JPH084094B2 - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPH084094B2 JPH084094B2 JP63051049A JP5104988A JPH084094B2 JP H084094 B2 JPH084094 B2 JP H084094B2 JP 63051049 A JP63051049 A JP 63051049A JP 5104988 A JP5104988 A JP 5104988A JP H084094 B2 JPH084094 B2 JP H084094B2
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- JP
- Japan
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- gate
- field effect
- effect transistor
- gate pad
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- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 8
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電界効果トランジスタに関し、特にその入力
部の電極配線形状に関する。
部の電極配線形状に関する。
〔従来の技術〕 従来、特に高出力の電界効果トランジスタにおいて
は、その電極形状はくし形状であり、入力部の電極配線
は、第３図の平面図に示すようなパターンに形成されて
いる。すなわち、第３図において、ソース電極５とドレ
イン電極４とが一定のチャネル間隔を隔てて交互に横方
向に配列され、そのチャネル部の上にゲート電極母線が
分岐されたゲート電極１がくし形状に設けられている。
また、ゲート電極母線から直角に引出された引出し配線
2,を介してゲートパッド３が設けられ、ゲートパッド３
の両側に接地電極であるソースパッド６が配置され、そ
れぞれのソースパッド６は、ゲートパッド３の下端の外
側において、第３図中の斜線で示すように配線８により
お互いに接続されている。
は、その電極形状はくし形状であり、入力部の電極配線
は、第３図の平面図に示すようなパターンに形成されて
いる。すなわち、第３図において、ソース電極５とドレ
イン電極４とが一定のチャネル間隔を隔てて交互に横方
向に配列され、そのチャネル部の上にゲート電極母線が
分岐されたゲート電極１がくし形状に設けられている。
また、ゲート電極母線から直角に引出された引出し配線
2,を介してゲートパッド３が設けられ、ゲートパッド３
の両側に接地電極であるソースパッド６が配置され、そ
れぞれのソースパッド６は、ゲートパッド３の下端の外
側において、第３図中の斜線で示すように配線８により
お互いに接続されている。
一般に電界効果トランジスタの入力インピーダンス
は、通常用いられる測定回路系の特性インピーダンス50
Ωより充分低く、この為、素子と外部測定回路系の間に
は整合回路がそう入される。素子と整合回路の接続は金
ワイヤにより行われるが、使用周波数が高くなるに従い
前記ワイヤのインダクタンスＬにより位相回転が大きく
なり、整合を取るのが困難となる。従って、このワイヤ
長を最短にする事が高周波数動作の為の必須条件となっ
てくるわけであるが、従来パターンの場合、前記第３図
のソース配線８がある為、ゲートパッドよりボンディン
グワイヤを外に引きだす時、配線８への接触を避ける為
ワイヤを弧状にしなければならず、ワイヤ長が長くな
る。各ソースパッドが結線されていない場合は、ウェハ
ー製造プロセス中の特性チェック工程において各ソース
毎にチェック用針を立てなければならず非常に不便であ
る。従って、従来のパターンでは、以上に述べた欠点が
避けられない。
は、通常用いられる測定回路系の特性インピーダンス50
Ωより充分低く、この為、素子と外部測定回路系の間に
は整合回路がそう入される。素子と整合回路の接続は金
ワイヤにより行われるが、使用周波数が高くなるに従い
前記ワイヤのインダクタンスＬにより位相回転が大きく
なり、整合を取るのが困難となる。従って、このワイヤ
長を最短にする事が高周波数動作の為の必須条件となっ
てくるわけであるが、従来パターンの場合、前記第３図
のソース配線８がある為、ゲートパッドよりボンディン
グワイヤを外に引きだす時、配線８への接触を避ける為
ワイヤを弧状にしなければならず、ワイヤ長が長くな
る。各ソースパッドが結線されていない場合は、ウェハ
ー製造プロセス中の特性チェック工程において各ソース
毎にチェック用針を立てなければならず非常に不便であ
る。従って、従来のパターンでは、以上に述べた欠点が
避けられない。
上記問題点に対し本発明の電界効果トランジスタの入
力部パターンは、従来のゲートパッド下端の外側を迂回
したソースパッド同士の結線をなくし、その代りに、ゲ
ート電極からゲートパッドに到るゲート引出し配線の一
部あるいはゲートパッドの一部の上層または下層を絶縁
膜を間にはさんで横断する配線により相隣接するソース
パッド同士の間が接続されているとともに、前記ゲート
パッドの前記ゲート引出し部と反対側の領域では前記ソ
ースパッド同士が分離されている。
力部パターンは、従来のゲートパッド下端の外側を迂回
したソースパッド同士の結線をなくし、その代りに、ゲ
ート電極からゲートパッドに到るゲート引出し配線の一
部あるいはゲートパッドの一部の上層または下層を絶縁
膜を間にはさんで横断する配線により相隣接するソース
パッド同士の間が接続されているとともに、前記ゲート
パッドの前記ゲート引出し部と反対側の領域では前記ソ
ースパッド同士が分離されている。
次に、本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る入力部パターンを示
す平面図である。第１図においてゲート電極１は幅W1、
長さl1の引出し電極２によりゲートパッド３まで引出さ
れている。ゲートパッド３の両隣に位置するソースパッ
ド6,6は配線７によりゲートパッド３のクロスオーバー
するように配線され、クロスオーバー領域は図中斜線部
で示した大きさで幅l2、長さW2である。
す平面図である。第１図においてゲート電極１は幅W1、
長さl1の引出し電極２によりゲートパッド３まで引出さ
れている。ゲートパッド３の両隣に位置するソースパッ
ド6,6は配線７によりゲートパッド３のクロスオーバー
するように配線され、クロスオーバー領域は図中斜線部
で示した大きさで幅l2、長さW2である。
第２図は第１図のＡ−Ａ断面図であり、図において、
厚さｔの絶縁膜、例えばSiO2膜９を間にしてクロスオー
バー配線７はゲートパッド３の上層を横断している事を
示している。第１図より明らかなように、このソースパ
ッド結線法であると、ゲートパッドより外部整合回路へ
の結線ワイヤ長を出来る限り短くする事ができる。ま
た、引出し配線２の幅W1、長さl1及びクロスオーバー部
の幅l2、長さW2、絶縁膜厚さｔを使用周波数に応じ適当
な選ぶ事により第１図中に記した素子のインピーダンス
Ｚを幾分外側測定回路系の特性インピーダンス50Ωに近
づける事が出来、整合が取り易くなる効果も生ずる。例
えば前記W1,l1,W2,l2,tをそれぞれ15μm,60μm,50μm,2
0μm,1500Åとした場合、W1,l1で記される引出し配線の
インダクタンスＬは0.032nHとなり、＝40GHzにおける
特性インピーダンス50Ωでの規格化インピーダンス（＝
ωL/50）は0.16となる。同様にクロスオーバー部におけ
る容量Ｃは0.33pFとなり規格化アドミタンスは2.73とな
る。第１図中に記した素子インピーダンスＺが充分小さ
く、例えば規格化インピーダンスを０とした場合、スミ
スチャート上の変換操作からも容易にわかるように、上
記L,Cにより規格化インピーダンスの実部Re（ｚ）は〜
0.15となる。電力反射係数｜Γ｜に言い換えれば、｜Γ
｜＝１→｜Γ｜0.75とかなり改善され、最終的な整合
は外部に付けた回路によって行うにしろ、その整合操作
が従来よりも容易になる。
厚さｔの絶縁膜、例えばSiO2膜９を間にしてクロスオー
バー配線７はゲートパッド３の上層を横断している事を
示している。第１図より明らかなように、このソースパ
ッド結線法であると、ゲートパッドより外部整合回路へ
の結線ワイヤ長を出来る限り短くする事ができる。ま
た、引出し配線２の幅W1、長さl1及びクロスオーバー部
の幅l2、長さW2、絶縁膜厚さｔを使用周波数に応じ適当
な選ぶ事により第１図中に記した素子のインピーダンス
Ｚを幾分外側測定回路系の特性インピーダンス50Ωに近
づける事が出来、整合が取り易くなる効果も生ずる。例
えば前記W1,l1,W2,l2,tをそれぞれ15μm,60μm,50μm,2
0μm,1500Åとした場合、W1,l1で記される引出し配線の
インダクタンスＬは0.032nHとなり、＝40GHzにおける
特性インピーダンス50Ωでの規格化インピーダンス（＝
ωL/50）は0.16となる。同様にクロスオーバー部におけ
る容量Ｃは0.33pFとなり規格化アドミタンスは2.73とな
る。第１図中に記した素子インピーダンスＺが充分小さ
く、例えば規格化インピーダンスを０とした場合、スミ
スチャート上の変換操作からも容易にわかるように、上
記L,Cにより規格化インピーダンスの実部Re（ｚ）は〜
0.15となる。電力反射係数｜Γ｜に言い換えれば、｜Γ
｜＝１→｜Γ｜0.75とかなり改善され、最終的な整合
は外部に付けた回路によって行うにしろ、その整合操作
が従来よりも容易になる。
以上のように本発明による入力部パターン形状では、
ソースパッドをゲート電極引出し部の一部あるいはゲー
トパッドの一部とクロスオーバーするように配線する事
により、ゲートパッドと外部整合回路を結ぶ配線の長さ
を短くする事ができ、しかも、上記引出し部のインダク
タンスＬ及びクロスオーバー部の容量Ｃにより素子のイ
ンピーダンスを外部測定回路系の特性インピーダンス50
Ωに近づけられ、従って、外部回路との整合が取り易く
できる効果がある。
ソースパッドをゲート電極引出し部の一部あるいはゲー
トパッドの一部とクロスオーバーするように配線する事
により、ゲートパッドと外部整合回路を結ぶ配線の長さ
を短くする事ができ、しかも、上記引出し部のインダク
タンスＬ及びクロスオーバー部の容量Ｃにより素子のイ
ンピーダンスを外部測定回路系の特性インピーダンス50
Ωに近づけられ、従って、外部回路との整合が取り易く
できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例に係る入力部のパターンの平
面図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は従来の
電界効果トランジスタの入力部パターンの平面図であ
る。 １……ゲート電極、２……ゲート引出し配線、３……ゲ
ートパッド、４……ドレイン電極、５……ソース電極、
６……ソースパッド、７……クロスオーバー配線、８…
…ソース配線。
面図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は従来の
電界効果トランジスタの入力部パターンの平面図であ
る。 １……ゲート電極、２……ゲート引出し配線、３……ゲ
ートパッド、４……ドレイン電極、５……ソース電極、
６……ソースパッド、７……クロスオーバー配線、８…
…ソース配線。
Claims (1)
- 【請求項１】くし形電極構造を有する電界効果トランジ
スタにおいて、ゲートパッドを間にしてその両隣に位置
するソースパッド同士が、絶縁膜を間にはさんでゲート
電極から前記ゲートパッドに到るゲート引出し部の一部
あるいはゲートパッドの一部の上層または下層を横断し
て配線接続されているとともに、前記ゲートパッドの前
記ゲート引出し部と反対側の領域では前記ソースパッド
同士が分離されていることを特徴とする電界効果トラン
ジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63051049A JPH084094B2 (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63051049A JPH084094B2 (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225176A JPH01225176A (ja) | 1989-09-08 |
| JPH084094B2 true JPH084094B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=12875946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63051049A Expired - Lifetime JPH084094B2 (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084094B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56120168A (en) * | 1980-01-28 | 1981-09-21 | Nec Corp | Extrahigh frequency high output field-effect transistor |
| JPH0316281Y2 (ja) * | 1985-08-23 | 1991-04-08 |
-
1988
- 1988-03-03 JP JP63051049A patent/JPH084094B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01225176A (ja) | 1989-09-08 |
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