フェニルヒドラゾン10重量部、ポリカーボネート樹脂
（実施例１で用いた樹脂と同じもの）10重量部及びテト
ラヒドロフラン80重量部よりなる溶液を、ドクターブレ
ードを用いて塗布し、乾燥して厚さ約13μｍの電荷搬送
層を形成し、積層型の比較感光体No.3を作成した。

これら比較感光体No.1〜３及び本発明の感光体No.12
について、長波長の光に対する感度を調べるために以下
の測定を行った。

まず、感光体を暗所でコロナ放電によりその表面電位
を−800ボルト以上に帯電し、その表面電位が−800ボル
トになるまで暗減衰させ、表面電位が−800ボルトを示
した時点でモノクロメーターを用いて780nmに分光した
感光体面での強度が１μW/cm²の単色光を感光体に照射
した。そして、その表面電位が−400ボルトに減衰する
までの時間（秒）を求め、半減露光量（μＷ・sec/c
m²）を算出した。一方、露光によって得られる見掛け上
の電位差400ボルトから暗減衰による電位の減衰分を差
引いた露光により実際に得られている電位差を求め、こ
の電位差と上記の半減露光量とから光減衰速度（Ｖ・cm
²・μJ^-1）を算出し、感度とした。

測定結果を下記の表５に示した。感光体No．光減衰速度（Ｖ・cm²・μJ^-1）本発明感光体No.12 580 比較感光体No.1 10以下比較感光体No.2 10以下比較感光体No.3 10以下効果前記表−１〜表−５の結果から明らかなように、本発
明の感光体が高感度で、また半導体レーザーの発振波長
（780nm）域においても極めて優れた感度を有している
ことが判る。また感光体作成においても、比較感光体N
o.1及び比較感光体No.2のように、蒸着を行ったり、有
機アミンを用いる必要がないため、製造上も有利なもの
である。

さらに、本発明の感光体No.12をリコー社製複写機リ
コピーFT-4700型に装着して画像出しを10,000回繰返し
たが、その結果、いずれの感光体も複写プロセスの繰返
しにより変化することなく、鮮明な画像が得られた。こ
れにより、本発明の感光体が耐久性においても優れたも
のであることが理解できるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の感光体の構成例を示す拡
大断面図である。第３図は本発明に用いるビスアゾ顔料
No.1の赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法）である。 11…導電性支持体、13…ビスアゾ顔料 15…電荷発生層、17…電荷搬送層 191,192…感光層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性支持体上に一般式（Ｉ）（式中、Arはカップラー残基を表わす）で示されるビス
アゾ顔料を有効成分として含有する層を形成せしめたこ
とを特徴とする電子写真用感光体。