JPH0830817B2 - 画像表示装置の製造方法 - Google Patents
画像表示装置の製造方法Info
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- JPH0830817B2 JPH0830817B2 JP11854188A JP11854188A JPH0830817B2 JP H0830817 B2 JPH0830817 B2 JP H0830817B2 JP 11854188 A JP11854188 A JP 11854188A JP 11854188 A JP11854188 A JP 11854188A JP H0830817 B2 JPH0830817 B2 JP H0830817B2
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Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、液晶を用いた画像表示装置の製造方法に関
するものである。
するものである。
従来の技術 近年、液晶を用いた画像表示装置は、軽量，薄型，低
消費電力等の特徴を有しており、超小型表示やプロジェ
クション化による超大型表示が可能であるため非常に応
用範囲の広い画像表示装置として大なる注目を集めてい
る。
消費電力等の特徴を有しており、超小型表示やプロジェ
クション化による超大型表示が可能であるため非常に応
用範囲の広い画像表示装置として大なる注目を集めてい
る。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来の液
晶を用いた画像表示装置に用いられるボンディングパッ
ド部の製造方法について説明する。
晶を用いた画像表示装置に用いられるボンディングパッ
ド部の製造方法について説明する。
第４図は、従来の液晶を用いた画像表示装置の最終製
造工程の直前のものの平面図、第５図は、ボンディング
パッド部の平面図、第６図は、第５図のE-F線における
断面図である。第４図，第５図，第６図において、１は
石英基板、２はAlボンディングパッド、３はNSG膜、５
はCr膜、６はCrによる共通アース線であり、７は走査回
路、８は画像表示部、９は上面ガラス板、10は共通アー
ス線エッチング用窓である。
造工程の直前のものの平面図、第５図は、ボンディング
パッド部の平面図、第６図は、第５図のE-F線における
断面図である。第４図，第５図，第６図において、１は
石英基板、２はAlボンディングパッド、３はNSG膜、５
はCr膜、６はCrによる共通アース線であり、７は走査回
路、８は画像表示部、９は上面ガラス板、10は共通アー
ス線エッチング用窓である。
このように共通アース線６を設け、各ボンディングパ
ッド２間を短絡させることにより、液晶配向膜ラビング
工程等において発生する静電気によって、走査回路7,画
像表示部８を構成するMOS素子が静電破壊されることを
防いでいる。そして最終工程において、共通アース線エ
ッチング用窓10を通して共通アース線６をエッチング
し、各ボンディングパッド２を独立分離させることによ
り、液晶画像表示装置として動作可能な状態とするもの
である。
ッド２間を短絡させることにより、液晶配向膜ラビング
工程等において発生する静電気によって、走査回路7,画
像表示部８を構成するMOS素子が静電破壊されることを
防いでいる。そして最終工程において、共通アース線エ
ッチング用窓10を通して共通アース線６をエッチング
し、各ボンディングパッド２を独立分離させることによ
り、液晶画像表示装置として動作可能な状態とするもの
である。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような構成では、最終工程で初
めてボンディングパッドが独立分離されるため、工程途
中において、走査回路7,画像表示部８を構成する諸回路
の動作特性を検査することは不可能であるという欠点を
有していた。
めてボンディングパッドが独立分離されるため、工程途
中において、走査回路7,画像表示部８を構成する諸回路
の動作特性を検査することは不可能であるという欠点を
有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、液晶工程において発生する
静電気から諸回路を保護することができ、しかも、工程
途中において諸回路の検査が可能であるような画像表示
装置の製造方法を提供するものである。
静電気から諸回路を保護することができ、しかも、工程
途中において諸回路の検査が可能であるような画像表示
装置の製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明の画像表示装置の
製造方法は、ガラス基板上に金属パッドを形成した後、
第１の絶縁膜で覆った後、ホトリソグラフィにより金属
パッド上の第１の絶縁膜だけを除去し、次に、第１の絶
縁膜に比較して容易にエッチングできる第２の絶縁膜を
全面に被着し、液晶工程を行なった後に、第２の絶縁膜
を選択的にエッチングして、金属パッドを露出させる工
程から構成されている。
製造方法は、ガラス基板上に金属パッドを形成した後、
第１の絶縁膜で覆った後、ホトリソグラフィにより金属
パッド上の第１の絶縁膜だけを除去し、次に、第１の絶
縁膜に比較して容易にエッチングできる第２の絶縁膜を
全面に被着し、液晶工程を行なった後に、第２の絶縁膜
を選択的にエッチングして、金属パッドを露出させる工
程から構成されている。
作用 この構成によれば、液晶工程前に第２の絶縁膜を形成
することにより、ボンディングパッドは液晶工程におい
て電気的に絶縁されることになり、液晶工程において発
生する静電気により諸回路が静電破壊されることを防
ぎ、かつ、各ボンディングパッドが共通アース線によっ
て短絡されていないため、検査が可能となる。
することにより、ボンディングパッドは液晶工程におい
て電気的に絶縁されることになり、液晶工程において発
生する静電気により諸回路が静電破壊されることを防
ぎ、かつ、各ボンディングパッドが共通アース線によっ
て短絡されていないため、検査が可能となる。
実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の実施例におけるボンディングパッ
ド部の平面図、第２図は、製造工程の流れを第１図のC-
Dにおける断面について描いた図、第３図は、液晶を用
いた画像表示装置の全体平面図である。
ド部の平面図、第２図は、製造工程の流れを第１図のC-
Dにおける断面について描いた図、第３図は、液晶を用
いた画像表示装置の全体平面図である。
図において、１は石英基板、２はボンディングパッ
ド、３は絶縁膜Ａ、４は絶縁膜Ｂ、７は走査回路、８は
画像表示部、９は上面ガラス板、11はレジストマスクで
ある。
ド、３は絶縁膜Ａ、４は絶縁膜Ｂ、７は走査回路、８は
画像表示部、９は上面ガラス板、11はレジストマスクで
ある。
先ず、第２図ａに示すように、石英基板１上に、例え
ばスパッタ法により厚さ１〜２μｍのAl-Si合金を形成
し、ホトリソグラフィにより、ボンディングパッド２を
形成する。次に第２図ｂに示すように、絶縁膜A3として
例えば、プラズマCVD法により300〜350℃の成長温度で
厚さ1500〜3000ÅのSiN膜を形成し、ホトリソグラフィ
により第２図ｃに示すように、レジストマスク11を形成
し、例えばフロンガス（CF4）を用いたドライエッチン
グにより、ボンディングパッド２上のSiN膜３のみを除
去し、その後レジストを除去する。ここで検査を行なう
ことができる。
ばスパッタ法により厚さ１〜２μｍのAl-Si合金を形成
し、ホトリソグラフィにより、ボンディングパッド２を
形成する。次に第２図ｂに示すように、絶縁膜A3として
例えば、プラズマCVD法により300〜350℃の成長温度で
厚さ1500〜3000ÅのSiN膜を形成し、ホトリソグラフィ
により第２図ｃに示すように、レジストマスク11を形成
し、例えばフロンガス（CF4）を用いたドライエッチン
グにより、ボンディングパッド２上のSiN膜３のみを除
去し、その後レジストを除去する。ここで検査を行なう
ことができる。
そして、絶縁膜B4として例えばプラズマCVD法によ
り、150〜170℃の低温で厚さ1000〜1500ÅのSiN膜を第
２図ｄに示すように、ボンディングパド２を完全に覆う
ように一様に形成する。ただし絶縁膜A3として用いるSi
N膜は、絶縁膜B4として用いるSiN膜よりも高温で形成
し、より耐エッチング性に優れている。その後、第２図
ｅの液晶工程において、液晶配向膜ラビング等を行なっ
た後上面ガラス板９を、石英基板１と例えば、エポキシ
系樹脂により画像表示部８を覆うように接着させ、液晶
の封入を行なう。液晶工程終了後、第２図ｆに示すよう
に、最終工程において例えば、フッ化アンモニウムと酢
酸、体積比2:1の混合液により、上面ガラス板９に覆わ
れていない領域の絶縁膜B4のSiN膜のみを絶縁膜A3のSiN
膜に対して選択的にエッチングする。このようにして、
ボンディングパッド部が出来る。
り、150〜170℃の低温で厚さ1000〜1500ÅのSiN膜を第
２図ｄに示すように、ボンディングパド２を完全に覆う
ように一様に形成する。ただし絶縁膜A3として用いるSi
N膜は、絶縁膜B4として用いるSiN膜よりも高温で形成
し、より耐エッチング性に優れている。その後、第２図
ｅの液晶工程において、液晶配向膜ラビング等を行なっ
た後上面ガラス板９を、石英基板１と例えば、エポキシ
系樹脂により画像表示部８を覆うように接着させ、液晶
の封入を行なう。液晶工程終了後、第２図ｆに示すよう
に、最終工程において例えば、フッ化アンモニウムと酢
酸、体積比2:1の混合液により、上面ガラス板９に覆わ
れていない領域の絶縁膜B4のSiN膜のみを絶縁膜A3のSiN
膜に対して選択的にエッチングする。このようにして、
ボンディングパッド部が出来る。
以上のように、絶縁膜A3と、エッチング選択性のある
絶縁膜B4を静電破壊防止用膜として液晶工程に入る前に
形成することにより、液晶工程において発生する静電気
によって各回路が静電破壊されることを防ぐことができ
るとともに、各ボンディングパッドが短絡されていない
ために検査が実施できる。
絶縁膜B4を静電破壊防止用膜として液晶工程に入る前に
形成することにより、液晶工程において発生する静電気
によって各回路が静電破壊されることを防ぐことができ
るとともに、各ボンディングパッドが短絡されていない
ために検査が実施できる。
なお、本実施例では、絶縁膜A,Bとしてそれぞれ、300
〜350℃の高温で形成するSiN膜および、150〜180℃の低
温で形成するSiN膜を用いたが、両者間にエッチング選
択性が存在することが重要であり、他の組み合わせとし
て、例えば、絶縁膜Ａとして常圧CVD法により420℃で形
成したNSG膜、絶縁膜ＢとしてプラズマCVD法により300
℃で形成したSiN膜を用いることも可能であることは言
うまでもない。この場合には、絶縁膜ＢのSiN膜を除去
する１つの方法としてCF4を用いたドライエッチング法
を用いることができる。
〜350℃の高温で形成するSiN膜および、150〜180℃の低
温で形成するSiN膜を用いたが、両者間にエッチング選
択性が存在することが重要であり、他の組み合わせとし
て、例えば、絶縁膜Ａとして常圧CVD法により420℃で形
成したNSG膜、絶縁膜ＢとしてプラズマCVD法により300
℃で形成したSiN膜を用いることも可能であることは言
うまでもない。この場合には、絶縁膜ＢのSiN膜を除去
する１つの方法としてCF4を用いたドライエッチング法
を用いることができる。
発明の効果 以上のように本発明によれは、共通アース線を設けず
エッチング選択性を有する二種類の絶縁膜を用いてボン
ディングパッド部を形成すれば、液晶工程において発生
する静電気による回路の静電破壊を防止でき、かつ、工
程途中において、検査が実施できるその実用的効果は大
なるものがある。
エッチング選択性を有する二種類の絶縁膜を用いてボン
ディングパッド部を形成すれば、液晶工程において発生
する静電気による回路の静電破壊を防止でき、かつ、工
程途中において、検査が実施できるその実用的効果は大
なるものがある。
第１図は本発明の一実施例におけるボンディングパッド
部の平面図、第２図は製造工程図、第３図は液晶画像表
示装置の全体図、第４図は従来の液晶画像表示装置の平
面図、第５図はそのボンディングパッド部の平面図、第
６図はボンディングパッド部の断面図である。 １……石英基板、２……ボンディングパッド、３……絶
縁膜Ａ、４……絶縁膜Ｂ、７……走査回路、８……画像
表示部、９……上面ガラス板。
部の平面図、第２図は製造工程図、第３図は液晶画像表
示装置の全体図、第４図は従来の液晶画像表示装置の平
面図、第５図はそのボンディングパッド部の平面図、第
６図はボンディングパッド部の断面図である。 １……石英基板、２……ボンディングパッド、３……絶
縁膜Ａ、４……絶縁膜Ｂ、７……走査回路、８……画像
表示部、９……上面ガラス板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江本 文昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内 (72)発明者 中村 晃 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板上に金属パッドを形成する工程
と、前記ガラス基板上の全面を第１の絶縁膜で覆う工程
と、前記金属パッド部の上の前記第１の絶縁膜だけを除
去する工程と、前記第１の絶縁膜の上にさらに第２の絶
縁膜を覆う工程と、液晶工程を行なった後に、前記第２
の絶縁膜を選択的に除去して、前記金属パッドの表面を
露出する工程とを含むことを特徴とする画像表示装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11854188A JPH0830817B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 画像表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11854188A JPH0830817B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 画像表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287624A JPH01287624A (ja) | 1989-11-20 |
| JPH0830817B2 true JPH0830817B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=14739145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11854188A Expired - Fee Related JPH0830817B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 画像表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830817B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3029531B2 (ja) * | 1994-03-02 | 2000-04-04 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| TWI391737B (zh) * | 2009-09-03 | 2013-04-01 | Au Optronics Corp | 主動元件陣列母基板及其製作方法 |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP11854188A patent/JPH0830817B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01287624A (ja) | 1989-11-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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